專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文描述的實(shí)施例一般地涉及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，平面顯示裝置已得到大力發(fā)展。由于諸如重量輕、厚度薄和功耗低等有利特征，已特別關(guān)注了液晶顯示裝置等。更具體地，在相應(yīng)像素中包含開(kāi)關(guān)元件的有源矩陣液晶裝置中，關(guān)注了使用諸如IPS (板內(nèi)轉(zhuǎn)換)模式或FFS (邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換)模式等橫向電場(chǎng)(包括邊緣電場(chǎng))的結(jié)構(gòu)。這種橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置包括形成在陣列基板上的像素電極和對(duì)向電極，并且液晶分子由大體上平行于陣列基板的主表面的橫向電場(chǎng)轉(zhuǎn)換。另一方面，已經(jīng)提出一種技術(shù)，其中在形成于陣列基板上的像素電極與形成于對(duì)向基板上的對(duì)向電極之間產(chǎn)生橫向電場(chǎng)或斜電場(chǎng)，由此轉(zhuǎn)換液晶分子。


圖I是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)和等效電路的視圖。圖2是示意性示出當(dāng)從對(duì)向基板側(cè)觀察圖I中示出的液晶顯示器面板時(shí)的像素的結(jié)構(gòu)示例的平面圖。圖3是沿著圖2中的線(xiàn)A-A獲得的示意性截面圖，該截面圖示出圖2中示出的液晶顯示器面板的橫截面結(jié)構(gòu)。圖4是沿著圖2中的線(xiàn)B-B獲得的示意性截面圖,該截面圖示出圖2中示出的液晶顯示器面板的橫截面結(jié)構(gòu)。圖5是沿著圖2中的線(xiàn)A-A獲得的示意性截面圖，該截面圖示出圖2中示出的液晶顯示器面板LPN的另一橫截面結(jié)構(gòu)。圖6是沿著圖2中的線(xiàn)B-B獲得的示意性截面圖,該截面圖示出圖2中示出的液晶顯示器面板LPN的另一橫截面結(jié)構(gòu)。圖7是示意性示出當(dāng)從對(duì)向基板側(cè)觀察圖I中示出的液晶顯示器面板時(shí)的像素的另一結(jié)構(gòu)示例的平面圖。圖8是示意性示出當(dāng)從對(duì)向基板側(cè)觀察圖I中示出的液晶顯示器面板時(shí)的像素的另一結(jié)構(gòu)示例的平面圖。
具體實(shí)施例方式通常，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種液晶顯示裝置包括第一基板，所述第一基板包括第一絕緣基板，在所述第一絕緣基板的內(nèi)側(cè)上、在第一方向上延伸的第一布線(xiàn)線(xiàn)路，覆蓋所述第一布線(xiàn)線(xiàn)路的層間絕緣膜，分別在所述層間絕緣膜上、在大體垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二布線(xiàn)線(xiàn)路和第三布線(xiàn)線(xiàn)路，電連接到所述第一布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路的轉(zhuǎn)換元件，位于所述層間絕緣膜上的所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路與所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路之間的、與所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路間隔開(kāi)的、連接到所述轉(zhuǎn)換元件并且在所述第二方向上延伸的第一電極，以及覆蓋所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路、所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第一電極的第一配向膜；第二基板，所述第二基板包括第二絕緣基板、在所述第二方向上延伸并且與所述第一電極的兩側(cè)上的所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路中的每條布線(xiàn)線(xiàn)路都相對(duì)的第二電極和覆蓋所述第二電極的第二配向膜，所述第二電極在所述第二絕緣基板的與所述第一基板相對(duì)的那一側(cè)上；以及液晶層，所述液晶層包括保持在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶分子。根據(jù)另一實(shí)施例，一種液晶顯示裝置包括第一基板，所述第一基板包括線(xiàn)性延伸的第一電極，在大體垂直于所述第一電極的延伸方向的方向上延伸的第一布線(xiàn)線(xiàn)路，在大體平行于所述第一電極的延伸方向的方向上延伸的第二布線(xiàn)線(xiàn)路和第三布線(xiàn)線(xiàn)路，以及電連接到所述第一布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路的轉(zhuǎn)換元件，所述第一電極位于所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路與所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路之間、與所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路間隔開(kāi)、連接到所述轉(zhuǎn)換元件并且由不透明布線(xiàn)材料形成；第二基板，所述第二基板包括第二電極，所述第二電極與所述第一電極的兩側(cè)上的所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路中的每條布線(xiàn)線(xiàn)路都相對(duì)并且在大體平行于所述第一電極的延伸方向的方向上延伸；以及液晶層，所述液晶層包括保持在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶分子。根據(jù)另一實(shí)施例，一種液晶顯示裝置包括第一基板，所述第一基板包括第一絕緣基板，在所述第一絕緣基板的內(nèi)側(cè)上、在第一方向上延伸的第一布線(xiàn)線(xiàn)路，覆蓋所述第一布線(xiàn)線(xiàn)路的層間絕緣膜，在所述層間絕緣膜上、在大體垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二布線(xiàn)線(xiàn)路，以及由與所述層間絕緣膜上的所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路相同的材料形成的、與所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路間隔開(kāi)的并且在所述第二方向上延伸的第一電極；第二基板，所述第二基板包括第二絕緣基板、以及在所述第一電極的兩側(cè)上、在所述第二方向上延伸的第二電極，所述第二電極在所述第二絕緣基板的與所述第一基板相對(duì)的那一側(cè)上；以及液晶層，所述液晶層包括保持在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶分子。現(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)地描述實(shí)施例。在附圖中，由同樣的附圖標(biāo)記表示具有相同或相似功能的結(jié)構(gòu)元件，并且省略重復(fù)的描述。圖I是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)和等效電路的視圖。具體地，液晶顯示裝置包括有源矩陣型液晶顯示器面板LPN。該液晶顯示器面板LPN包括作為第一基板的陣列基板AR、作為與該陣列基板AR相對(duì)設(shè)置的第二基板的對(duì)向基板CT和設(shè)置在陣列基板AR與對(duì)向基板CT之間的液晶層LQ。該液晶顯示器面板LPN包括顯示圖像的有源區(qū)ACT。該有源區(qū)ACT由以mXn (m和η是正整數(shù))矩陣排列的多個(gè)像素PX構(gòu)成。該液晶顯示器面板LPN在有源區(qū)ACT中包括η條柵極線(xiàn)G (Gl至Gn)、η條存儲(chǔ)電容線(xiàn)C (Cl至Cn)和η條源極線(xiàn)S (SI至Sm)。柵極線(xiàn)G和存儲(chǔ)電容線(xiàn)C在第一方向X上延伸。柵極線(xiàn)G和存儲(chǔ)電容線(xiàn)C沿著與第一方向X交叉的第二方向Y以一定間隔鄰近，并且平行地交替布置。在該示例中，第一方向X和第二方向Y彼此垂直。源極線(xiàn)S與柵極CN 102914916 A
書(shū)
明
說(shuō)
