專(zhuān)利名稱(chēng)：高分子分散液晶面板及其制備方法、液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種高分子分散液晶面板及其制備方法、液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
高分子分散液晶(PDLC,Polymer Dispersed Liquid Crystal)是由液晶顆粒分散在固態(tài)高分子薄膜中所組成，它具有根據(jù)光的散射強(qiáng)度控制光傳輸、且不需要偏振片的特性。PDLC面板中，正性液晶制備的TOLC層在沒(méi)有施加電壓時(shí)，PDLC層內(nèi)的液晶分子是無(wú)序排列的，因此入射光進(jìn)入TOLC層后在液晶分子與其高分子基體的界面上多次發(fā)生折射與反射，PDLC面板為散射態(tài)。當(dāng)施加電壓之后，I3DLC層內(nèi)的液晶分子沿著電場(chǎng)的方向排列，從而入射光進(jìn)入TOLC層后不發(fā)生反射和折射而直接透射出來(lái)。TOLC層內(nèi)液晶分子的響應(yīng)時(shí)間的影響因素較多，但是從根本上說(shuō)，TOLC層中液晶分子指向矢的初始形態(tài)以及轉(zhuǎn)化形態(tài)時(shí)所需的能量決定了 I3DLC層中液晶分子的響應(yīng)時(shí)間。一般將TOLC層內(nèi)液晶分子的響應(yīng)時(shí)間分為兩個(gè)部分上升時(shí)間和下降時(shí)間；其中，上升時(shí)間是指通電時(shí)，通過(guò)電場(chǎng)改變I3DLC層中液晶分子的初始取向狀態(tài)，進(jìn)而使TOLC層的透過(guò)率由開(kāi)態(tài)的10%升至90%需要的時(shí)間；下降時(shí)間是指斷電時(shí)，TOLC層內(nèi)的液晶分子逐漸恢復(fù)初始取向狀態(tài)，進(jìn)而使TOLC層的透過(guò)率由關(guān)態(tài)的90%降至10%需要的時(shí)間；TOLC層的全響應(yīng)時(shí)間為上升時(shí)間與下降時(shí)間之和。一般來(lái)說(shuō)，由于TOLC層中高分子網(wǎng)絡(luò)對(duì)液晶分子的錨定作用，PDLC層具有上升時(shí)間越快下降時(shí)間越慢、以及下降時(shí)間越快上升時(shí)間越慢的性質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種高分子分散液晶面板，該高分子分散液晶面板可在保證TOLC層上升時(shí)間的基礎(chǔ)上，降低I3DLC層的下降時(shí)間，進(jìn)而降低TOLC層的全響應(yīng)時(shí)間。本發(fā)明還提供了一種上述高分子分散液晶面板的制備方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案一種高分子分散液晶面板，包括薄膜晶體管TFT陣列基板、彩膜基板、以及位于所述TFT陣列基板和彩膜基板之間的高分子分散液晶I3DLC層，所述TFT陣列基板具有多個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元內(nèi)，所述TFT陣列基板朝向TOLC層的一面具有多條像素電極和多條第一公共電極，所述像素電極和第一公共電極間隔分布；所述彩膜基板朝向roLC層的一面具有第二公共電極。優(yōu)選地，所述第一公共電極和像素電極同層設(shè)置。優(yōu)選地，每一個(gè)像素單元內(nèi)，所述第一公共電極呈H型設(shè)置。優(yōu)選地，所述TOLC層中液晶分子的初始取向平行于所述TFT陣列基板，且所述roLC層中的液晶分子為正性。優(yōu)選地，所述roLC層中液晶分子的初始取向垂直于所述TFT陣列基板，且所述PDLC層中的液晶分子為負(fù)性。優(yōu)選地，所述像素電極和第一公共電極寬度相同；多個(gè)交替分布的所述像素電極和第一公共電極中，相鄰的像素電極和第一公共電極之間的間距相同。優(yōu)選地，所述像素電極和第一公共電極的寬度為2飛μ m，相鄰的像素電極和第一公共電極之間的間距為31 μ m,所述TFT陣列基板與所述彩膜基板之間的盒厚為8 20 μ m。優(yōu)選地，所述像素電極和第一公共電極的寬度為2 μ m，相鄰的像素電極和第一公共電極之間的間距為8 μ m,所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間的盒厚為10 μ m。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中提到的任一種高分子分散液晶面板。本發(fā)明還提供了一種上述技術(shù)方案中提到的高分子分散液晶面板的驅(qū)動(dòng)方法，包括全響應(yīng)時(shí)間的上升時(shí)間中，對(duì)所述第一公共電極與像素電極施加相同的第一電壓，對(duì)所述第二公共電極施加第二電壓，第一電壓與第二電壓電位不同；響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間中，將所述第二公共電極斷路，且對(duì)所述第一公共電極和像素電極施加不同電位的電壓。