專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置,尤其涉及被稱為IPS(In-Plane-Switching)方式的液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
被稱為IPS方式的液晶顯示裝置是通過在隔著液晶對置配置的一對透明基板之中的、一個(gè)透明基板的液晶側(cè)的各像素區(qū)域中形成像素電極和公共電極而構(gòu)成的，其中所述公共電極使與透明基板平行的電場(橫向電場)產(chǎn)生在與該像素電極之間。并且，構(gòu)成為通過電場來控制液晶的驅(qū)動(dòng)，以調(diào)整透過像素電極與公共電極之間的區(qū)域的光的量。公知這種液晶顯示裝置為即便從相對于顯示面傾斜的方向觀察顯示也不會發(fā)生變化的、所謂寬視角特性優(yōu)越的液晶顯示裝置。以往，在這種液晶顯示裝置中，像素電極和公共電極由不讓光透過的導(dǎo)電層形成。但是，近年來，公知采用下述構(gòu)成的液晶顯示裝置，即在像素區(qū)域的除了周邊之外的整個(gè)區(qū)域內(nèi)形成由透明電極構(gòu)成的公共電極，并在該公共電極上隔著絕緣膜形成了帶狀的像素電極。這種構(gòu)成的液晶顯示裝置，由于在像素電極與公共電極之間產(chǎn)生橫向電場，因而在寬視角特性上優(yōu)越，并且具有孔徑比提高的特征(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。另一方面，公開了斜電場方式的液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置將用于向液晶層施加電場的像素電極和公共電極分別隔著絕緣膜而配置于不同的層上，由于與IPS方式的液晶顯示裝置相比為寬視角且高對比度，伴隨著能進(jìn)行更低的低電壓驅(qū)動(dòng)從而具有更高的高透過率，故具有能進(jìn)行明亮顯示的特征。然而，由于漏極信號線與像素電極的電位差會產(chǎn)生取向異常，故信號線附近成為不能有助于顯示的區(qū)域，從而數(shù)值孔徑降低，并且還具有下述問題由于信號線與像素電極所產(chǎn)生的耦合電容，易導(dǎo)致串?dāng)_等顯示品質(zhì)的下降。因此，為了減小這種信號線電位的影響，而提出了使用層間樹脂膜并在該層間樹脂膜上配置像素電極或公共電極的液晶顯示裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)2和3)。但是，卻進(jìn)一步要求數(shù)值孔徑(透過率)高且能以較低成本制造的液晶顯示裝置及其制造方法。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-202356號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開2009-122299號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開2010-145449號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的液晶顯示裝置具備一對透明基板、柵極絕緣膜、開關(guān)元件、第I電極、第2電極和接觸孔。一對的透明基板隔著液晶層相互對置配置。柵極絕緣膜按照覆蓋柵電極的方式形成，所述柵電極形成在透明基板之中的一個(gè)透明基板的液晶層側(cè)的像素區(qū)域。開關(guān)元件被設(shè)置在柵極絕緣膜上且由薄膜晶體管構(gòu)成。第I電極隔著絕緣膜被設(shè)置在開關(guān)元件上。第2電極隔著絕緣膜被設(shè)置在第I電極上、且與開關(guān)元件的電極連接。接觸孔被一并形成于開關(guān)元件上的絕緣膜以及第I電極上的絕緣膜，并形成了第2電極。液晶顯示裝置在開關(guān)元件上的絕緣膜的接觸孔的周圍區(qū)域，與第I電極同時(shí)地形成了浮動(dòng)電極。