專利名稱：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film TransistorLiquidCrystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、制造成本相對(duì)較低和無(wú)福射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。目前，TFT-LCD的顯示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉(zhuǎn)換)模式和 ADSDS (ADvanced Super Dimension Switch,高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換，簡(jiǎn)稱 ADS)模式等。其中，ADS技術(shù)主要是通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。以ADS模式的TFT-IXD陣列基板為例，該陣列基板包括一組柵極掃描線和與柵極掃描線垂直交叉的一組數(shù)據(jù)掃描線，相鄰的柵極掃描線和數(shù)據(jù)掃描線限定了一個(gè)像素區(qū)。如圖I所示，每一個(gè)像素區(qū)包括形成于透明基板10之上的柵極11、柵極絕緣層12、有源層13、源極15、漏極16、第一透明電極14 (即板狀電極)、鈍化層17和第二透明電極18 (即狹縫電極)，鈍化層17具有連接?xùn)艠O掃描線、數(shù)據(jù)掃描線和第二透明電極的過(guò)孔(圖中未示出)。在現(xiàn)有陣列基板的制造過(guò)程中，形成柵極和柵極掃描線圖形，有源層圖形，源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線圖形，第一透明電極圖形和過(guò)孔圖形各需采用一次掩模構(gòu)圖工藝，圖I所示的ADS模式的TFT-LCD陣列基板則需采用1+5次掩模構(gòu)圖工藝形成，如圖2所示，其主要實(shí)施過(guò)程包括步驟101 :在透明基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)第一次掩模構(gòu)圖工藝形成柵極和柵極掃描線圖形；步驟102 :在完成步驟101的基板上依次沉積柵極絕緣層、有源層薄膜，通過(guò)第二次掩模構(gòu)圖工藝形成有源層圖形；步驟103 :在完成步驟102的基板上沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第三次掩模構(gòu)圖工藝形成第一透明電極圖形；步驟104 :在完成步驟103的基板上沉積源漏電極金屬薄膜，通過(guò)第四次掩模構(gòu)圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線圖形；步驟105 :在完成步驟104的基板上沉積鈍化層，通過(guò)第五次掩模構(gòu)圖工藝形成信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過(guò)孔圖形；步驟106 :在完成步驟105的基板上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第六次掩模構(gòu)圖工藝形成第二透明電極圖形?，F(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷在于，現(xiàn)有陣列基板的結(jié)構(gòu)形成第一透明電極，形成源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線各自均需采用一次掩模構(gòu)圖工藝，而每次掩模構(gòu)圖工藝均包括清洗、成膜、涂布、曝光、顯影、干刻或濕刻、光刻膠剝離等步驟，這無(wú)疑使得陣列基板的制造工藝較為繁瑣，產(chǎn)能較難提升
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供了一種陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的制造工藝較為繁瑣，產(chǎn)能較難提升的技術(shù)問(wèn)題。本實(shí)用新型陣列基板，包括多個(gè)像素單元，其中每個(gè)像素單元包括一薄膜晶體管和一第一透明電極，所述薄膜晶體管包括有源層、源極和漏極，其中，所述源極和漏極，位于有源層的上方或下方，并相對(duì)而置形成一第一溝槽；所述第一透明電極，包括位于所述薄膜晶體管的區(qū)域之外的部分和延伸至所述源極和漏極的下方與源極和漏極層疊接觸的部分，所述延伸至所述源極和漏極的下方與源極和漏極層疊接觸的部分形成一與所述第一溝槽重合的第二溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層的溝道。所述陣列基板，進(jìn)一步包括透明基板、柵極、與柵極連接的柵極掃描線、柵極絕緣層和與源極連接的數(shù)據(jù)掃描線，其中，所述柵極和柵極掃描線，形成于透明基板之上；所述柵極絕緣層，形成于柵極和柵極掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板；所述有源層，形成于柵極絕緣層之上并位于柵極上方；所述第一透明電極，形成于柵極絕緣層和有源層之上，與所述有源層層疊接觸；所述源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線，形成于第一透明電極之上，且所述源極和漏極在有源層的上方相對(duì)而置，形成與第二溝槽重合的第一溝槽。