本發(fā)明還提供了一種上述技術(shù)方案中提到的高分子分散液晶面板的制備方法，包括在薄膜晶體管TFT陣列基板上形成薄膜晶體管以及與像素電極和第一公共電極，在彩膜基板上形成第二公共電極；所述像素電極與所述薄膜晶體管電連接；對(duì)盒處理，將所述TFT陣列基板與所述彩膜基板進(jìn)行對(duì)盒處理，注入高分子分散液晶roix，形成液晶面板。優(yōu)選地，所述TOLC層內(nèi)的液晶分子為正性，且所述步驟對(duì)盒處理之前還包括在TFT陣列基板和彩膜基板上涂覆取向液，取向液固化形成取向膜，對(duì)取向膜的表面進(jìn)行摩擦，與TFT陣列基板平行取向。優(yōu)選地，所述PDLC層內(nèi)的液晶分子為負(fù)性，且所述步驟對(duì)盒處理之前還包括在TFT陣列基板和彩膜基板上涂覆取向液，取向液固化形成取向膜，與TFT陣列基板垂直取向。本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板，包括薄膜晶體管TFT陣列基板、彩膜基板、以及位于所述TFT陣列基板和彩膜基板之間的高分子分散液晶roLC層，所述TFT陣列基板具有多個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元內(nèi)，所述TFT陣列基板朝向roLC層的一面具有多條像素電極和多條第一公共電極，所述像素電極和第一公共電極間隔分布；所述彩膜基板朝向roLC層的一面具有第二公共電極。roLC層內(nèi)液晶分子的全響應(yīng)時(shí)間分為兩個(gè)部分上升時(shí)間和下降時(shí)間；其中，上升時(shí)間是指通電時(shí)，通過(guò)電場(chǎng)改變r(jià)oLC層中液晶分子的初始取向狀態(tài)，進(jìn)而使roLC層的透過(guò)率由開(kāi)態(tài)的10%升至90%需要的時(shí)間；下降時(shí)間是指斷電時(shí)，roLC層內(nèi)的液晶分子逐漸恢復(fù)初始取向狀態(tài)，進(jìn)而使roLC層的透過(guò)率由關(guān)態(tài)的90%降至10%需要的時(shí)間；roLC層的全響應(yīng)時(shí)間為上升時(shí)間與下降時(shí)間之和。
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本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板，在roLC層內(nèi)的液晶分子整個(gè)全響應(yīng)時(shí)間內(nèi)，在全響應(yīng)時(shí)間的上升時(shí)間中，可以使第一公共電極與像素電極電位相同，且與第二公共電極電位不同，第二公共電極與像素電極之間可產(chǎn)生垂直電場(chǎng)、第二公共電極與第一公共電極之間可產(chǎn)生垂直電場(chǎng)；在全響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間中，可以將第二公共電極斷電，且使第一公共電極與像素電極電位不同，且第一公共電極與像素電極間隔分布，第一公共電極與像素電極之間可生成橫向電場(chǎng)。本發(fā)明提供的roLC面板，在響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間中，通過(guò)橫向電場(chǎng)使roix層內(nèi)的液晶分子迅速?gòu)?fù)位，降低了 roix層內(nèi)液晶分子的下降時(shí)間，進(jìn)而降低了液晶分子整體的全響應(yīng)時(shí)間。下面以TOLC層中的液晶分子為正性，且初始取向與TFT陣列基板平行時(shí)為例進(jìn)行介紹。在全響應(yīng)時(shí)間的上升時(shí)間中，假設(shè)第一公共電極和像素電極的電位均為+5伏，而第二公共電極的電位為-5伏，則第一公共電極與第二公共電極、像素電極與第二公共電極之間均可以產(chǎn)生指向第二公共電極的垂直電場(chǎng)，則I3DLC層內(nèi)的液晶分子在垂直電場(chǎng)的作用下站立起來(lái)，從而使光線通過(guò)，形成亮態(tài)；在全響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間中，第二公共電極斷電，而第一公共電極的電位為+5伏，像素電極的電位為-5伏，則第一公共電極與像素電極之間可產(chǎn)生橫向電場(chǎng)，PDLC層內(nèi)的液晶分子在橫向電場(chǎng)的作用下會(huì)迅速恢復(fù)初始狀態(tài)。因此，roix層中的液晶分子在恢復(fù)初始取向狀態(tài)時(shí)，具有橫向電場(chǎng)輔助，恢復(fù)時(shí)間加快。當(dāng)然，PDLC層內(nèi)的液晶分子為負(fù)性時(shí)是也可實(shí)現(xiàn)，這里不再贅述。所以，本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板可以降低TOLC層的下降時(shí)間，進(jìn)而降低I3DLC層的全響應(yīng)時(shí)間。


