專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及 液晶顯示領域，特別涉及液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
液晶顯示裝置由于具備輕薄、省電、無輻射等優(yōu)點而逐漸取代陰極射線管 (CRT)顯示裝置，成為顯示器發(fā)展的主流趨勢。液晶顯示裝置被大量的應用于個人數字 助理器(PDA)、筆記本計算機、數字相機、攝錄像機、移動電話等各式電子產品中。液晶顯示裝置通常包含上基板、下基板和夾于上、下基板之間的液晶層，圖1 是現有的一種液晶顯示裝置的結構示意圖，上基板包括上基底1和形成于上基底1上的 彩色濾光片，彩色濾光片包括黑色擋光矩陣2、紅色色阻3、綠色色阻4和藍色色阻5，共 需要4道光刻掩模板形成所述黑色擋光矩陣2、紅色色阻3、綠色色阻4和藍色色阻5的 圖形。下基板包括下基底6和形成于下基底6上的薄膜晶體管(TFT)結構層14、數據 線金屬、源極、漏極金屬(圖中未標示)、數據線保護絕緣層12和像素電極13。其中， 薄膜晶體管結構層14包括柵極金屬8、柵極絕緣層9、非晶硅層10和歐姆接觸層11。形 成上述下基板共需要5道光刻掩模板，其中，第一道形成柵極金屬圖形8，第二道形成柵 極絕緣層圖形9、非晶硅層圖形10和歐姆接觸層圖形11，第三道形成數據線金屬和源極 金屬、漏極金屬圖形，第四道形成數據線保護絕緣層圖形12，第五道形成像素電極圖形 13。圖1所示的液晶顯示裝置，將帶有彩色濾光片的上基板和帶有薄膜晶體管的下 基板貼合時，需要很高的對位精準；并且，為防止貼合時的對位偏差所造成的漏光，黑 色擋光矩陣需要做得寬一些，這樣顯然會損失一定量的開口率，導致顯示裝置的開口率 低，影響顯示質量。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決現有技術液晶顯示裝置的彩色濾光片形成在上基底，導致開口率低 的問題。為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種液晶顯示裝置的制造方法，包括提 供基底；在所述基底上依次形成擋光層和薄膜晶體管結構層；圖案化所述薄膜晶體管結 構層和擋光層；在所述基底和部分圖案化的擋光層上形成色阻層。為解決上述問題，本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示裝置，包括基底；圖案 化的擋光層和薄膜晶體管結構層，依次形成于所述基底上；色阻層，形成于所述基底和 部分圖案化的擋光層上。相比于現有技術將彩色濾光片形成在上基底上，上述技術方案將彩色濾光片形 成在下基底上，因而降低了上、下基板貼合時的對位精度要求，不需要加寬黑色擋光矩 陣來防止因對位偏差而造成的漏光，從而提高了液晶顯示裝置的開口率和顯示質量。


圖1是現有技術的一種液晶顯示裝置的結構示意圖；圖2是本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置的制造方法的流程圖；圖3是本發(fā)明液晶顯示裝置的一個實施例的平面結構圖；圖4至15是圖3所示液晶顯示裝置的制造方法的步驟示意圖；圖16是本發(fā)明液晶顯示裝置的另一個實施例的平面結構圖；圖17至28 是圖16所示液晶顯示裝置的制造方法的步驟示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施方式將彩色濾光片形成在帶有薄膜晶體管陣列的下基板上(COA， color filter on array),即在下基板的下基底上形成彩色濾光片的色阻層和擋光層。下面結 合附圖和實施例對本發(fā)明實施方式進行詳細說明。本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置的制造方法如圖2所示，包括步驟S21，提供基底；步驟S22，在所述基底上依次形成擋光層和薄膜晶體管結構層，所述薄膜晶體 管結構層包括依次形成在該擋光層上的柵極金屬層、柵極絕緣層、非晶硅層和歐姆接觸 層；步驟S23，圖案化所述薄膜晶體管結構層和擋光層；步驟S24，在所述基底和部分圖案化的擋光層上形成色阻層；步驟S25，在所述色阻層和圖案化的薄膜晶體管結構層上形成平坦化層，去除部 分平坦化層，以暴露出所述圖案化的薄膜晶體管結構層的歐姆接觸層，所述平坦化層可 以為有機膜；步驟S26，在所述平坦化層和圖案化的薄膜晶體管結構層的歐姆接觸層上形成數 據線和晶體管源極、漏極，并在晶體管源極、漏極之間形成晶體管溝道區(qū)域；步驟S27，在所述數據線、晶體管源極、溝道區(qū)域和平坦化層上形成保護層；步驟S28，在所述晶體管漏極和部分保護層上形成像素電極。