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線(xiàn)G和存儲(chǔ)電容線(xiàn)C交叉。源極線(xiàn)S沿著第二方向Y大體線(xiàn)性地延伸。不總是需要柵極線(xiàn)G、存儲(chǔ)電容線(xiàn)C和源極線(xiàn)S中的每條都線(xiàn)性延伸，而其一部分可以是彎曲的。在示出的示例中，柵極線(xiàn)G和存儲(chǔ)電容線(xiàn)C對(duì)應(yīng)于在第一方向X上線(xiàn)性延伸的第一布線(xiàn)線(xiàn)路，并且源極線(xiàn)S對(duì)應(yīng)于在第二方向Y上線(xiàn)性延伸的第二布線(xiàn)線(xiàn)路?？赡艽嬖谶@ 種情況，其中柵極線(xiàn)G和存儲(chǔ)電容線(xiàn)C對(duì)應(yīng)于在第二方向Y上線(xiàn)性延伸的第二布線(xiàn)線(xiàn)路，并且源極線(xiàn)S對(duì)應(yīng)于在第一方向X上線(xiàn)性延伸的第一布線(xiàn)線(xiàn)路。每條柵極線(xiàn)G都被引導(dǎo)至有源區(qū)ACT的外部并且連接到柵極驅(qū)動(dòng)器⑶。每條源極線(xiàn)S都被引導(dǎo)至有源區(qū)ACT的外部并且連接到源極驅(qū)動(dòng)器SD。柵極驅(qū)動(dòng)器GD和源極驅(qū)動(dòng)器SD中的至少一部分形成在例如陣列基板AR上并且連接至包含控制器的驅(qū)動(dòng)IC芯片2。每個(gè)像素PX都包括轉(zhuǎn)換元件SW、像素電極PE和公共電極CE。例如，在存儲(chǔ)電容線(xiàn)C與像素電極PE之間形成存儲(chǔ)電容CS。存儲(chǔ)電容線(xiàn)C電連接至存儲(chǔ)電容電壓所施加到的電壓施加模塊VCS。在本實(shí)施例中，液晶顯示器面板LPN配置為使得像素電極PE形成在陣列基板AR上，并且公共電極CE的至少一部分形成在對(duì)向基板CT上，且通過(guò)主要使用在像素電極PE與公共電極CE之間產(chǎn)生的電場(chǎng)來(lái)轉(zhuǎn)換液晶層LQ的液晶分子。在像素電極PE與公共電極CE之間產(chǎn)生的電場(chǎng)是稍微傾向由第一方向X與第二方向Y限定的X-Y平面、或陣列基板AR的基板主表面或?qū)ο蚧錍T的基板主表面的斜電場(chǎng)(或大體平行于基板主表面的橫向電場(chǎng))。轉(zhuǎn)換元件SW由例如η溝道薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成。轉(zhuǎn)換元件SW電連接到柵極線(xiàn)G和源極線(xiàn)S。轉(zhuǎn)換元件SW可以是頂柵極型或底柵極型。此外，轉(zhuǎn)換元件SW的半導(dǎo)體層由例如多晶硅形成，但是也可以由非晶硅形成。像素電極PE設(shè)置在相應(yīng)的像素PX中，并且電連接到轉(zhuǎn)換元件SW。公共電極CE具有例如公共電勢(shì)，并且經(jīng)由液晶層LQ而對(duì)多個(gè)像素PX的像素電極PE公共地設(shè)置。像素電極PE由不透明布線(xiàn)材料或具有擋光性或反射性的導(dǎo)電材料形成。例如，像素電極PE由選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)和鉻(Cr)的金屬材料或包括這些元素之一的合金形成。與像素電極PE相似，公共電極CE可以由選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)和鉻(Cr)的金屬材料或包括這些元素之一的合金形成。在像素電極PE和公共電極CE中的一個(gè)由上述不透明材料形成的情況下，像素電極PE和公共電極CE中的另一個(gè)可以由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等透光的、導(dǎo)電的材料形成。在像素電極PE和公共電極CE都由上述不透明材料形成的情況下，像素電極PE和公共電極CE可以由不同材料形成。陣列襯底AR包括用于將電壓施加到公共電極CE的供電模塊VS。供電模塊VS形成在例如有源區(qū)ACT的外部。公共電極CE被引導(dǎo)至有源區(qū)ACT的外部，并且經(jīng)由導(dǎo)電構(gòu)件(未示出)電連接到供電模塊VS。圖2是示意性示出當(dāng)從對(duì)向基板側(cè)觀察圖I中示出的液晶顯示器面板LPN時(shí)的一個(gè)像素PX的結(jié)構(gòu)示例的平面圖。圖2是X-Y平面中的平面圖。陣列基板AR包括柵極線(xiàn)G1、柵極線(xiàn)G2、存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl、源極線(xiàn)SI、源極線(xiàn)S2、轉(zhuǎn)換元件SW、像素電極PE和第一配向膜ALl。對(duì)向基板CT包括公共電極CE和第二配向膜AL2。
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柵極線(xiàn)Gl、柵極線(xiàn)G2和存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl在第一方向X上延伸。源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2在第二方向Y上延伸。存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl位于柵極線(xiàn)Gl與柵極線(xiàn)G2之間的大體中點(diǎn)處。具體地，在第二方向Y上的柵極線(xiàn)Gl與存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl之間的距離大體等于在第二方向Y上的柵極線(xiàn)G2與存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl之間的距離。在示出的示例中，像素PX對(duì)應(yīng)于由柵極線(xiàn)G1、柵極線(xiàn)G2、源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2形成的柵格區(qū)，正如圖2中的虛線(xiàn)表示的那樣。像素PX具有在第二方向Y上的長(zhǎng)度大于在第一方向X上的長(zhǎng)度的矩形形狀。在第一方向X上的像素PX的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于在第一方向X上的源極線(xiàn)SI與源極線(xiàn)S2之間的間距。在第二方向Y上的像素PX的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于在第二方向Y上的柵極線(xiàn)Gl與柵極線(xiàn)G2之間的間距。像素電極PE設(shè)置在彼此鄰近的源極線(xiàn)SI與源極線(xiàn)S2之間。此外，像素電極PE位于柵極線(xiàn)Gl與柵極線(xiàn)G2之間。在示出的示例中，在像素PX中，源極線(xiàn)SI設(shè)置在左側(cè)端部，源極線(xiàn)S2設(shè)置在右側(cè)端部，柵極線(xiàn)Gl設(shè)置在上側(cè)端部，并且柵極線(xiàn)G2設(shè)置在下側(cè)端部。嚴(yán)格地說(shuō)，源極線(xiàn)SI設(shè)置為在像素PX與左側(cè)的鄰近像素之間的界線(xiàn)之上延伸，源極線(xiàn)S2設(shè)置為在像素PX與右側(cè)的鄰近像素之間的界線(xiàn)之上延伸，柵極線(xiàn)Gl設(shè)置為在像素PX與上側(cè)的鄰近像素之間的界線(xiàn)之上延伸，并且柵極線(xiàn)G2設(shè)置為在像素PX與下側(cè)的鄰近像素之間的界線(xiàn)之上延伸。存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl設(shè)置在像素PX的大體中央部分處。在所示出的示例中的轉(zhuǎn)換元件SW電連接到柵極線(xiàn)Gl和源極線(xiàn)SI。轉(zhuǎn)換元件SW設(shè)置在柵極線(xiàn)Gl與源極線(xiàn)SI之間的交叉處。轉(zhuǎn)換元件SW的漏極線(xiàn)形成為沿著源極線(xiàn)SI和存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl延伸，并且電連接到位于與存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl重疊的區(qū)域處的像素電極PE。轉(zhuǎn)換元件SW設(shè)置在與源極線(xiàn)SI和存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl重疊的區(qū)域中，并且大體上不從與源極線(xiàn)SI和存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl重疊的區(qū)域突出出來(lái)，因此抑制了用于顯示的孔徑部分的面積減小。