專利名稱：一種d形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種D形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法。
背景技術(shù)：
折射率周期性調(diào)制結(jié)構(gòu)近年來(lái)越來(lái)越受到光通訊及傳感領(lǐng)域的重視。它們能夠形成與變化周期相關(guān)的布拉格禁帶，在光波的傳輸過(guò)程中起到反射作用。在介電系數(shù)呈周期性排列的三維介電材料中，電磁波經(jīng)介電函數(shù)散射后，某些波段的電磁波強(qiáng)度會(huì)因破壞性干涉而呈指數(shù)衰減，無(wú)法在系統(tǒng)內(nèi)傳遞，相當(dāng)于在頻譜上形 成能隙，于是色散關(guān)系也具有帶狀結(jié)構(gòu)，此即所謂的光子能帶結(jié)構(gòu)(photonic band structures)。具有光子能帶結(jié)構(gòu)的介電物質(zhì)，就稱為光能隙系統(tǒng)(photonic band-gap system,簡(jiǎn)稱PBG系統(tǒng))，或簡(jiǎn)稱光子晶體(photonic crystals)。層狀周期結(jié)構(gòu)正是基于光子晶體的概念發(fā)展起來(lái)的,膠體晶體也正是基于光子晶體的研究得到了廣泛的研究和發(fā)展。在光纖上制作周期性的微納結(jié)構(gòu)有多種用途，例如利用消逝場(chǎng)檢測(cè)環(huán)境介質(zhì)的折射率變化，從而監(jiān)測(cè)其化學(xué)濃度和PH值等性質(zhì)。為了使消逝場(chǎng)強(qiáng)度增大，將普通光纖的包層進(jìn)行腐蝕，減小包層的厚度，或者對(duì)光纖進(jìn)行研磨，將包層的其中一面磨平成為D形平面，這樣光纖將有更多的能量泄漏到外界環(huán)境中，出現(xiàn)較強(qiáng)的消逝場(chǎng)，使環(huán)境介質(zhì)的改變能直接影響到光場(chǎng)各參數(shù)的變化。這樣一種對(duì)普通光纖進(jìn)行研磨，改變其橫截面形狀和結(jié)構(gòu)從而改變基模傳輸特性的特種光纖就稱為D形光纖。因膠體晶體具有良好的周期性結(jié)構(gòu)，并且是三維分布和具有光子帶隙，D形光纖上膠體晶體可以與D形光纖平面消逝場(chǎng)相互作用，使在光纖內(nèi)部傳輸?shù)墓馐艿秸{(diào)制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)光傳感、光調(diào)控等功能。而且?guī)в心z體晶體的D形光纖可以直接與普通光纖熔接，實(shí)現(xiàn)全光纖器件，而不需要對(duì)應(yīng)的體塊部件。但是目前關(guān)于在D形光纖上制膠體晶體微納結(jié)構(gòu)還未見(jiàn)有報(bào)道，因光纖體積小，且要制備的膠體晶體的光子帶隙位于通信波段，需要的顆粒較大，因此在光纖上制備膠體晶體微納結(jié)構(gòu)需要更為精確的工藝和方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供一種D形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法，即先在D形光纖上制備微納結(jié)構(gòu)，然后再利用膠體微粒在微納結(jié)構(gòu)內(nèi)制備膠體晶體，以實(shí)現(xiàn)對(duì)D形光纖內(nèi)光場(chǎng)更強(qiáng)和可操控的調(diào)制，拓寬D形光纖的應(yīng)用范圍。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為一種D形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟
