專利名稱：輕薄型液晶顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，更具體地說(shuō)，涉及利用具有大約0. It (毫米)至大約0. 5t厚度的玻璃基板來(lái)制造輕薄液晶顯示(LCD)裝置的方法。
背景技術(shù)：
目前，隨著社會(huì)已經(jīng)開(kāi)始正式進(jìn)入信息時(shí)代，將所有種類的電子信號(hào)表示為視覺(jué)圖像的顯示裝置的領(lǐng)域快速發(fā)展。具體地，由于LCD裝置具有重量輕、厚度薄和功耗低的特點(diǎn)，所以LCD裝置已經(jīng)廣泛地用作陰極射線管式顯示裝置的替代品?，F(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示(IXD)裝置使用液晶分子的光學(xué)各向異性和偏振特征。由于液晶分子的細(xì)長(zhǎng)形狀，它們具有一定的取向方向。通過(guò)在液晶分子兩端施加電場(chǎng)，可以控制 液晶分子的取向方向。換句話說(shuō)，隨著電場(chǎng)強(qiáng)度或方向改變，液晶分子的取向也會(huì)改變。LCD裝置包括液晶面板，該液晶面板通過(guò)附接包括像素電極的陣列基板和包括公共電極的濾色器基板而形成。陣列基板和濾色器基板之間液晶層中的液晶分子的取向方向由在像素電極和公共電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)控制，使得可以通過(guò)控制透光率顯示圖像。由于有源矩陣IXD(AM-IXD)裝置具有高分辨率以及顯示移動(dòng)圖像的優(yōu)秀特性，所以已經(jīng)廣泛地使用AM-LCD裝置。具體地，包括薄膜晶體管(TFT)作為開(kāi)關(guān)元件的LCD裝置被稱為薄膜晶體管IXD(TFT-IXD)裝置。圖I是相關(guān)技術(shù)的液晶面板的分解立體圖。如圖I所示，液晶面板包括陣列基板10、濾色器基板20和液晶層30。陣列基板10和濾色器基板20彼此面對(duì)，并且液晶層30置于陣列基板10和濾色器基板20之間。陣列基板10包括第一基板12、選通線14、數(shù)據(jù)線16、薄膜晶體管(TFT)Tr和像素電極18。選通線14和數(shù)據(jù)線16形成在第一基板12上并且彼此相交，以限定像素區(qū)域P。TFT Tr形成在選通線14和數(shù)據(jù)線16的交叉部。像素電極18形成在像素區(qū)域P中并且連接至TFT Tr。濾色器基板20包括第二基板22、黑底25、濾色器層26和公共電極28。黑底25形成在第二基板22上并且具有柵格形狀。黑底25與第一基板12的非顯示區(qū)域相對(duì)應(yīng)。第一基板12的非顯示區(qū)域包括選通線14、數(shù)據(jù)線16以及TFT Tr0濾色器層26與像素區(qū)域P相對(duì)應(yīng)，并且包括紅、綠和藍(lán)濾色器圖案26a、26b和26c。公共電極28形成在黑底25和濾色器層26上。公共電極28與像素電極28產(chǎn)生電場(chǎng)，使得由電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層30。盡管未示出，沿第一基板12和第二基板22的邊緣形成密封圖案。密封圖案防止液晶層30溢出。此外，第一取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)涌梢孕纬稍诘谝换?2和液晶層30之間、以及在第二基板22和液晶層30之間。第一偏振板和第二偏振板可以形成在第一基板12和第二基板22其中之一的外表面上。背光組件形成在第一基板12的背側(cè)上，以將光施加于液晶面板中。當(dāng)通過(guò)選通線14向TFT Tr施加掃描信號(hào)使TFT Tr導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)數(shù)據(jù)線16向像素電極18施加圖像信號(hào)，使得在像素電極18和公共電極28之間產(chǎn)生電場(chǎng)。結(jié)果，由電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層30中的液晶分子，以顯示圖像。通常，具有透明和絕緣特征的玻璃板用作第一基板12和第二基板22。S卩，進(jìn)行多個(gè)處理，以形成陣列元件，并且在玻璃基板上形成濾色器元件。不幸的是，在處理期間或處理之間進(jìn)行運(yùn)輸?shù)倪^(guò)程中，玻璃基板會(huì)下垂、破裂或者破碎。為了防止下垂、破裂或破碎問(wèn)題的可能性或使該可能性減小，使用具有大約0. 7t足夠厚度的玻璃基板。但是，利用0. 7t厚度的玻璃基板制造的液晶面板比較重而且厚，使得難以制造輕薄LCD裝置。具體地，由于諸如筆記本計(jì)算機(jī)和個(gè)人數(shù)字助手(PDA)的個(gè)人便攜式終端，所以越來(lái)越多地要求用于終端的LCD裝置重量輕并且薄。因此，在將第一偏振板和第二偏振板附接在液晶面板上之前，液晶面板的玻璃基板暴露于氟化氫(HF)溶液，并且對(duì)陣列基板和濾色器基板的外側(cè)進(jìn)行蝕刻，使得用于陣 列基板和濾色器基板的玻璃基板具有小于大約0. 5t的厚度。但是，如示出了液晶面板的外側(cè)的蝕刻處理的示意圖的圖2所示，利用蝕刻劑噴射裝置90將氟化氫溶液噴射到液晶面板50的兩外側(cè)上，使得對(duì)陣列基板10和濾色器基板20各個(gè)的外側(cè)進(jìn)行蝕刻。不幸的是，由于玻璃基板的整個(gè)表面未被均勻蝕刻，所以在陣列基板10和濾色器基板20的外表面上存在細(xì)小的格里菲思微裂紋或凹陷(Griffith flaw orconcave)，使得粗糙度增大。當(dāng)?shù)谝黄癜搴偷诙癜甯浇拥酱植诙仍龃蟮囊壕姘?0的外側(cè)時(shí)，降低了粘合特征。此外，由于凹陷部分比其他部分薄，所以減弱或者降低了玻璃基板的強(qiáng)度。具體地，抗張強(qiáng)度集中在凹陷處，使得產(chǎn)生裂縫并且使玻璃基板破碎。此外，由于利用HF溶液對(duì)玻璃基板的蝕刻處理需要持續(xù)十至幾十分鐘，所以降低了生產(chǎn)率。而且，0. 7t厚度的玻璃基板比0. 5t厚度的玻璃基板貴。在成本和制造過(guò)程方面，在利用0. 7t玻璃基板制造液晶面板之后，通過(guò)蝕刻0. 7t玻璃基板，來(lái)制造包括0. 5t玻璃基板的LCD裝置是非常低效的。由于蝕刻過(guò)程的成本是玻璃基板的生產(chǎn)成本(0. 