實施例1圖3是本實施例的液晶顯示裝置的平面結構圖，所示液晶顯示裝置包括掃 描線101，其可以是鋁或者其合金的金屬；數據線103，其可以是鉬或其合金的金屬； 像素電極105，例如可以為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)；被像素電極105所覆蓋 的紅色色阻R、綠色色阻G、藍色色阻B;黑色擋光矩陣107，例如可以為金屬鉻或者 黑色樹脂，用于擋住不必要的光線，防止對顯示的影響；薄膜晶體管(TFT thin film transistor) 109，包括與掃描線101連接的柵極109G、與像素電極105連接的漏極109D和 與數據線103連接的源極109S。圖4至15是圖3所示液晶顯示裝置的平面結構沿A-A方向的截面圖，顯示了 圖3所示液晶顯示裝置的制造過程，對應于圖2所示液晶顯示裝置的制造方法的各流程步
馬聚ο請結合參考圖2和4，首先執(zhí)行步驟S21，提供基底21。所述基底21作為液晶 顯示裝置的下基底，其材料可以是玻璃或石英。
接著執(zhí)行步驟S22，在基底21上依次形成擋光層407和薄膜晶體管結構層。本 實施例中，薄膜晶體管結構層包括柵極金屬層401、柵極絕緣層403、非晶硅層405和歐 姆接觸層409，該柵極金屬層401、柵極絕緣層403、非晶硅層405和歐姆接觸層409依次 形成于該擋光層407上。請參考圖4，步驟S22具體包括 采用濺射工藝在基底21上沉積一層擋光金屬作為擋光層407，所述擋光金屬可 以為鉻?；蛘?，擋光層407也可以是一層通過涂布和固化工藝形成在基底21上的黑色樹 月旨，并且，如果采用黑色樹脂制作擋光層407，則在該液晶顯示裝置制作的其他工藝過程 的工藝溫度均應低于150度，以防止高溫對黑色樹脂的影響。采用濺射工藝在擋光層407上沉積柵極金屬層401，柵極金屬層401的材料可以 選用鋁(Al)或者其合金，例如鋁-鈮合金(Al-Nb)。采用化學氣相沉積工藝在柵極金屬層401上沉積柵極絕緣層403，柵極絕緣層 403可以為氮化硅層或氧化硅層。采用化學氣相沉積工藝在柵極絕緣層403上沉積非晶硅層405。采用化學氣相沉積工藝在非晶硅層405上沉積歐姆接觸層409，所述歐姆接觸層 409為摻雜的非晶硅層。另外，歐姆接觸層409還可以是對非晶硅層405進行摻雜而形 成。請結合參考圖2、5和6，接著執(zhí)行步驟S23，圖案化薄膜晶體管結構層和擋光層 407。多疇半灰調掩模板(MHTM，multi-halftone mask) 22圖案化歐姆接觸層409、非晶 硅層405、柵極絕緣層403、柵極金屬層401和擋光層407，具體包括在歐姆接觸層409上涂布光刻膠(圖中未示出)。如圖5所示，采用多疇半灰調掩模板22曝光所述光刻膠，并通過曝光、顯影將 掩模板22的圖形轉移至光刻膠上。光刻膠上的圖形包括區(qū)域A、B、C、D、E、F、G， 其中，區(qū)域A、C、E和G沒有光刻膠，區(qū)域B和F的光刻膠厚度大于區(qū)域D的光刻膠 厚度(圖中未示出)。采用例如干法刻蝕工藝刻蝕去除區(qū)域A、C、E、G的歐姆接觸層409、非晶硅 層405和柵極絕緣層403，接著采用例如濕法刻蝕工藝刻蝕去除區(qū)域A、C、E、G柵極 金屬層401。再采用例如干法刻蝕工藝刻蝕去除區(qū)域A、C、E、G的擋光層407，露出 基底21 ο采用灰化工藝去除區(qū)域D的光刻膠，同時區(qū)域B、F的光刻膠厚度隨之減小，接 著采用例如干法刻蝕工藝刻蝕去除區(qū)域D的歐姆接觸層409、非晶硅層405和柵極絕緣層 403，接著采用例如濕法刻蝕工藝刻蝕去除區(qū)域D的柵極金屬層401，露出擋光層407，如 圖6所示，其中，黑色擋光矩陣107為露出的擋光層圖形。請結合參考圖2和7，接著執(zhí)行步驟S24，在基底21和部分圖案化的擋光層(即 黑色擋光矩陣107)上形成色阻層。