(I )、用硅膠將D形光纖的圓形面固定在底板上，在D形光纖平面上涂上光刻膠，然后烘
干;
(2)、將涂有光刻膠的D形光纖和所需掩膜板裝在光刻機(jī)上，對(duì)D形光纖平面進(jìn)行曝光，然后將D形光纖在30-60°C下加熱3-5分鐘，之后用丙酮顯影除去曝光部分的光刻膠；(3)、攪拌條件下，用HF酸緩沖溶液刻蝕D形光纖平面，實(shí)現(xiàn)D形光纖平面上微納結(jié)構(gòu)的制備，刻蝕溫度30-50°C，時(shí)間3-10分鐘；
(4)、用KOH溶液洗去D形光纖平面剩余的光刻膠，然后用去離子水超聲清洗D形光纖并晾干；
(5)、配制膠體微粒懸濁液，體積濃度為2-5%，然后超聲震蕩使膠體微粒分布均勻；
(6)、將步驟(4)制得的帶有微納結(jié)構(gòu)的D形光纖的一端固定在步進(jìn)電機(jī)上，D形光纖其余部分插入在膠體微粒懸濁液中，整個(gè)裝置置于電場(chǎng)強(qiáng)度為600-1300V/m的靜電場(chǎng)中，保持膠體微粒懸濁液的溫度為40-60°C，然后步進(jìn)電機(jī)以O(shè). 5-2mm/min的速度提拉D形光纖，直至D形光纖脫離懸濁液，即可在D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)中制得膠體晶體。所述HF酸緩沖溶液由質(zhì)量比為1: 1:8的HF、NH4F和H2O組成。
所述膠體微粒懸濁液中的膠體微粒為PS、PMMA或者SiO2中的一種。有益效果本發(fā)明先采用光刻技術(shù)在D形光纖平面上刻蝕所需的微納結(jié)構(gòu)，然后以微納結(jié)構(gòu)為模板，利用膠體晶體自組裝技術(shù)將膠體微粒組裝到微納結(jié)構(gòu)中，最終在D形光纖上制備了膠體晶體微納結(jié)構(gòu)，這種帶有膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的D形光纖可以使光纖的消逝場(chǎng)同時(shí)接受微納結(jié)構(gòu)和膠體晶體光子帶隙的調(diào)制，微納結(jié)構(gòu)形成了折射率的周期分布，而且膠體晶體能形成三維折射率分布結(jié)構(gòu)，同時(shí)做到了消逝場(chǎng)的波長(zhǎng)及強(qiáng)度的雙重調(diào)制，可以廣泛應(yīng)用在光信息處理，光學(xué)傳感及光學(xué)集成等領(lǐng)域。采用光刻技術(shù)，通過(guò)控制過(guò)程中采用的掩膜板及刻蝕的溫度和時(shí)間，可以實(shí)現(xiàn)D形光纖上多種圖形和尺寸的微納結(jié)構(gòu)的制備，相比于現(xiàn)有的用相位掩膜法和逐點(diǎn)寫入法制作微納結(jié)構(gòu)光柵，其成本要低的多，操作簡(jiǎn)便而且效率高。本發(fā)明的膠體晶體自組裝過(guò)程采用靜電場(chǎng)與提拉伸相結(jié)合的方法，過(guò)程中通過(guò)控制合適的技術(shù)參數(shù)利用靜電場(chǎng)控制膠體微粒的沉降速度，提拉速度控制膠體晶體的厚度和層數(shù)，最終在D形光纖的微納結(jié)構(gòu)中制備了不同厚度和層數(shù)的膠體晶體，使得形成的膠體晶體的光子帶隙的中心波長(zhǎng)得到控制，從而能控制與D形光纖消逝場(chǎng)的相互作用，即控制消逝場(chǎng)與膠體晶體間的耦合系數(shù)和效率，形成D形光纖消逝場(chǎng)的目的性控制，對(duì)消逝場(chǎng)在傳感及測(cè)量中的實(shí)用性大大增強(qiáng)。本發(fā)明在D形光纖上制備膠體晶體微納結(jié)構(gòu)，由于D形平面離芯層中心的距離僅為7-15微米，是標(biāo)準(zhǔn)單模光纖包層直徑的八分之一到二十分之一(標(biāo)準(zhǔn)單模光纖包層直徑典型值為125um)，D形平面的微納結(jié)構(gòu)離芯層很近，可以使微納結(jié)構(gòu)內(nèi)的膠體晶體與D形光纖平面消逝場(chǎng)的相互作用加強(qiáng)，使在芯層內(nèi)部傳輸?shù)墓庹{(diào)制作用加強(qiáng)，進(jìn)而增強(qiáng)光傳感、光調(diào)控等功能。