另外，本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法是具備一對透明基板、柵極絕緣膜、開關(guān)元件、第I電極、第2電極和接觸孔的液晶顯示裝置的制造方法。液晶顯示裝置的一對透明基板隔著液晶層相互對置配置。柵極絕緣膜按照覆蓋柵電極的方式形成，所述柵電極形成在透明基板之中的一個(gè)透明基板的液晶層側(cè)的像素區(qū)域。開關(guān)元件被設(shè)置在柵極絕緣膜上且由薄膜晶體管構(gòu)成。第I電極隔著絕緣膜被設(shè)置在開關(guān)元件上。第2電極隔著絕緣膜被設(shè)置在第I電極上、且與開關(guān)元件的電極連接。接觸孔被一并形成在開關(guān)元件上的絕緣膜以及第I電極上的絕緣膜，并形成了第2電極。在液晶顯示裝置的制造方法中，在開關(guān)元件上形成了絕緣膜之后，在絕緣膜上以圖案成形的方式形成第I電極，并且在形成接觸孔的周圍區(qū)域形成浮動(dòng)電極，然后在第I電極上形成了絕緣膜之后，在多個(gè)絕緣膜一并形成接觸孔，并使開關(guān)元件的電極的一部分露出到外部，將開關(guān)元件的電極和第2電極連接起來。這樣一來，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供低成本且數(shù)值孔徑(透過率)高的液晶顯示裝置及其制造方法。


圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的一像素份的主要部分結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是在圖1之中開關(guān)元件部分的2-2剖面處的概略剖視圖。圖3是在圖1之中液晶層部分的3-3剖面處的概略剖視圖。圖4A是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法中的制造工序的一例的剖視圖。圖4B是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法中的制造工序的一例的剖視圖。圖4C是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法中的制造工序的一例的剖視圖。圖4D是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法中的制造工序的一例的剖視圖。圖4E是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法中的制造工序的一例的剖視圖。
具體實(shí)施例方式(實(shí)施方式)以下，使用圖1 圖4E的附圖來說明本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置及其制造方法。圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的一像素份的主要部分結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是在圖1之中開關(guān)元件部分的2-2剖面處的概略剖視圖。圖3是在圖1之中液晶層部分的3-3剖面處的概略剖視圖。圖中所示的液晶顯示裝置是有源矩陣方式的液晶顯示裝置，多個(gè)像素被配置成矩陣狀。如圖1、圖2、圖3所示，一對透明基板1、12隔著液晶層13相互對置配置。之后，在玻璃基板等絕緣性的透明基板I的液晶層13側(cè)的像素區(qū)域，直接地或者隔著基底層以規(guī)定的圖案形成了多個(gè)柵電極2，按照覆蓋柵電極2的方式在透明基板I上形成了柵極絕緣膜3。在柵極絕緣膜3上形成了半導(dǎo)體膜4。之后，通過在半導(dǎo)體膜4上形成源/漏電極5，從而構(gòu)成作為開關(guān)元件的薄膜晶體管。