色阻層包括紅色色阻R、綠色色阻G和藍色色阻 B，采用曝光、顯影和固化工藝形成在基底21和黑色擋光矩陣107上，具體包括采用涂布工藝在基底21、黑色擋光矩陣107和圖案化的歐姆接觸層409上均勻涂 布紅色色阻層，然后通過曝光、顯影和固化工藝形成所需要的紅色色阻圖形。采用涂布工藝在基底21、黑色擋光矩陣107、圖案化的歐姆接觸層409和紅色色 阻層上均勻涂布綠色色阻層，然后通過曝光、顯影和固化工藝形成所需要的綠色色阻圖形。采用涂布工藝在基底21、黑色擋光矩陣107、圖案化的歐姆接觸層409、紅色色 阻層和綠色色阻層上均勻涂布藍色色阻層，然后通過曝光、顯影和固化工藝形成所需要 的藍色色阻圖形。灰化處理 紅色色阻層、綠色色阻層和藍色色阻層，如圖7所示，使得紅色色阻 R、綠色色阻G和藍色色阻B遠離該基底21的表面到該基底21的距離小于該圖案化的歐 姆接觸層409、非晶硅層405、柵極絕緣層403、柵極金屬層401和黑色擋光矩陣107的厚 度總和。上述各色阻的形成順序可以前后變換。另外，可以采用三道掩模板分別曝光紅 色色阻層、綠色色阻層和藍色色阻層；也可以采用一道掩模板曝光紅色色阻層、綠色色 阻層和藍色色阻層。經過步驟S21至24，包括色阻層R、G、B和黑色擋光矩陣107的彩色濾光片形 成在下基底即該基底21上。請結合參考圖2、8和9，接著執(zhí)行步驟S25，在色阻層R、G、B和圖案化的歐 姆接觸層409上形成平坦化層，在本實施例中該平坦化層為有機膜23，去除部分平坦化 層以暴露出圖案化的歐姆接觸層409。具體包括在色阻層R、G、B和圖案化的歐姆接觸層409上涂布一層有機膜23，如圖8所 示，有機膜23遠離該基底21的表面到該基底21的距離大于該圖案化的歐姆接觸層409、 非晶硅層405、柵極絕緣層403、柵極金屬層401和黑色擋光矩陣107的厚度總和。固化有機膜23。然后，采用灰化工藝去除部分有機膜23以暴露出圖案化的歐姆 接觸層409，如圖9所示，去除部分厚度的有機膜23，使得有機膜23遠離該基底21的表 面到該基底21的距離等于該圖案化的歐姆接觸層409、非晶硅層405、柵極絕緣層403、 柵極金屬層401和黑色擋光矩陣107的厚度總和，圖案化的歐姆接觸層409被完全暴露出 來，形成平坦化的表面。請結合參考圖2、10至12，接著執(zhí)行步驟S26，在有機膜23和圖案化的歐姆接 觸層409上形成數據線103和晶體管源極109S、漏極109D，在晶體管源極109S、漏極 109D之間形成晶體管溝道區(qū)域24。具體包括采用物理氣相沉積工藝在有機膜23和圖案化的歐姆接觸層409上沉積金屬層 411，如圖10所示，金屬層411的金屬可以為鉬或者其合金。采用光刻工藝刻蝕金屬層411，形成數據線103和晶體管源極109S、漏極 109D，具體來說，首先在金屬層411上涂布一層光刻膠(圖未示、)，采用一道掩模板 曝光所述光刻膠，然后通過顯影和刻蝕，形成如圖11所示的數據線103、晶體管源極 109S、漏極109D。數據線103形成在對應與圖案化的擋光層407的位置，即形成在黑色 擋光矩陣107的上方。如圖12所示，在晶體管源極109S、漏極109D之間形成晶體管溝道區(qū)域24，即 蝕刻掉在晶體管源極109S、漏極109D之間的歐姆接觸層409，在刻蝕形成晶體管溝道區(qū) 域24時，為了防止溝道區(qū)域24的歐姆接觸層409殘留，必須對溝道區(qū)域24的非晶硅層 405進行過刻蝕。請結合參考圖2、13和14，接著執(zhí)行步驟S27，在數據線103、晶體管源極109S、溝道區(qū)域24和有機膜23上形成保護層413。具體包括采用化學氣相沉積工藝在數據線103、晶體管源極109S、漏極109D、溝道區(qū)域 24和有機膜23上沉積保護層413，如圖13所示。采用光刻工藝刻蝕保護層413以暴露出晶體管漏極109D，采用一道掩模板形成如圖14所示的過孔25，暴露出晶體管漏極109D。請結合參考圖2和15，接著執(zhí)行步驟S28，在晶體管漏極109D和部分保護層413 上形成像素電極105。具體包括采用物理氣相沉積工藝在晶體管漏極109D和保護層413上形成導電層(圖中未 示出)，所述導電層為氧化銦錫層或氧化銦鋅層。