圖1為實(shí)施例2中刻蝕后的D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)的掃描電鏡圖。圖2為實(shí)施例2中制得的D形光纖平面微納結(jié)構(gòu)中的膠體晶體的掃描電鏡圖。圖3為實(shí)施例2中制得的帶有膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的D形光纖的透射光譜圖。圖4為實(shí)施例3中刻蝕后的D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)的掃描電鏡圖。圖5為實(shí)施例3中制得的帶有三種不同尺寸膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的D形光纖的反射光譜圖。
具體實(shí)施例方式一種D形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟
(I )、用硅膠將D形光纖的圓形面固定在底板上，在D形光纖平面上涂上光刻膠，然后烘
干;
(2)、將涂有光刻膠的D形光纖和所需掩膜板裝在光刻機(jī)上，對(duì)D形光纖平面進(jìn)行曝光，然后將D形光纖在30-60°C下加熱3-5分鐘，之后用丙酮顯影除去曝光部分的光刻膠；
(3)、攪拌條件下，用HF酸緩沖溶液刻蝕D形光纖平面，實(shí)現(xiàn)D形光纖平面上微納結(jié)構(gòu)的制備，刻蝕溫度30-50°C，時(shí)間3-10分鐘；
(4)、用KOH溶液洗去D形光纖平面剩余的光刻膠，然后用去離子水超聲清洗D形光纖并晾干；
(5)、配制膠體微粒懸濁液，體積濃度為2-5%，然后超聲震蕩使膠體微粒分布均勻；
(6)、將步驟(4)制得的帶有微納結(jié)構(gòu)的D形光纖的一端固定在步進(jìn)電機(jī)上，D形光纖其余部分插入在膠體微粒懸濁液中，整個(gè)裝置置于電場(chǎng)強(qiáng)度為600-1300V/m的靜電場(chǎng)中，保持膠體微粒懸濁液的溫度為40-60°C，然后步進(jìn)電機(jī)以O(shè). 5-2mm/min的速度提拉D形光纖，直至D形光纖脫離懸濁液，即可在D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)中制得膠體晶體。所述HF酸緩沖溶液由質(zhì)量比為1: 1:8的HF、NH4F和H2O組成。所述膠體微粒懸濁液中的膠體微粒為PS、PMMA或者SiO2中的一種。實(shí)施例1
用硅膠將D形光纖的圓形面固定在底板上，在D形光纖平面上涂上光刻膠AZ-1350，然后烘干，將D形光纖和攜帶有所需圖案的掩膜板裝在光刻機(jī)上進(jìn)行曝光處理，曝光位置為D形光纖平面的中心位置，掩膜板攜帶的圖案為一個(gè)單峰，寬5微米，長(zhǎng)30微米，長(zhǎng)度方向垂直于光纖纖芯方向，曝光目的是使感光區(qū)的光刻膠發(fā)生光化反應(yīng)，在下一步的顯影時(shí)發(fā)生溶變；曝光之后在干燥機(jī)上對(duì)光纖加熱5分鐘，溫度40°C，之后將D形光纖浸入在丙酮中顯影以除去曝光部分的光刻膠，實(shí)現(xiàn)了將掩膜板上的圖案轉(zhuǎn)移到D形光纖平面的光刻膠上；然后，將D形光纖浸入在攪拌中的HF酸緩沖溶液中，以刻蝕曝光部分的D形光纖平面，刻蝕溫度為40°C，時(shí)間10分鐘，HF酸緩沖溶液由質(zhì)量比為1:1:8的HF、NH4F和H2O組成，這樣就在D形光纖平面上得到了與掩膜板上圖案相同的微納結(jié)構(gòu)，然后用KOH溶液洗去D形光纖平面剩余的光刻膠，再用去離子水超聲清洗D形光纖并晾干。