專利名稱：電致變色顯示器件、其制備方法、陰極結(jié)構(gòu)及微格陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致變色技術(shù)，尤其涉及電致變色顯示器件、其制備方法、陰極結(jié)構(gòu)及微格陣列。
背景技術(shù)：
電致變色顯示器件(Electro chromic Device,簡稱為EO))廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備中，如個人數(shù)字處理器、電紙書等。它具有啟動電壓低、能耗少、開路后顯示的圖案可存儲一定時間而不需要能耗、費用小、易于制造、對比度好、視角寬等優(yōu)點?，F(xiàn)有電致變色顯示器件的結(jié)構(gòu)如圖I所示，在具有第一 ITO (氧化銦錫)薄膜12的第一基材11的該第一 ITO薄膜12上形成有微格陣列13,姆個微格內(nèi)填充有陽極材料14,該陽極材料14包括電解質(zhì)及能實現(xiàn)離子存儲功能的材料。微格陣列13上依次覆蓋有陰極 薄膜15、第二 ITO薄膜16及第ニ基材17，其中，陰極薄膜15為電致變色材料層?，F(xiàn)有電致變色顯示器件工作吋，在兩個ITO薄膜之間加上一定的電壓，陰極薄膜15的電致變色材料在電壓作用下發(fā)生氧化/還原反應(yīng)，使其顔色發(fā)生變化或恢復(fù)初始顏色；而電解質(zhì)由導(dǎo)電材料組成，用于提供氧化/還原反應(yīng)所需的離子；能實現(xiàn)離子存儲功能的材料在電致變色材料發(fā)生氧化還原反應(yīng)時儲存相應(yīng)的反離子，使得整個體系保持電荷平衡。制造圖I所示的現(xiàn)有電致變色顯示器件的方法包括如下步驟。步驟I、制備陰極部分。在第二基材17上形成第二 ITO薄膜16后，將陰極材料涂敷在第二 ITO薄膜16上，然后烘干，形成陰極薄膜15。步驟2、制備陽極部分。在第一基材11上形成第一 ITO薄膜12后，在第一 ITO薄膜12上涂敷ー層輻射固化材料，通過光掩膜版將其光照固化然后將未曝光的部分洗掉，得到微格陣列13，然后采用刮涂或者灌裝的方式將陽極材料14灌入微格陣列13。微格陣列13外周尺寸與陰極薄膜15外周尺寸相同。步驟3、貼合。使陰極薄膜15與微格陣列13對準(zhǔn)后，將陰極部分與陽極部分對位、貼合形成盒狀結(jié)構(gòu)，陰極薄膜15覆蓋在微格陣列13上。步驟4、封裝。在盒狀結(jié)構(gòu)周邊涂覆密封材料，以將該盒狀結(jié)構(gòu)周邊密封，使得陰極薄膜15及陽極材料14不外露。在制造上述電致變色顯示器件的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題在貼合步驟中，因為需要進(jìn)行陰極薄膜與微杯陣列的精確對位，若對位不準(zhǔn)，液態(tài)的陽極材料就會流出，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率下降，使得對位過程具有較高的エ藝難度；在封裝步驟中，由于陰極薄膜的側(cè)邊從盒狀結(jié)構(gòu)的側(cè)邊露出，會直接與密封材料接觸，因此會導(dǎo)致陰極材料被密封材料污染，且如果存在上述對位不準(zhǔn)，會導(dǎo)致密封材料與露出的陽極材料接觸，而污染陽極材料
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種電致變色顯示器件、其制備方法、陰極結(jié)構(gòu)及微格陣列，可防止該器件的陰極材料及陽極材料被密封材料污染，井能在制備該器件吋，降低對位過程的エ藝難度。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案一種電致變色顯示器件，包括在第二導(dǎo)電基材上依次形成的微格陣列、陰極薄膜、第一導(dǎo)電基材及密封材料，所述微格陣列中每個微格內(nèi)填充有陽極材料，所述密封材料用于密封所述陰極薄膜及所述陽極材料；所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊具有阻擋條，所述阻擋條在垂直于所述第一導(dǎo)電基材方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同；所述微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，所述超出的高度與所述陰極薄膜的厚度相同，所述抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有所述阻擋條的所述陰極薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻擋條的所述陰極薄膜嵌入所述抽屜狀導(dǎo)槽中，且所述阻擋條對應(yīng)于所述缺ロ的位置。