像素電極PE包括主像素電極PA和子像素電極PB。主像素電極PA和子像素電極PB形成為一體的或連續(xù)的，并且彼此電連接。同時(shí)，在所示出的示例中，僅示出設(shè)置在一個(gè)像素PX中的像素電極PE，但是相同形狀的像素電極設(shè)置在其它像素中，省略對(duì)其的描述。主像素電極PA設(shè)置在源極線(xiàn)SI與源極線(xiàn)S2之間。在示出的示例中，子像素電極PB與主像素電極PA的第二方向Y上的中間部分交叉。因此，主像素電極PA在第二方向Y上從與子像素電極PB的交叉處線(xiàn)性地延伸到像素PX的上側(cè)端部的附近以及像素PX的下側(cè)端部的附近。具體地，以十字形形成像素電極PE。此外，主像素電極PA設(shè)置在源極線(xiàn)SI與源極線(xiàn)S2之間的大體中間位置處，即在像素PX的中央處。源極線(xiàn)SI與主像素電極PA之間、在第一方向X上的距離大體等于源極線(xiàn)S2與主像素電極PA之間、在第一方向X上的距離。以在第一方向X上具有大體相等寬度的帶形形成主像素電極PA。子像素電極PB與主像素電極PA交叉并且沿著第一方向X延伸。子像素電極PB從與主像素電極PA的交叉處朝源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2伸出。在所示出的示例中，子像素電極PB與存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl相對(duì)。具體地，子像素電極PB的整體設(shè)置在與存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl重疊的區(qū)域中。子像素電極PB電連接到轉(zhuǎn)換元件SW。以在第二方向Y上具有大體相等寬度的帶形形成子像素電極PB，并且所形成的子像素電極PB的寬度大于主像素電極PA的寬度。公共電極CE包括主公共電極CA。主公共電極CA在X-Y平面中、在大體平行于主像素電極PA的第二方向Y上、在主像素電極PA的兩側(cè)上線(xiàn)性地延伸?；蛘?，主公共電極CA與在第二方向Y上延伸并且以大體平行于主像素電極PA延伸的源極線(xiàn)S相對(duì)。以在第一方向X上具有大體相等寬度的帶形形成主公共電極CA。在所示出的示例中，兩個(gè)主公共電極CA在第一方向上以一定距離平行地布置。具體地，主公共電極CA包括設(shè)置在像素PX的左側(cè)端部處的主公共電極CAL，和設(shè)置在像素PX的右側(cè)端部處的主公共電極CAR。嚴(yán)格地說(shuō)，主公共電極CAL設(shè)置為在像素PX與左側(cè)的鄰近像素之間的界線(xiàn)之上延伸，并且主公共電極CAR設(shè)置為在像素PX與右側(cè)的鄰近像素之間的界線(xiàn)之上延伸。主公共電極CAL與源極線(xiàn)SI相對(duì)，而主公共電極CAR與源極線(xiàn)S2相對(duì)。主公共電極CAL和主公共電極CAR在有源區(qū)內(nèi)部或在有源區(qū)外部彼此電連接。 注意像素電極PE與主公共電極CA之間的位置關(guān)系，像素電極PE和主公共電極CA沿著第一方向X交替地布置。主像素電極PA和主公共電極CA彼此平行地設(shè)置。在該情況下，在X-Y平面中，每個(gè)主公共電極CA都不與像素電極PE重疊。光可以通過(guò)的透射區(qū)域形成在像素電極PE與主公共電極CA之間。一個(gè)像素電極PE位于彼此鄰近的主公共電極CAL與主公共電極CAR之間。換句話(huà)說(shuō)，主公共電極CAL和主公共電極CAR設(shè)置在像素電極PE正上方的位置的兩側(cè)上。或者，像素電極PE設(shè)置在主公共電極CAL與主公共電極CAR之間。因此，主公共電極CAL、主像素電極PA和主公共電極CAR沿著第一方向X以指定的順序布置。在第一方向X上、像素電極PE與公共電極CE之間的距離大體恒定。圖2中示出的主像素電極PA位于主公共電極CAL與主公共電極CAR之間的大體中間點(diǎn)處。具體地，在第一方向X上、主公共電極CAL與主公共電極CAR之間的距離大體等于在第一方向X上、主公共電極CAR與主像素電極PA之間的距離。圖3是沿著圖2中的線(xiàn)A-A獲得的示意性截面圖，該截面圖示出圖2中示出的液晶顯示器面板LPN的橫截面結(jié)構(gòu)。圖4是沿著圖2中的線(xiàn)B-B獲得的示意性截面圖，該截面圖示出圖2中示出的液晶顯示器面板LPN的橫截面結(jié)構(gòu)。圖3和圖4僅示出必須描述的部分。背光源4設(shè)置在構(gòu)成液晶顯示器面板LPN的陣列基板AR的后側(cè)上。各種模式可應(yīng)用于背光源4。作為背光源4，可以使用將發(fā)光二極管(LED)用作光源的背光源，或者將冷陰極熒光燈管(CCFL)用作光源的背光源。省略對(duì)背光源4的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的描述。通過(guò)使用具有透光性的第一絕緣基板10形成陣列基板AR。陣列基板AR在第一絕緣基板10的內(nèi)側(cè)上包括源極線(xiàn)SI、源極線(xiàn)S2、包括主像素電極PA的像素電極PE、第一絕緣膜11、第二絕緣膜12、第三絕緣膜13和第一配向膜AL1。轉(zhuǎn)換元件SW的半導(dǎo)體層SC形成在第一絕緣基板10的內(nèi)表面IOA上，并且被第一絕緣膜11覆蓋。柵極線(xiàn)Gl、柵極線(xiàn)G2和存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl形成在第一絕緣膜11上，并且被第二絕緣膜12覆蓋。源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2形成在第二絕緣膜12上，并且被第三絕緣膜13覆蓋。具體地，第二絕緣膜12 —方面對(duì)應(yīng)于柵極線(xiàn)G1、柵極線(xiàn)G2和存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl之間的層間絕緣膜，并且另一方面對(duì)應(yīng)于源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2。轉(zhuǎn)換元件SW的漏極電極WD形成在第二絕緣膜12上、與半導(dǎo)體層SC接觸并且被第三絕緣膜13覆蓋。透入漏極電極WD的接觸孔CH形成在第三絕緣膜13中。第三絕緣膜13例如由透明樹(shù)脂材料形成，并且使其表面上的粗糙平滑。包括主像素電極PA和子像素電極PB的像素電極PE形成在第三絕緣膜13上。像素電極PE位于源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2的正上方的位置的內(nèi)部。子像素電極PB經(jīng)由形成在第三絕緣膜13中的接觸孔CH與漏極電極WD接觸。第一配向膜ALl設(shè)置在陣列基板AR的與對(duì)向基板CT相對(duì)的表面上，并且第一配向膜ALl大體在整個(gè)有源區(qū)ACT上延伸。第一配向膜ALl覆蓋像素電極PE，等等，并且也設(shè)置在第三絕緣膜13之上。第一配向膜ALl由表現(xiàn)出水平配向性質(zhì)的材料形成。同時(shí)，陣列基板AR可以包括公共電極CE的一部分。通過(guò)使用具有透光性的第二絕緣基板20形成對(duì)向基板CT。對(duì)向基板CT在第二絕緣基板20的內(nèi)側(cè)，即在其面對(duì)陣列基板AR的一側(cè)上包括黑色矩陣BM、濾色器CF、保護(hù)層0C、包括主公共電極CAL和主公共電極CAR的公共電極CE和第二配向膜AL2。黑色矩陣BM分隔像素PX并且形成與像素電極PE相對(duì)的孔徑部分AP。具體地，黑色矩陣BM被設(shè)置為與布線(xiàn)部分相對(duì)，所述布線(xiàn)部分諸如源極線(xiàn)、柵極線(xiàn)、存儲(chǔ)電容線(xiàn)和轉(zhuǎn)換元件。在該示例中，黑色矩陣BM包括在第二方向Y上延伸的部分，和在第一方向X上延伸的部分。黑色矩陣BM設(shè)置在第二絕緣基板20的與陣列基板AR相對(duì)的內(nèi)表面20A上。濾色器CF與每個(gè)像素PX關(guān)聯(lián)設(shè)置。具體地，濾色器CF設(shè)置在第二絕緣基板20的內(nèi)表面20A上的孔徑部分AP中，并且濾色器CF的一部分在黑色矩陣BM之上延伸。設(shè)置在第一方向X上的鄰近像素PX中的濾色器CF具有相互不同的顏色。例如，濾色器CF由以紅、藍(lán)和綠三原色著色的樹(shù)脂材料形成。由以紅色著色的樹(shù)脂材料形成的紅色濾色器與紅色像素關(guān)聯(lián)設(shè)置。由以藍(lán)色著色的樹(shù)脂材料形成的藍(lán)色濾色器與藍(lán)色像素關(guān)聯(lián)設(shè)置。由以綠色著色的樹(shù)脂材料形成的綠色濾色器與綠色像素關(guān)聯(lián)設(shè)置。這些濾色器CF之間的界線(xiàn)位于與黑色矩陣BM重疊的位置處。保護(hù)層OC覆蓋濾色器CF。保護(hù)層OC減小濾色器CF的表面上的粗糙的影響。