以水為溶劑，配制直徑為710nm的SiO2膠體微粒懸濁液，體積濃度為5%，然后超聲震蕩5分鐘。然后將制得的帶有微納結(jié)構(gòu)的D形光纖的一端固定在步進(jìn)電機(jī)上，D形光纖其余部分插入在SiO2膠體微粒懸濁液中，整個(gè)裝置置于電場(chǎng)強(qiáng)度為1000V/m的靜電場(chǎng)中，保持SiO2膠體微粒懸濁液的溫度為50°C，然后步進(jìn)電機(jī)以lmm/min的速度向外提拉D形光纖，經(jīng)過(guò)30分鐘左右D形光纖脫離懸濁液，即可在D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)中制得SiO2膠體晶體。過(guò)程中，用S-4800掃描電鏡觀察刻蝕后的D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)，其為一個(gè)條形凹槽，其深度約為2-5微米、寬5微米，長(zhǎng)30微米。在D形光纖上制備的微納結(jié)構(gòu)圖案不固定，需要制備什么圖案就用帶有相應(yīng)圖案的掩膜版，掩膜版可以定制。用掃描電鏡觀察微納結(jié)構(gòu)中的膠體晶體，膠體晶體的結(jié)構(gòu)以面心立方結(jié)構(gòu)為主，根據(jù)微納結(jié)構(gòu)的深度，可以估計(jì)膠體晶體厚度約為2-5微米，層數(shù)約為3-8層。用AQ6378光譜分析儀對(duì)所制備的帶有膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的D形光纖進(jìn)行光譜測(cè)試，從得到的透射光譜圖中能明顯看出膠體晶體的光子帶隙，且能對(duì)消逝場(chǎng)的波長(zhǎng)透過(guò)產(chǎn)生有效地選擇作用，根據(jù)710nm SiO2膠體晶體的光子帶隙的理論計(jì)算為1551nm，與我們的測(cè)試結(jié)果相符。實(shí)施例2
用硅膠將D形光纖的圓形面固定在底板上，在D形光纖平面上涂上光刻膠UV-258，然后烘干，將D形光纖和攜帶有所需圖案的掩膜板裝在光刻機(jī)上進(jìn)行曝光處理，曝光位置為D形光纖平面的中心位置，掩膜板攜帶的圖案為單峰，寬5微米，長(zhǎng)100微米，長(zhǎng)度方向平行于光纖纖芯方向，曝光目的是使感光區(qū)的光刻膠發(fā)生光化反應(yīng)，在下一步的顯影時(shí)發(fā)生溶變；曝光之后在干燥機(jī)上對(duì)光纖加熱3分鐘，溫度30°C，之后將D形光纖浸入在丙酮中顯影除去曝 光部分的光刻膠，實(shí)現(xiàn)了將掩膜板上的圖案轉(zhuǎn)移到D形光纖平面的光刻膠上；然后，將D形光纖浸入在攪拌中的HF酸緩沖溶液中，以刻蝕曝光部分的D形光纖平面，刻蝕溫度為50°C，時(shí)間5分鐘，HF酸緩沖溶液由質(zhì)量比為1: 1:8的HF、NH4F和H2O組成，這樣就在D形光纖平面上得到了與掩膜板上圖案相同的微納結(jié)構(gòu)，然后用KOH溶液洗去D形光纖平面剩余的光刻膠，再用去離子水超聲清洗D形光纖并晾干。以水為溶劑，配制直徑為690nm的PMMA膠體微粒懸濁液，體積濃度為3%，然后超聲震蕩3分鐘。然后將制得的帶有微納結(jié)構(gòu)的D形光纖的一端固定在步進(jìn)電機(jī)上，D形光纖其余部分插入在膠體微粒懸濁液中，整個(gè)裝置置于電場(chǎng)強(qiáng)度為1300V/m的靜電場(chǎng)中，保持PMMA膠體微粒懸濁液的溫度為60°C，然后步進(jìn)電機(jī)以2mm/min的速度向外提拉D形光纖，經(jīng)過(guò)30分鐘左右D形光纖脫離懸濁液，即可在D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)中制得PMMA膠體晶體。