圖I為本發(fā)明提供的高分子分散液晶roLC面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板中TOLC層中液晶為正性液晶時(shí)上升時(shí)間電場(chǎng)狀態(tài)示意圖；圖3為本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板中TOLC層中液晶為正性液晶時(shí)下降時(shí)間電場(chǎng)狀態(tài)示意圖；圖4為本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板中第一公共電極與像素電極的布線結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板制備方法的流程圖；圖6為本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板制備方法中一種優(yōu)選方案的流程圖；圖7為本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板制備方法中另一種優(yōu)選方案的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。roLC層內(nèi)液晶分子的全響應(yīng)時(shí)間分為兩個(gè)部分上升時(shí)間和下降時(shí)間；其中，上升時(shí)間是指通電時(shí)，通過(guò)電場(chǎng)改變r(jià)oLC層中液晶分子的初始取向狀態(tài)，進(jìn)而使roLC層的透過(guò)率由開(kāi)態(tài)的10%升至90%需要的時(shí)間；下降時(shí)間是指斷電時(shí)，roLC層內(nèi)的液晶分子逐漸恢復(fù)初始取向狀態(tài)，進(jìn)而使roLC層的透過(guò)率由關(guān)態(tài)的90%降至10%需要的時(shí)間；roLC層的
全響應(yīng)時(shí)間為上升時(shí)間與下降時(shí)間之和。本發(fā)明在保證其上升時(shí)間的基礎(chǔ)上，通過(guò)電場(chǎng)作用降低其下降時(shí)間，從而縮短了 roLC層中液晶分子的全響應(yīng)時(shí)間。實(shí)施例一如圖I所示，本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板，包括薄膜晶體管TFT陣列基板I、彩膜基板5、以及位于TFT陣列基板I和彩膜基板5之間的高分子分散液晶roLC層3，TFT陣列基板I具有多個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元內(nèi)，TFT陣列基板I朝向TOLC層3的一面具有多條像素電極2和多條第一公共電極6,像素電極2和第一公共電極6間隔分布；彩膜基板5朝向TOLC層3的一面具有第二公共電極4。本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板，在TOLC層3內(nèi)的液晶分子整個(gè)全響應(yīng)時(shí)間內(nèi)，上升時(shí)間中，使第一公共電極6與像素電極2電位相同，且與第二公共電極4電位不同，第二公共電極4與像素電極2之間可產(chǎn)生垂直電場(chǎng)、第二公共電極4與第一公共電極6之間可產(chǎn)生垂直電場(chǎng)；下降時(shí)間中，將第二公共電極4斷電，而且使第一公共電極6與像素電極2電位不同，且第一公共電極6與像素電極2間隔分布，第一公共電極6與像素電極2之間可生成橫向電場(chǎng)。本發(fā)明提供的高分子分散液晶面板，在下降時(shí)間中，通過(guò)橫向電場(chǎng)使TOLC層3內(nèi)的液晶分子迅速?gòu)?fù)位，降低了 PDLC層3內(nèi)液晶分子的下降時(shí)間，進(jìn)而降低了液晶分子整體的全響應(yīng)時(shí)間。因此，本發(fā)明提供的高分子分散液晶顯示面板可以降低roLC層的下降時(shí)間，進(jìn)而降低roix層的全響應(yīng)時(shí)間。優(yōu)選地，第二公共電極4具有板狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，在全響應(yīng)時(shí)間的上升時(shí)間中，為了增加第一公共電極6與第二公共電極4產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度，與像素電極2與第二公共電極4之間產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度的均勻性，第一公共電極6與像素電極2同層設(shè)置。