7t玻璃基板的成本+蝕刻過(guò)程成本)的大約55 %，所以由于蝕刻過(guò)程，LCD裝置失去了價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于基本上解決了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)而造成的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題的LCD裝置的制造方法。一個(gè)目的是提供一種制造重亮輕且外形薄的IXD裝置的方法。另一個(gè)目的是提供一種具有低生產(chǎn)成本的IXD裝置的制造方法。本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中進(jìn)行闡述，且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)部分內(nèi)容可以部分地顯見(jiàn)，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而獲知。通過(guò)書面說(shuō)明書及權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在這里實(shí)施的和廣泛描述的，提供了一種制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟在具有第一厚度的第一輔助基板上形成第一粘合圖案；通過(guò)利用所述第一粘合圖案，將具有小于所述第一厚度的第二厚度的第一基板附接到所述第一輔助基板，形成第一處理面板；在所述第一處理面板的所述第一基板上形成陣列元件；在具有第三厚度的第二輔助基板上形成第二粘合圖案；通過(guò)利用所述第二粘合圖案，將具有小于所述第三厚度的第四厚度的第二基板附接到所述第二輔助基板，形成第二處理面板；在所述第二處理面板的所述第二基板上形成濾色器元件；將所述第一處理面板和所述第二處理面板附接，在所述第一處理面板和所述第二處理面板之間具有液晶層；減弱所述第一粘合圖案和所述第二粘合圖案的粘合強(qiáng)度；以及分別從所述第一基板和所述第二基板拆下所述第一輔助基板和所述第二輔助基板。在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，提供了一種制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟通過(guò)在第一基板上形成第一覆蓋層，來(lái)形成第一處理面板；在所述第一處理面板的所述第一基板上形成陣列元件；通過(guò)在第二基板上形成第二覆蓋層，來(lái)形成第二處理面板；在所述第二處理面板的所述第二基板上形成濾色器元件；以及將所述第一處理面板和所述第二處理面板附接，在所述第一處理面板和所述第二處理面板之間具有液晶層，其中，所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層各由類金剛石材料或玻璃纖維增強(qiáng)材料形成。應(yīng)當(dāng)理解，上文對(duì)本發(fā)明的概述與下文對(duì)本發(fā)明的詳述都是示例性和解釋性的， 旨在提供對(duì)所要求保護(hù)的發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括進(jìn)來(lái)以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其被并入且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖I是相關(guān)技術(shù)的液晶面板的分解立體圖。圖2是示出了液晶面板外側(cè)的蝕刻過(guò)程的示意圖。圖3A至圖31是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的LCD裝置的制造過(guò)程的截面圖。圖4A至圖41是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的LCD裝置的制造過(guò)程的截面圖。圖5A至圖是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的用于LCD裝置的制造過(guò)程的第一粘合圖案的示意圖。圖6A至圖6F是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的LCD裝置的制造過(guò)程的截面圖。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的具有DLC材料的0. 5覆蓋層的0. 2t厚度的玻璃基板的下垂和剛度。圖8示出了沒(méi)有覆蓋層的0. 2t厚度的玻璃基板的下垂和剛度。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)描述優(yōu)選實(shí)施方式，其示例在附圖中示出。在本發(fā)明中，在沒(méi)有蝕刻過(guò)程的情況下，獲得了具有大約0. It至0. 5t厚度的玻璃基板。使玻璃基板的下垂問(wèn)題最小。利用玻璃基板制造陣列基板和濾色器基板，而在制造過(guò)程之間進(jìn)行的運(yùn)輸過(guò)程中沒(méi)有對(duì)玻璃基板造成損害。由于具有0. It至0.5t厚度的玻璃基板容易下垂，所以玻璃基板的中心垂下。因此，通過(guò)運(yùn)輸裝置(如，盒)進(jìn)行運(yùn)輸是存在問(wèn)題的。此外，當(dāng)將玻璃基板裝載到處理裝置中或從處理裝置卸載時(shí)，小的撞擊也會(huì)強(qiáng)烈地造成下垂問(wèn)題，使得產(chǎn)生未對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題。結(jié)果，通過(guò)與處理裝置的元件發(fā)生碰撞可能使玻璃基板破碎。在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，為了避免下垂或破碎問(wèn)題，使用了輔助基板。S卩，通過(guò)將具有0. It至0. 5t厚度的玻璃基板與輔助基板附接，具有輔助基板的玻璃基板具有與0. 7t厚度的玻璃基板大致相同或比其小的下垂特征問(wèn)題。玻璃基板容易地附接在輔助基板上并且容易地從其拆下，并且輔助基板的膨脹率與玻璃基板的膨脹率類似。圖3A至圖31是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的LCD裝置的制造過(guò)程的截面圖。