過(guò)程中，用S-4800掃描電鏡觀察刻蝕后的D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)，見(jiàn)附圖1，其為一個(gè)條形凹槽，深度約為2-5微米，寬5微米，長(zhǎng)100微米。用掃描電鏡觀察微納結(jié)構(gòu)中的膠體晶體，見(jiàn)附圖2，膠體晶體的結(jié)構(gòu)以面心立方結(jié)構(gòu)為主，根據(jù)微納結(jié)構(gòu)的深度，可以估計(jì)膠體晶體厚度約為3微米，層數(shù)約為4-5層。用AQ6378光譜分析儀對(duì)所制備的帶有膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的D形光纖進(jìn)行光譜測(cè)試，得到的透射光譜，見(jiàn)附圖3，圖中能明顯看出膠體晶體的光子帶隙，且能對(duì)消逝場(chǎng)的波長(zhǎng)透過(guò)產(chǎn)生有效地選擇作用，根據(jù)690nmPMMA膠體晶體的光子帶隙的理論計(jì)算為1544nm,與我們的測(cè)試結(jié)果相符，由于膠體晶體在纖芯方向中具有較長(zhǎng)的晶體方向，因此對(duì)D形光纖消逝場(chǎng)的調(diào)制幅度較大，達(dá)到了 -10dB。實(shí)施例3
用硅膠將D形光纖的圓形面固定在底板上，在D形光纖平面上涂上光刻膠AZ-1350，然后烘干，將D形光纖和攜帶有所需圖案的掩膜板裝在光刻機(jī)上進(jìn)行曝光處理，曝光位置為D形光纖平面的中心位置，掩膜板攜帶的圖案為三個(gè)單峰，峰寬5微米，長(zhǎng)50微米，長(zhǎng)度方向垂直于光纖纖芯方向，曝光目的是使感光區(qū)的光刻膠發(fā)生光化反應(yīng)，在下一步的顯影時(shí)發(fā)生溶變；曝光之后在干燥機(jī)上對(duì)光纖加熱3分鐘，溫度60°C，之后將D形光纖浸入在丙酮中顯影除去曝光部分的光刻膠，實(shí)現(xiàn)了將掩膜板上的圖案轉(zhuǎn)移到D形光纖平面的光刻膠上；然后，將D形光纖浸入在攪拌中的HF酸緩沖溶液中，以刻蝕曝光部分的D形光纖平面，刻蝕溫度為30°C，時(shí)間3分鐘，HF酸緩沖溶液由質(zhì)量比為1: 1:8的HF、NH4F和H2O組成，這樣就在D形光纖平面上得到了與掩膜板上圖案相同的微納結(jié)構(gòu)，為三個(gè)平行的凹槽，然后用KOH溶液洗去D形光纖平面剩余的光刻膠，再用去離子水超聲清洗D形光纖并晾干。以水為溶劑，分別配制直徑為380nm、510nm、600nm的PS膠體微粒懸濁液，體積濃度均為2%，然后各超聲震蕩3分鐘，備用。用AB膠封閉D形光纖上其中的兩個(gè)凹槽，然后將D形光纖的一端固定在步進(jìn)電機(jī)上，D形光纖其余部分插入在380nm PS膠體微粒懸池液中，整個(gè)裝置置于電場(chǎng)強(qiáng)度為600V/m的靜電場(chǎng)中，保持PS膠體微粒懸濁液的溫度為40°C，然后步進(jìn)電機(jī)以O(shè). 5mm/min的速度向外提拉D形光纖,經(jīng)過(guò)30分鐘左右D形光纖脫離懸池液，即可在D形光纖平面的一個(gè)凹槽中制得380nm PS膠體晶體。然后用丙酮清洗掉D形光纖上的第二個(gè)凹槽中的AB膠，再用上述方法，在第二個(gè)凹槽中制備510nm的PS膠體晶體，以此類推，在第三個(gè)凹槽中制備600nm的PS膠體晶體，最終在D形光纖平面上制得攜帶有三種不同尺寸的膠體晶體微納結(jié)構(gòu)。
過(guò)程中，用S-4800掃描電鏡觀察刻蝕后的D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)，見(jiàn)附圖4，其為三個(gè)平行的凹槽，凹槽深度約為3微米、寬5微米，長(zhǎng)50微米。用掃描電鏡觀察微納結(jié)構(gòu)中的膠體晶體，膠體晶體的厚度約為3微米，層數(shù)約為