一種電致變色顯示器件的制備方法，包括在第一導(dǎo)電基材上形成陰極薄膜；在 所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊形成阻擋條，所述阻擋條在垂直于所述第一導(dǎo)電基材方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同；在第二導(dǎo)電基材上形成微格陣列，所述微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格陣列中微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，所述超出的高度與所述陰極薄膜的厚度相同，所述抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有所述阻擋條的所述陰極薄膜的外周尺寸匹配；在所述微格陣列的每個所述微格中填充陽極材料；使所述陰極薄膜的、與具有所述阻擋條的側(cè)邊相對的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)所述抽屜狀導(dǎo)槽的缺ロ，將所述陰極薄膜推入所述抽屜狀導(dǎo)槽內(nèi)，以使所述第一、ニ導(dǎo)電基材、所述陰極薄膜與所述微格陣列扣合成盒狀結(jié)構(gòu)；用密封材料封裝所述盒狀結(jié)構(gòu)。一種電致變色顯示器件的陰極結(jié)構(gòu)，包括陰極薄膜，還包括阻擋條，所述阻擋條形成在所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊，且所述阻擋條在垂直于所述陰極薄膜的方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同。ー種電致變色顯示器件的微格陣列，具有多個高度相同的微格，所述微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽。本發(fā)明實施例提供的電致變色顯示器件、其制備方法、陰極結(jié)構(gòu)及微格陣列中，由于微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出該微格陣列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，未超出微格的那面外墻對應(yīng)缺ロ的位置，且外墻超出的高度與陰極薄膜的厚度相同，抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有阻擋條的陰極薄膜的外周尺寸匹配，因此陰極薄膜與微格陣列扣合后，陰極薄膜及第ー導(dǎo)電基材能將陽極材料完全密封。且扣合過程利用了抽屜原理，用簡單的方法保證了陽極材料完全密封，簡化了對位過程的エ藝難度。另外，由于阻擋條對應(yīng)于抽屜狀導(dǎo)槽上缺ロ的位置，因此陰極薄膜與微格陣列扣合后，阻擋條能封住陰極薄膜的一條側(cè)邊，而微格陣列高出的三面外墻封住了陰極薄膜其它三條側(cè)邊，不會使陰極薄膜從盒狀結(jié)構(gòu)的側(cè)邊露出，因此，密封材料不會接觸到陰極、陽極材料，也就避免了陰極、陽極材料被密封材料污染的問題。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖I為現(xiàn)有電致變色顯示器件的剖面圖；圖2為本發(fā)明電致變色顯示器件中陰極部分的立體圖；圖3為本發(fā)明電致變色顯示器件中陽極部分的立體圖；圖4為本發(fā)明電致變色顯示器件陰極部分與陽極部分扣合過程的剖面圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供一種電致變色顯示器件，包括在第二導(dǎo)電基材上依次形成的微格陣列、陰極薄膜、第一導(dǎo)電基材及密封材料，所述微格陣列中姆個微格內(nèi)填充有陽極材料，所述密封材料用于密封所述陰極薄膜及所述陽極材料；所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊具有阻擋條，所述阻擋條在垂直于所述第一導(dǎo)電基材方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同；所述微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，所述超出的高度與所述陰極薄膜的厚度相同，所述抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有所述阻擋條的所述陰極薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻擋條的所述陰極薄膜嵌入所述抽屜狀導(dǎo)槽中，且所述阻擋條對應(yīng)于所述缺ロ的位置。