專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法，尤其涉及一種使畫面亮度提高的液 晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
液晶顯示裝置作為計算機等信息通信裝置或電視接收機的顯示設備而被廣泛使 用。液晶顯示裝置是通過控制封入在兩個基板之間的液晶組成物取向而使光的透射程度變 化來顯示圖像的裝置。作為控制液晶組成物的取向的方式，已知TNCTwisted Nematic，扭曲向列相)方 式以及IPS(In Plane Switching，面內(nèi)切換)方式。作為TN方式之一有VA (Vertical Alignment，垂直排列)方式。在TN方式以及VA方式中，在薄膜晶體管基板(以下稱為 "TFT (Thin FilmTransistor)基板”)上設置像素電極，并且隔著液晶層在設于TFT基板的 相反側的濾色器基板上設置對置電極，通過控制在它們之間產(chǎn)生的電場來控制液晶組成物 的取向。而在IPS方式中，在TFT基板側上設置像素電極與對置電極這兩方，根據(jù)在它們之 間產(chǎn)生的電場來控制液晶組成物的取向。圖13示出了在利用IPS方式的以往的TFT基板800中的漏極信號線801、源電極 802以及像素電極803的配置狀況。施加在漏極信號線801上的影像信號，通過晶體管的溝 道部805施加到與源電極802電連接的像素電極803上。這里，在像素電極803的層與源電 極802的層之間，具有形成于顯示區(qū)域整面的未圖示的對置電極，由施加在像素電極803的 被分為3根的部分上的電壓和在與對置電極之間產(chǎn)生的電場，來控制密封在像素電極803 的上層的液晶組成物。圖的用BM示出的區(qū)域，示出了遮蔽光的黑色矩陣的區(qū)域，由于從黑 色矩陣區(qū)域以外的開口部分射出光而顯示圖像。

發(fā)明內(nèi)容
這樣的液晶顯示裝置的像素電極，會受到由相鄰的像素等發(fā)生的噪聲的影響，如 果由于該噪聲的影響而像素電極的電位變得不穩(wěn)定，則將引起顯示質(zhì)量的下降。本發(fā)明鑒于以上的情況而做出，提供一種具有通過增加容量而能夠保證穩(wěn)定的電 位的像素電極的TFT基板。本發(fā)明的液晶顯示裝置以及液晶顯示裝置的制造方法的主要特征如下所述。一種液晶顯示裝置，具有在第1方向上延伸的柵極信號線、在與上述第1方向交叉 的第2方向上延伸的漏極信號線、像素，其特征在于，具有由與上述柵極信號線連接的柵 電極、與上述漏極信號線連接的漏電極、與像素電極連接的源電極和半導體層構成的薄膜 晶體管、以及隔著絕緣膜配置在上述像素電極和上述薄膜晶體管之間的導電層，上述像素 電極以及上述導電層被配置為，在投影到形成上述晶體管的面上的情況下，覆蓋上述晶體 管的溝道部。另一種液晶顯示裝置，在基板上形成有在第1方向上延伸的柵極信號線、在與上述第1方向交叉的第2方向上延伸的漏極信號線、像素電極，其特征在于，由與上述柵極信 號線連接的柵電極、與上述漏極信號線連接的漏電極、源電極和半導體層構成薄膜晶體管， 在形成于上述基板上的薄膜晶體管之上，從上述薄膜晶體側按絕緣膜、導電膜、絕緣膜、上 述像素電極的順序進行配置。另外，一種液晶顯示裝置的制造方法，上述液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的形 成工序，包括薄膜晶體管形成工序，形成作為用于向像素電極施加電壓的開關的薄膜晶體 管；導電層形成工序，在上述薄膜晶體管形成工序之后，隔著絕緣膜以覆蓋上述薄膜晶體管 的溝道的方式形成導電層；像素電極形成工序，在上述導電層形成工序之后，隔著絕緣膜， 以覆蓋上述薄膜晶體管的溝道部的方式形成通過施加電壓而控制液晶組成物的取向的像 素電極。