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在此，作為半導(dǎo)體膜4，優(yōu)選由含In-Ga-Zn-O在內(nèi)的InGaZnOx的非晶氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成。作為包含In-Ga-Zn-O在內(nèi)的InGaZnOx的非晶氧化物半導(dǎo)體膜的成膜方法，例如能夠?qū)⒕哂蠭nGaO3(ZnO)4組成的多晶燒結(jié)體作為靶材，通過濺射法或激光蒸渡法等氣相成膜法形成。柵電極2和源/漏電極5分別與信號線2a、5a連接。每條信號線2a、5a按照以被柵極絕緣膜3絕緣的狀態(tài)交叉的方式形成。柵電極2與成為掃描信號線的信號線2a —體形成。源/漏電極5的信號線5a的一部分兼作影像信號線，成為兩者被連接的結(jié)構(gòu)。在此，柵電極2、源/漏電極5以及各自的信號線2a、5a由Al、Mo、Cr、W、T1、Pb、Cu、Si的單金屬、或者這些單金屬的復(fù)合層(Ti/Al等)、或者金屬化合物層(MoW、AlCu等)形成。在本實(shí)施方式中，雖然都由Cr構(gòu)成，但是柵電極2和源/漏電極5也可以由不同的材料構(gòu)成。另外，在源/漏電極5、即開關(guān)元件之上依次層疊形成了第I絕緣膜6、第2絕緣膜7、作為公共電極的第I電極8、第3絕緣膜9以及作為像素電極的第2電極10。第2電極10經(jīng)由接觸孔11而與薄膜晶體管的源/漏電極5連接，該接觸孔11被一并形成在3層、即第I絕緣膜6、第2絕緣膜7以及第3絕緣膜9。S卩，第I電極8隔著作為絕緣膜的第I絕緣膜6、第2絕緣膜7被設(shè)置在開關(guān)元件上。第2電極10隔著作為絕緣膜的第3絕緣膜9被設(shè)置在第I電極8上、且與開關(guān)元件的電極連接。接觸孔11的壁面被第2電極10覆蓋。在接觸孔11的周圍區(qū)域形成了浮動(dòng)電極19。第I電極8、第2電極10和浮動(dòng)電極19例如由ITO(Indium Tin Oxide)等透明導(dǎo)電膜形成，在形成第I電極8的工序中按照存在于形成有接觸孔11的區(qū)域的周圍的方式同時(shí)形成了浮動(dòng)電極19。另外，向第I電極8提供與向第2電極10施加的電位不同的公共電位。因此，由第I電極8、第2電極10和第3絕緣膜9構(gòu)成了保持電容，并且由于能形成透明的保持電容，因而能夠增大透過顯示時(shí)的數(shù)值孔徑。在此,作為第3絕緣膜9,通過等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition)法成膜后的氮化硅膜最合適。如果使用氮化硅膜，則與使用涂敷型的有機(jī)或無機(jī)材料的絕緣膜的情況、或使用氧化硅膜的情況相比，由于介電常數(shù)變高，因而能夠增大保持電容。優(yōu)選第3絕緣膜9通過在高溫下成膜從而成為致密的膜。第2絕緣膜7是由涂敷型的有機(jī)或無機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜，由具有S1-O鍵的SOG (Spin on Glass)材料構(gòu)成。通過對第2絕緣膜7使用SOG材料，從而如后述那樣可以與第I絕緣膜6以及第3絕緣膜9 一并進(jìn)行干蝕刻，能夠簡化制造工序。而且，由于可以用一般涂敷機(jī)中的涂敷工序進(jìn)行成膜，所以與由真空裝置成膜的第I絕緣膜6以及第3絕緣膜9這樣的無機(jī)絕緣膜相比，膜形成的成本本身也得到了降低。另外，與使用無機(jī)絕緣膜的情況相比，由于容易形成得較厚，所以可以提高平坦度、減小寄生電容。另外，第2絕緣膜7由具有S1-O鍵的SOG材料構(gòu)成，耐熱性高，可以在240°C以上對第3絕緣膜9進(jìn)行高溫成膜，可以形成可靠性更高的第3絕緣膜。如圖3所示，在畫像的顯示側(cè)，按照與透明基板I對置的方式配置了由玻璃基板等構(gòu)成的作為共通基板的絕緣性的透明基板12，并在這些透明基板I與透明基板12之間配置了液晶層13。