本發(fā)明實施例還提供一種電致變色顯示器件的制備方法，包括在第一導(dǎo)電基材上形成陰極薄膜；在所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊形成阻擋條，所述阻擋條在垂直于所述第一導(dǎo)電基材方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同；在第二導(dǎo)電基材上形成微格陣列，所述微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格陣列中微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，所述超出的高度與所述陰極薄膜的厚度相同，所述抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有所述阻擋條的所述陰極薄膜的外周尺寸匹配；在所述微格陣列的每個所述微格中填充陽極材料；使所述陰極薄膜的、與具有所述阻擋條的側(cè)邊相對的另一側(cè)邊對準(zhǔn)所述抽屜狀導(dǎo)槽的缺ロ，將所述陰極薄膜推入所述抽屜狀導(dǎo)槽內(nèi)，以使所述第一、ニ導(dǎo)電基材、所述陰極薄膜與所述微格陣列扣合成盒狀結(jié)構(gòu)；用密封材料封裝所述盒狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施例又提供一種電致變色顯示器件的陰極結(jié)構(gòu)，包括陰極薄膜，還包括阻擋條，所述阻擋條形成在所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊，且所述阻擋條在垂直于所述陰極薄膜的方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同。本發(fā)明實施例再提供一種電致變色顯示器件的微格陣列，具有多個高度相同的微格，所述微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽。本發(fā)明實施例提供的電致變色顯示器件、其制備方法、陰極結(jié)構(gòu)及微格陣列中，由于微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出該微格陣列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，未超出微格的那面外墻對應(yīng)缺ロ的位置，且外墻超出的高度與陰極薄膜的厚度相同，抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有阻擋條的陰極薄膜的外周尺寸匹配，因此陰極薄膜與微格陣列扣合后，陰極薄膜及第ー導(dǎo)電基材能將陽極材料完全密封。且扣合過程利用了抽屜原理，用簡單的方法保證了陽極材料完全密封，簡化了對位過程的エ藝難度。另外，由于阻擋條對應(yīng)于抽屜狀導(dǎo)槽上缺ロ的位置，因此陰極薄膜與微格陣列扣合后，阻擋條能封住陰極薄膜的一條側(cè)邊，而微格陣列高出的三面外墻封住了陰極薄膜其它三條側(cè)邊，不會使陰極薄膜從盒狀結(jié)構(gòu)的側(cè)邊露出，因此，密封材料不會接觸到陰極、陽極材料，也就避免了陰極、陽極材料被密封材料污染的問題。實施例I本發(fā)明實施例提供一種電致變色顯示器件，參照圖2 圖4，對該器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。電致變色顯示器件包括在第二導(dǎo)電基材31上依次形成的微格陣列32、陰極薄膜22、第一導(dǎo)電基材21及密封材料(圖中未不出)。微格陣列32中姆個微格33內(nèi)填充有陽極材料(圖中未示出)，所述密封材料用于密封所述陰極薄膜22及所述陽極材料；陰極薄膜22的至少ー個側(cè)邊具有阻擋條23，該阻擋條23在垂直于所述第一導(dǎo)電基材21方向上的厚度d2與陰極薄膜的厚度dl相同；該微格陣列32四周的外墻34中有三面外墻的高度超出該微格33的高度，以在該微格33上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽35。其中，外墻34超出的高度d3與陰極薄膜的厚度d2相同，且抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸(寬W2，長L2)與具有阻擋條23的陰極薄膜22的外周尺寸(寬W1，長LI)匹配，以使具有阻擋條23的陰極薄膜22嵌入該抽屜狀導(dǎo)槽35中，且阻擋條23對應(yīng)于該缺ロ的位置。上述電致變色顯示器件中，阻擋條23可由但不限于輻射固化材料制成，微格陣列可由但不限于輻射固化材料制成。