所述陣列基板，進(jìn)一步包括鈍化層，形成于源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板，且在基板的信號(hào)引導(dǎo)區(qū)具有過(guò)孔。所述第一透明電極為狹縫結(jié)構(gòu)或者板狀結(jié)構(gòu)，所述陣列基板，進(jìn)一步包括第二透明電極，形成于鈍化層之上，且具有狹縫結(jié)構(gòu)。所述陣列基板，進(jìn)一步包括透明基板、柵極、與柵極連接的柵極掃描線、柵極絕緣層和與源極連接的數(shù)據(jù)掃描線，其中，所述第一透明電極，形成于透明基板之上，并具有第二溝槽；所述源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線，形成于第一透明電極之上，且所述源極和漏極相對(duì)而置，形成與第二溝槽重合的第一溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層的溝道；所述有源層，形成于源極和漏極之上，與所述源極和漏極接觸，并包括位于所述有源層溝道中的部分；所述柵極絕緣層，形成于有源層之上并覆蓋整個(gè)基板；所述柵極和柵極掃描線，形成于柵極絕緣層之上，且所述柵極位于有源層的上方。[0034]所述陣列基板，進(jìn)一步包括鈍化層，形成于柵極和柵極掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板，且在基板的信號(hào)引導(dǎo)區(qū)具有過(guò)孔。所述第一透明電極為狹縫結(jié)構(gòu)或者板狀結(jié)構(gòu)，所述陣列基板，進(jìn)一步包括第二透明電極，形成于鈍化層之上，且具有狹縫結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型顯示裝置，包括前述技術(shù)方案中任一項(xiàng)所述的陣列基板。在本實(shí)用新型技術(shù)方案中，由于所述第一透明電極包括與源極和漏極層疊接觸的部分，形成一與所述源極和漏極形成的第一溝槽重合的第二溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層的溝道，因此，在具有該結(jié)構(gòu)的陣列基板的制造過(guò)程中，在連續(xù)沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏電極金屬薄膜之后，只需通過(guò)一次半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝即可形成第一透明電極圖形，及源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線圖形，對(duì)比于現(xiàn)有技術(shù)，省去了一次掩模構(gòu)圖工藝，大大簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，同時(shí)也減少了該次掩模構(gòu)圖工藝可能帶來(lái)的產(chǎn)品缺陷，大大提高·了產(chǎn)能。

圖I為現(xiàn)有陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖(ADS模式)；圖2為現(xiàn)有陣列基板制造方法流程示意圖(ADS模式)；圖3為本實(shí)用新型陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖(以ADS模式底柵型為例)；圖4為本實(shí)用新型陣列基板制造方法流程示意圖(以ADS模式底柵型為例)；圖5為本實(shí)用新型陣列基板制造方法中半色調(diào)掩模工藝流程示意圖；圖6為本實(shí)用新型陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖(以ADS模式頂柵型為例)；圖7為本實(shí)用新型陣列基板制造方法流程示意圖(以ADS模式頂柵型為例)；圖8為本實(shí)用新型陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖(以TN模式底柵型為例)。附圖標(biāo)記10-透明基板11-柵極12-柵極絕緣層13-有源層14-第一透明電極(現(xiàn)有技術(shù))15-源極(現(xiàn)有技術(shù))16-漏極(現(xiàn)有技術(shù))17-鈍化層18-第二透明電極24-第一透明電極25-源極26-漏極50-全透光區(qū)51-不透光區(qū)52-半透光區(qū)
具體實(shí)施方式