如圖3A所示，通過(guò)涂布粘合材料，沿第一輔助基板101的邊緣形成第一粘合圖案105。第一粘合圖案105可以由硅基材料形成。例如，第一粘合圖案105可以由苯基材料(如，倍半娃氧燒(silsesquioxane)和聚二甲娃氧燒(PDMS))或丙烯基粘合材料制成。在不改變其他特征的情況下，在高于230°C的處理溫度下，保持第一粘合圖案105 的粘合特征。第一粘合圖案105由于溶劑或激光束而失去粘合特征，使得(圖3B的)第一處理基板110容易地從第一輔助基板101拆下。此外，在拆下第一輔助基板101之后，在第一處理基板110上不存在粘合材料。第一輔助基板101可以由與第一處理基板110相同的材料形成。即，第一輔助基板101可以由玻璃形成。結(jié)果，第一輔助基板101具有與第一處理基板110大致相同的熱膨脹率，使得防止了在處理過(guò)程中與膨脹或收縮相對(duì)應(yīng)的未對(duì)準(zhǔn)。此外，第一輔助基板101具有高于0. 4t的厚度。例如，第一輔助基板101具有0. 4t至I. Ot的厚度。具有大約0. It厚度的第一處理基板110利用粘合圖案105附接到具有大約0. 4t厚度的第一輔助基板101，使得(圖3C中的)處理面板192的總厚度高于0. 5t。處理面板192具有與0. 7t厚度的玻璃基板大致相同的下垂問(wèn)題。因此，在IXD裝置的生產(chǎn)線上，對(duì)具有大約0. 5t厚度的處理面板192的處理不存在問(wèn)題。此外，第一輔助基板101由與用于相關(guān)技術(shù)的IXD裝置的陣列基板和濾色器基板的玻璃基板相同的材料形成，并且具有與其類似的厚度，在不控制處理?xiàng)l件的情況下，第一輔助基板101可以輸入到相關(guān)技術(shù)的IXD裝置生產(chǎn)線中。另一方面，如在第一輔助基板101上形成凸起圖案的第一不平圖案103。由于第一不平圖案103，第一處理基板110容易從第一輔助基板101拆下。例如，通過(guò)沉積無(wú)機(jī)絕緣材料(如，氧化娃和氮化娃)或涂布有機(jī)絕緣材料(如，感光丙烯酸樹(shù)脂(photo-arcyl)、苯并環(huán)丁烯和聚酰亞胺)，在第一輔助基板101上形成無(wú)機(jī)絕緣材料層(未示出)或有機(jī)絕緣材料層(未示出)。通過(guò)掩模處理(包括形成光刻膠(PR)層的步驟、曝光步驟、顯影步驟和蝕刻步驟)，對(duì)無(wú)機(jī)絕緣材料層或有機(jī)絕緣材料層進(jìn)行構(gòu)圖，以形成不平表面。第一不平圖案103位于第一粘合圖案105之間的空間中。即，第一粘合圖案105形成在第一輔助基板101的邊緣，而第一不平圖案103形成在第一輔助基板101的中央。例如，在形成第一不平圖案103之后，利用注射器(未示出)，在第一輔助基板101的邊緣形成第一粘合圖案105。另選地，在形成第一粘合圖案105之后，利用注射器(未示出)，在第一輔助基板101的中央形成第一不平圖案103。接著，如圖3B所示，由玻璃形成并且具有大約0. It至大約0. 5t厚度的第一處理基板110放置在包括第一不平圖案103和第一粘合圖案105的第一輔助基板101上方。第一處理基板110具有小于第一輔助基板101的厚度。第一處理基板110與第一輔助基板101附接，并且對(duì)第一粘合圖案105進(jìn)行固化。附接后的第一處理基板110和第一輔助基板101被稱為第一處理面板192。在將第一處理基板110附接到第一輔助基板101之前，第一粘合圖案105的厚度大于第一不平圖案103的厚度。當(dāng)?shù)谝惶幚砘?10附接到第一輔助基板101時(shí)，對(duì)第一處理圖案192進(jìn)行按壓，使得第一粘合圖案105的厚度減小到與第一不平圖案103的厚度大致相同。因此，第一處理基板110由第一粘合圖案105和第一不平圖案103這兩者來(lái)支撐。由于第一處理面板192的第一處理基板110和第一輔助基板101由玻璃制成，所以第一處理基板110和第一輔助基板101的熱膨脹是相同的，使得不存在由于制造過(guò)程中熱膨脹不同而導(dǎo)致的問(wèn)題(如，下垂問(wèn)題)。

此外，由于具有0. It至0. 5t厚度的第一處理基板110與第一輔助基板101附接在一起，所以第一處理面板192的下垂問(wèn)題與0. 7t厚度的玻璃基板的下垂問(wèn)題大致相同或更小。結(jié)果，在相關(guān)技術(shù)的IXD裝置生產(chǎn)線中，對(duì)處理面板192的處理不存在問(wèn)題。接著，如圖3C所示，在第一處理面板192的第一處理基板110上形成陣列元件。即，形成選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)，其之間具有有柵絕緣層117。選通線和數(shù)據(jù)線彼此相交，以限定像素區(qū)域。在像素區(qū)域中，作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)Tr形成在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部。例如，TFT Tr可以包括柵極115、半導(dǎo)體層120 (其包括本征非晶硅的有源層120a和摻雜非晶硅的歐姆接觸層120b)、源極133和漏極136。柵極115連接至選通線，并且源極133連接至數(shù)據(jù)線。漏極136與源極133分開(kāi)。鈍化層140形成在TFT Tr上。鈍化層140包括暴露TFT Tr的漏極136的接觸孔。像素電極148形成在鈍化層140上。像素電極148通過(guò)接觸孔與漏極136接觸。像素電極148由透明導(dǎo)電材料形成。接著，如圖3D所示，通過(guò)涂布粘合材料，沿第二輔助基板180的邊緣形成第二粘合圖案185。第二粘合圖案185由與第一粘合材料105相同的材料形成。在第二輔助基板180上形成如凸起圖案的第二不平圖案183。第二不平圖案183位于第二粘合圖案185之間的空間中。即，第二粘合圖案185形成在第二輔助基板180的邊緣，并且第二不平圖案183形成在第二輔助基板180的中央。例如，在形成第二不平圖案183之后，第二粘合圖案185形成在第二輔助基板180的邊緣。接著，如圖3E所示，由玻璃形成并且具有大約0. It至大約0. 5t厚度的第二處理基板150放置在包括第二不平圖案183和第二粘合圖案185的第二輔助基板180上方。第二處理基板150與第二輔助基板180附接在一起，并且對(duì)第二粘合圖案185進(jìn)行固化。附接后的第二處理基板150和第二輔助基板180被稱為第二處理面板194。第二處理基板150具有小于第二輔助基板180的厚度。