采用光刻工藝刻蝕所述導電層，以在所述晶體管漏極109D和部分保護層413上 形成像素電極105，采用一道掩模板形成如圖15所示的像素電極105。對應于上述制造方法，本實施例的液晶顯示裝置的結構如圖15所示，包括基 底21;圖案化的擋光層107、柵極金屬層401、柵極絕緣層403、非晶硅層405和歐姆接 觸層409，依次形成于基底21上；色阻層R、G、B，形成于基底21和部分圖案化的擋 光層107上；平坦化層(有機膜)23，形成于色阻層R、G、B上；數據線103和晶體管 源極109S、漏極109D，形成于有機膜23和圖案化的歐姆接觸層409上；晶體管溝道區(qū) 域24，形成于晶體管源極109S、漏極109D之間；保護層413，形成于數據線103、晶體 管源極109S、溝道區(qū)域24和有機膜23上；像素電極105，形成于晶體管的漏極109D和 部分保護層413上。本實施例中，數據線103形成在相鄰色阻(例如圖示的綠色色阻G 和藍色色阻B)之間的黑色擋光矩陣107的上方。實施例2圖16是本實施例的液晶顯示裝置的平面結構圖，所示液晶顯示裝置包括掃描 線201-1、201-2，其可以是例如為鋁或者其合金的金屬；數據線203，其可以是例如為 鉬或其合金的金屬；像素電極205，例如可以為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)；被 像素電極205所覆蓋的紅色色阻R、綠色色阻G、藍色色阻B;黑色擋光矩陣207，例如 可以為金屬鉻或者黑色樹脂，用于擋住不必要的光線，防止對顯示的影響；薄膜晶體管 209，包括與掃描線201-2連接的柵極209G、與像素電極205連接的漏極209D和與數據 線203連接的源極209S。圖16所示的液晶顯示裝置為雙掃描線結構，相鄰的子像素由不同的掃描線控 制，例如，圖示的綠色色阻G對應的子像素和藍色色阻B對應的子像素分別由不同的掃 描線201-1、201-2控制。并且，兩根掃描線201-1、201-2和兩根數據線203之間只包 括兩個子像素，例如圖示的綠色色阻G和藍色色阻B對應的子像素。圖17至28是圖16所示液晶顯示裝置的平面結構沿Al-Al方向的截面圖，顯示 了圖17所示液晶顯示裝置的制造過程，對應于圖2所示液晶顯示裝置的制造方法的各流 程步驟。請結合參考圖2和17，首先執(zhí)行步驟S21，提供基底31。所述基底31作為液 晶顯示裝置的下基底，其材料可以是玻璃或石英。接著執(zhí)行步驟S22，在基底31上依次形成擋光層507和薄膜晶體管結構層。本 實施例中，薄膜晶體管結構層包括依次形成在該擋光層507上的柵極金屬層501、柵極絕緣層503、非晶硅層505和歐姆接觸層509，具體過程請參考實施例1所述。請結合參考圖2、18和19，接著執(zhí)行步驟S23，圖案化薄膜晶體管結構層和擋光 層507。采用多疇半灰調掩模板32圖案化歐姆接觸層509、非晶硅層505、柵極絕緣層 503、柵極金屬層501和擋光層507，具體過程請參考實施例1所述，其中，圖19所示的 黑色擋光矩陣207即為圖案化的擋光層507。請結合參 考圖2和20，接著執(zhí)行步驟S24，在基底31和部分圖案化的擋光層(即 黑色擋光矩陣207)上形成色阻層。色阻層包括紅色色阻R、綠色色阻G和藍色色阻 B，采用光刻工藝形成在基底31和黑色擋光矩陣207上，具體過程請參考實施例1所述。經過步驟S21至24，包括色阻層R、G、B和黑色擋光矩陣207的彩色濾光片形 成在下基底即該基底31上。請結合參考圖2、21和22，接著執(zhí)行步驟S25，在色阻層R、G、B和圖案化的 歐姆接觸層509上形成平坦化層，本實施例中該平坦化層為有機膜33，去除部分平坦化 層以暴露出圖案化的歐姆接觸層509，具體過程請參考實施例1所述。請結合參考圖2、23至25，接著執(zhí)行步驟S26，在有機膜33和圖案化的歐姆接 觸層509上形成晶體管源極209S、漏極209D和與晶體管源極209S連接的數據線，并在 晶體管源極209S、漏極209D之間形成晶體管溝道區(qū)域34。具體過程與實施例1所述基 本相同，區(qū)別在于，本實施例在相鄰兩根數據線間的兩個色阻(例如，圖示的綠色色阻G 和藍色色阻B)之間的黑色擋光矩陣207上方沒有形成數據線。請結合參考圖2、26和27，接著執(zhí)行步驟S27，在數據線、晶體管源極209S、 溝道區(qū)域34和有機膜33上形成保護層513，具體過程請參考實施例1所述。