更優(yōu)選地，如圖4所示結(jié)構(gòu)，每一個(gè)像素單元內(nèi)，第一公共電極6呈H型設(shè)置。如圖4所不，以一個(gè)H型為例,第一公共電極6具有相互平行的第一電極條61和第二電極條62,以及橫向連接第一電極條61和第二電極條62的橫向電極條63,像素電極2具有插入第一電極條61和第二電極條62之間間隙的凸起部21 ;上述第一公共電極6的形狀以及像素電極2的形狀，可以增加每個(gè)像素單元內(nèi)第一公共電極6與像素電極2布置的均勻性，增加在全響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間內(nèi)，第一公共電極6與像素電極2之間產(chǎn)生橫向電場(chǎng)的強(qiáng)度。優(yōu)選實(shí)施方式中，PDLC層3中液晶分子的初始取向平行于TFT陣列基板I，且I3DLC層3中的液晶分子為正性。上述結(jié)構(gòu)中，PDLC面板沒(méi)有施加電壓時(shí)，PDLC層3中的正性液晶分子平行于TFT陣列基板I排列，入射光進(jìn)入I3DLC層3以后在正性液晶分子與其高分子基體的界面上多次發(fā)生折射與反射，PDLC面板為散射態(tài)；如圖2所示，上升時(shí)間中，第一公共電極6、像素電極2以及第二公共電極4施加電壓，假設(shè)第一公共電極6和像素電極2同時(shí)施加+5V電壓，而第二公共電極4施加-5伏電壓,第一公共電極6與第二公共電極4產(chǎn)生垂直電場(chǎng),像素電極2與第二公共電極4產(chǎn)生垂直電場(chǎng)，因此I3DLC層3中的正性液晶分子在垂直電場(chǎng)的作用下，沿垂直電場(chǎng)方向排列，光線進(jìn)入roLC層3后入不發(fā)生反射和折射而直接透射出來(lái)，PDLC面板顯示亮態(tài)；如圖3所示，在下降時(shí)間中，PDLC層3內(nèi)的液晶分子要復(fù)位，從而使TOLC面板恢復(fù)散射態(tài)時(shí)，第二公共電極I處于斷電狀態(tài)，而TFT陣列基板I上的像素電極2施加-5V電壓，而第一公共電極6上施加+5伏電壓,像素電極2和第一公共電極6之間產(chǎn)生橫向電場(chǎng)，PDLC層3內(nèi)的正性液晶分子沿著橫電場(chǎng)的方向快速排列,從而降低下降時(shí)間。所以，上述結(jié)構(gòu)的roLC面板可以降低roLC層3的下降時(shí)間，進(jìn)而降低roLC層3的全響應(yīng)時(shí)間。優(yōu)選實(shí)施方式中，PDLC層3中液晶分子的初始取向垂直于TFT陣列基板I，且TOLC層3中的液晶分子為負(fù)性。上述結(jié)構(gòu)中，PDLC面板沒(méi)有施加電壓時(shí)，PDLC層3中的負(fù)性液晶分子垂直于TFT陣列基板I排列，入射光進(jìn)入roLC層3以后入不發(fā)生反射和折射而直接透射出來(lái)，PDLC面板顯示亮態(tài)；上升時(shí)間中，第一公共電極6、像素電極2以及第二公共電極4施加電壓，假設(shè)第一公共電極6和像素電極2同時(shí)施加+5V電壓,而第二公共電極4施加-5伏電壓,第一公共電極6與第二公共電極4產(chǎn)生垂直電場(chǎng)，像素電極2與第二公共電極4產(chǎn)生垂直電場(chǎng)，因此TOLC層3中的負(fù)性液晶分子在垂直電場(chǎng)的作用下垂直于電場(chǎng)方向排列，光線進(jìn)入TOLC層3以后在負(fù)性液晶分子與其高分子基體的界面上多次發(fā)生折射與反射，PDLC面板為散射態(tài)；在下降時(shí)間中，PDLC層3內(nèi)的液晶分子要復(fù)位，從而使TOLC面板恢復(fù)亮態(tài)時(shí)，第二公共電極I處于斷電狀態(tài)，而TFT陣列基板I上的像素電極2施加-5V電壓，而第一公共電極6上施加+5伏電壓，像素電極2和第一公共電極6之間產(chǎn)生橫向電場(chǎng)，PDLC層3內(nèi)的負(fù)性液晶分子在橫向電場(chǎng)的作用下垂直于電場(chǎng)的方向快速排列，從而降低下降時(shí)間。所以，上述結(jié)構(gòu)的roLC面板可以降低roLC層3的下降時(shí)間，進(jìn)而降低roLC層3的全響應(yīng)時(shí)間。如圖I所示，優(yōu)選地，為增加各個(gè)電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)的均勻性，上述實(shí)施例一以及其優(yōu)選實(shí)施方式中，像素電極2的寬度a和第一公共電極6的寬度b相同，多個(gè)交替分布的像素電極2和第一公共電極6中，相鄰的像素電極2和第一公共電極6之間的間距d相同。具體地，像素電極2的寬度a和第一公共電極6的寬度為2 5 μ m;相鄰的像素電極2和第一公共電極6之間的間距d為:Γ8 μ m, TFT陣列基板I與彩膜基板5之間的盒厚D 為 8 20 μ m。