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的制造工藝較為繁瑣，產(chǎn)能較難提升的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板及顯示裝置。如圖3和圖6所示，本實(shí)用新型陣列基板，包括多個(gè)像素單元(圖中只示出了一個(gè)像素單元)，其中每個(gè)像素單元包括一薄膜晶體管和一第一透明電極，所述薄膜晶體管包括有源層13、源極25、漏極26和第一透明電極24，其中，[0059]所述源極25和漏極26，位于有源層13的上方或下方，并相對(duì)而置形成一第一溝槽；所述第一透明電極24，包括位于所述薄膜晶體管的區(qū)域之外的部分和延伸至所述源極25和漏極26的下方與源極25和漏極26層疊接觸的部分，該延伸至所述源極25和漏極26的下方與源極25和漏極26層疊接觸的部分形成一與第一溝槽重合的第二溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層13的溝道。請(qǐng)繼續(xù)參考圖3所示，本實(shí)用新型應(yīng)用于底柵型陣列基板，可進(jìn)一步包括透明基板10、柵極11、與柵極11連接的柵極掃描線(圖中未示出)、柵極絕緣層12和與源極25連接的數(shù)據(jù)掃描線(圖中未示出)，其中，所述柵極11和柵極掃描線，形成于透明基板10之上；所述柵極絕緣層12，形成于柵極11和柵極掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板；所述有源層13，形成于柵極絕緣層12之上并位于柵極11上方；所述第一透明電極24，形成于柵極絕緣層12和有源層13之上，與所述有源層13層疊接觸，并在有源層13的上方具有第二溝槽；所述源極25、漏極26和數(shù)據(jù)掃描線，形成于第一透明電極24之上，且所述源極25和漏極26在有源層13的上方相對(duì)而置，形成與第二溝槽重合的第一溝槽。請(qǐng)繼續(xù)參考圖3，當(dāng)陣列基板為ADS模式的陣列基板時(shí)，進(jìn)一步包括鈍化層17，形成于源極25、漏極26和數(shù)據(jù)掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板，且在基板的信號(hào)引導(dǎo)區(qū)具有過(guò)孔(圖中未示出)；第二透明電極18，形成于鈍化層17之上，且具有狹縫結(jié)構(gòu)，此時(shí)，第一透明電極24可以為狹縫結(jié)構(gòu)或者板狀結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型技術(shù)方案同樣適用于TN模式。如圖8所示的TN模式的陣列基板，此時(shí)，陣列基板中不包括公共電極(即第二透明電極18)，公共電極位于彩膜基板上，可與位于陣列基板上的像素電極形成垂直電場(chǎng)，此時(shí)，第一透明電極24為板狀結(jié)構(gòu)，位于彩膜基板上的公共電極也為板狀結(jié)構(gòu)。圖3所示的ADS模式的TFT-IXD陣列基板共需采用1+4次掩模構(gòu)圖工藝形成，如圖4所示，其主要實(shí)施過(guò)程包括步驟201 :在透明基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)第一次掩模構(gòu)圖工藝形成柵極和柵極掃描線圖形；步驟202 :在完成步驟201的基板上依次沉積柵極絕緣層和有源層薄膜，通過(guò)第二次掩模構(gòu)圖工藝形成有源層圖形；步驟203 :在完成步驟202的基板上依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏電極金屬薄膜，通過(guò)一次半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝(即第三次掩模構(gòu)圖工藝)形成第一透明電極圖形及源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線圖形；步驟204 :在完成步驟203的基板上沉積鈍化層，通過(guò)第四次掩模構(gòu)圖工藝形成信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過(guò)孔圖形；步驟205 :在完成步驟204的基板上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第五次掩模構(gòu)圖工藝形成具有狹縫結(jié)構(gòu)的第二透明電極圖形。如圖5所示，步驟203具體為[0078]步驟2031 :在完成步驟202的基板上依次采用物理氣相淀積的方式沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏電極金屬薄膜；步驟2032 :在完成步驟2031的基板上涂覆一層正性光刻膠；步驟2033 :結(jié)合圖3所示，使用設(shè)計(jì)的具有全透光區(qū)50、半透光區(qū)52和不透光區(qū)51結(jié)構(gòu)的掩模板對(duì)基板進(jìn)行曝光，其中，掩模板的全透光區(qū)50對(duì)應(yīng)的光刻膠全部曝光，半透光區(qū)52對(duì)應(yīng)的光刻膠部分曝光,不透光區(qū)51對(duì)應(yīng)的光刻膠未被曝光；步驟2034 :對(duì)完成步驟2033的基板進(jìn)行顯影，完全曝光的區(qū)域光刻膠全部被溶解并去除，部分曝光的區(qū)域光刻膠部分被溶解并去除，未曝光區(qū)域光刻膠保留，成為保護(hù)掩模；步驟2035 :對(duì)完成步驟2034的基板進(jìn)行刻蝕，完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的部分刻蝕后露 出有源層形成溝道； 步驟2036 :對(duì)完成步驟2035的基板通過(guò)灰化工藝去除光刻膠部分曝光區(qū)域殘留的部分光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏電極金屬薄膜，對(duì)該薄膜進(jìn)行刻蝕，至暴露出第一透明電極；步驟2037 :將完成步驟2036的基板的剩余光刻膠剝離，露出源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線。