保護(hù)層OC例如由透明樹(shù)脂材料形成。公共電極CE的主公共電極CAL和主公共電極CAR形成在保護(hù)層OC的與陣列基板AR相對(duì)的那一側(cè)上。主公共電極CAL位于源極線(xiàn)SI之上并且位于黑色矩陣BM之下。主公共電極CAR位于源極線(xiàn)S2之上并且位于黑色矩陣BM之下。在第一方向X上的主公共電極CAL和主公共電極CAR中的每個(gè)的寬度都大體等于位于其上的黑色矩陣BM的寬度。在孔徑部分AP中，一方面主公共電極CAL與主公共電極CAR之間的區(qū)域?qū)?yīng)于光可以通過(guò)的透射區(qū)域，另一方面主像素電極PA也對(duì)應(yīng)于光可以通過(guò)的透射區(qū)域。第二配向膜AL2設(shè)置在對(duì)向基板CT的與陣列基板AR相對(duì)的那一表面上，并且第二配向膜AL2大體在整個(gè)有源區(qū)ACT上延伸。第二配向膜AL2覆蓋主公共電極CAL、主公共電極CAR和保護(hù)層0C。第二配向膜AL2由表現(xiàn)出水平配向性質(zhì)的材料形成。對(duì)第一配向膜ALl和第二配向膜AL2進(jìn)行配向處理(例如，摩擦處理或光配向處理)，該配向處理用于對(duì)液晶層LQ的液晶分子進(jìn)行初始配向。第一配向膜ALl對(duì)液晶分子進(jìn)行初始配向的第一配向處理方向PDl平行于第二配向膜AL2對(duì)液晶分子進(jìn)行初始配向的第二配向處理方向TO2。在圖2的(A)部分示出的示例中，第一配向處理方向PDl和第二配向處理方向PD2平行于第二方向Y并且是相同的。在圖2的(B)部分示出的示例中，第一配向處理方向PDl和第二配向處理方向PD2平行于第二方向Y并且是彼此相反的。上述陣列基板AR和對(duì)向基板CT設(shè)置為使得它們的第一配向膜ALl和第二配向膜AL2彼此相對(duì)。在該情況下，柱狀間隔體設(shè)置在陣列基板AR的第一配向膜ALl與對(duì)向基板CT的第二配向膜AL2之間，所述柱狀間隔體例如由樹(shù)脂材料形成，以便與陣列基板AR和對(duì)
10向基板CT之一一體化。因此，建立了預(yù)定單元間隙，例如2至7μπι的單元間隙。在其間建立預(yù)定單元間隙的情況下，在有源區(qū)ACT的外部由密封劑將陣列基板AR和對(duì)向基板CT附接。液晶層LQ保持在陣列基板AR與對(duì)向基板CT之間形成的單元間隙中并且設(shè)置在第一配向膜ALl與第二配向膜AL2之間。液晶層LQ包括液晶分子LM。液晶層LQ由具有正(正型)介電常數(shù)各向異性的液晶材料構(gòu)成。第一光學(xué)元件ODl例如由粘合劑附接到陣列基板AR的外表面，即構(gòu)成陣列基板AR的第一絕緣基板10的外表面10Β。第一光學(xué)兀件ODl位于液晶顯不器面板LPN的與背光源4相對(duì)的那一側(cè)上，并且控制從背光源4進(jìn)入液晶顯示器面板LPN的入射光的偏振狀態(tài)。第一光學(xué)元件ODl包括具有第一偏振軸(或第一吸收軸)AXl的第一偏光器PU。同時(shí)，諸如光減速板等另一種光學(xué)兀件可以設(shè)置在第一偏光器PLl與第一絕緣基板10之間。第二光學(xué)元件0D2例如由粘合劑附接到對(duì)向基板CT的外表面，即構(gòu)成對(duì)向基板CT的第二絕緣基板20的外表面20Β。第二光學(xué)元件0D2位于液晶顯示器面板LPN的顯示器表面?zhèn)壬?，并且控制從液晶顯示器面板LPN出現(xiàn)的發(fā)射光的偏振狀態(tài)。第二光學(xué)元件0D2包括具有第二偏振軸(或第二吸收軸)ΑΧ2的第二偏光器PL2。同時(shí)，諸如光減速板等另一種光學(xué)元件可以設(shè)置在第二偏光器PL2與第二絕緣基板20之間。第一偏光器PLl的第一偏振軸AXl和第二偏光器PL2的第二偏振軸ΑΧ2具有正交尼科耳(crossed Nicols)的位置關(guān)系。在該情況下，偏光器之一設(shè)置為使得其偏振軸平行或垂直于主公共電極CA或主像素電極PA的延伸方向。具體地，當(dāng)主像素電極PA或主公共電極CA的延伸方向是第二方向Y時(shí)，一個(gè)偏光器的偏振軸平行于第二方向Y或大體垂直于第二方向Y。或者，偏光器之一設(shè)置為使得其偏振軸平行或垂直于液晶分子的初始配向方向，即第一配向處理方向PDl或第二配向處理方向Η)2。當(dāng)初始配向方向平行于第二方向Y時(shí)，一個(gè)偏光器的偏振軸平行于第二方向Y或平行于于第一方向X。在圖2的(a)部分中不出的不例中，第一偏光器PLl設(shè)置為使得其第一偏振軸AXl垂直于主像素電極PA的延伸方向或液晶分子LM的初始配向方向(第二方向Y)，而第二偏光器PL2設(shè)置為使得其第二偏振軸AX2平行于主像素電極PA的延伸方向或液晶分子LM的初始配向方向。另外，在圖2的(b)部分中示出的示例中，第二偏光器PL2設(shè)置為使得其第二偏振軸AX2垂直于主像素電極PA的延伸方向或液晶分子LM的初始配向方向(第二方向Y)，而第一偏光器PLl設(shè)置為使得其第一偏振軸AXl平行于主像素電極PA的延伸方向或液晶分子LM的初始配向方向。接下來(lái)，參考圖2至圖4描述具有上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示器面板LPN的操作。具體地，在沒(méi)有電壓施加到液晶層LQ的狀態(tài)下，即在像素電極PE與公共電極CE之間沒(méi)有產(chǎn)生電場(chǎng)的狀態(tài)(OFF時(shí)間)下，液晶層LQ的液晶分子LM被配向?yàn)槭沟闷渲鬏S位于第一配向膜ALl的第一配向處理方向HH和第二配向膜AL2的第二配向處理方向PD2上。該OFF時(shí)間對(duì)應(yīng)于初始配向狀態(tài)，并且在OFF時(shí)間的液晶分子LM的配向方向?qū)?yīng)于初始配向方向。嚴(yán)格地說(shuō)，液晶分子LM不總是與X-Y平面平行地配向，并且在許多情況下，使液晶
11分子LM預(yù)傾斜。因此，液晶分子LM的初始配向方向?qū)?yīng)于在OFF時(shí)間液晶分子LM的主軸正交地投影在X-Y平面上的方向。在以下的描述中，為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，假設(shè)液晶分子LM平行地與X-Y平面配向，并且液晶分子LM在平行于X-Y平面的平面中旋轉(zhuǎn)。在該情況下，第一配向處理方向PDl和第二配向處理方向PD2中的每個(gè)都大體平行于第二方向Y。在OFF時(shí)間，液晶分子LM最初配向?yàn)槭沟闷渲鬏S大體平行于第二方向Y，如由圖2中的虛線(xiàn)所示的那樣。具體地，液晶分子LM的初始配向方向平行于第二方向Y(或與第二方向Y成0° )。當(dāng)?shù)谝慌湎蛱幚矸较騊Dl和第二配向處理方向PD2彼此平行且相同時(shí)，如在所示出的示例中，液晶分子LM在液晶層LQ的橫截面中的液晶層LQ的中間部分中大體水平地配向(預(yù)傾斜角度大體為0)，并且液晶分子LM與這種預(yù)傾斜角度配向，使得液晶分子LM在第一配向膜ALl的附近和第二配向膜AL2的附近相對(duì)于作為界線(xiàn)的中間部分變?yōu)閷?duì)稱(chēng)的(擴(kuò)散配向)。在液晶分子LM被擴(kuò)散配向的狀態(tài)下，甚至在向基板的法線(xiàn)方向傾斜的方向上，可以由在第一配向膜ALl附近的液晶分子LM和在第二配向膜AL2附近的液晶分子LM進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償。因此，當(dāng)?shù)谝慌湎蛱幚矸较騊Dl和第二配向處理方向PD2彼此平行并且相同時(shí)，在黑色顯示(black display)的情況下漏光較小，可以是實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度，并且可以改進(jìn)顯示質(zhì)量。同時(shí)，當(dāng)?shù)谝慌湎蛱幚矸较騊Dl和第二配向處理方向PD2彼此平行并且相反時(shí)，液晶分子LM在液晶層LQ的橫截面中、在第一配向膜ALl的附近、在第二配向膜AL2的附近并且在液晶層LQ的中間部分中以大體相等的預(yù)傾斜角度配向(水平配向)。來(lái)自背光源4的光的一部分通過(guò)第一偏光器PLl并且進(jìn)入液晶顯示器面板LPN。進(jìn)入液晶顯不器面板LPN的光的偏振狀態(tài)是垂直于第一偏光器PLl的第一偏振軸AXl的線(xiàn)性偏振。當(dāng)光在OFF時(shí)間通過(guò)液晶顯示器面板LPN時(shí)，這種線(xiàn)性偏振的偏振狀態(tài)幾乎不改變。因此，已經(jīng)通過(guò)液晶顯示器面板LPN的線(xiàn)性偏振光由第二偏光器PL2吸收，該第二偏光器PL2處于與第一偏光器PLl相關(guān)的正交尼科耳的位置關(guān)系(黑色顯示)。另一方面，在電壓被施加到液晶層LQ的狀態(tài)下，即在像素電極PE與公共電極CE之間產(chǎn)生電勢(shì)差的狀態(tài)(0N時(shí)間)下，在像素電極PE與公共電極CE之間產(chǎn)生大體平行于基板的橫向電場(chǎng)(或斜電場(chǎng))。