專利名稱：液晶化合物的制作方法
液晶化合物本申請是申請?zhí)?0803872. 4，申請日=2000. 2. 1，發(fā)明名稱“液晶組合物”的分
案申請。本發(fā)明涉及側向取代的可固化液晶(LCP)，它們具有內消旋性能或使這些LCP與 內消旋分子結構相容的性能。尤其本發(fā)明涉及具有低熔點和良好排列性能(alignment property)的側向取代的可固化液晶以及這種LCP在制備基本上均勻或帶圖案的薄膜中的 用途，其中能夠控制LCP分子在平面中和相對于基材的平面的取向。從可固化液晶(LCP薄膜)制備的薄膜對熟練人員來說是眾所周知的，它們可用于 光學和電光設備的制備。這些薄膜一般通過使用涂敷工藝如旋轉涂敷來制造。這包括將可 交聯(lián)的LCP或LCP混合物流延到提供有取向層的基材上。隨后除去有機溶劑以得到充分取 向的、無溶劑的內消旋LCP涂層。LCP薄膜的厚度取決于粘度和在涂敷方法中使用的可聚合 的LCP混合物的有機溶液的濃度。所形成的薄膜的均勻性取決于LCP形成無傾斜區(qū)域的均 勻涂層的能力以及LCP混合物在涂敷和交聯(lián)處理過程中的穩(wěn)定性。術語“傾斜區(qū)域”應該 理解為指在LCP薄膜內其中LCP分子的長軸與相同尺寸、但具有相反方向的基材平面形成 傾斜角的區(qū)域。已知LCP，尤其具有高澄清點和熔點的那些所具有的問題是它們不能形成在涂敷 和交聯(lián)處理過程中保持穩(wěn)定的混合物。這些現(xiàn)有技術的LCP混合物趨勢于以在有機溶劑中 的低劣溶解性；混合物各組分彼此分離的趨勢；和結晶趨勢為特征。盡管已經(jīng)做了通過例 如制備具有低熔點的LCP來解決這些問題的嘗試，但施加在薄膜上的這些現(xiàn)有技術的LCP 以傾斜方向排列的能力趨勢于是低劣的。這種低劣排列的薄膜趨勢于以低對比率為特征。與現(xiàn)有LCP材料相關的其它問題是傾斜區(qū)域的形成和在制備LCP薄膜過程中的旋 錯線(disclination)。術語“旋錯線”應該理解為指鄰接傾斜區(qū)域的分界線，在那里相反傾 斜角的LCP分子毗鄰。這些傾斜區(qū)域和旋錯線同時導致了對膜的均勻外觀的干擾和不均勻 的光學性能。如果光取向和光圖形取向層用于LCP的取向，前述問題是尤其重要的。這種所謂 的線性光聚合(LLP)工藝(Nature，381，p. 212(1996))使得能夠生產(chǎn)不僅均勻而且?guī)ЫY構 的(光圖形的)取向層。如果這種帶結構的取向層用于LCP的取向，LCP分子應采用根據(jù) 在各單一象素中排列的方向和傾斜角由取向層給出的信息。因此，對可以用于顯著減少上述缺點以及當應用于LPP取向層時尤其適合的LCP 混合物和涂層的制備中的新型LCP材料存在著需求。本發(fā)明解決了該需求。本發(fā)明的第一方面提供了式(I)的化合物
權利要求
式(I)的化合物其中G1和G2相同并且表示式II的可聚合的內消旋殘基；A和B獨立表示1，4 亞苯基，n是0，Z1是 COO ，Z3是 (CH2)1 12O ，R1表示CH2＝CW COO ，其中W是H或甲基，X表示 COO ，Sp表示式 (CH2)p 的基團，其中p是1 11的一個整數(shù)，Q表示選自 CN，或呋喃 2 羰氧基的極性基團。FSA00000206091900011.tif,FSA00000206091900012.tif
2.包含根據(jù)權利要求1定義的式(I)化合物的LCP混合物。
3.包括交聯(lián)或聚合形式的根據(jù)權利要求1的化合物或根據(jù)權利要求2的混合物的LCP 網(wǎng)絡。
4.根據(jù)權利要求1的化合物或根據(jù)權利要求2的混合物在制造光學或電光設備中的用途。
5.包括交聯(lián)或聚合形式的根據(jù)權利要求1的化合物或根據(jù)權利要求2的混合物的光學 或電光設備。
全文摘要
本發(fā)明涉及式(I)的化合物，其中G1和G2獨立表示可聚合的內消旋殘基；X表示選自-CH2-、-O-、-CO-、-COO-、-OOC-、-CONR’、-OCOO-、-OCONR’-的基團；Sp表示式-(CH2)p-的基團，其中p是1-18的整數(shù)和其中一個或兩個非相鄰-CH2-基團任選被-CH＝CH-代替；或其中一個或兩個-CH2-基團任選被選自-CH2-、-O-、-CO-、-COO-、-OOC-、-CONR’、-OCOO-、-OCONR’-的一個或兩個基團代替，條件是，首先間隔基團不含有兩個相鄰雜原子，第二當X是-CH2-時，p還能夠具有0的值；Q表示選自-CN、-COR、-COOR、-OCOR、-CONR’R、-NR’COR、-OCOOR、-OCONR’R、-NR’COOR、F、Cl、-CF3、-OCF3或OR或環(huán)狀基團的極性基團，該環(huán)狀基團是未取代的或任選被選自低級烷基、低級鏈烯基、低級烷氧基、低級鏈烯氧基、鹵素、-CN、-COR”、-COOR”、-CONR’R”、-NR’COR”、-OCOOR”、-OCONR’R”、-NR’COOR”、-CF3和-OCF3的基團取代；其中R表示氫、低級烷基、低級鏈烯基或如上所定義的環(huán)狀基團；和R’是氫、低級烷基或低級鏈烯基；R”表示低級烷基或低級鏈烯基，以及涉及含有該化合物的液晶混合物。
文檔編號G02F1/13GK101941922SQ20101023723
公開日2011年1月12日 申請日期2000年2月1日 優(yōu)先權日1999年2月17日
發(fā)明者C·班尼克, R·布徹克, T·魯凱克 申請人:羅利克有限公司