另外，本發(fā)明的薄膜晶體管基板，是用于液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板，其特征 在于，具有通過施加電壓來控制液晶組成物的取向的像素電極、作為用于向上述像素電極 施加電壓的開關的薄膜晶體管、在形成上述像素電極的層與形成上述薄膜晶體管的層之間 隔著絕緣膜而配置的導電層，其中，上述像素電極和上述導電層被配置為，在投影到與上述 薄膜晶體管基板的面平行的面的情況下，覆蓋作為上述薄膜晶體管的源極/漏極間部分的 溝道部。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述導電層是以覆蓋形成上述像素的顯示區(qū)域 的方式而形成、在上述像素電極之間形成保持容量的對置電極。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述導電層設置在用于使光不從各像素的邊界 射出的遮光區(qū)域上。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，具有上述溝道部的上述晶體管，在覆蓋上述溝道 部的上述像素電極上施加電壓。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，具有上述溝道部的上述晶體管，在與覆蓋上述溝 道部的上述像素電極相鄰的上述像素電極上施加電壓。


圖1是示意性地示出本發(fā)明的一個實施方式的液晶顯示裝置的圖。圖2是示出圖1的液晶顯示面板的結構的圖。圖3示意性地示出圖2的TFT基板的放大圖。圖4示出由圖3的IV-IV線所示的部分的剖面圖。圖5示出由圖3的V-V線所示的部分的剖面圖。圖6示出IPS方式的液晶顯示裝置中的光的透射效率。圖7示出IPS方式的液晶顯示裝置中的光的透射效率。圖8示出圖4的TFT基板的制造工序的梗概。圖9示意性地示出作為第1實施方式的變形例的TFT基板的放大圖。圖10示出圖9的X-X線所示的部分的剖面圖。圖11示意性地示出本發(fā)明的一個實施方式的TFT基板的放大圖。圖12示出圖11的XII-XII線所示的部分的剖面圖。圖13示出以往的TFT基板的漏極信號線、源電極以及像素電極的配置的狀況。
符號說明100 液晶顯示裝置；110 上框架；120 下框架；200 液晶顯示面板；210 單元 (cell) ；220 濾色器基板；230,240,500 TFT基板；240,250 驅動電路；245 柵極信號線； 251 漏極信號線；302 源電極；303,403,503 像素電極；303A.403A 接觸部電極；303B、 403B 開口部電極；303C 溝道上部電極；305 溝道部；306 對置電極；308 非晶質(zhì)硅層； 310 玻璃基板；316 有機膜；312 柵極絕緣膜；314 源極-柵極絕緣膜；318 絕緣膜；350 晶體管；506:導電層。
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的第1實施方式以及第2實施方式。在附圖中，對同一 或同等的要素附以同一符號，省略重復的說明。[第1實施方式]圖1示意性地示出了本發(fā)明的一個實施方式的液晶顯示裝置100。如該圖所示，液 晶顯示裝置100由上框架110以及下框架120夾持而固定的液晶顯示面板200以及未圖示 的背光裝置等構成。圖2示出了液晶顯示面板200的結構。液晶顯示面板200具有TFT基板230和濾 色器基板220這兩張基板，在這些基板之間密封有液晶組成物。TFT基板230上鋪設了由驅 動電路240控制的柵極信號線245以及由驅動電路250控制的漏極信號線251，這些信號線 形成了作為液晶顯示裝置100的一個像素而發(fā)揮功能的像素210。另外，液晶顯示面板200 具有與該顯示的分辨率對應的數(shù)量的像素210，但為了避免圖變得復雜，在圖2中簡化地顯