液晶分子LM受到電場(chǎng)影響，并且其主軸在平行于X-Y平面的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，如附圖中的實(shí)線(xiàn)所示。在圖2所示出的示例中，在像素電極PE與主公共電極CAL之間區(qū)域的下半部分中的液晶分子LM相對(duì)于第二方向Y順時(shí)針?lè)较虻匦D(zhuǎn)，并且在附圖中的左下方向上被配向。在像素電極PE與主公共電極CAL之間區(qū)域的上半部分中的液晶分子LM相對(duì)于第二方向Y逆時(shí)針?lè)较虻匦D(zhuǎn)，并且在附圖中的左上方向上被配向。在像素電極PE與主公共電極CAR之間區(qū)域的下半部分中的液晶分子LM相對(duì)于第二方向Y逆時(shí)針?lè)较虻匦D(zhuǎn)，并且在附圖中的右下方向上被配向。在像素電極PE與主公共電極CAR之間區(qū)域的上半部分中的液晶分子LM相對(duì)于第二方向Y順時(shí)針?lè)较虻匦D(zhuǎn)，并且在附圖中的右上方向上被配向。如以上已經(jīng)描述的，在每個(gè)像素PX中的像素電極PE與公共電極CE之間產(chǎn)生電場(chǎng)的狀態(tài)下，液晶分子LM在界線(xiàn)的位置與像素電極PE重疊的情況下在多個(gè)方向上配向，并且在相應(yīng)的配向方向上形成域(domain)。具體地，在一個(gè)像素PX中形成多個(gè)域。在這種ON時(shí)間，從背光源4入射到液晶顯示器面板LPN上的背光的一部分通過(guò)第
12一偏光器PLl并且進(jìn)入液晶顯示器面板LPN。進(jìn)入液晶顯示器面板LPN的光是垂直于第一偏光器PLl的第一偏振軸AXl的線(xiàn)性偏振光。當(dāng)光通過(guò)液晶層LQ時(shí),這種線(xiàn)性偏振光的偏振狀態(tài)根據(jù)液晶分子LM的配向狀態(tài)而改變。例如，當(dāng)平行于第一方向X的線(xiàn)性偏振光已經(jīng)進(jìn)入液晶顯示器面板LPN時(shí)，所述光在通過(guò)液晶層LQ時(shí)，受到由在相對(duì)于第一方向X的45° -225°方位方向或135° -315°方位方向上被配向的液晶分子所導(dǎo)致的λ/2 (λ是通過(guò)液晶層LQ的光的波長(zhǎng))的延遲的影響。因此，已經(jīng)通過(guò)液晶層LQ的光的偏振狀態(tài)變?yōu)槠叫杏诘诙较験的線(xiàn)性偏振。因此，在ON時(shí)間，從液晶層LQ發(fā)出的光的至少一部分通過(guò)第二偏光器PL2 (白色顯示)。根據(jù)本實(shí)施例，像素電極PE由不透明布線(xiàn)材料形成，即由選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)和鉻(Cr)的金屬材料或包括這些元素之一的合金形成。因此，與像素電極PE和公共電極CE由ITO或IZO形成的情況相比，可以減少銦(In)的使用量。此外，公共電極CE也可以由上述不透明布線(xiàn)材料形成。當(dāng)像素電極PE和公共電極CE都由不透明布線(xiàn)材料形成時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)無(wú)銦結(jié)構(gòu)。在像素電極PE之上或在公共電極CE之上，由于甚至在ON時(shí)間以及OFF時(shí)間均幾乎不產(chǎn)生橫向電場(chǎng)(或不產(chǎn)生足以驅(qū)動(dòng)液晶分子LM的電場(chǎng))，所以液晶分子LM幾乎不從初始配向方向偏離，與OFF時(shí)間的情況相似。因此，即使像素電極PE和公共電極CE由諸如ITO等透光的、導(dǎo)電的材料形成，也沒(méi)有多少背光通過(guò)這些區(qū)域，并且這些區(qū)域在ON時(shí)間幾乎不用于顯示。具體地，與像素電極PE和公共電極CE由透明的、導(dǎo)電的材料形成的情況相比，即使像素電極PE和公共電極CE由不透明布線(xiàn)材料形成，如在本實(shí)施例中，也可以在ON時(shí)間抑制透射率的降低或抑制孔徑部分AP的面積的減小。在像素電極PE和公共電極CE中的至少一個(gè)由上述不透明布線(xiàn)材料形成的本實(shí)施例中，已經(jīng)進(jìn)入液晶顯示器面板LPN的線(xiàn)性偏振光大體平行或垂直于像素電極PE或公共電極CE的邊緣的延伸方向。因此，由像素電極PE或公共電極CE的邊緣反射的線(xiàn)性偏振光的偏振平面幾乎不被干擾，并且可以保持在通過(guò)作為偏光器的第一偏光器PLl時(shí)的偏振平面。因此，在OFF時(shí)間，由于已經(jīng)通過(guò)液晶顯示器面板LPN的線(xiàn)性偏振光由作為分析器的第二偏振光器PL2充分地吸收，所以可以抑制漏光。具體地，在黑色顯示時(shí)充分減小透射率，并且可以抑制對(duì)比度的減小。此外，由于不需要增大黑色矩陣BM的寬度以便處理像素電極PE或公共電極CE附近的漏光，所以可以抑制孔徑部分AP的面積的減小或ON時(shí)間的透射率的減小。因此，可以抑制顯示質(zhì)量的下降。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以在像素電極PE與公共電極CE之間的電極間間隙中獲得高透射率。因此，通過(guò)增大主像素電極與主公共電極之間的電極間距離，可以充分增大每個(gè)像素的透射率。至于像素間距不同的產(chǎn)品規(guī)格，則通過(guò)改變主像素電極與主公共電極之間的電極間距離可以使用透射率分布的峰值條件。具體地，在本實(shí)施例的顯示方式中，就從具有相對(duì)大像素間距的低分辨率產(chǎn)品規(guī)格到具有相對(duì)小像素間距的高分辨率產(chǎn)品規(guī)格的產(chǎn)品規(guī)格而言，通過(guò)設(shè)置電極間距離、而不必要求精細(xì)的電極處理，可以提供具有各種像素間距的產(chǎn)品。因此，可以容易地滿(mǎn)足對(duì)于高透射率和高分辨的要求。根據(jù)本實(shí)施例，在與黑色矩陣BM重疊的區(qū)域中，透射率充分降低。其原因是電場(chǎng)不從位于源極線(xiàn)S上的公共電極CE的位置泄漏到像素的外部，并且不期望的橫向電場(chǎng)不出現(xiàn)在中間插置黑色矩陣BM的彼此鄰近的像素之間，并且因此在與黑色矩陣BM重疊的區(qū)域
13中的液晶分子LM保持初始配向狀態(tài)，與OFF時(shí)間(或黑色顯示時(shí)間)的情況相似。因此，甚至當(dāng)濾色器的顏色在鄰近像素之間不同時(shí)，也可以抑制顏色混合的出現(xiàn)，并且可以抑制顏色再現(xiàn)性的減小或?qū)Ρ榷鹊臏p小。當(dāng)在陣列基板AR與對(duì)向基板CT之間發(fā)生錯(cuò)誤配向時(shí)，存在像素電極PE與像素電極PE的兩側(cè)上的公共電極CE之間的水平電極間距離出現(xiàn)差異的情況。然而，由于這種錯(cuò)誤配向通常發(fā)生在全部像素PX中，所以電場(chǎng)分布在像素PX之間沒(méi)有區(qū)別，并且在圖像顯示器上的影響很小。此外，甚至當(dāng)在陣列基板AR與對(duì)向基板CT之間出現(xiàn)錯(cuò)誤配向時(shí)，也可以抑制不期望的電場(chǎng)泄漏到鄰近像素。因此，甚至當(dāng)濾色器的顏色在鄰近像素之間有區(qū)別時(shí)，也可以抑制顏色混合的出現(xiàn)，并且可以抑制顏色再現(xiàn)性的減小或?qū)Ρ榷鹊臏p小。根據(jù)本實(shí)施例，主公共電極CA與源極線(xiàn)S相對(duì)。具體地，當(dāng)主公共電極CAL和主公共電極CAR分別設(shè)置在源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2的正上方時(shí)，與主公共電極CAL和主公共電極CAR設(shè)置在源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2的像素電極PE側(cè)上的情況相比，可以改進(jìn)像素PX的透射率。此外，通過(guò)將主公共電極CAL和主公共電極CAR分別設(shè)置在源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2的正上方，可以增大(一方面)像素電極PE與(另一方面)主公共電極CAL和主公共電極CAR之間的電極間距離，并且可以產(chǎn)生接近水平橫向電場(chǎng)的橫向電場(chǎng)。因此，可以在常規(guī)結(jié)構(gòu)中保持作為IPS模式等的優(yōu)點(diǎn)的寬視角。根據(jù)本實(shí)施例，可以在一個(gè)像素中形成多個(gè)域。因此，可以在多個(gè)方向光學(xué)補(bǔ)償視角，并且可以實(shí)現(xiàn)寬視角。上述示例涉及液晶分子LM的初始配向方向平行于第二方向Y的情況。然而，液晶分子LM的初始配向方向可以是與第二方向Y傾斜交叉的傾斜方向D，如在圖2中所示。在第二方向Y與初始配向方向D之間形成的角度Θ I為大于等于0°并且小于等于45°。