在透明基板I的成為與液晶層13相接的面的第2電極10上形成了取向膜14，并且在透明基板12的與液晶層13相接的面?zhèn)纫才渲昧巳∠蚰?4。另外，在透明基板12的形成有取向膜14的內(nèi)面形成了濾色器15和黑矩陣16，按照覆蓋濾色器15和黑矩陣16的方式形成了保護(hù)層17，并在該保護(hù)層17上形成了取向膜14。另外，在透明基板I以及透明基板12的外面配置了偏振片18。其中，在圖1之中沒有示出偏振片18。另外，也可以根據(jù)需要，在透明基板1、12之中的至少一個(gè)基板配置相 位差板(retardation film)等。在此，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，第2電極10具有線狀的部分，形成為梳齒狀。另外，第I電極8形成為面狀。并且，液晶顯示裝置使與透明基板I以及透明基板12平行的電場產(chǎn)生在第2電極10與第I電極8之間，從而驅(qū)動(dòng)液晶層13來進(jìn)行顯示。接著，使用圖4A 4E來說明本發(fā)明的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的一例。首先，如圖4A所示，準(zhǔn)備透明基板1，在其表面的整個(gè)區(qū)域，例如利用濺射形成由Cr等構(gòu)成的金屬膜。之后，利用光刻技術(shù)，對金屬膜進(jìn)行選擇蝕刻，從而與信號線一起形成柵電極2。接著，如圖4B所示，在包括柵電極2的透明基板I的表面的整個(gè)區(qū)域，例如利用等離子體CVD法或?yàn)R射法等形成由SiN膜構(gòu)成的柵極絕緣膜3。此時(shí)的成膜條件設(shè)為成膜溫度(基板溫度)為380°C，膜厚為300nm。進(jìn)而，在柵極絕緣膜3的表面的整個(gè)區(qū)域，例如利用CVD法依次形成a_Si層、或慘雜了 η型雜質(zhì)的a_Si層。進(jìn)而，在該a_Si層的表面的整個(gè)區(qū)域，例如利用濺射法形成Cr膜等金屬膜，利用光刻技術(shù)對該a-Si層以及金屬膜同時(shí)進(jìn)行選擇蝕刻，分別形成薄膜晶體管(Thin Film Transistor,以下略記為“TFT”)的半導(dǎo)體膜4和源/漏電極(包括信號線)5。接著，如圖4C所示，在包括源/漏電極5 (溝道區(qū)域)的透明基板I的表面的整個(gè)區(qū)域，利用等離子體CVD法或?yàn)R射法等形成由SiN構(gòu)成的第I絕緣膜6。進(jìn)而，在第I絕緣膜6的表面的整個(gè)面涂敷具有S1-O鍵的SOG材料，通過在干燥機(jī)內(nèi)以250°C進(jìn)行60分鐘的烘焙來進(jìn)行熱硬化處理，從而形成了第2絕緣膜7。此外，在此形成的第2絕緣膜7的厚度優(yōu)選設(shè)為1. 5 4. O μ m。若第2絕緣膜7的厚度小于1. 5 μ m，則會在TFT等存在之處產(chǎn)生高低差，進(jìn)而在利用以下工序形成的第I電極8、第2電極10中也會產(chǎn)生高低差，所以不優(yōu)選。另外，若第2絕緣膜7的厚度超過4. O μ m，則第2絕緣膜7的光吸收率變大，顯示區(qū)域的明亮度下降，所以也不優(yōu)選。而且，在第2絕緣膜7的表面的整個(gè)區(qū)域，例如利用濺射法形成ITO膜。之后，利用光刻技術(shù)，對ITO膜進(jìn)行選擇蝕刻，從而形成了厚度為55nm的第I電極8以及浮動(dòng)電極19。此外，第I電極8與被布線于液晶顯示裝置的邊框區(qū)域的公共布線進(jìn)行電連接。浮動(dòng)電極19按照存在于利用后續(xù)工序加工的接觸孔11的周圍區(qū)域的方式形成。其次，如圖4D所示，在包括第I電極8的第2絕緣膜7的表面的整個(gè)區(qū)域，利用等離子體CVD法或?yàn)R射法等，形成了例如由絕緣性良好的SiN構(gòu)成的第3絕緣膜9。