更具體地，像素電極2的寬度a和第一公共電極6的寬度b均為2 μ m，相鄰的像素電極2和第一公共電極6之間的間距d為8 μ m，TFT陣列基板I和彩膜基板5之間的盒厚D 為 10 μ m0實(shí)施例二在實(shí)施例一及其優(yōu)選方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例提供了一種包括上述提到的任一種高分子分散液晶面板的液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置的液晶具有較低的全響應(yīng)時(shí)間。實(shí)施例三在實(shí)施例一及其優(yōu)選實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例提供了一種對(duì)上述高分子分散液晶面板的驅(qū)動(dòng)方法，該驅(qū)動(dòng)方法包括全響應(yīng)時(shí)間的上升時(shí)間中，對(duì)第一公共電極6與像素電極2施加相同的第一電壓，對(duì)所述第二公共電極4施加第二電壓，第一電壓與第二電壓電位不同；
響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間中，將所述第二公共電極4斷路，且對(duì)第一公共電極6和像素電極2施加不同電位的電壓。在全響應(yīng)時(shí)間的上升時(shí)間中，由于第一公共電極6與像素電極2施加相同的第一電壓，具有相同的電位，因此兩者之間不會(huì)產(chǎn)生橫向電場(chǎng)；并且，由于對(duì)第二公共電極4施加的第二電壓與第一電壓不同，因此，第一公共電極6以及像素電極2與第二公共電極4之間分別產(chǎn)生垂直電場(chǎng)，從而驅(qū)使TOLC層內(nèi)的液晶分子進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，改變TOLC層的透過(guò)率；在全響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間中，對(duì)第一公共電極6和像素電極2施加不同的電壓，由于第二公共電極4斷開(kāi)，第一公共電極6以及像素電極2與第二公共電極4之間不會(huì)產(chǎn)生垂直電場(chǎng)，而且第一公共電極6與像素電極2之間會(huì)產(chǎn)生橫向電場(chǎng)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)TOLC層3內(nèi)的液晶分子快速?gòu)?fù)位，改變I3DLC層3的透過(guò)率。因此，通過(guò)上述驅(qū)動(dòng)方法對(duì)實(shí)施例一及其優(yōu)選實(shí)施方式中的高分子分散液晶面板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，能夠降低roix層內(nèi)液晶分子的全響應(yīng)時(shí)間中的下降時(shí)間，進(jìn)而降低全響應(yīng)時(shí)間。實(shí)施例四如圖5所示，本實(shí)施例提供了一種上述實(shí)施例一所述的高分子分散液晶面板的制備方法，包括步驟201 :在薄膜晶體管TFT陣列基板I上形成薄膜晶體管以及與像素電極2和第一公共電極6，在彩膜基板5上形成第二公共電極4 ;像素電極2與所述薄膜晶體管電連接；步驟202 :對(duì)盒處理，將TFT陣列基板I與彩膜基板5進(jìn)行對(duì)盒處理，注入高分子分散液晶roix，形成液晶面板。如圖6所示，優(yōu)選實(shí)施方式中，PDLC層內(nèi)的液晶分子為正性液晶，且步驟102對(duì)盒處理之前還包括步驟203 :在TFT陣列基板I和彩膜基板5上涂覆取向液，取向液固化形成取向膜，對(duì)取向膜的表面進(jìn)行摩擦，與TFT陣列基板I平行取向。如圖7所示，優(yōu)選實(shí)施方式中，PDLC層內(nèi)的液晶分子為負(fù)性液晶，且步驟102對(duì)盒處理之前還包括步驟204 :在TFT陣列基板I和彩膜基板5上涂覆取向液，取向液固化形成取向膜，與TFT陣列基板I垂直取向。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高分子分散液晶面板，包括薄膜晶體管TFT陣列基板、彩膜基板、以及位于所述TFT陣列基板和彩膜基板之間的高分子分散液晶I3DLC層，所述TFT陣列基板具有多個(gè)像素單元，其特征在于， 每一個(gè)像素單元內(nèi)，所述TFT陣列基板朝向TOLC層的一面具有多條像素電極和多條第一公共電極，所述像素電極和第一公共電極間隔分布； 所述彩膜基板朝向TOLC層的一面具有第二公共電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述第一公共電極和像素電極同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，每一個(gè)像素單元內(nèi)，所述第一公共電極呈H型設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述TOLC層中液晶分子的初始取向平行于所述TFT陣列基板，且所述TOLC層中的液晶為正性液晶。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述TOLC層中液晶分子的初始取向垂直于所述TFT陣列基板，且所述TOLC層中的液晶為負(fù)性液晶。