陰極薄膜的厚度與微格的高度比可為I : 3 I : 10，優(yōu)選為I : 5 I : 8。另外，上述電致變色顯示器件中的密封材料可為紫外線固化膠，也可以為低溫環(huán)氧樹脂膠。由于微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出該微格陣列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，未超出微格的那面外墻對應(yīng)缺ロ的位置，且外墻超出的高度與陰極薄膜的厚度相同，抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有阻擋條的陰極薄膜的外周尺寸匹配，因此陰極薄膜與微格陣列扣合后，陰極薄膜及第ー導(dǎo)電基材能將陽極材料完全密封。另外，由于阻擋條對應(yīng)于抽屜狀導(dǎo)槽上缺ロ的位置，因此陰極薄膜與微格陣列扣合后，阻擋條能封住陰極薄膜的一條側(cè)邊，而微格陣列高出的三面外墻封住了陰極薄膜其它三條側(cè)邊，不會使陰極薄膜從盒狀結(jié)構(gòu)的側(cè)邊露出，因此，密封材料不會接觸到陰極、陽極材料，也就避免了陰極、陽極材料被密封材料污染的問題。實施例2 本實施例提供ー種電致變色顯示器件的制備方法，如圖2 4所示，該方法包括如下步驟。步驟I、在第一導(dǎo)電基材21上形成陰極薄膜22。步驟2、在陰極薄膜22側(cè)邊形成阻擋條23。具體地，如圖2所示，在所述陰極薄膜22的至少ー個側(cè)邊涂覆輻射固化材料并進(jìn)行光固化，以在所述陰極薄膜22的所述至少一個側(cè)邊形成阻擋條23，所述阻擋條23在垂直于所述第一導(dǎo)電基材21方向上的厚度d2與所述陰極薄膜22的厚度dl相同。需要說明的是阻擋條23的個數(shù)并不限于圖2所示的I個，優(yōu)選為3個，可分別形成在陰極薄膜的3個側(cè)邊上，當(dāng)3個側(cè)邊設(shè)置有阻擋條的陰極薄膜與下面描述的微格陣列扣合后，増加的阻擋條能更好地防止陽極材料及陰極材料受到密封材料的污染。步驟3、形成具有抽屜狀導(dǎo)槽35的微格陣列32。具體地，如圖3所示，在第二導(dǎo)電基材31上形成微格陣列32，所述微格陣列32四周的外墻34中有三面外墻34的高度超出所述微格陣列32中微格33的高度，以在所述微格33上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽35，所述超出的高度d3與所述陰極薄膜22的厚度dl相同，所述抽屜狀導(dǎo)槽35的內(nèi)部尺寸(寬W2，長L2)與具有所述阻擋條23的所述陰極 薄膜22的外周尺寸(寬W1，長LI)匹配。即具有阻擋條23的陰極薄膜22能正好容納在具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽35中。需要說明的是微格的個數(shù)并不限于圖3所示的4個，可以依據(jù)不同的エ藝需求來設(shè)置不同的個數(shù)。步驟4、在所述微格陣列32的每個所述微格33中填充陽極材料。步驟5、扣合成盒。具體地、如圖4所示，使所述陰極薄膜22的、與具有所述阻擋條23的側(cè)邊相対的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)所述抽屜狀導(dǎo)槽35的缺ロ，將所述陰極薄膜22推入所述抽屜狀導(dǎo)槽35內(nèi)，以使所述第一導(dǎo)電基材21、第二導(dǎo)電基材31、所述陰極薄膜22與所述微格陣列32扣合成
盒狀結(jié)構(gòu)。步驟6、用密封材料密封所述盒狀結(jié)構(gòu)，以形成電致變色顯示器件。本實施例中，由于微格陣列32四周的外墻34中有三面外墻34的高度超出該微格陣列32中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽35，未超出微格的那面外墻對應(yīng)缺ロ的位置，因此在扣合成盒的步驟中，只需將陰極薄膜22的對應(yīng)缺ロ的側(cè)邊與缺ロ對位后，將陰極薄膜22像推抽屜一祥推入抽屜狀導(dǎo)槽35中，就可完成陰極薄膜22與微格陣列32的扣合；又由于上述外墻34超出的高度d3與陰極薄膜的厚度dl相同，且抽屜狀導(dǎo)槽35的內(nèi)部尺寸(寬W2，長L2)與具有阻擋條23的陰極薄膜22的外周尺寸匹配(寬W1，長LI)，因此陰極薄膜22與微格陣列32扣合后，陰極薄膜22及第ー導(dǎo)電基材21能將陽極材料完全密封。本實施例利用抽屜原理，用簡單的方法保證了陽極材料完全密封，簡化了對位過程的エ藝難度。