出于液晶分子LM的配向控制的角度，期望液晶分子LM的初始配向方向是處于相對(duì)于第二方向Y的大于等于0°并且小于等于20°范圍內(nèi)的方向。上述示例涉及液晶層LQ是由具有正(正型)介電常數(shù)各向異性的液晶材料構(gòu)成的情況?；蛘?，液晶層LQ可以由具有負(fù)(負(fù)型)介電常數(shù)各向異性的液晶材料構(gòu)成。雖然省略了在負(fù)型液晶材料情況下的詳細(xì)說(shuō)明，因?yàn)榻殡姵?shù)各向異性的正/負(fù)狀態(tài)相反，但是期望上述形成的角度Θ I在大于等于45°并且小于等于90°的范圍內(nèi)，優(yōu)選地在大于等于70°并且小于等于90°的范圍內(nèi)。接下來(lái)，描述本實(shí)施例的另一結(jié)構(gòu)示例。圖5是沿著圖2中的線(xiàn)A-A獲得的示意性截面圖,該截面圖示出圖2中所示出的液晶顯示器面板LPN的另一橫截面結(jié)構(gòu)。圖6是沿著圖2中的線(xiàn)B-B獲得的示意性截面圖，該截面圖示出圖2中所示出的液晶顯示器面板LPN的另一橫截面結(jié)構(gòu)。圖5和圖6僅示出有必要說(shuō)明的部分。所示出的結(jié)構(gòu)示例不同于圖3和圖4中所示出的結(jié)構(gòu)示例，不同之處在于像素電極PE與源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2形成在同一層中，并且去除了第三絕緣膜13。具體地，源極線(xiàn)SI、源極線(xiàn)S2和像素電極PE形成在覆蓋柵極線(xiàn)Gl、柵極線(xiàn)G2和存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl的第二絕緣膜12上。像素電極PE位于源極線(xiàn)SI與源極線(xiàn)S2之間并且與源極線(xiàn)SI和源極線(xiàn)S2間隔開(kāi)。主像素電極PA在第二方向Y上延伸。子像素電極PB經(jīng)由在第一絕緣膜11和第二絕緣膜12中形成的相對(duì)淺的接觸孔CH而與半導(dǎo)體層SC接觸，并且電連接到轉(zhuǎn)換元件SW。以第一配向膜ALl覆蓋源極線(xiàn)SI、源極線(xiàn)S2和像素電極PE。此外，第一配向膜ALl也設(shè)置在第二絕緣膜12上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)示例，像素電極PE可以由與源極線(xiàn)S相同的材料形成，源極線(xiàn)S形成在與像素電極PE相同的層中。因此，在形成源極線(xiàn)S的步驟中，可以同時(shí)形成像素電極PE，并且與圖3等中示出的結(jié)構(gòu)示例相比，可以省略單獨(dú)形成像素電極PE的步驟。此外，在所示出的示例中，可以省略形成第三絕緣膜13的步驟。因此可以降低制造成本。在圖3等中示出的結(jié)構(gòu)示例中，深接觸孔CH需要形成在相對(duì)厚的第三絕緣膜13中，以便將像素電極PE和漏極電極WD電連接。第三絕緣膜13由具有相對(duì)大厚度的樹(shù)脂材料形成，以便使陣列基板AR的表面平坦化。因此，從形成在第三絕緣膜13的表面上的像素電極PE延伸到漏極電極WD的接觸孔CH趨向于變深并且直徑變大。在這種接觸孔CH的附近，由于接觸孔CH的粗糙等所致，液晶分子LM的配向趨向于容易被干擾，并且趨向于在OFF時(shí)間容易發(fā)生漏光。例如，需要通過(guò)在第二方向Y上增大存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl的寬度來(lái)遮擋這種漏光。另一方面，在圖5和圖6中示出的結(jié)構(gòu)示例中，像素電極PE經(jīng)由相對(duì)淺的接觸孔CH而電連接到轉(zhuǎn)換元件SW的半導(dǎo)體層SC。這種穿透第一絕緣膜11和第二絕緣膜12的接觸孔CH具有比形成在第三絕緣膜13中的接觸孔小的直徑，并且其粗糙對(duì)液晶分子LM配向的影響較小。因此，在OFF時(shí)間可以抑制漏光，并且可以改進(jìn)對(duì)比度。此外，不需要為了遮擋漏光而不必要地增大存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl的寬度，并且可以抑制孔徑部分AP的面積的減小。在該結(jié)構(gòu)示例中，第一配向膜ALl的第一配向處理方向PDl平行于大體為矩形像素PX的長(zhǎng)邊方向(例如第二方向Y)。因此，一些布線(xiàn)線(xiàn)路(例如在第一方向X上延伸的柵極線(xiàn)和存儲(chǔ)電容線(xiàn))和像素電極PE的短邊與一個(gè)像素中的第一配向處理方向PDl交叉。換句話(huà)說(shuō)，第一配向處理方向PDl既不與其它布線(xiàn)線(xiàn)路(例如在第二方向Y上延伸的源極線(xiàn))交叉也不與像素電極PE的長(zhǎng)邊交叉。因此，即使存在由于布線(xiàn)線(xiàn)路和電極的粗糙的原因而未充分執(zhí)行配向處理的區(qū)域，也可以使未充分執(zhí)行配向處理的區(qū)域小于第一配向膜ALl受到其它方向(即與像素PX的長(zhǎng)邊方向交叉的方向)上的配向處理的情況。具體地，由于沿著與第一配向處理方向PDl交叉的布線(xiàn)線(xiàn)路或像素電極PE的短邊出現(xiàn)未充分執(zhí)行配向處理的區(qū)域，所以通過(guò)縮短與第一配向處理方向PDl交叉的邊的長(zhǎng)度，可以減小未充分執(zhí)行配向處理的區(qū)域。另外，在像素PX的長(zhǎng)邊方向平行于第一方向X的情況下，如果第一配向處理方向PDl平行于第一方向X，則情況相同。在本實(shí)施例中，像素PX的結(jié)構(gòu)不限于圖2中所示出的示例。圖7是示意性示出當(dāng)從對(duì)向基板側(cè)觀察圖I中所示出的液晶顯示器面板LPN時(shí)的像素PX的另一結(jié)構(gòu)示例的平面圖。該結(jié)構(gòu)示例不同于圖2中示出的結(jié)構(gòu)示例，不同之處在于，像素電極PE包括在第一方向X上以一定間隔大體平行布置的多個(gè)主像素電極PA，并且除了在像素PX的左側(cè)端部處的主公共電極CAL和像素PX的右側(cè)端部處的主公共電極CAR之外，公共電極CE還包括相鄰主像素電極PA之間的主公共電極CAC。具體地，像素電極PE包括主像素電極PA1、主像素電極PA2和子像素電極PB。主像素電極PAl、主像素電極PA2和子像素電極PB彼此電連接。主像素電極PAl和主像素電極PA2在第一方向X上以一定間隔大體平行地布置。主像素電極PAl和主像素電極PA2在第二方向Y上從子像素電極PB線(xiàn)性地延伸到像素PX的上側(cè)端部附近以及像素PX的下側(cè)端部附近。子像素電極PB沿著第一方向X延伸。子像素電極PB位于與存儲(chǔ)電容線(xiàn)Cl重疊的區(qū)域中，并且電連接到轉(zhuǎn)換元件SW (未示出)。公共電極CE包括主公共電極CAL、主公共電極CAR和主公共電極CAC。主公共電極CAL、主公共電極CAR和主公共電極CAC彼此電連接。主公共電極CAL、主公共電極CAR和主公共電極CAC在第一方向X上以一定間隔大體平行地布置，并且在第二方向Y上延伸。主公共電極CAL位于主像素電極PAl的左側(cè)，主公共電極CAR位于主像素電極PA2的右側(cè)，并且主公共電極CAC位于主像素電極PAl與主像素電極PA2之間。在該結(jié)構(gòu)示例中，也可以獲得與上述結(jié)構(gòu)示例同樣的有利效果。圖8是示意性示出當(dāng)從對(duì)向基板側(cè)觀察圖I中示出的液晶顯示器面板LPN時(shí)的像素PX的另一結(jié)構(gòu)示例的平面圖。該結(jié)構(gòu)示例不同于圖2中示出的結(jié)構(gòu)示例，不同之處在于像素電極PE和公共電極CE相對(duì)于第二方向Y是彎曲的。具體地，像素電極PE在像素PX的上半部分包括主像素電極PAll和主像素電極PA12，并且在像素PX的下半部分包括主像素電極PA21和主像素電極PA22。主像素電極PAll和主像素電極PA12在第一方向X上以一定間隔大體平行地布置,并且相對(duì)于第二方向Y以大約5°至30°順時(shí)針地傾斜。主像素電極PA21和主像素電極PA22在第一方向X上以一定間隔大體平行地布置，并且相對(duì)于第二方向Y以大約5°至30°逆時(shí)針地傾斜。主像素電極PAll和主像素電極PA21是彼此連續(xù)的(其間插置子像素電極PB)，并且被電連接。相似地，主像素電極PA12和主像素電極PA22彼此是連續(xù)的(其間插置子像素電極PB)，并且被電連接。公共電極CE在像素PX的上半部分中包括主公共電極CALl、主公共電極CACl和主公共電極CARl，并且在像素PX的下半部分中包括主公共電極CAL2、主公共電極CAC2和主公共電極CAR2。主公共電極CALl、主公共電極CACl和主公共電極CARl在第一方向X上以一定間隔大體平行地布置，并且在大體平行于主像素電極PAll和主像素電極PA12的方向上延伸。主公共電極CAL2、主公共電極CAC2和主公共電極CAR2在第一方向X上以一定間隔大體平行地布置，并且在大體平行于主像素電極PA21和主像素電極PA22的方向上延伸。主公共電極CALl和主像素電極CAL2是彼此連續(xù)的并且被電連接。主公共電極CACl和主像素電極CAC2是彼此連續(xù)的并且被電連接。主公共電極CARl和主像素電極CAR2是彼此連續(xù)的并且被電連接。主公共電極CALl與主像素電極PAll之間的電極間距離、主公共電極CACl與主像素電極PAl I之間的電極間距離、主公共電極CACl與主像素電極PA12之間的電極間距離以及主公共電極CARl與主像素電極PA12之間的電極間距離大體相等。主公共電極CAL2與主像素電極PA21之間的電極間距離、主公共電極CAC2與主像素電極PA21之間的電極間距離、主公共電極CAC2與主像素電極PA22之間的電極間距離以及主公共電極CAR2與主像素電極PA22之間的電極間距離大體相等。在圖7和圖8所示出的結(jié)構(gòu)示例中，在一個(gè)像素中的主像素電極PAl與主像素電極PA2之間的距離，或在主像素電極PAl I與主像素電極PA12之間的距離為10 μ m至30 μ m。