7J\ ο圖3示意性地示出了 TFT基板230的像素部的放大圖。該TFT基板230是在該 TFT基板230上設置有像素電極和對置電極這兩方的所謂的IPS方式的TFT基板。該圖示 出了接通各像素210的漏極信號線251、通過作為晶體管的源極-漏極間部分的溝道部305 而從漏極信號線251接通的源電極302、與源電極302電連接的像素電極303、源電極302 與像素電極303的連接位置(接觸孔)CH。圖的用BM所示的區(qū)域示出了遮蔽光的黑色矩陣 的區(qū)域，通過從黑色矩陣區(qū)域以外的開口部分射出光而顯示圖像。另外，源電極、漏電極的 下層具有柵極信號配線、柵電極、柵極絕緣膜、半導體層，但圖3中沒有記載。此外，施加共 用電位的對置電極，例如ITO (Indium Tin Oxide，氧化銦錫)的透明電極跨TFT基板整個區(qū) 域而形成。作為形成在基板整個區(qū)域的導電膜的對置電極，在形成用于連接源電極302和 像素電極303的接觸孔CH的位置上具有開口。通過在對置電極的開口部上制作接觸孔來 防止對置電極與像素電極的接觸。這里，像素電極303由與源電極302連接的接觸部電極303A、未被黑色矩陣覆蓋 的開口部分的電極即開口部電極303B以及以覆蓋相鄰的像素的晶體管的溝道部305的方 式形成的溝道上部電極303C構成。接觸部電極303A通過接觸孔CH部與源電極302相連。 在該結構中，像素電極延伸到溝道上部電極303C所相鄰的像素的溝道部，擴展了像素電極 303的面積。像素電極以及導電層，配置為在投影到TFT基板面上的情況(或者出現(xiàn)在從前面 側看到的透視圖上的情況)下，覆蓋上述晶體管的溝道部。
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溝道上部電極303C由于形成在對置基板上的黑色矩陣BM而從畫面觀察者的視角 隱藏。因此，對畫面亮度沒有影響，所以不需要設置開口部，就能夠增大電極的面積。此外，為了避免由相鄰的像素210的溝道上部電極303C生成的噪聲的影響，接觸 部電極303A與相鄰的像素210的溝道上部電極303C相距預定的距離。此外，像素電極303的面積由于溝道上部電極303C而增大，所以在開口部電極 303B中能夠比較細地形成線寬W。像素電極303例如由ITO等透明電極形成，然而雖然是 透明電極，但如果形成膜，則當然光的透射率會下降。在本實施例中，由于較細地形成線寬 W，所以在開口部，減小了形成(透明)電極的面積，使光的透射率提高。 連接像素電極303與源電極302的接觸部電極303A形成得比源電極接觸部302A 小。這是為了增大第1像素210的像素電極與在漏極信號線的延伸方向上相鄰的第2像素 221的像素電極的間隔G。相鄰的第2像素221的像素電極覆蓋著第1像素210用的TFT 的溝道部而形成，所以減小了第1像素210的像素電極。通過這樣構成，能夠確保第1像素 210的像素電壓的變動不會給第2像素221的像素電極帶來影響(不形成噪聲)的程度的 間隔G。圖4示出了圖3的IV-IV線所示的部分的剖面圖。如該圖所示，TFT基板230由玻 璃基板310、晶體管350、形成在晶體管350之上的絕緣膜即有機膜316、形成在有機膜316 之上的對置電極306、形成在對置電極306之上的絕緣膜318以及形成在絕緣膜之上的像素 電極303構成。此外，晶體管350由形成在玻璃基板310之上的柵極信號線245、非晶質(zhì)硅層308、 形成在柵極信號線245與非晶質(zhì)硅層308之間的柵極絕緣膜312、漏極信號線251、源電極 302以及形成在漏極信號線251和源電極302之上的源極-漏極絕緣膜314形成。