另外，由于在扣合成盒的步驟中，是將陰極薄膜22上與具有阻擋條23的側(cè)邊相對的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)缺ロ，因此陰極薄膜22與微格陣列32扣合后，阻擋條23能封住陰極薄膜22的一條側(cè)邊，而微格陣列32高出的三面外墻34封住了陰極薄膜22其它三條側(cè)邊，不會使陰極薄膜22從盒狀結(jié)構(gòu)的側(cè)邊露出，從而在隨后的封裝步驟中，密封材料不會接觸到陰扱、陽極材料，也就避免了陰極、陽極材料被密封材料污染的問題。實施例3本實施例提供一種電致變色顯示器件的制備方法，該方法包括如下步驟。步驟I、在第一導(dǎo)電基材上形成陰極薄膜。該步驟具體包括:A)在第一導(dǎo)電基材上形成厚度為20 40 y m的成膜用槽；B)采用絲網(wǎng)印刷、刮涂或旋涂的方式在成膜用槽中填充陰極材料；c)在30°C 50°C，優(yōu)選為45°C的環(huán)境溫度下，對第一導(dǎo)電基材烘烤30min，形成厚度為5 20 iim，優(yōu)選為10 15iim的陰極薄膜；D)去除成膜用槽。步驟2、在陰極薄膜側(cè)邊形成阻擋條。 具體地，在陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊涂覆輻射固化材料并進(jìn)行光固化，以在該陰極薄膜的所述至少一個側(cè)邊形成阻擋條，該阻擋條在垂直于第一導(dǎo)電基材方向上的厚度與該陰極薄膜的厚度相同。步驟3、形成具有抽屜狀導(dǎo)槽的微格陣列。具體地，該步驟包括:A)在第二導(dǎo)電基材上涂覆輻射固化材料；B)通過灰階掩膜版將該輻射固化材料光照固化；C)清洗未固化的輻射固化材料以在該第二導(dǎo)電基材上形成微格陣列。其中，該微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出微格陣列中微格的高度，以在微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，超出的高度與該陰極薄膜的厚度相同，抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有阻擋條的陰極薄膜的外周尺寸匹配。另外，陰極薄膜的厚度與微格的高度比可為I : 3 I : 10，優(yōu)選為I : 5
I 8，以使由上述方法形成的電致變色顯示器件具有更好的顯示性能。步驟4、采用刮涂或灌裝的方式在微格陣列的每個微格中填充陽極材料。步驟5、在真空環(huán)境，且環(huán)境溫度為45°C的條件下，采用紅外探測的方式使陰極薄膜的、與具有所述阻擋條的側(cè)邊相對的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)抽屜狀導(dǎo)槽的缺ロ，將該陰極薄膜推入抽屜狀導(dǎo)槽，以使第一、ニ導(dǎo)電基材、該陰極薄膜與微格陣列扣合成盒狀結(jié)構(gòu)。步驟6、用密封材料封裝所述盒狀結(jié)構(gòu)，以形成電致變色顯示器件。其中，密封材料可為但不限于紫外線固化膠或者低溫環(huán)氧樹脂膠。本實施例中，由于微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出該微格陣列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，未超出微格的那面外墻對應(yīng)缺ロ的位置，因此在扣合成盒的步驟中，只需將陰極薄膜的對應(yīng)缺ロ的側(cè)邊與缺ロ對位后，將陰極薄膜像推抽屜一祥推入抽屜狀導(dǎo)槽中，就可完成陰極薄膜與微格陣列的扣合；又由于上述外墻超出的高度與陰極薄膜的厚度相同，且抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有阻擋條的陰極薄膜的外周尺寸匹配，因此陰極薄膜與微格陣列扣合后，陰極薄膜及第ー導(dǎo)電基材能將陽極材料完全密封。本實施例利用抽屜原理，用簡單的方法保證了陽極材料完全密封，簡化了對位過程的エ藝難度。另外，由于在扣合成盒的步驟中，是將陰極薄膜上與具有阻擋條的側(cè)邊相對的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)缺ロ，因此陰極薄膜與微格陣列扣合后，阻擋條能封住陰極薄膜的一條側(cè)邊，而微格陣列高出的三面外墻封住了陰極薄膜其它三條側(cè)邊，不會使陰極薄膜從盒狀結(jié)構(gòu)的側(cè)邊露出，從而在隨后的封裝步驟中，密封材料不會接觸到陰極、陽極材料，也就避免了陰極、陽極材料被密封材料污染的問題。需要說明的是上述實施例中的第一、ニ導(dǎo)電基材可為透明導(dǎo)電玻璃，或為透明絕緣基底與ITO粘接在一起的結(jié)構(gòu)。實施例4本實施例提供一種電致變色顯示器件的陰極結(jié)構(gòu)，如圖2所示，包括陰極薄膜22，還包括阻擋條23，所述阻擋條23形成在所述陰極薄膜22的至少ー個側(cè)邊，且所述阻擋條23在垂直于所述陰極薄膜22的方向上的厚度d2與所述陰極薄膜22的厚度dl相同。