16此外,主像素電極中每個(gè)的寬度為2μπι至3μπι。在該結(jié)構(gòu)示例中，也可以獲得與上述結(jié)構(gòu)示例同樣的有利效果。在圖7和圖8的結(jié)構(gòu)示例的第一方向X上的主像素電極PA與主公共電極CA之間的電極間距離是在陣列基板上具有像素電極和公共電極的IPS或FFS液晶裝置中的電極間距離的至少兩倍或更多倍。換句話(huà)說(shuō)，由于在本實(shí)施例中的對(duì)向基板上設(shè)置用于驅(qū)動(dòng)液晶分子LM的公共電極CE，所以陣列基板上的電極間距離變?yōu)橄噜徬袼仉姌OPE之間的距離。因此，在本實(shí)施例的情況下，陣列基板上的電極之間的距離(像素電極之間的距離)是像素電極與公共電極之間距離的兩倍或更多倍。根據(jù)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示例，與在陣列基板上具有像素電極和公共電極的IPS或FFS液晶裝置相比，在一個(gè)像素中由于像素電極PE和公共電極CE導(dǎo)致的粗糙區(qū)域較小，而平坦區(qū)域較大。由于粗糙區(qū)域較小而平坦區(qū)域較大，所以在配向處理工藝中未進(jìn)行充分的配向處理的區(qū)域變得小于IPS或FFS結(jié)構(gòu)中的區(qū)域。與圖5和圖6的結(jié)構(gòu)示例相似，配向處理方向與一個(gè)矩形像素中的像素電極的短邊和布線(xiàn)線(xiàn)路交叉。因此，即使存在未進(jìn)行充分的配向處理的部分，這種部分的面積變得小于其它配向處理方向情況下的面積。在本實(shí)施例中，像素PX的結(jié)構(gòu)不限于上述示例。上述示例涉及存儲(chǔ)電容線(xiàn)位于子像素電極PB正下方的結(jié)構(gòu)。然而，柵極線(xiàn)可以設(shè)置在子像素電極PB的正下方。此外，存儲(chǔ)電容線(xiàn)的沉積位置可以不是像素的大體中央部分，并且柵極線(xiàn)的沉積位置可以不是像素的上側(cè)端部或下側(cè)端部。上述示例涉及像素電極PE包括主像素電極PA和子像素電極PB的情況。然而，如果像素電極PE可以電連接到轉(zhuǎn)換元件SW，則像素電極PE可以不包括子像素電極PB。上述示例涉及主像素電極PA的延伸方向?yàn)榈诙较験的情況。然而，主像素電極PA可以在第一方向X上延伸。在該情況下,主公共電極CA的延伸方向是第一方向X。此外，在該情況下，當(dāng)沿第一方向X的第一布線(xiàn)線(xiàn)路是柵極線(xiàn)路G時(shí)，如在上述示例中，主公共電極CA與柵極線(xiàn)路G相對(duì)。然而，當(dāng)沿第一方向X的第一布線(xiàn)線(xiàn)路是源極線(xiàn)S并且沿第二方向Y的第二布線(xiàn)線(xiàn)路是柵極線(xiàn)G時(shí)，主公共電極CA與源極線(xiàn)S相對(duì)。上述示例涉及如下情況其中關(guān)于包括對(duì)應(yīng)于第一電極的主像素電極PA的像素電極ΡΕ，設(shè)置包括作為位于第一電極兩側(cè)上的第二電極的主公共電極CA的公共電極CE?；蛘撸P(guān)于包括對(duì)應(yīng)于第一電極的主公共電極CA的公共電極CE,可以設(shè)置包括作為位于第一電極兩側(cè)上的第二電極的主像素電極PA的像素電極ΡΕ。上述示例涉及公共電極CE在對(duì)向基板上包括主公共電極CA的情況，但是實(shí)施例不限于這些示例。例如，除了上述主公共電極CA之外，公共電極CE可以包括子共公共電極，所述子共公共電極設(shè)置在對(duì)向基板CT上并且與柵極線(xiàn)G和存儲(chǔ)電容線(xiàn)C相對(duì)。子公共電極在第一方向X上延伸并且與主公共電極CA —體形成或與主公共電極CA是連續(xù)的。陣列基板AR可以包括經(jīng)由絕緣膜而位于源極線(xiàn)S上的第一屏蔽電極。第一屏蔽電極在第二方向Y上延伸，電連接到有源區(qū)內(nèi)或外部的主公共電極CA，并且具有與公共電極CE相同的電勢(shì)。通過(guò)設(shè)置第一屏蔽電極，可以屏蔽來(lái)自源極線(xiàn)S的不期望的電場(chǎng)。此外，陣列基板AR可以包括經(jīng)由絕緣膜而位于柵極線(xiàn)G和存儲(chǔ)電容線(xiàn)C上的第二屏蔽電極。第二屏蔽電極在第一方向X上延伸，并且電連接到有源區(qū)內(nèi)或外部的主公共電極CA。通過(guò)設(shè)置第二屏蔽電極，可以屏蔽來(lái)自柵極線(xiàn)G和存儲(chǔ)電容線(xiàn)C的不期望的電場(chǎng)。
17
如以上已經(jīng)描述的那樣，根據(jù)本實(shí)施例，可以提供能夠減少制造成本并且能夠抑制顯示質(zhì)量下降的液晶顯示裝置。雖然已經(jīng)描述了某些實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅通過(guò)示例來(lái)介紹并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，可以以各種其它形式實(shí)施在這里描述的新穎實(shí)施例；而且，在不脫離本發(fā)明精神的情況下可以以在這里描述的實(shí)施例的形式進(jìn)行各種省略、替換和改變。所附權(quán)利要求及其等同物旨在覆蓋這種落在本發(fā)明范圍和精神內(nèi)的形式或改型。
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權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于包括 第一基板，所述第一基板包括 第一絕緣基板； 在所述第一絕緣基板的內(nèi)側(cè)上、在第一方向上延伸的第一布線(xiàn)線(xiàn)路； 覆蓋所述第一布線(xiàn)線(xiàn)路的層間絕緣膜； 分別在所述層間絕緣膜上、在大體垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二布線(xiàn)線(xiàn)路和第二布線(xiàn)線(xiàn)路； 電連接到所述第一布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路的轉(zhuǎn)換元件； 位于所述層間絕緣膜上的所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路與所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路之間的、與所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路間隔開(kāi)的、連接到所述轉(zhuǎn)換元件并且在所述第二方向上延伸的第一電極；以及 覆蓋所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路、所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第一電極的第一配向膜； 第二基板，所述第二基板包括 第二絕緣基板； 在所述第二方向上延伸并且與所述第一電極的兩側(cè)上的所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路中的每條布線(xiàn)線(xiàn)路都相對(duì)的第二電極，所述第二電極在所述第二絕緣基板的與所述第一基板相對(duì)的那一側(cè)上；以及 覆蓋所述第二電極的第二配向膜；以及 液晶層，所述液晶層包括保持在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶分子。