如圖6所示，本實(shí)用新型應(yīng)用于頂柵型陣列基板，可進(jìn)一步包括透明基板10、柵極11、與柵極連接的柵極掃描線(圖中未示出)、柵極絕緣層12和與源極25連接的數(shù)據(jù)掃描線(圖中未示出)，其中，所述第一透明電極24，形成于透明基板10之上，并具有第二溝槽；所述源極25、漏極26和數(shù)據(jù)掃描線，形成于第一透明電極24之上，且所述源極25和漏極26相對(duì)而置，形成與第二溝槽重合的第一溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層13的溝道；所述有源層13，形成于源極25和漏極26之上，與所述源極25和漏極26接觸，并包括位于所述有源層13溝道中的部分；所述柵極絕緣層12，形成于有源層13之上并覆蓋整個(gè)基板；所述柵極11和柵極掃描線，形成于柵極絕緣層12之上，且所述柵極11位于有源層13的上方。同理，當(dāng)陣列基板為ADS模式的陣列基板時(shí)，進(jìn)一步包括鈍化層17，形成于柵極11和柵極掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板，且在基板的信號(hào)引導(dǎo)區(qū)具有過(guò)孔(圖中未示出)；第二透明電極18，形成于鈍化層17之上，且具有狹縫結(jié)構(gòu)，此時(shí)，第一透明電極24可以為狹縫結(jié)構(gòu)或者板狀結(jié)構(gòu)。同理，頂柵型TN模式的陣列基板也屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)，這里不再贅述。圖6所示的ADS模式的TFT-IXD陣列基板共需采用1+4次掩模構(gòu)圖工藝形成，如圖7所示，其主要實(shí)施過(guò)程包括步驟301 :在透明基板上依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏電極金屬薄膜，通過(guò)一次半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝(即第一次掩模構(gòu)圖工藝)形成第一透明電極圖形及源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線圖形；步驟302 :在完成步驟301的基板上沉積有源層薄膜，通過(guò)第二次掩模構(gòu)圖工藝形成有源層圖形；步驟303 :在完成步驟302的基板上依次沉積柵極絕緣層和柵金屬薄膜，通過(guò)第三次掩模構(gòu)圖工藝形成柵極和柵極掃描線圖形；步驟304 :在完成步驟303的基板上沉積鈍化層，通過(guò)第四次掩模構(gòu)圖工藝形成信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過(guò)孔圖形；步驟305 :在完成步驟304的基板上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第五次掩模構(gòu)圖工藝形成具有狹縫結(jié)構(gòu)的第二透明電極圖形。其中步驟301的具體流程與圖5所示流程類似，這里不再贅述。 本實(shí)用新型顯示裝置，包括前述技術(shù)方案中所述的陣列基板，所述顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、OLED(Organic Light-Emitting Diode)顯示器等顯示
>J-U裝直。在本實(shí)用新型技術(shù)方案中，由于所述第一透明電極包括與源極和漏極層疊接觸的部分，形成一與所述源極和漏極形成的第一溝槽重合的第二溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層的溝道，因此，在具有該結(jié)構(gòu)的陣列基板的制造過(guò)程中，在連續(xù)沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏電極金屬薄膜之后，只需通過(guò)一次半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝即可形成第一透明電極圖形，及源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線圖形，對(duì)比于現(xiàn)有技術(shù)，省去了一次掩模構(gòu)圖工藝，大大簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，同時(shí)也減少了該次掩模構(gòu)圖工藝可能帶來(lái)的產(chǎn)品缺陷，大大提高了產(chǎn)能。