接著，在第二處理面板194的第二處理基板150上形成濾色器元件。即，在像素區(qū)域的邊界形成黑底153，并且在像素區(qū)域中形成包括紅、綠和藍(lán)濾色器圖案的濾色器層156。即，公共電極158通過(guò)沉積透明導(dǎo)電材料形成在濾色器層156上。具有預(yù)定高度的圖案化的間隔體170形成在公共電極158上。圖案化的間隔體170可以與黑底153相對(duì)應(yīng)。在這些濾色器處理過(guò)程中，因?yàn)榈诙幚砻姘?94的下垂問(wèn)題與0. 7t厚度的玻璃基板的下垂問(wèn)題大致相同，所以對(duì)于第二處理基板150沒(méi)有損害。接著，如圖3F所示，在第一處理面板192和第二處理面板194其中之一的邊緣形成密封圖案177。然后,將第一處理面板192和第二處理面板194設(shè)置為使得像素電極148面對(duì)公共電極158。接著，在密封圖案177內(nèi)側(cè)的空間中形成液晶層175，并且附接第一處理面板192和第二處理面板194，使得圖案化的間隔體170接觸鈍化層140。
接著，如圖3G所示，利用激光照射裝置199，將激光束LB照射到第一處理面板192和第二處理面板194的外側(cè)上。激光束LB照射到第一粘合圖案105和第二粘合圖案185，使得進(jìn)行激光燒蝕處理。結(jié)果，第一粘合圖案105和第二粘合圖案185各失去了粘合特征，或者第一粘合圖案105和第二粘合圖案185各個(gè)的粘合特征被減弱或降低。激光束LB可以聚焦在第一粘合圖案105和第一處理基板110之間的、以及在第二粘合圖案185和第二處理基板150之間的接觸部上。接著，如圖3H所示，第一輔助基板101從第一處理基板110拆下，而第二輔助基板180從第二處理基板150拆下。結(jié)果，獲得包括第一處理基板110和第二處理基板150 (各具有大約0. It至大約0. 5t的厚度)的液晶面板196。由于第一粘合圖案105與第一處理基板110的粘合強(qiáng)度、以及第二粘合圖案185與第二處理基板150的粘合強(qiáng)度被激光束LB減弱或降低，所以從液晶面板196容易地拆下第一輔助基板101和第二輔助基板180。圖3G和圖3H示出了照射激光束LB并且拆下第一輔助基板101和第二輔助基板180的過(guò)程。另選地，在第一粘合圖案105和第二粘合圖案185暴露于用于蝕刻第一粘合圖案105和第二粘合圖案185的蝕刻劑之后，可以從液晶面板196拆下第一輔助基板101和第二輔助基板180。從液晶面板196拆下的第一輔助基板101和第二輔助基板180可以在去除第一粘合圖案105和第二粘合圖案185之后被再利用。即，在從第一輔助基板101和第二輔助基板180完全去除由于激光燒蝕失去了粘合特征的第一粘合圖案105和第二粘合圖案185之后，在第一輔助基板101和第二輔助基板180上分別形成新的第一粘合圖案和第二粘合圖案，以進(jìn)行再利用。第一處理基板110和第二處理基板150各具有大約0. It至大約0. 5t的厚度。但是，由于第一處理基板110和第二處理基板150附接以形成液晶面板196，所以未產(chǎn)生液晶面板196的下垂問(wèn)題。此外，即使液晶面板196下垂，液晶面板196也幾乎和0. It至0. 7t厚度的單玻璃基板一樣小地下垂。因此，在其他處理過(guò)程中，在液晶面板196中不存在諸如下垂問(wèn)題的問(wèn)題。接著，如圖31所示，第一偏振板187和第二偏振板188分別附接到第一處理基板110和第二處理基板150的外側(cè)，使得獲得IXD裝置109。通過(guò)上述過(guò)程制造并且具有0. It至0. 5t厚度的基板的IXD裝置具有小于包括0. 7t厚度的玻璃基板的相關(guān)技術(shù)的LCD裝置的總厚度。此外，上述LCD裝置具有小于相關(guān)IXD裝置的重量。即，根據(jù)本發(fā)明的IXD裝置重量輕并且外形薄。此外，由于不需要液晶面板的基板外側(cè)的蝕刻過(guò)程以減小基板厚度，所以提高了生產(chǎn)率。而且，使用比0. 7t厚度的基板便宜的0. It至0. 5t厚度的基板，使得生產(chǎn)成本降低。而且，通過(guò)使用輔助基板，即使使用更薄的基板，也不會(huì)造成諸如下垂問(wèn)題的問(wèn)題。
圖3A至圖31示出了包括第一處理基板110上的像素電極148以及第二處理基板150上的公共電極158的IXD裝置。另選地，可以制造輕薄型的面內(nèi)開(kāi)關(guān)(IPS)模式IXD裝置，該IPS模式IXD裝置包括在具有像素電極的第一處理基板上連接至公共線的公共電極。在該情況下，像素電極和公共電極具有條形并且彼此交替設(shè)置。在第二處理基板上，形成黑底、濾色器層和保護(hù)層，而沒(méi)有公共電極。公共線可以形成在與柵極相同的層上并且由與其相同的材料形成。對(duì)于IPS模式IXD裝置，由透明導(dǎo)電材料(如，銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO))形成的透明電極設(shè)置在第二處理基板的外表面上。用于防止靜電損害的透明電極可以在附接第二輔助基板180之前形成。另選地，可以在附接第二偏振板188之前并且在拆下第二輔助基板180之后，形成透明電極。在本發(fā)明的第二實(shí)施方式和第三實(shí)施方式中，為了避免下垂問(wèn)題或破碎問(wèn)題，輔助基板附接到玻璃基板，其具有大約0. It至大約0. 5t的厚度，或者在玻璃基板上形成鈍化膜。即，通過(guò)將具有0. It至0. 5t厚度的玻璃基板與輔助基板附接或者在玻璃基板上形成鈍化膜，具有輔助基板或鈍化層的玻璃基板具有與0. 7t厚度的玻璃基板大致相同的下垂 問(wèn)題。因此，即使比較薄的玻璃基板用于LCD裝置，在制造過(guò)程中，在玻璃基板上也不存在諸如下垂問(wèn)題等的損壞。圖4A至圖41是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的LCD裝置的制造過(guò)程的截面圖。如圖4A所示，通過(guò)利用注射器涂布粘合材料并且提供熱或照射激光束，沿第一輔助基板201的邊緣形成第一粘合圖案205。即，在涂布粘合材料之后，通過(guò)熱或激光束固化粘合材料。第一粘合圖案205由硅基材料形成。例如，第一粘合圖案205可以由苯基倍半娃氧燒(phenyl based silsesquioxane)、苯基聚二甲娃氧燒(phenyl basedPolydimethylsiloxane PDMS)或丙烯基粘合材料形成。通過(guò)熱或激光束固化上述材料。在該情況下，如圖5A至圖所示，以各種方式修改第一粘合圖案205的形狀。如圖5A所示，第一粘合圖案205可以具有單矩形形狀。