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一電極由不透明布線(xiàn)材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一電極由選自以下金屬材料構(gòu)成的組的金屬材料形成鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)和鉻(Cr)或包括從所述組中選擇的一種金屬材料的合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一電極由與所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路相同的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于還包括 第一偏光器，所述第一偏光器設(shè)置在所述第一絕緣基板的外表面上并且包括第一偏振軸；以及 第二偏光器，所述第二偏光器設(shè)置在所述第二絕緣基板的外表面上并且包括第二偏振軸，所述第二偏振軸具有與所述第一偏振軸成正交尼科耳的位置關(guān)系， 其中所述第一偏振軸大體平行于所述第一方向或所述第二方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第一電極與所述第二電極之間未產(chǎn)生電場(chǎng)的狀態(tài)下，所述液晶分子的初始配向方向大體平行于所述第二方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第一電極與所述第二電極之間未產(chǎn)生電場(chǎng)的狀態(tài)下，所述液晶分子在所述第一基板與所述第二基板之間是伸展配向的或均勻配向的。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二電極由不透明布線(xiàn)材料形成。
9.一種液晶顯示裝置，其特征在于包括 第一基板，所述第一基板包括 線(xiàn)性延伸的第一電極； 在大體垂直于所述第一電極的延伸方向的方向上延伸的第一布線(xiàn)線(xiàn)路； 在大體平行于所述第一電極的延伸方向的方向上延伸的第二布線(xiàn)線(xiàn)路和第三布線(xiàn)線(xiàn)路；以及 電連接到所述第一布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路的轉(zhuǎn)換元件； 其中，所述第一電極位于所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路與所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路之間、與所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路間隔開(kāi)、連接到所述轉(zhuǎn)換元件并且由不透明布線(xiàn)材料形成；第二基板，所述第二基板包括第二電極，所述第二電極與所述第一電極的兩側(cè)上的所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路中的每條布線(xiàn)線(xiàn)路都相對(duì)并且在大體平行于所述第一電極的延伸方向的方向上延伸；以及 液晶層，所述液晶層包括保持在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶分子。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一電極由選自以下金屬材料構(gòu)成的組的金屬材料形成鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)和鉻(Cr)或包括從所述組中選擇的一種金屬材料的合金。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一電極由與所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路和所述第三布線(xiàn)線(xiàn)路相同的材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于還包括 第一偏光器，所述第一偏光器設(shè)置在所述第一基板的外表面上并且包括第一偏振軸；以及 第二偏光器，所述第二偏光器設(shè)置在所述第二基板的外表面上并且包括第二偏振軸，所述第二偏振軸具有與所述第一偏振軸成正交尼科耳的位置關(guān)系， 其中所述第一偏振軸大體平行于所述第一電極的延伸方向，或大體垂直于所述第一電極的所述延伸方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第一電極與所述第二電極之間未產(chǎn)生電場(chǎng)的狀態(tài)下，所述液晶分子的初始配向方向大體平行于所述第一電極的所述延伸方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第一電極與所述第二電極之間未產(chǎn)生電場(chǎng)的狀態(tài)下，所述液晶分子在所述第一基板與所述第二基板之間是伸展配向的或均勻配向的。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二電極由不透明布線(xiàn)材料形成。
16.一種液晶顯示裝置，其特征在于包括 第一基板，所述第一基板包括 第一絕緣基板； 在所述第一絕緣基板的內(nèi)側(cè)上、在第一方向上延伸的第一布線(xiàn)線(xiàn)路； 覆蓋所述第一布線(xiàn)線(xiàn)路的層間絕緣膜； 在所述層間絕緣膜上、在大體垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二布線(xiàn)線(xiàn)路；以及由與所述層間絕緣膜上的所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路相同的材料形成的、與所述第二布線(xiàn)線(xiàn)路間隔開(kāi)的并且在所述第二方向上延伸的第一電極；第二基板，所述第二基板包括第二絕緣基板；以及在所述第一電極的兩側(cè)上、在所述第二方向上延伸的第二電極，所述第二電極在所述第二絕緣基板的與所述第一基板相對(duì)的那一側(cè)上；以及液晶層，所述液晶層包括保持在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶分子。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一電極由選自以下金屬材料構(gòu)成的組的金屬材料形成鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)和鉻(Cr)或包括從所述組中選擇的一種金屬材料的合金。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二電極由選自以下金屬材料構(gòu)成的組的金屬材料形成鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)和鉻(Cr)或包括從所述組中選擇的一種金屬材料的合金。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其特征在于還包括第一偏光器，所述第一偏光器設(shè)置在所述第一絕緣基板的外表面上并且包括第一偏振軸；以及第二偏光器，所述第二偏光器設(shè)置在所述第二絕緣基板的外表面上并且包括第二偏振軸，所述第二偏振軸具有與所述第一偏振軸成正交尼科耳的位置關(guān)系，其中所述第一偏振軸大體平行于所述第一方向或所述第二方向。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第一電極與所述第二電極之間未產(chǎn)生電場(chǎng)的狀態(tài)下，所述液晶分子的初始配向方向大體平行于所述第二方向，并且所述液晶分子在所述第一基板與所述第二基板之間是伸展配向的或均勻配向的。
全文摘要
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，液晶顯示裝置包括第一基板(AR)，該第一基板(AR)包括覆蓋第一布線(xiàn)線(xiàn)路(G)的層間絕緣膜(12)、在層間絕緣膜上的第二布線(xiàn)線(xiàn)路(S1)和第三布線(xiàn)線(xiàn)路(S2)、以及位于層間絕緣膜上的第二布線(xiàn)線(xiàn)路與第三布線(xiàn)線(xiàn)路之間、與第二布線(xiàn)線(xiàn)路和第三布線(xiàn)線(xiàn)路間隔開(kāi)的第一電極(PE)；第二基板(CT)，該第二基板(CT)包括與第二布線(xiàn)線(xiàn)路和第三布線(xiàn)線(xiàn)路中的每條布線(xiàn)線(xiàn)路都相對(duì)的第二電極(CE)、以及第一基板與第二基板之間的液晶層(LQ)。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK102914916SQ20121019165
公開(kāi)日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者小塚知子, 森本浩和, 武田有廣 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器中部