專利名稱：一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種與微波薄膜混合集成電路或其它微型器件制造領(lǐng)域內(nèi)的光刻裝置有關(guān)的對準標記。
背景技術(shù)：
在微波頻段，較多的電路需要直接接地，微小通孔金屬化是良好的接地方法。其目的是減少接地電感和縮短傳熱通道，對微波和毫米波的器件及電路設(shè)計尤為重要。因此，微小金屬化通孔成為了微波毫米波集成電路的一種常用無源元件，通孔形狀通常為圓形。微波薄膜混合集成電路對表面涂覆層金屬材料的選擇要求包括以下五個方面(I)高電導(dǎo)率；⑵低電阻溫度系數(shù)；⑶對基片附著性能好；⑷好的刻蝕性和可焊性；(5)易于沉積和電鍍。到目前為止，還沒有一種金屬材料能夠全面完美地滿足涂覆層要求，因 此，只能夠利用各種不同材料各自的優(yōu)點設(shè)計成多層薄膜結(jié)構(gòu)，一般由電阻層、粘附層和導(dǎo)電層構(gòu)成，主要有 TaN/TiW/Au、TaN/Cr/Au、TaN/Ti/Au、TaN/TiW/Pd/Au、TaN/TiW/Ni/Au、Ta/Cr/Au、Ta/Ti/Au、Ta/NiCr/Au等結(jié)構(gòu)形式，其中TaN和Ta用作薄膜電阻。采用半導(dǎo)體集成電路的大基片、多單元方式加工微波薄膜混合集成電路，生產(chǎn)效率高，產(chǎn)品一致性和重復(fù)性好。在介質(zhì)基片上制作含微小陣列金屬化通孔的微波薄膜混合集成電路工藝流程如圖I所示。從圖I可見，微小通孔的激光加工發(fā)生在介質(zhì)基片真空沉積電阻薄膜和多層金屬薄膜、光刻、刻蝕等工序之前，微小通孔作為電路圖形結(jié)構(gòu)的重要組成部分已經(jīng)在介質(zhì)基片上實現(xiàn)了陣列有序定位，并通過沉積多層金屬薄膜實現(xiàn)了通孔內(nèi)壁和邊緣的金屬化種子層制備?，F(xiàn)有光刻對準標記為介質(zhì)基片上陣列圓形通孔最外圍的任意一個或多個通孔組合，在真空沉積電阻薄膜和多層金屬薄膜后，該對準標記形貌依然清晰完好。使用現(xiàn)有光刻對準標記存在以下不足(I)該對準標記為圓形通孔，通過X、Y方向手輪運動不方便對準；(2)光刻對準時，由于該對準標記的位置不特殊，搜索對準標記困難，影響工作效率；(3)該對準標記和其它陣列通孔的結(jié)構(gòu)相同，容易混淆，一旦混淆，輕者返工，重者影響成品率；(4)該對準標記還是一個或多個陣列電路圖形的組成部分，為了提高成品率，無論采用正膠光刻工藝還是負膠光刻工藝，刻蝕電阻薄膜和多層金屬薄膜形成電路圖形前，防止該對準標記的內(nèi)壁和邊緣沉積的多層薄膜材料被刻蝕，還需對其進行手動補膠保護，這樣就增加了額外工序。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述缺點，本發(fā)明設(shè)計一種不占陣列圖形空間、容易搜索、形貌受工藝過程影響小的對準標記結(jié)構(gòu)并且能提供良好的對準對比度。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)，為設(shè)置在介質(zhì)基片邊緣的直角型縱向通孔。在上述的零層對準標記結(jié)構(gòu)中，該直角型縱向通孔為一個直角三角形。在上述的零層對準標記結(jié)構(gòu)中，該直角型縱向通孔為一個長方形。在上述的零層對準標記結(jié)構(gòu)中，該直角型縱向通孔為一個直角梯形。可選的，上述的零層對準標記結(jié)構(gòu)所在的介質(zhì)基片材料包括純度99. 6%以上的氧化鋁陶瓷、藍寶石。 可選的，上述的零層對準標記結(jié)構(gòu)所在的介質(zhì)基片厚度為0. Imm O. 65mm。本發(fā)明所述的一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)為直角型縱向通孔，通過X、Y方向手輪運動方便對準；該對準標記結(jié)構(gòu)位置處在介質(zhì)基片邊緣，容易搜索；該對準標記結(jié)構(gòu)不占用任何一個陣列有序的通孔，可以與陣列有序的微小通孔一起加工完成，無需增加額外工序；通孔的加工形狀是由微處理機進行程序控制，將高效能激光器與高精度的機床及控制系統(tǒng)配合來完成，直角形通孔與圓形通孔相比未增加加工難度；該對準標記結(jié)構(gòu)的形貌受工藝過程影響小，可確保在含微小陣列金屬化通孔的介質(zhì)基片上光刻薄膜電阻和金屬導(dǎo)帶圖形的對準精度和提高微波薄膜混合集成電路的成品率。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例作進一步詳細的說明。圖I含微小陣列通孔的微波薄膜混合集成電路工藝流程圖圖2本發(fā)明所述的一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)第一實施例的不意圖(含俯視圖和主視圖，下同。)；圖3本發(fā)明所述的一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)第二實施例的不意圖；圖4本發(fā)明所述的一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)第三實施例的示意圖。其中6為介質(zhì)基片；7為陣列通孔；8、9、10為零層對準標記結(jié)構(gòu)；H1、H2、H3為厚度。