即，第一粘合圖案205具有與第一輔助基板201相同的形狀。如圖5B所示，第一粘合圖案205可以具有雙矩形形狀。如圖5C所示，第一粘合圖案205可以具有多矩形形狀。即，具有不同尺寸的多個(gè)矩形圖案形成第一粘合圖案205。如圖所示，第一粘合圖案205可以具有柵格形狀。圖4A示出了具有單矩形形狀的第一粘合圖案205。另一方面，第一粘合圖案205可以由玻璃料形成。利用注射器涂布第一膏體，或者絲網(wǎng)印刷第一膏體，使得第一粘合圖案205具有圖5A至圖中所示的一個(gè)形狀。第一輔助基板201可以由與(圖4B中的)第一處理基板192相同的材料形成，并且具有高于0. 5t的厚度。例如，第一輔助基板201具有0.5t至l.Ot的厚度。即，第一輔助基板201可以由玻璃形成。結(jié)果，第一輔助基板201具有與第一處理基板192大致相同的熱膨脹率，使得防止在處理過(guò)程中出現(xiàn)與膨脹或收縮有關(guān)的未對(duì)準(zhǔn)。此外，第一輔助基板201由與用于相關(guān)技術(shù)的IXD裝置的陣列基板和濾色器基板的玻璃基板相同的材料形成，并且具有與其類似的厚度，在不控制處理?xiàng)l件的情況下，第一輔助基板201可以輸入到相關(guān)技術(shù)的IXD裝置生產(chǎn)線中。接著，如圖4B所示，由玻璃形成并且具有大約0. It至大約0. 5t厚度的第一處理基板210設(shè)置在包括第一粘合圖案205的第一輔助基板101上方。將第一處理基板210與第一輔助基板201附接，并且對(duì)第一粘合圖案205進(jìn)行固化。附接后的第一處理基板210和第一輔助基板201被稱為第一處理面板292 (圖4C的)。第一處理基板210具有比第一輔助基板201小的厚度。當(dāng)?shù)谝徽澈蠄D案205由熱固化粘合材料或激光固化粘合材料形成時(shí)，照射熱或激光束，以固化第一粘合圖案205。另選地，當(dāng)?shù)谝徽澈蠄D案205由玻璃料形成時(shí)，按順序照射熱和激光束，以固化第一粘合圖案205。由于第一處理面板292的第一處理基板210和第一輔助基板201由玻璃形成，所以第一處理基板210和第一輔助基板201的熱膨脹是相同的，使得在制造過(guò)程中，不會(huì)出現(xiàn)由熱膨脹不同而產(chǎn)生的如下垂問(wèn)題等的問(wèn)題。此外，由于具有0. It至0. 5t厚度的第一處理基板210與第一輔助基板201附接在一起，所以第一處理面板292的下垂問(wèn)題與0. 7t厚度的玻璃基板的下垂問(wèn)題大致相同或更小。結(jié)果，在相關(guān)技術(shù)的LCD裝置的生產(chǎn)線中，對(duì)處理面板292進(jìn)行的處理中不存在問(wèn)題。 接著，如圖4C所示，在第一處理面板292的第一處理基板210上形成陣列元件。即，形成選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)，其之間具有柵絕緣層217。選通線和數(shù)據(jù)線彼此相交，以限定像素區(qū)域。在像素區(qū)域中，作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)Tr形成在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部。例如，TFT Tr可以包括柵極215、半導(dǎo)體層220 (其包括本征非晶硅的有源層220a和摻雜非晶硅的歐姆接觸層220b)、源極233和漏極236。柵極215連接至選通線，并且源極233連接至數(shù)據(jù)線。漏極236與源極233分開(kāi)。鈍化層240形成在TFT Tr上。鈍化層240包括暴露TFT Tr的漏極236的接觸孔。像素電極248形成在鈍化層240上。像素電極248通過(guò)接觸孔與漏極236接觸。像素電極248由透明導(dǎo)電材料形成。接著，如圖4D所示，通過(guò)涂布粘合材料，沿第二輔助基板280的邊緣形成第二粘合圖案285。第二輔助基板280可以具有與第一輔助基板201大致相同的厚度并且由與其大致相同的材料形成。第二粘合圖案285可以具有與第一粘合圖案205大致相同的形狀并且由與其大致相同的材料形成。圖4D示出了單矩形形狀的第二粘合圖案285。接著，由玻璃形成并且具有大約0. It至大約0. 5t厚度的第二處理基板250設(shè)置在包括第二粘合圖案205的第二輔助基板280上方。將第二處理基板250與第二輔助基板280附接，并且固化第二粘合圖案285。附接后的第二處理基板250和第二輔助基板280被稱為第二處理面板294。第二處理基板250具有小于第二輔助基板280的厚度。當(dāng)?shù)诙澈蠄D案285由熱固化粘合材料或激光固化粘合材料形成時(shí)，照射熱或激光束，以固化第二粘合圖案285。另選地，當(dāng)?shù)诙澈蠄D案285由玻璃料制成時(shí)，按順序照射熱和激光束，以固化第二粘合圖案285。接著，如圖4E所示，濾色器元件形成在第二處理面板294的第二處理基板250上。即，在像素區(qū)域的邊界形成黑底253，并且在像素區(qū)域中形成包括紅、綠和藍(lán)濾色器圖案的濾色器層256。然后，通過(guò)沉積透明導(dǎo)電材料在濾色器層256上形成公共電極258。具有預(yù)定高度的圖案化的間隔體270形成在公共電極258上。圖案化的間隔體270可以與黑底253相對(duì)應(yīng)。在這些濾色器處理過(guò)程中，由于第二處理面板294的下垂問(wèn)題與0. 7t厚度的玻璃基板的下垂問(wèn)題大致相同，所以對(duì)第二處理基板250沒(méi)有損害。
接著，如圖4F所示，在第一處理面板292和第二處理面板294其中之一的邊緣形成密封圖案277。然后，第一處理面板292和第二處理面板294設(shè)置為使得像素電極248面對(duì)公共電極258。接著，在密封圖案277內(nèi)側(cè)的空間中形成液晶層275，并且附接第一處理面板292和第二處理面板294，使得圖案化的間隔體270接觸鈍化層240。接著，如圖4G所示，執(zhí)行針對(duì)第一粘合圖案205和第二粘合圖案285的粘合強(qiáng)度減弱或降低處理。例如，利用激光照射裝置299將激光束LB照射到第一處理面板292和第二處理面板294的外側(cè)上，以造成激光燒蝕。結(jié)果，第一粘合圖案205和第二粘合圖案285的粘合強(qiáng)度被減弱或降低。激光束LB可以聚焦在第一粘合圖案205和第一處理基板210之間的、以及在第二粘合圖案285和第二處理基板250之間的接觸部上。