這里，源 電極302與像素電極303的接觸部電極303A連接。如圖4所示，溝道上部電極303C配置在晶體管的溝道部305的上部，但隔著作為 導電體的對置電極306，所以幾乎不受晶體管的噪聲的影響。利用該溝道上部電極303C，像 素電極303不受噪聲的影響就能夠增大面積，即，能夠增大容量。即，在溝道部305的上層，隔著絕緣層配置作為導電膜的對置電極306。進而，在作 為導電膜的對置電極306的上層，隔著絕緣膜配置像素電極303的一部分。像素202的像 素電極303與控制相鄰的像素210的薄膜晶體管的溝道部305重疊地配置。這里，說明像素210的晶體管350的動作如果利用圖2的驅動電路250向成為對 象的像素210的漏極信號線251施加影像信號，利用驅動電路240將成為對象的像素210 的柵極信號線245變?yōu)橛性?Active)，則圖4的漏極信號線251與源電極302導通，從源電 極302通過接觸部電極303A向像素電極303整體施加影像信號的電壓。開口部電極303B 在對置電極306之間形成電場，控制位于TFT基板230與濾色器基板220之間的液晶組成 物。此外，特別是在IPS方式的液晶顯示裝置中，帶來能使像素電極的寬度W變窄的特 有效果。圖5是沿圖3的V-V線的剖面圖。圖5中，在玻璃基板310之上具有由多個絕緣膜 構成的絕緣層IN。在絕緣層IN的上層配置了施加有共用電位的對置電極306、絕緣膜318 和像素電極303。由TFT基板230和濾色器基板220夾著液晶層319。此外，圖5中的虛線
6表示電場?？刂埔壕У男D的電場由像素電極和對置電極形成。在IPS方式的情況下，通 過由向橫向的電場使液晶旋轉，由此控制光透射的開-關。特別是，利用與像素電極的端部 附近對置的對置電極，形成對光的透射率有貢獻的電場。像素電極303的中央附近與像素 電極的端部附近比較，形成難以控制液晶的電場。圖6、圖7是示出IPS方式中的光透射效率的圖，圖6表示像素電極的寬度W較寬 的情況下的透射效率，圖7表示像素電極的寬度W較窄的情況下的透射效率。圖6、圖7中，縱軸是光的透射率，橫軸是像素電極的位置。假定了對置電極與圖5 同樣地隔著絕緣膜配置在像素電極的下層的狀態(tài)。此外，設理想的橫電場形成時的液晶層 的光透射率為100%。另外，圖6、圖7表示液晶層中的透射率，沒有考慮其它的原因，例如 濾色器的透射率、偏光板的透射率等。從圖6、圖7可知，在像素電極的中央附近難以形成橫電場，所以光的透射率下降。圖6是電極寬W為7 μ m時的光透射效率。在高效地形成橫電場的像素電極端部 附近，液晶元件被控制，光的透射率約為90%。而在像素電極的中央部，由于沒有良好地形 成橫電場，所以光的透射率約為27%。此外，在像素電極間的中央部附近也是透射率低，約 為50 70%。如果換算為每1像素的光透射率，則光透射率約為55%。圖7是電極寬W為3 μ m時的光透射效率。在高效地形成橫電場的像素電極端部 附近，液晶元件被控制，與像素電極寬度較寬時相同，光的透射率約為90%。而圖7的像素 電極寬W較窄，所以，即使在難以形成橫電場的像素中央部分，也有約60%的光透射率。此 外，在像素電極間的中央部附近也有約60%的光透射率。如果換算為每1像素的光透射率， 則光透射率約為75%。雖然是IPS這樣的顯示模式特有的作用，但根據(jù)圖6、圖7可知，如果適當使像素電 極的寬度W變窄，則光的透射率提高。特別是由于像素亮度由于積分值中有貢獻，所以如果 像素電極寬度W窄，則畫面亮度提高。圖8是示出TFT基板230的制造工序的梗概的圖。這里，成膜工序、光刻工序以及 蝕刻工序的各工序使用公知的半導體工藝的工序，所以省略這些各工序的說明。在TFT基板230的制造中，首先，在步驟SlO中形成晶體管350。