3-5 層。將上述制得的攜帶有三種不同尺寸膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的D形光纖進(jìn)行光譜測(cè)量，反射光譜見(jiàn)附圖5，圖中能看出具有3個(gè)光子帶隙，中心波長(zhǎng)與理論計(jì)算結(jié)果吻合，同樣對(duì)消逝場(chǎng)產(chǎn)生了明顯的調(diào)制和波長(zhǎng)選擇作用。
權(quán)利要求
1.一種D形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于包括如下步驟(I )、用硅膠將D形光纖的圓形面固定在底板上，在D形光纖平面上涂上光刻膠，然后烘干;(2)、將涂有光刻膠的D形光纖和所需掩膜板裝在光刻機(jī)上，對(duì)D形光纖平面進(jìn)行曝光， 然后將D形光纖在30-60°C下加熱3-5分鐘，之后用丙酮顯影除去曝光部分的光刻膠；(3)、攪拌條件下，用HF酸緩沖溶液刻蝕D形光纖平面，實(shí)現(xiàn)D形光纖平面上微納結(jié)構(gòu)的制備，刻蝕溫度30-50°C，時(shí)間3-10分鐘；(4)、用KOH溶液洗去D形光纖平面剩余的光刻膠，然后用去離子水超聲清洗D形光纖并晾干；(5)、配制膠體微粒懸濁液，體積濃度為2-5%，然后超聲震蕩使膠體微粒分布均勻；(6)、將步驟(4)制得的帶有微納結(jié)構(gòu)的D形光纖的一端固定在步進(jìn)電機(jī)上，D形光纖其余部分插入在膠體微粒懸濁液中，整個(gè)裝置置于電場(chǎng)強(qiáng)度為600-1300V/m的靜電場(chǎng)中，保持膠體微粒懸濁液的溫度為40-60°C，然后步進(jìn)電機(jī)以O(shè). 5-2mm/min的速度提拉D形光纖， 直至D形光纖脫離懸濁液，即可在D形光纖平面的微納結(jié)構(gòu)中制得膠體晶體。
2.如權(quán)利要求1所述的一種D形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于所述HF酸緩沖溶液由質(zhì)量比為1: 1:8的HF、NH4F和H2O組成。
3.如權(quán)利要求1所述的一種D形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于所述膠體微粒懸濁液中的膠體微粒為PS、PMMA或者SiO2中的一種。
全文摘要
一種D形光纖膠體晶體微納結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，先是在D形光纖的平面上制備微納結(jié)構(gòu)，然后再利用膠體微粒在微納結(jié)構(gòu)內(nèi)制備膠體晶體，具體過(guò)程包括涂膠、曝光、刻蝕、去膠以及在靜電場(chǎng)作用和提拉作用結(jié)合下將膠體微粒組裝到微納結(jié)構(gòu)中。本發(fā)明最終在D形光纖平面上制備了膠體晶體微納結(jié)構(gòu)，使D形光纖的消逝場(chǎng)同時(shí)接受微納結(jié)構(gòu)和膠體晶體光子帶隙的調(diào)制，實(shí)現(xiàn)了對(duì)D形光纖內(nèi)光場(chǎng)更強(qiáng)和可操控的調(diào)制，從而可以使D形光纖廣泛應(yīng)用在光信息處理，光學(xué)傳感及光學(xué)集成等領(lǐng)域。
文檔編號(hào)G03F7/00GK102995118SQ201210512969
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月5日
發(fā)明者閆海濤, 湯正新, 甄志強(qiáng), 趙曉艷, 曹京曉, 張智, 郝希平, 李慧娟, 李秋澤 申請(qǐng)人:河南科技大學(xué)