用于激光燒蝕的激光束LB的源、功率和波長(zhǎng)與用于固化第一粘合圖案205和第二粘合圖案285的激光束的源、功率和波長(zhǎng)不同。通過(guò)激光束照射處理，第一粘合圖案205和第二粘合圖案285各自失去了粘合特征，或者第一粘合圖案205和第二粘合圖案285各個(gè)的粘合特征被減弱或降低。在本發(fā)明中，因?yàn)榈谝徽澈蠄D案205和第二粘合圖案285用作犧牲層，所以通過(guò)進(jìn) 行激光燒蝕從第一處理基板210和第二處理基板250分別拆下第一輔助基板201和第二輔助基板280的步驟不需要用于激光燒蝕處理的附加犧牲層。接著，如圖4H所示，第一輔助基板201從第一處理基板210拆下，而第二輔助基板280從第二處理基板250拆下。結(jié)果，獲得包括第一處理基板210和第二處理基板250 (各具有大約0. It至大約0. 5t的厚度)的液晶面板296。由于第一粘合圖案205與第一處理基板210的粘合強(qiáng)度、以及第二粘合圖案285與第二處理基板250的粘合強(qiáng)度被激光束LB減弱或降低，所以從液晶面板296容易地拆下第一輔助基板201和第二輔助基板280。圖4G和圖4H示出了照射激光束LB并且拆下第一輔助基板201和第二輔助基板280的過(guò)程。另選地，在第一粘合圖案205和第二粘合圖案285暴露于用于蝕刻第一粘合圖案205和第二粘合圖案285的蝕刻劑之后，可以從液晶面板296拆下第一輔助基板201和第二輔助基板280。從液晶面板296拆下的第一輔助基板201和第二輔助基板280在去除了第一粘合圖案205和第二粘合圖案285之后,可以再利用。S卩，在從第一輔助基板201和第二輔助基板280完全去除由于激光燒蝕而失去了粘合特征的第一粘合圖案205和第二粘合圖案285之后，在第一輔助基板201和第二輔助基板280上分別形成新的第一粘合圖案和第二粘合圖案，以進(jìn)行再利用。第一處理基板210和第二處理基板250各具有大約0. It至大約0. 5t的厚度。但是，由于第一處理基板210和第二處理基板250附接以形成液晶面板296，所以未產(chǎn)生液晶面板296的下垂問(wèn)題。此外，即使液晶面板296下垂，液晶面板296幾乎與0. It至0. 7t厚度的單玻璃基板相同小地下垂。因此，在其他處理過(guò)程中，在液晶面板296中不存在諸如下垂問(wèn)題等的問(wèn)題。接著，如圖41所示，第一偏振板287和第二偏振板288分別附接到第一處理基板210和第二處理基板250的外側(cè)，使得獲得IXD裝置209。通過(guò)上述過(guò)程制造并且具有0. It至0. 5t厚度的基板的IXD裝置具有小于包括0. 7t厚度的玻璃基板的相關(guān)技術(shù)的LCD裝置的總厚度。此外，上述LCD裝置具有小于相關(guān)IXD裝置的重量。即，根據(jù)本發(fā)明的IXD裝置重量輕且外形薄。此外，由于不需要液晶面板的基板外側(cè)的蝕刻過(guò)程，以減小基板厚度，所以提高了生產(chǎn)率。而且，使用比0. 7t厚度的基板便宜的0. It至0. 5t厚度的基板，使得生產(chǎn)成本降低。而且，通過(guò)使用輔助基板，即使使用更薄的基板也不會(huì)造成諸如下垂問(wèn)題等的問(wèn)題。圖6A至圖6F是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的LCD裝置的制造過(guò)程的截面圖。IXD裝置以輥對(duì)輥法來(lái)制造。如圖6A所示，在大約300°C至大約500°C的溫度下，在具有大約0. I至0. 5t厚度的母玻璃基板301的至少一個(gè)表面上沉積厚度為大約0. 5至大約5 u m的類金剛石(DLC)材料。DLC材料具有如金剛石的固體結(jié)構(gòu)。對(duì)DLC材料進(jìn)行冷激(快速冷卻)，以在母玻璃基板301上形成覆蓋層305。由于覆蓋層305，減少了母玻璃基板301的下垂問(wèn)題，并且提高母玻璃基板301的剛度特征。另選地，不是沉積和冷激DLC材料，而是在室溫下在母玻璃基板301的至少一個(gè)表面上涂布厚度為大約0. 5 y m至大約5 u m的透明玻璃纖維增強(qiáng)材料(如，聚乙烯醇縮丁醛)，以形成覆蓋層305。
圖6A示出了母玻璃基板301的一個(gè)表面上的覆蓋層305。另選地，覆蓋層305還可以形成在母玻璃基板301的上表面和下表面二者上。接著，如圖6B所示，利用切割單元410，對(duì)上面形成有覆蓋層305的母玻璃基板301進(jìn)行切割，以獲得用于IXD裝置的第一基板310和第二基板350。第一基板310和覆蓋層305的組合被稱為第一處理基板,而第二基板350和覆蓋層305的組合被稱為第二處理基板。第一處理基板310和第二處理基板350 (其中，形成覆蓋層305)各具有與0. 7t厚度的玻璃基板類似的下垂問(wèn)題。此外，由于覆蓋層305，所以第一處理基板310和第二處理基板350的剛度特征與0. 7t厚度的玻璃基板的剛度特征類似。結(jié)果，即使母玻璃基板301 (圖6A的)具有比較低的厚度，第一處理基板310和第二處理基板350也用于IXD裝置制造裝置，而沒(méi)有損害。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的具有DLC材料的0.5 的覆蓋層的0. 2t厚度的玻璃基板的下垂和剛度，而圖8示出了沒(méi)有覆蓋層的0. 2t厚度的玻璃基板的下垂和剛度。參照?qǐng)D7和圖8，與圖8中的玻璃基板相比，圖7中具有0. 5 i! m覆蓋層的玻璃基板下垂地更小。此外，圖7中的具有0. 5 y m的覆蓋層的玻璃基板的平均剛度比與圖8中的玻璃基板的平均剛度大。因此，具有覆蓋層的玻璃基板具有減少的下垂問(wèn)題和提高的剛度特征，使得具有覆蓋層的玻璃基板用于LCD裝置制造裝置，而沒(méi)有任何損害。接著，如圖6C所示，在第一處理基板上形成陣列元件。S卩，形成選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)，其之間具有柵絕緣層217。選通線和數(shù)據(jù)線彼此相交，以限定像素區(qū)域。在像素區(qū)域中，作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)Tr形成在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部。例如，TFT Tr可以包括柵極315、半導(dǎo)體層320 (其包括本征非晶硅的有源層320a和摻雜非晶硅的歐姆接觸層320b)、源極333和漏極336。柵極315連接至選通線，并且源極333連接至數(shù)據(jù)線。漏極336與源極333分離。