本實施例還提供一種電致變色顯示器件的微格陣列32，如圖3所示，具有多個高度相同的微格33，其中，所述微格陣列32四周的外墻34中有三面外墻34的高度超出所述微格33的高度，以在所述微格33上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽35。上述電致變色顯示器件的陰極結(jié)構(gòu)、微格陣列及它們的制備方法已在實施例I 實施例3中進(jìn)行了詳細(xì)說明，在此不再贅述。本發(fā)明實施例主要用于電子紙、便攜式電子產(chǎn)品等。 以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電致變色顯示器件，包括在第二導(dǎo)電基材上依次形成的微格陣列、陰極薄膜、第一導(dǎo)電基材及密封材料，所述微格陣列中每個微格內(nèi)填充有陽極材料，所述密封材料用于密封所述陰極薄膜及所述陽極材料，其特征在干， 所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊具有阻擋條，所述阻擋條在垂直于所述第一導(dǎo)電基材方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同； 所述微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，所述超出的高度與所述陰極薄膜的厚度相同，所述抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有所述阻擋條的所述陰極薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻擋條的所述陰極薄膜嵌入所述抽屜狀導(dǎo)槽中，且所述阻擋條對應(yīng)于所述缺ロ的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述阻擋條由輻射固化材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述微格陣列由輻射固化材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述陰極薄膜的所述厚度與所述微格的高度比為I : 3 I : 10，優(yōu)選為I : 5 I : 8。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4任一項所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述密封材料為紫外線固化膠或者低溫環(huán)氧樹脂膠。
6.一種電致變色顯示器件的制備方法，其特征在于，包括 在第一導(dǎo)電基材上形成陰極薄膜； 在所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊形成阻擋條，所述阻擋條在垂直于所述第一導(dǎo)電基材方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同； 在第二導(dǎo)電基材上形成微格陣列，所述微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格陣列中微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽，所述超出的高度與所述陰極薄膜的厚度相同，所述抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有所述阻擋條的所述陰極薄膜的外周尺寸匹配； 在所述微格陣列的每個所述微格中填充陽極材料； 使所述陰極薄膜的、與具有所述阻擋條的側(cè)邊相對的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)所述抽屜狀導(dǎo)槽的缺ロ，將所述陰極薄膜推入所述抽屜狀導(dǎo)槽內(nèi)，以使所述第一、ニ導(dǎo)電基材、所述陰極薄膜與所述微格陣列扣合成盒狀結(jié)構(gòu)； 用密封材料封裝所述盒狀結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊形成阻擋條，包括 在所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊涂覆第一輻射固化材料并進(jìn)行光固化，以在所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊形成所述阻擋條。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第二導(dǎo)電基材上形成微格陣列，包括 在所述第二導(dǎo)電基材上涂覆第二輻射固化材料； 通過灰階掩膜版將所述第二輻射固化材料光照固化； 清洗未固化的所述第二輻射固化材料以在所述第二導(dǎo)電基材上形成所述微格陣列。