步驟SlO分為步 驟Sll到步驟S15的工序，首先，在步驟Sll中，通過成膜工序、光刻(photolithography) 工序以及蝕刻工序形成柵極信號線245。對柵極信號線245的材料主要使用鋁。接下來，在 步驟S12中，形成柵極絕緣膜312，接著，在步驟S13中，通過成膜工序、光刻工序以及蝕刻工 序形成非晶質(zhì)硅層308。接下來，在步驟S14中，通過成膜工序、光刻工序以及蝕刻工序形成漏極信號線 251以及源電極302。對這些材料主要采用鋁。接著，在步驟S15中形成源極-漏極絕緣膜 314，形成晶體管350。接著在步驟S20、步驟S30、步驟S40中，分別依次形成有機膜316、對 置電極膜306以及絕緣膜318。最后，在步驟S50中，通過成膜工序、光刻工序以及蝕刻工序 形成像素電極303。如上說明，像素電極303利用溝道上部電極303C能使容量增加，確保穩(wěn)定的電位， 所以能夠提高顯示質(zhì)量。此外，利用溝道上部電極303C能夠增大像素電極303的容量，所以能夠使開口部 分的電極的線寬度變窄。由此，能夠使形成開口部分的透明電極的面積減小，所以能夠提高
7光的透射率，結果能夠提高顯示質(zhì)量。在圖9中，示意性地示出了作為上述第1實施方式的變形例的TFT基板400的放 大圖。除了像素電極是像素電極403以外，TFT基板400與第1實施方式的TFT基板230相 同，所以省略對于相同要素的說明。像素電極403由與源電極302連接的接觸部電極403A 和作為未覆蓋黑色矩陣的開口部分的電極的開口部電極403B構成。這里，像素電極403的接觸部403A延伸到該像素210的晶體管的溝道部305，擴展 了像素電極403的面積。此外，為了避免在相鄰的像素的接觸部電極403A中產(chǎn)生的噪聲的 影響，所以開口部電極403B與相鄰的像素的接觸部電極403A相距預定的距離G。此外，由 于接觸部電極403A而像素電極403的面積增大，所以在開口部電極403B中，線寬W形成得 比較細。由此在開口部減小形成(透明)電極的面積，使光的透射率提高。在圖10中，示出了圖9的X-X線所示的部分的剖面圖。在該圖中，除了像素電極是 像素電極403以外，與第1實施方式的TFT基板230相同，所以也省略相同的要素的說明。 如圖10所示，接觸部電極403A配置在晶體管的溝道部305的上部，但是隔著作為導電體的 對置電極306，所以幾乎不受晶體管的噪聲的影響。利用該接觸部電極403A，像素電極403 能夠不受噪聲的影響地增大面積即增大容量。即，在溝道部305的上層，隔著絕緣膜配置了作為導電膜的對置電極306。進而，在 作為導電膜的對置電極306的上層，隔著絕緣膜配置了像素電極403的一部分。該像素電 極403被具備位于像素電極403的下方的溝道部305的薄膜晶體管所控制。因此，像素電極403能夠利用接觸部電極403A使容量增加，由于確保穩(wěn)定的電位， 所以能夠提高顯示質(zhì)量。此外，利用接觸部電極403A，能夠增大像素電極403的容量，所以能夠使開口部分 的電極的線寬變細。由此能夠減小開口部分中的透明電極形成的面積，所以能夠提高光的 透射率，作為結果，能夠提高顯示質(zhì)量。此外，通過形成上述結構，可以減小像素的寬度，能夠提供高精細的液晶顯示裝置。[第2實施方式]圖11示意性地示出了本發(fā)明的一個實施方式的TFT基板500的放大圖。這里，TFT 基板500具備構成薄膜晶體管TFT的漏電極、柵電極以及半導體層。此外，TFT基板500具 備像素電極和保持像素電極的電位的保持容量電極。在TFT基板500側上設置像素電極， 而隔著液晶層在TFT基板的相反側的濾色器基板上設置對置電極。這樣的結構的顯示裝置 是VA方式或TN方式的液晶顯示裝置。