專利名稱：一種掩膜版缺陷修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光刻工藝領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜版缺陷修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
通常，在曝光工藝中使用的用于形成光刻圖形的曝光掩膜版是通過在石英襯底上 涂覆鉻層或者鋁層作為遮光層，然后利用離子束刻蝕遮光層以形成相應(yīng)的遮光圖形而得 到。掩膜版的作用是有選擇地遮擋照射到基片表面光刻膠膜上的光(例如紫外線、電子束、 X射線等)，以便形成光刻膠圖案。掩膜版的質(zhì)量將直接影響所形成的光刻膠圖案的質(zhì)量， 從而影響器件的性能和成品率。對(duì)于石英掩膜版而言，如果不透光的鉻留在透光區(qū)，就會(huì)使 得那些原本應(yīng)該被曝光的區(qū)域無法曝光，從而破壞預(yù)先設(shè)計(jì)好的光刻膠圖案。因此，殘留在 透光區(qū)的鉻污染點(diǎn)必須予以清除。修復(fù)石英掩膜版上的鉻污染點(diǎn)時(shí)通常采用激光或離子束 來實(shí)現(xiàn)。首先，通過機(jī)器將高能光束聚焦在污染點(diǎn)上，使局部微小區(qū)域瞬間受熱、汽化，從而 除去鉻污染物。但在修復(fù)時(shí)，當(dāng)鉻污染物面積較大時(shí)，難以控制修補(bǔ)的強(qiáng)度，且高能光束會(huì) 影響污染點(diǎn)下層及其周圍的石英，使得修補(bǔ)后的石英透光區(qū)域凹凸不平，影響其光滑程度， 此后，在曝光時(shí)，當(dāng)光線透過這些區(qū)域時(shí)，一部分光會(huì)被散射掉，從而降低了該處區(qū)域的透 光率，并進(jìn)一步影響所形成的光刻膠圖案的質(zhì)量。因此，這些有缺陷的石英區(qū)域還需要進(jìn)一 步的檢測和維修。對(duì)于缺陷石英區(qū)域的修復(fù)，請(qǐng)參看

圖1，圖1為修復(fù)缺陷石英區(qū)域的現(xiàn)有技術(shù)示意 圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)通常使用離子束將掩膜版上缺陷石英區(qū)域1周圍的鉻層區(qū)域2 再去除一部分，通過擴(kuò)大石英區(qū)域的面積來彌補(bǔ)和提高缺陷石英區(qū)域的光線穿透率。但使 用該方法對(duì)缺陷石英區(qū)域進(jìn)行修復(fù)時(shí)，修復(fù)的精度不好掌握，不可避免會(huì)使該處石英區(qū)域 的線寬有較大的增加，從而影響到光刻膠圖案的線寬。同時(shí)，使用離子束對(duì)缺陷石英區(qū)域 1周圍的鉻層區(qū)域2進(jìn)行去除時(shí)，很可能對(duì)新去除的鉻層下方的石英區(qū)域又造成損傷，從而 可能導(dǎo)致該處石英區(qū)域的穿透率并未得到改觀，甚至?xí)刃迯?fù)前更差。請(qǐng)參看下表1，表1為修復(fù)前和采用現(xiàn)有技術(shù)修復(fù)后缺陷石英區(qū)域穿透率的對(duì)比 表。表1中的穿透率為相對(duì)于正常穿透率的比值。
權(quán)利要求
1.一種掩膜版缺陷修復(fù)方法，掩膜版上形成遮光層圖案后，對(duì)暴露出的缺陷石英區(qū)域 進(jìn)行修復(fù)，其特征在于，包括以下步驟采用激光去除所述缺陷石英區(qū)域周圍的遮光層，在所述缺陷石英區(qū)域的周圍形成新暴 露出的石英區(qū)域；使用聚焦離子束及有機(jī)氣體，在所述新暴露出的石英區(qū)域的部分表面上沉積碳膜。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述聚焦離子束為嫁離子束。
3.如權(quán)利要求1所述的掩膜版缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述有機(jī)氣體為碳?xì)錃怏w。
全文摘要
本發(fā)明提供一種掩膜版缺陷修復(fù)方法，掩膜版上形成遮光層圖案后，對(duì)暴露出的缺陷石英區(qū)域進(jìn)行修復(fù)，其特征在于，包括以下步驟采用激光去除所述缺陷石英區(qū)域周圍的遮光層，在所述缺陷石英區(qū)域的周圍形成新暴露出的石英區(qū)域；使用聚焦離子束及有機(jī)氣體，在所述新暴露出的石英區(qū)域的部分表面上沉積碳膜。本發(fā)明方法可更好的掌握修復(fù)精度，可明顯確定的提高缺陷石英區(qū)域的穿透率，提高掩膜版的質(zhì)量。
文檔編號(hào)G03F1/00GK102053480SQ20091019855
公開日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月10日
發(fā)明者姜巍 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司