鈍化層340形成在TFT Tr上。鈍化層340包括暴露TFT Tr的漏極336的接觸孔。像素電極348形成在鈍化層340上。像素電極348通過(guò)接觸孔與漏極336接觸。像素電極348由透明導(dǎo)電材料形成。圖6C示出了陣列元件(如，柵極315)形成在覆蓋層305上。另選地，陣列元件可以形成在第一基板310上。接著，如圖6D所示，在第二處理基板上形成濾色器元件。即，在像素區(qū)域的邊界形成黑底353，并且在像素區(qū)域中形成包括紅、綠和藍(lán)濾色器圖案的濾色器層356。接著，公共電極358通過(guò)沉積透明導(dǎo)電材料形成在濾色器層356上。具有預(yù)定高度的圖案化的間隔體370形成在公共電極358上。圖案化的間隔體370可以與黑底353相對(duì)應(yīng)。圖6D示出了濾色器元件(如，濾色器層356)形成在覆蓋層305上。另選地，濾色器元件可以形成在第二基板350上。在這些濾色器處理過(guò)程中，因?yàn)橛捎诟采w層305，第二處理基板350的下垂問(wèn)題與 0. 7t厚度的玻璃基板的下垂問(wèn)題大致相同，所以對(duì)第二基板350沒(méi)有損害。接著，如圖6E所示，在第一處理基板和第二處理基板其中之一的邊緣形成密封圖案377。然后，將第一處理基板和第二處理基板設(shè)置為使得像素電極348面對(duì)公共電極358。接著，在密封圖案377內(nèi)側(cè)的空間中形成液晶層375，并且附接第一處理基板和第二處理基板，使得圖案化的間隔體370接觸鈍化層340。接著，如圖6F所示，第一偏振板387和第二偏振板388分別附接到第一處理基板和第二處理基板的外側(cè)，使得獲得IXD裝置309。圖6A示出了覆蓋層形成在母玻璃基板上。另選地，如在第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式中所示，在將母玻璃基板切割成單元玻璃基板之后，輔助基板附接到單元玻璃基板。接著，通過(guò)沉積DLC材料或涂布玻璃纖維增強(qiáng)材料，在單元玻璃基板上形成覆蓋層，并且拆下輔助基板。通過(guò)上述過(guò)程制造并且具有0. It至0. 5t厚度的基板的IXD裝置具有小于包括0. 7t厚度的玻璃基板的相關(guān)技術(shù)的LCD裝置的總厚度。此外，上述LCD裝置具有小于相關(guān)IXD裝置的重量。即，根據(jù)本發(fā)明的IXD裝置重量輕且外形薄。此外，由于不需要液晶面板的基板外側(cè)的蝕刻過(guò)程，以減小基板厚度，所以提高了生產(chǎn)率。而且，使用比0. 7t厚度的基板便宜的0. It至0. 5t厚度基板，使得降低了生產(chǎn)成本。圖4A至圖41以及圖6A至圖6F示出了包括第一處理基板上的像素電極和第二處理基板上的公共電極的IXD裝置。另選地，可以制造輕薄型面內(nèi)開(kāi)關(guān)(IPS)模式IXD裝置，其包括在具有像素電極的第一處理基板上連接至公共線的公共電極。在該情況下，像素電極和公共電極具有條形并且彼此交替設(shè)置。在第二處理基板上，形成黑底、濾色器層和保護(hù)層，而沒(méi)有公共電極。公共線可以形成在與柵極相同的層上并且與其具有相同的材料。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是，可以在未偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改變。因此，本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的落入所附權(quán)利要求書和它們的等同物范圍之內(nèi)的修改例和變型例。本申請(qǐng)分別要求2011年5月12日和6月10日在韓國(guó)提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2011-0044669和No. 10-2011-0056069的優(yōu)先權(quán)，在處以引入的方式將它們并入。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟 在具有第一厚度的第一輔助基板上形成第一粘合圖案； 通過(guò)利用所述第一粘合圖案，將具有小于所述第一厚度的第二厚度的第一基板附接到所述第一輔助基板，形成第一處理面板； 在所述第一處理面板的所述第一基板上形成陣列元件； 在具有第三厚度的第二輔助基板上形成第二粘合圖案； 通過(guò)利用所述第二粘合圖案，將具有小于所述第三厚度的第四厚度的第二基板附接到所述第二輔助基板，形成第二處理面板； 在所述第二處理面板的所述第二基板上形成濾色器元件； 將所述第一處理面板和所述第二處理面板附接，在所述第一處理面板和所述第二處理面板之間具有液晶層； 減弱所述第一粘合圖案和所述第二粘合圖案的粘合強(qiáng)度；以及 分別從所述第一基板和所述第二基板拆下所述第一輔助基板和所述第二輔助基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一厚度和所述第三厚度各是大約O.4t至大約1.0t，而所述第二厚度和所述第四厚度各是大約O. It至大約O. 5t。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一輔助基板、所述第二輔助基板、所述第一基板和所述第二基板各由玻璃形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，減弱所述粘合強(qiáng)度的步驟包括以下步驟向所述第一粘合圖案和所述第二粘合圖案照射激光束，或者將所述第一粘合圖案和所述第二粘合圖案暴露于蝕刻劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，該方法還包括在形成所述第一粘合圖案的步驟之前或在形成所述第一粘合圖案的步驟之后，并且在形成所述第一處理面板的步驟之前，在所述第一輔助基板上形成第一不平圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，該方法還包括在形成所述第二粘合圖案的步驟之前或在形成所述第二粘合圖案的步驟之后，并且在形成所述第二處理面板的步驟之前，在所述第二輔助基板上形成第二不平圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，形成所述陣列元件的步驟包括以下步驟 形成選通線和與所述選通線交叉的數(shù)據(jù)線； 形成連接至所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；以及 形成連接至所述薄膜晶體管的像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述濾色器元件的步驟包括 形成濾色器層；以及 形成面對(duì)所述像素電極的公共電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述陣列元件的步驟還包括形成公共電極，其中，所述像素電極和所述公共電極彼此交替設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，該方法還包括在所述第二基板的外表面上形成透明電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，該方法還包括在拆下所述第一輔助基板和所述第二輔助基板之后，在所述第一基板和所述第二基板的外側(cè)上分別形成第一偏振板和第二偏振板。