作為VA方式或TN方式用的TFT基板，省略對于與 IPS方式相同的結構的重復的說明。在圖11中，在TFT基板500的像素上形成了像素電極503，但未形成對置電極。其 它地，對與第1實施方式的TFT基板230相同的結構省略說明。像素電極503是矩形形狀， 延伸到相鄰的像素210的晶體管的溝道部305，擴展了像素電極503的面積。此外，為了避 免在相鄰的像素210的像素電極503中產(chǎn)生的噪聲的影響，像素電極503取與相鄰的像素 電極503相距預定的距離G。此外，與第1實施方式相同，像素電極可以覆蓋相同的像素的薄膜晶體管的溝道 部305而形成。
另外，柵極信號配線、柵電極、柵極絕緣膜、半導體層、施加了共用電位的保持容量 配線以及保持容量電極未記載在圖11中。另外，保持容量電極，隔著絕緣膜與像素電極重 疊地配置，從而保持像素電極的電位。TN方式或VA方式的液晶顯示裝置的情況下，如果增大形成像素電極的光透射區(qū) 域，則光的透射率提高。但是，以往的TN方式或VA方式的液晶顯示裝置，難以增大像素區(qū) 域。這是因為如果像素電極503和漏極信號線251的間隔SP1、SP2變窄，則像素電極將受到 漏極信號線的電壓變動的影響。由于像素的電壓變動，光的透射率將變動，圖像將不穩(wěn)定。在本實施方式中，通過增大像素電極的面積能夠增大保持容量。此外，能夠在由黑 色矩陣BM遮光的區(qū)域中使像素電極增大。將與像素電極一起形成保持容量的保持容量電 極形成在遮光區(qū)域BM上，從而能夠不使光透射率下降地增加保持容量。根據(jù)本發(fā)明，能夠減小像素電極和與該像素電極連接的漏極信號線的間隔SP1。此 外，能夠減小像素電極和與該像素電極相鄰的列的漏極信號線的間隔SP2。通過形成這樣的結構，能夠增大像素的保持容量，所以能夠使間隔SP1、SP2變窄， 提高光透射率。此外，通過形成本發(fā)明的結構，能夠提供高精細的液晶顯示裝置。圖12示出了圖11的VII-VII所示的部分的剖面圖。在該圖中，在TFT基板500 上設置由薄膜晶體管TFT控制的像素電極503，未設置用于驅動液晶的對置電極。此外在黑 色矩陣區(qū)域設置了導電層506。省略與第1實施方式的TFT基板230相同的要素的說明。 如圖12所示，像素電極503設置在相鄰的像素210的晶體管的溝道部305的上部。在像素 電極503與溝道部之間隔著絕緣膜IN存在作為導電體的導電層506。因此，延伸在溝道部 305之上的像素電極幾乎不受晶體管的噪聲的影響。因此，像素電極503能夠不受噪聲影響 地增大其面積、即增大像素電極的容量。導電層506在與圖12紙面垂直的方向上延伸，與柵極信號線245平行地配置。此 外，導電層506優(yōu)選設為電位恒定，例如施加與對置電極相同的電位，確保像素的保持容量 即可。因此，像素電極503能夠使容量增加，由于保持穩(wěn)定的電位，能夠提高顯示質(zhì)量。另外，像素電極503設為延伸到相鄰的像素電極210的晶體管的溝道部305，但也 可以設為像素電極503的像素210的晶體管的溝道部305。在上述各實施方式中，設為使用了 IPS方式、VA方式或TN方式的TFT基板，但即 使是其它方式，也能夠適用于由TFT基板控制液晶組成物的液晶顯示裝置。雖然描述了一些現(xiàn)在認為是本發(fā)明的實施方式的內(nèi)容，但應當理解，可以做出各 種變更，所附權利要求書應當覆蓋所有落在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的變更。
權利要求
一種液晶顯示裝置，具有薄膜晶體管基板，其特征在于，上述薄膜晶體管基板具備像素電極，通過施加電壓來控制液晶組成物的取向；薄膜晶體管，作為用于對上述像素電極施加電壓的開關；以及導電層，隔著絕緣膜配置在形成了上述像素電極的層和形成了上述薄膜晶體管的層之間，其中，上述像素電極以及上述導電層被配置為，在投影到與上述薄膜晶體管基板的面平行的面的情況下，覆蓋上述薄膜晶體管的源極 漏極間部分、即溝道部。