6.根據(jù)權(quán)利要求Γ5任一項(xiàng)所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述像素電極和第一公共電極寬度相同；多個(gè)交替分布的所述像素電極和第一公共電極中，相鄰的像素電極和第一公共電極之間的間距相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述像素電極和第一公共電極的寬度為2飛μπι，相鄰的像素電極和第一公共電極之間的間距為3 8μπι，所述TFT陣列基板與所述彩膜基板之間的盒厚為8 20 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述像素電極和第一公共電極的寬度為2 μ m，相鄰的像素電極和第一公共電極之間的間距為8 μ m，所述TFT陣列基板和所述彩I吳基板之間的盒厚為10 μ m。
9.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的高分子分散液晶面板。
10.一種如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的高分子分散液晶面板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括 全響應(yīng)時(shí)間的上升時(shí)間中，對(duì)所述第一公共電極與像素電極施加相同的第一電壓，對(duì)所述第二公共電極施加第二電壓，第一電壓與第二電壓電位不同； 全響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間中，將所述第二公共電極斷路，且對(duì)所述第一公共電極和像素電極施加不同電位的電壓。
11.一種如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的高分子分散液晶面板的制備方法，其特征在于，包括 在薄膜晶體管TFT陣列基板上形成薄膜晶體管以及與像素電極和第一公共電極，在彩膜基板上形成第二公共電極；所述像素電極與所述薄膜晶體管電連接； 對(duì)盒處理，將所述TFT陣列基板與所述彩膜基板進(jìn)行對(duì)盒處理，注入高分子分散液晶PDLC，形成液晶面板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高分子分散液晶面板的制備方法，其特征在于，所述TOLC層內(nèi)的液晶分子為正性，且所述步驟對(duì)盒處理之前還包括在TFT陣列基板和彩膜基板上涂覆取向液，取向液固化形成取向膜，對(duì)取向膜的表面進(jìn)行摩擦，與TFT陣列基板平行取向。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高分子分散液晶面板的制備方法，其特征在于，所述TOLC層內(nèi)的液晶分子為負(fù)性，且所述步驟對(duì)盒處理之前還包括在TFT陣列基板和彩膜基板上涂覆取向液，取向液固化形成取向膜，與TFT陣列基板垂直取向。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，公開(kāi)一種高分子分散液晶面板，包括薄膜晶體管TFT陣列基板、彩膜基板、以及位于TFT陣列基板和彩膜基板之間的高分子分散液晶PDLC層，每一個(gè)像素單元內(nèi)，TFT陣列基板朝向PDLC層的一面具有多條像素電極和多條第一公共電極，像素電極和第一公共電極間隔分布；彩膜基板朝向PDLC層的一面具有第二公共電極。在全響應(yīng)時(shí)間的下降時(shí)間內(nèi)，第二公共電極斷電，且使第一公共電極與像素電極之間生成橫向電場(chǎng)，通過(guò)橫向電場(chǎng)使PDLC層內(nèi)的液晶分子迅速?gòu)?fù)位，降低了PDLC層內(nèi)液晶分子的下降時(shí)間，進(jìn)而降低了液晶分子整體的全響應(yīng)時(shí)間。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置及高分子分散液晶面板的制備方法。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102929045SQ201210378210
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月8日
發(fā)明者鹿島美紀(jì), 柳在健, 鈴木照晃, 魯姣明 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司