請結合參考圖2和28，接著執(zhí)行步驟S28，在晶體管漏極209D和部分保護層513 上形成像素電極205。具體過程請參考實施例1所述。對應于上述制造方法，本實施例的液晶顯示裝置的結構如圖28所示，包括基 底31;圖案化的擋光層207、柵極金屬層501、柵極絕緣層503、非晶硅層505和歐姆接 觸層509，依次形成于基底31上；色阻層R、G、B，形成于基底31和部分圖案化的擋 光層207上；平坦化層(有機膜)33，形成于色阻層R、G、B上；數據線和晶體管源 極209S、漏極209D，形成于有機膜33和圖案化的歐姆接觸層509上；晶體管溝道區(qū)域 34，形成于晶體管源極209S、漏極209D之間；保護層513，形成于數據線、晶體管源極 209S、溝道區(qū)域34和有機膜33上；像素電極205，形成于晶體管的漏極209D和部分保 護層513上。本實施例中，在相鄰兩根數據線間的兩個色阻(例如，圖示的綠色色阻G 和藍色色阻B)之間的黑色擋光矩陣207的上方沒有數據線。綜上所述，上述實施例將彩色濾光片形成在下基底上，與現有技術將彩色濾光 片形成在上基底上相比，降低了上、下基板貼合時的對位精度要求，不需要加寬黑色擋 光矩陣來防止因對位偏差而造成的漏光，從而提高了液晶顯示裝置的開口率和顯示質量。采用多疇半灰調掩模板可以減少制造過程中所需光刻掩模板的數量，在上述實 施例中，采用1道多疇半灰調掩模板形成薄膜晶體管結構層和擋光層圖形，采用1道或 3道掩模板形成色阻層圖形，采用1道掩模板形成數據線，采用1道掩模板形成保護層圖 形，以及采用1道掩模板形成像素電極，因此上述實施例的液晶顯示裝置的制造方法共需要5道或7道光刻掩模板，相比于現有技術共需要9道光刻掩模板來說，簡化了制造工 藝，降低了成本。
由于黑色擋光矩陣和像素電極間存在色阻層，其為絕緣層，因此，相鄰像素之 間的耦合效應很小，從而降低了相鄰像素之間的互擾。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技 術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護 范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括提供基底；在所述基底上依次形成擋光層和薄膜晶體管結構層；圖案化所述薄膜晶體管結構層和擋光層；在所述基底和部分圖案化的擋光層上形成色阻層。
2.如權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成擋光層包 括采用濺射工藝在所述基底上沉積擋光金屬。
3.如權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成擋光層包 括在所述基底上涂布黑色樹脂，固化所述黑色樹脂。
4.如權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶體管結構 層包括依次形成在所述擋光層上的柵極金屬層、柵極絕緣層、非晶硅層和歐姆接觸層。
5.如權利要求4所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶體管 結構層包括采用濺射工藝在所述擋光層上沉積柵極金屬層。
6.如權利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶體管 結構層還包括采用化學氣相沉積工藝在所述柵金屬層上連續(xù)沉積柵極絕緣層、非晶硅 層和歐姆接觸層。
7.如權利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成薄膜晶體管 結構層還包括采用化學氣相沉積工藝在所述柵金屬層上連續(xù)沉積柵極絕緣層和非晶硅 層，摻雜所述非晶硅層形成歐姆接觸層。
8.如權利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，圖案化所述薄膜晶體 管結構層和擋光層包括在所述歐姆接觸層上涂布光刻膠；采用半灰調掩模板曝光所述光刻膠；采用干法刻蝕工藝刻蝕所述歐姆接觸層、非晶硅層和柵極絕緣層；采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述柵極金屬層和擋光層。