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在干，所述在所述微格陣列的每個所述微格中填充陽極材料，包括 采用刮涂或灌裝的方式在所述微格陣列的每個所述微格中填充陽極材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第一導(dǎo)電基材上形成陰極薄膜，包括 在所述第一導(dǎo)電基材上形成厚度為20 40 y m的成膜用槽； 采用絲網(wǎng)印刷、刮涂或旋涂的方式在所述成膜用槽中填充陰極材料； 在30°C 50°C，優(yōu)選為45°C的環(huán)境溫度下，對所述第一導(dǎo)電基材烘烤30min，形成厚度為5 20 ii m,優(yōu)選為10 15 ii m的陰極薄膜； 去除所述成膜用槽。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述使所述陰極薄膜的、與具有所述阻擋條的側(cè)邊相對的另一側(cè)邊對準(zhǔn)所述抽屜狀導(dǎo)槽的缺ロ，包括 采用紅外探測的方式使所述陰極薄膜的、與具有所述阻擋條的側(cè)邊相對的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)所述抽屜狀導(dǎo)槽的缺ロ。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述使所述陰極薄膜的、與具有所述阻擋條的側(cè)邊相対的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)所述抽屜狀導(dǎo)槽的缺ロ，將所述陰極薄膜推入所述抽屜狀導(dǎo)槽，以使所述第一、ニ導(dǎo)電基材、所述陰極薄膜與所述微格陣列扣合成盒狀結(jié)構(gòu)，包括 在真空環(huán)境，且環(huán)境溫度為45°C的條件下，使所述陰極薄膜的、與具有所述阻擋條的側(cè)邊相對的另ー側(cè)邊對準(zhǔn)所述抽屜狀導(dǎo)槽的缺ロ，將所述陰極薄膜推入所述抽屜狀導(dǎo)槽，以使所述第一、ニ導(dǎo)電基材、所述陰極薄膜與所述微格陣列扣合成盒狀結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求6 12任一項所述的方法，其特征在于，所述陰極薄膜的厚度與所述微格的高度比為I : 3 I : 10，優(yōu)選為I : 5 I : 8。
14.根據(jù)權(quán)利要求6 12任一項所述的方法，其特征在于，所述密封材料為紫外線固化膠或者低溫環(huán)氧樹脂膠。
15.一種電致變色顯示器件的陰極結(jié)構(gòu)，包括陰極薄膜，其特征在于，還包括阻擋條，所述阻擋條形成在所述陰極薄膜的至少ー個側(cè)邊，且所述阻擋條在垂直于所述陰極薄膜的方向上的厚度與所述陰極薄膜的厚度相同。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述阻擋條由輻射固化材料制成。
17.—種電致變色顯示器件的微格陣列，具有多個高度相同的微格，其特征在干，所述微 格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屜狀導(dǎo)槽。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述微格陣列由輻射固化材料制成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電致變色顯示器件、其制備方法、陰極結(jié)構(gòu)及微格陣列，涉及電致變色技術(shù)，解決了現(xiàn)有電致變色顯示器件中，陰極材料及陽極材料容易被密封材料污染，且在制備該器件時對位過程的工藝難度大等問題。本發(fā)明實施例中，由于微格陣列四周的外墻中有三面外墻的高度超出該微格陣列中微格的高度，形成了具有缺口的抽屜狀導(dǎo)槽；又由于超出的高度與陰極薄膜的厚度相同，且抽屜狀導(dǎo)槽的內(nèi)部尺寸與具有阻擋條的陰極薄膜的外周尺寸匹配，因此可利用抽屜原理，用簡單的方法保證陽極材料完全密封，簡化了對位過程的工藝難度，且阻擋條及高出的三面外墻封住了陰極薄膜的側(cè)邊，避免了陰極、陽極材料被密封材料污染的問題。
文檔編號G02F1/155GK102650787SQ20111013484
公開日2012年8月29日 申請日期2011年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者李文波, 渠路 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司