關(guān)于此時(shí)的成膜條件，由于處于該第3絕緣膜9的下層的第2絕緣膜7為耐熱溫度高的SOG材料，因而可以將成膜溫度(基板溫度)設(shè)為230°C 300°C，與第2絕緣膜為現(xiàn)有的樹脂膜的情況相比，可以形成更致密且可靠性更高的第3絕緣膜9。另外，此時(shí)在形成絕緣膜的通常的本征層(bulk layer)的情況下，將作為利用等離子體CVD法成膜時(shí)的材料氣體的甲硅烷(SiH4)與氨(NH3)的氣體流量比設(shè)為1: 6，從中途開始增加氨(NH3)的氣體流量例如設(shè)為1: 16，由此優(yōu)選采用絕緣膜的表面附近的蝕刻速率比除此之外的部分(本征層)快的膜。絕緣膜的表面附近的蝕刻速率比除此之外的部分快的部分的膜厚優(yōu)選為絕緣膜的膜厚的5%以上且30%以下。進(jìn)而，換言之，該膜厚更優(yōu)選為8% 12%左右。這樣，通過在表面附近形成蝕刻速率快的膜(后退層)，從而能夠在形成接觸孔11時(shí)設(shè)為正錐形。即、如圖4D所示，接觸孔11按照下述方式形成越是接近其開口部，則直徑越大于底部。為了確保TFT的溝道區(qū)域、源/漏電極的耐濕性以及絕緣性，最好將第3絕緣膜9的厚度設(shè)為IOOnm以上。此外，若第3絕緣膜9的厚度超過lOOOnm，則在第I電極8與第2電極10之間產(chǎn)生的電容變小，所以無法向液晶施加充足的寫入電壓，并且驅(qū)動(dòng)液晶分子所需的電壓變高，所以不優(yōu)選。然后，在第3絕緣膜9上形成感光性的抗蝕劑掩模20，接著利用干蝕刻處理，按照一并貫通覆蓋源/漏電極5的第I絕緣膜6、第2絕緣膜7以及第3絕緣膜9這3層的絕緣膜的方式在各像素形成接觸孔11，并使源/漏電極5的一部分再次露出到外部。作為蝕刻氣體而使用SF6、CHF3> CF4等和O2的混合氣體，進(jìn)行了干蝕刻。這樣，通過一并蝕刻3層的絕緣膜，從而與作為第2絕緣膜7而使用感光性的樹脂材料，利用光刻技術(shù)進(jìn)行圖案成形(形成接觸孔)的現(xiàn)有的液晶顯示裝置相比，能夠減低光刻工序、曝光工序負(fù)荷(曝光、光反應(yīng)處理)等制造工序，可以實(shí)現(xiàn)低成本化。而且，由于被作為SiN等無機(jī)絕緣膜的第I絕緣膜6以及第3絕緣膜9夾持的、第2絕緣膜7是具有S1-O鍵的SOG材料，因而在干蝕刻處理之后不會產(chǎn)生各層的高低差，與光致抗蝕劑的選擇比為2. 5以上，蝕刻速率為500nm/min以上，進(jìn)而由于也不會產(chǎn)生等離子體對絕緣膜的損壞，所以可以進(jìn)行穩(wěn)定的圖案成形。另外，在第3絕緣膜9中，在接觸孔11的周圍區(qū)域，與第I電極8同時(shí)地形成浮動(dòng)電極19，在形成接觸孔11之際，由于該浮動(dòng)電極19能夠防止孔的擴(kuò)大，因此即便在通過一并蝕刻3層的絕緣膜而形成了接觸孔11的情況下，也能夠形成高精度的接觸孔11。 如圖4E所示，在形成接觸孔11之后去除抗蝕劑掩模20，然后按照覆蓋第3絕緣膜9的整個(gè)表面以及接觸孔11的方式利用ITO包覆透明導(dǎo)電性材料，利用光刻法以及蝕刻法形成了第2電極(像素電極)10。膜厚成為75nm。此時(shí)，透明導(dǎo)電性材料的一部分成膜在接觸孔11內(nèi)，由此第2電極(像素電極)10與源/漏電極5被電連接。此外，在本實(shí)施方式中，雖然作為第3絕緣膜9而使用了 SiN膜，但是為了可靠地避免ITO上的白濁，也可以使用SiO2或SiON等包括氧氣的絕緣膜來作為至少與ITO接觸的第3絕緣膜9。另外，雖然對在源/漏電極5之上形成了第I絕緣膜6的情況進(jìn)行了說明，但是按照可靠性的要求程度等，第I絕緣膜6也可不一定是必要的層，即便是在源/漏電極5之上直接形成了第2絕緣膜7的構(gòu)成，根據(jù)本發(fā)明也能起到增大保持電容的效果。此外，在采用這種結(jié)構(gòu)的情況下，通過作為第2絕緣膜7而使用SOG材料，從而與樹脂材料的情況相比能夠得到更高的可靠性。