專利名稱：鹽、光致抗蝕劑組合物及用于制備光致抗蝕劑圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鹽、一種光致抗蝕劑組合物以及一種用于制備光致抗蝕劑圖案的方法。
背景技術(shù)：
已被積極研究的用于用ArF曝光的光致抗蝕劑組合物被用于采用光刻工藝的半導(dǎo)體微制造。這樣的光致抗蝕劑組合物包含具有酸不穩(wěn)定基團(acid-labile group)的樹脂、溶劑和包含鹽的酸生成劑(acid generator)。US2008/166660A提及一種光致抗蝕劑組合物，該組合物包括所述樹脂、包含三苯 基锍=4-氧代金剛烷-I-基-氧基羰基(二氟)甲磺酸鹽的鹽。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種適合用于光刻工藝的光致抗蝕劑組合物。本發(fā)明涉及以下內(nèi)容<1> 一種由式(I)表不的鹽
權(quán)利要求
1.一種由式⑴表不的鹽
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鹽，其中，A1表示其中氫原子可以被羥基或鹵素基團代替并且其中亞甲基可以被氧原子、磺酰基或羰基代替的C3-C30脂環(huán)族烴基。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鹽，其中，A1表示其中氫原子可以被羥基代替并且其中亞甲基可以被氧原子、磺?；螋驶娴腃3-C30脂環(huán)族烴基。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鹽，其中，X1是C1-C5脂族烴基。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鹽，其中，X1是C2-C5脂族烴基。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鹽，其中，m1是2。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鹽，其中，Z+是由式(b2-l-l)表示的有機陽離子
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鹽，其中，Rbl9、Rb20和Rb21是甲基。
9.一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包含根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鹽以及難溶于或不溶于堿性水溶液但通過酸的作用而可溶于堿性水溶液的樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物進一步包括具有由式(FI)表示的結(jié)構(gòu)單元的樹脂
11.一種用于制備光致抗蝕劑圖案的方法，所述方法包括以下步驟(I)至(5)(1)將根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的光致抗蝕劑組合物涂覆在基板上的步驟，(2)通過進行干燥而形成光致抗蝕劑膜的步驟，(3)將所述光致抗蝕劑膜曝光于輻射的步驟，(4)烘焙曝光過的光致抗蝕劑膜的步驟，以及(5)將烘焙過的光致抗蝕劑膜用堿性顯影液顯影，從而形成光致抗蝕劑圖案的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供鹽、光致抗蝕劑組合物及用于制備光致抗蝕劑圖案的方法。本發(fā)明公開一種由式(I)表示的鹽，其中Q1和Q2各自獨立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，A1表示C1-C30一價有機基團，X1表示其中氫原子可以被羥基代替的C1-C10脂族烴基，m1和m2各自獨立地表示1至4的整數(shù)，以及Z+表示有機陽離子。
文檔編號G03F7/00GK102816097SQ20121018684
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者增山達郎, 向井優(yōu)一 申請人:住友化學(xué)株式會社