2.根據(jù)權利要求1所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，上述導電層，形成為覆蓋形成了上述像素的顯示區(qū)域，是在與上述像素電極之間形成 保持容量的對置電極。
3.根據(jù)權利要求1所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，上述導電層設置在用于使光不從各像素的邊界射出的遮光區(qū)域。
4.根據(jù)權利要求1所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，具有上述溝道部的上述薄膜晶體管，對覆蓋著上述溝道部的上述像素電極施加電壓。
5.根據(jù)權利要求1所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，具有上述溝道部的上述薄膜晶體管對與覆蓋著上述溝道部的上述像素電極相鄰的上 述像素電極施加電壓。
6.一種液晶顯示裝置，在基板上形成在第1方向上延伸的柵極信號線、在與上述第1方 向交叉的第2方向上延伸的漏極信號線以及像素電極，其特征在于，由與上述柵極信號線連接的柵極電極、與上述漏極信號線連接的漏電極、源電極和半 導體層構成薄膜晶體管；在形成于上述基板上的薄膜晶體管之上，從上述薄膜晶體管側以絕緣膜、導電膜、絕緣 膜、上述像素電極的順序進行配置。
7.根據(jù)權利要求6所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，在上述薄膜晶體管的上部形成的上述像素電極是沿上述第2方向相鄰的像素的像素 電極。
8.根據(jù)權利要求6所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，在上述薄膜晶體管的上部形成的上述像素電極與構成上述薄膜晶體管的源電極連接。
9.一種用于液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序薄膜晶體管形成工序，形成作為用于對像素電極施加電壓的開關的薄膜晶體管； 導電層形成工序，在上述薄膜晶體管形成工序之后，隔著絕緣膜以覆蓋上述薄膜晶體 管的溝道的方式形成導電層；以及像素電極形成工序，在上述導電層形成工序之后，隔著絕緣膜以覆蓋上述薄膜晶體管 的溝道部的方式形成通過施加電壓控制液晶組成物的取向的像素電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置及其制造方法。該液晶顯示裝置中TFT基板(230)具有與各像素(210)相通的漏極信號線(251)、通過晶體管的溝道部(305)從漏極信號線(251)相通的源電極(302)、和與漏電極(302)電連接的像素電極(303)，像素電極(303)進而由與源電極(302)連接的接觸部電極(303A)、作為未被黑色矩陣覆蓋的開口部分的電極的開口部電極(303B)、和以覆蓋相鄰的像素的晶體管的溝道部(305)的方式形成的溝道上部電極(303C)構成。溝道上部電極(303C)，通過延伸到相鄰的像素的溝道部，從而擴展像素電極(303)的面積，開口部電極(303B)比較細地形成線寬。由此，TFT基板能夠保持穩(wěn)定的電位。
文檔編號G02F1/1333GK101893795SQ20101018146
公開日2010年11月24日 申請日期2010年5月20日 優(yōu)先權日2009年5月20日
發(fā)明者伊藤榮一郎, 杉山里織, 江戶進, 谷口二朗 申請人:株式會社日立顯示器