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一粘合圖案和所述第二粘合圖案各由以下其中之一形成倍半硅氧烷、聚二甲硅氧烷和丙烯基粘合材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述第一處理面板的步驟包括通過(guò)熱或激光束來(lái)固化所述第一粘合圖案，而形成所述第二處理面板的步驟包括通過(guò)熱或激光束來(lái)固化所述第二粘合圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一粘合圖案和所述第二粘合圖案各由玻璃料制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述第一處理面板的步驟包括通過(guò)激光束來(lái)固化所述第一粘合圖案，而形成所述第二處理面板的步驟包括通過(guò)激光束來(lái)固化所述第二粘合圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一粘合圖案和所述第二粘合圖案各具有單矩形形狀、雙矩形形狀和多矩形形狀以及柵格形其中之一。
17.—種制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟 通過(guò)在第一基板上形成第一覆蓋層，來(lái)形成第一處理面板； 在所述第一處理面板的所述第一基板上形成陣列元件； 通過(guò)在第二基板上形成第二覆蓋層，來(lái)形成第二處理面板； 在所述第二處理面板的所述第二基板上形成濾色器元件；以及將所述第一處理面板和所述第二處理面板附接，在所述第一處理面板和所述第二處理面板之間具有液晶層， 其中，所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層各由類金剛石材料或玻璃纖維增強(qiáng)材料形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一基板和所述第二基板各具有大約O.It至大約O. 5t的厚度，而所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層各具有大約O. 5 μ m至大約5 μ m的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述第一處理面板的步驟和形成所述第二處理面板的步驟各包括以下步驟 在母玻璃基板上形成覆蓋材料層；以及 切割所述母玻璃基板，以形成所述第一處理面板和所述第二處理面板。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，該方法還包括以下步驟 在形成所述第一處理面板的步驟之前，將第一輔助基板附接到所述第一基板； 在形成所述第二處理面板的步驟之前，將第二輔助基板附接到所述第二基板；以及在附接所述第一處理面板和所述第二處理面板的步驟之后，分別從所述第一基板和所述第二基板拆下所述第一輔助基板和所述第二輔助基板。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，在大約300°C至大約500°C的溫度下，沉積所述類金剛石材料，并且進(jìn)行冷激，以形成所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述玻璃纖維增強(qiáng)材料包括聚乙烯醇縮丁醛。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述陣列元件的步驟包括以下步驟 形成選通線和與所述選通線相交叉的數(shù)據(jù)線；形成連接至所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；以及 形成連接至所述薄膜晶體管的像素電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，形成所述濾色器元件的步驟包括以下步驟 形成濾色器層；以及 形成與所述像素電極面對(duì)的公共電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，形成所述陣列元件的步驟還包括形成公共電極，其中，所述像素電極和所述公共電極彼此交替設(shè)置。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，該方法還包括在所述第二基板的外表面上形成透明電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種輕薄型液晶顯示裝置的制造方法。一種制造液晶顯示裝置的方法包括在具有第一厚度的第一輔助基板上形成第一粘合圖案；通過(guò)利用第一粘合圖案將具有小于第一厚度的第二厚度的第一基板附接到第一輔助基板，形成第一處理面板；在第一處理面板的第一基板上形成陣列元件；在具有第三厚度的第二輔助基板上形成第二粘合圖案；通過(guò)利用第二粘合圖案將具有小于第三厚度的第四厚度的第二基板附接到第二輔助基板，形成第二處理面板；在第二處理面板的第二基板上形成濾色器元件；將第一和第二處理面板附接，在他們之間具有液晶層；減弱第一和第二粘合圖案的粘合強(qiáng)度；以及分別從第一和第二基板拆下第一和第二輔助基板。
文檔編號(hào)G02F1/1339GK102778771SQ20111045699
公開(kāi)日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者吳載映, 孫庚模, 李宰源, 柳元相, 申宇燮, 金圣基 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司