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括多個(gè)像素單元，其中每個(gè)像素單元包括一薄膜晶體管和一第一透明電極，所述薄膜晶體管包括有源層、源極和漏極，其特征在于， 所述源極和漏極，位于有源層的上方或下方，并相對(duì)而置形成一第一溝槽； 所述第一透明電極，包括位于所述薄膜晶體管的區(qū)域之外的部分和延伸至所述源極和漏極的下方與源極和漏極層疊接觸的部分，所述延伸至所述源極和漏極的下方與源極和漏極層疊接觸的部分形成一與所述第一溝槽重合的第二溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層的溝道。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括透明基板、柵極、與柵極連接的柵極掃描線、柵極絕緣層和與源極連接的數(shù)據(jù)掃描線，其中， 所述柵極和柵極掃描線，形成于透明基板之上； 所述柵極絕緣層，形成于柵極和柵極掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板； 所述有源層，形成于柵極絕緣層之上并位于柵極上方； 所述第一透明電極，形成于柵極絕緣層和有源層之上，與所述有源層層疊接觸； 所述源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線，形成于第一透明電極之上，且所述源極和漏極在有源層的上方相對(duì)而置，形成與第二溝槽重合的第一溝槽。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括 鈍化層，形成于源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板，且在基板的信號(hào)引導(dǎo)區(qū)具有過(guò)孔。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為狹縫結(jié)構(gòu)或者板狀結(jié)構(gòu)，所述陣列基板，進(jìn)一步包括 第二透明電極，形成于鈍化層之上，且具有狹縫結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括透明基板、柵極、與柵極連接的柵極掃描線、柵極絕緣層和與源極連接的數(shù)據(jù)掃描線，其中， 所述第一透明電極，形成于透明基板之上，并具有第二溝槽； 所述源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線，形成于第一透明電極之上，且所述源極和漏極相對(duì)而置，形成與第二溝槽重合的第一溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層的溝道；所述有源層，形成于源極和漏極之上，與所述源極和漏極接觸，并包括位于所述有源層溝道中的部分； 所述柵極絕緣層，形成于有源層之上并覆蓋整個(gè)基板； 所述柵極和柵極掃描線，形成于柵極絕緣層之上，且所述柵極位于有源層的上方。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括 鈍化層，形成于柵極和柵極掃描線之上并覆蓋整個(gè)基板，且在基板的信號(hào)引導(dǎo)區(qū)具有過(guò)孔。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為狹縫結(jié)構(gòu)或者板狀結(jié)構(gòu)，所述陣列基板，進(jìn)一步包括 第二透明電極，形成于鈍化層之上，且具有狹縫結(jié)構(gòu)。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求I 7中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陣列基板及顯示裝置，所述陣列基板，包括多個(gè)像素單元，其中每個(gè)像素單元包括一薄膜晶體管和一第一透明電極，所述薄膜晶體管包括有源層、源極和漏極，其中，所述源極和漏極，位于有源層的上方或下方，并相對(duì)而置形成一第一溝槽；所述第一透明電極，包括位于所述薄膜晶體管的區(qū)域之外的部分和延伸至所述源極和漏極的下方與源極和漏極層疊接觸的部分，所述與源極和漏極層疊接觸的部分形成一與所述第一溝槽重合的第二溝槽，所述第二溝槽與第一溝槽共同構(gòu)成有源層的溝道。本實(shí)用新型的陣列基板在制造時(shí)，只需通過(guò)一次半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝即可形成第一透明電極圖形，及源極、漏極和數(shù)據(jù)掃描線圖形，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，提高了產(chǎn)能。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK202512328SQ20122014027
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月5日
發(fā)明者木素真, 鄧檢 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司