具體實施例方式以下將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細的描述；應(yīng)當理解，優(yōu)選實施例僅為了說明本發(fā)明，而不是為了限制本發(fā)明的保護范圍。本發(fā)明所述的一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)，為設(shè)置在介質(zhì)基片6邊緣的直角型縱向通孔。實施例I參見圖2，所述零層對準標記結(jié)構(gòu)8為設(shè)置在介質(zhì)基片6邊緣的縱向通孔且其為一個直角三角形。本實施例中零層對準標記結(jié)構(gòu)8所在的介質(zhì)基片6，材料為純度99. 6%以上的氧化鋁陶瓷，平面尺寸為50. 8mm x 50. 8mm,厚度Hl為O. 635mm。
實施例2參見圖3，所述零層對準標記結(jié)構(gòu)9為設(shè)置在介質(zhì)基片6邊緣的縱向通孔且其為一個長方形。本實施例中零層對準標記結(jié)構(gòu)9所在的介質(zhì)基片6，材料為純度99. 6%以上的氧化鋁陶瓷,平面尺寸為50. 8mmX50. 8mm，厚度H2為O. 254mm。實施例3參見圖4，所述零層對準標記結(jié)構(gòu)10為設(shè)置在介質(zhì)基片6邊緣的縱向通孔且其為一個直角梯形。本實施例中零層對準標記結(jié)構(gòu)10所在的介質(zhì)基片6，材料為藍寶石，平面尺寸為 50. 8mmX 50. 8mm,厚度 H3 為 O. 508mm。
在微波薄膜混合集成電路制作過程中，使用圖2至圖4中所述的零層對準標記結(jié)構(gòu)8、9、10可以確保介質(zhì)基片上微波薄膜混合集成電路制造在其預(yù)設(shè)位置。綜上所述，本發(fā)明所述的一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)，為設(shè)置在介質(zhì)基片邊緣的直角型縱向通孔，可確保在含微小陣列金屬化通孔的介質(zhì)基片上光刻薄膜電阻和金屬導(dǎo)帶圖形的對準精度，而且還能提高微波薄膜混合集成電路的成品率。
權(quán)利要求
1.一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，該零層對準標記結(jié)構(gòu)為設(shè)置在介質(zhì)基片邊緣的直角型縱向通孔，用于水平和垂直方向?qū)省?br> 2.如權(quán)利要求I所述的零層對準標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，該直角型縱向通孔為一個直角三角形。
3.如權(quán)利要求I所述的零層對準標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，該直角型縱向通孔為一個長方形。
4.如權(quán)利要求I所述的零層對準標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，該直角型縱向通孔為一個直角梯形。
5.如權(quán)利要求I所述的零層對準標記結(jié)構(gòu)，所在的介質(zhì)基片為純度99.6%以上的氧化鋁基片或藍寶石基片，基片的厚度范圍為0. Imm O. 65_。
全文摘要
一種用于介質(zhì)基片上光刻圖形的零層對準標記結(jié)構(gòu)，為設(shè)置在介質(zhì)基片邊緣的直角型縱向通孔。該介質(zhì)基片零層對準標記結(jié)構(gòu)可以為一個直角三角形、一個長方形、一個直角梯形，零層對準標記結(jié)構(gòu)所在的介質(zhì)基片材料包括純度99．6％以上的氧化鋁陶瓷、藍寶石，介質(zhì)基片厚度為0．1mm～0．65mm。采用本對準標記結(jié)構(gòu)，不但可確保在含微小陣列金屬化通孔的介質(zhì)基片上光刻薄膜電阻和金屬導(dǎo)帶圖形的對準精度，而且還能提高微波薄膜集成電路的成品率。
文檔編號G03F9/00GK102929112SQ20121045827
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月27日
發(fā)明者曹乾濤 申請人:中國電子科技集團公司第四十一研究所