而且，雖然對作為絕緣膜而形成SiN的情況進(jìn)行了說明，但是并不限定于此，也能夠采用包括Si02、SiO或SiN的層疊膜、例如SiO2和SiN的2層結(jié)構(gòu)。另外，即便在第3絕緣膜9中，在接觸孔11的周圍區(qū)域，與第I電極8同時(shí)地形成浮動(dòng)電極19、且通過一并蝕刻3層的絕緣膜而形成了接觸孔11的情況下，也能夠形成高精度的接觸孔11，由此能夠形成可靠性更高的第2電極10。-工業(yè)可用性-根據(jù)本發(fā)明，在提供低成本且數(shù)值孔徑(透過率)高的液晶顯示裝置的方面是有用的發(fā)明。-符號說明-1、12透明基板2柵電極3柵極絕緣膜4半導(dǎo)體膜5源/漏電極6第I絕緣膜7第2絕緣膜(具有S1-O鍵的SOG材料)8第I電極9第3絕緣膜10第2電極11接觸孔13液晶層19浮動(dòng)電極
權(quán)利要求
1.一種液晶顯不裝置，具備一對透明基板，隔著液晶層相互對置配置；柵極絕緣膜，按照覆蓋柵電極的方式形成，所述柵電極形成在所述一對所述透明基板之中的一個(gè)所述透明基板的所述液晶層側(cè)的像素區(qū)域；開關(guān)元件，被設(shè)置在所述柵極絕緣膜上且由薄膜晶體管構(gòu)成；第I電極，隔著絕緣膜被設(shè)置在所述開關(guān)元件上；第2電極，隔著絕緣膜被設(shè)置在所述第I電極上、且與所述開關(guān)元件的電極連接；和接觸孔，被一并形成于所述開關(guān)元件上的所述絕緣膜以及所述第I電極上的所述絕緣膜，并在該接觸孔中形成了所述第2電極，在所述開關(guān)元件上的所述絕緣膜的所述接觸孔的周圍區(qū)域，與所述第I電極同時(shí)地形成了浮動(dòng)電極。
2.一種液晶顯示裝置的制造方法，所述液晶顯示裝置具備一對透明基板，隔著液晶層相互對置配置；柵極絕緣膜，按照覆蓋柵電極的方式形成，所述柵電極形成在所述一對所述透明基板之中的所述一個(gè)所述透明基板的所述液晶層側(cè)的像素區(qū)域；開關(guān)元件，被設(shè)置在所述柵極絕緣膜上且由薄膜晶體管構(gòu)成；第I電極，隔著絕緣膜被設(shè)置在所述開關(guān)元件上；第2電極，隔著絕緣膜被設(shè)置在所述第I電極上、且與所述開關(guān)元件的電極連接；和接觸孔，被一并形成于所述開關(guān)元件上的所述絕緣膜以及所述第I電極上的所述絕緣膜，并在該接觸孔中形成了所述第2電極，在所述液晶顯示裝置的制造方法中，在所述開關(guān)元件上形成了所述絕緣膜之后，在所述開關(guān)元件上的所述絕緣膜上以圖案成形的方式形成所述第I電極，并且在形成所述接觸孔的周圍區(qū)域形成浮動(dòng)電極，然后，在所述第I電極上形成了所述絕緣膜之后，在多個(gè)所述絕緣膜一并形成接觸孔， 并使所述開關(guān)元件的所述電極的一部分露出到外部，將所述開關(guān)元件的所述電極和所述第2電極連接起來。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置及其制造方法。液晶顯示裝置具備一對透明基板，隔著液晶層相互對置配置；柵極絕緣膜，按照覆蓋柵電極的方式形成，所述柵電極形成在透明基板之中的一個(gè)透明基板的液晶層側(cè)的像素區(qū)域；半導(dǎo)體膜，被設(shè)置在柵極絕緣膜上且構(gòu)成薄膜晶體管；第1電極，隔著第1絕緣膜以及第2絕緣膜被設(shè)置在半導(dǎo)體膜上；第2電極，隔著第3絕緣膜被設(shè)置在第1電極上；和接觸孔，被一并形成在第1絕緣膜、第2絕緣膜以及第1電極上的第3絕緣膜，并在接觸孔中形成了第2電極，在接觸孔的周圍區(qū)域形成了浮動(dòng)電極。
文檔編號G02F1/1368GK103003744SQ20128000107
公開日2013年3月27日 申請日期2012年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
發(fā)明者佐藤榮一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社