9.如權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成色阻層包 括采用光刻工藝在所述基底和部分圖案化的擋光層上形成色阻層。
10.如權利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，還包括在所述色 阻層和圖案化的歐姆接觸層上形成平坦化層，去除部分平坦化層以暴露出所述圖案化的 歐姆接觸層。
11.如權利要求10所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成平坦化 層，去除部分平坦化層以暴露出所述圖案化的歐姆接觸層包括在所述色阻層和圖案化的歐姆接觸層上涂布平坦化層；固化所述平坦化層；采用灰化工藝去除部分平坦化層以暴露出所述圖案化的歐姆接觸層。
12.如權利要求10所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，還包括在所述 平坦化層和圖案化的歐姆接觸層上形成數據線和晶體管源極、漏極，并形成晶體管溝道 區(qū)域。
13.如權利要求12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成數據線和晶體管源極、漏極，并形成晶體管溝道區(qū)域包括采用物理氣相沉積工藝在所述平坦化層和圖案化的歐姆接觸層上沉積金屬層； 采用光刻工藝刻蝕所述金屬層，形成數據線和晶體管源極、漏極； 刻蝕所述晶體管源極、漏極之間的歐姆接觸層并過刻蝕非晶硅層，形成晶體管溝道 區(qū)域。
14.如權利要求12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述數據線形成在 對應所述圖案化的擋光層的位置。
15.如權利要求12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，還包括在所述 數據線、晶體管源極、溝道區(qū)域和平坦化層上形成保護層。
16.如權利要求15所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成保護層包括采用化學氣相沉積工藝在所述數據線、晶體管源極、漏極、溝道區(qū)域和平坦化層上 沉積保護層；采用光刻工藝刻蝕所述保護層以暴露出所述晶體管漏極。
17.如權利要求15所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，還包括在所述 晶體管漏極和部分保護層上形成像素電極。
18.如權利要求17所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成像素電極 包括采用物理氣相沉積工藝在所述晶體管漏極和保護層上形成導電層；采用光刻工藝刻蝕所述導電層，以在所述晶體管漏極和部分保護層上形成像素電極。
19.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括 基底；圖案化的擋光層和薄膜晶體管結構層，依次形成于所述基底上； 色阻層，形成于所述基底和部分圖案化的擋光層上。
20.如權利要求19所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述基底材料為玻璃或石英。
21.如權利要求19所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述擋光層為擋光金屬層或黑 色樹脂層。
22.如權利要求21所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述擋光金屬層的材料為鉻。
23.如權利要求19所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管結構層包括依 次形成在所述擋光層上的柵極金屬層、柵極絕緣層、非晶硅層和歐姆接觸層。
24.如權利要求23所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述柵極金屬層的材料為鋁或 者鋁-鈮合金。
25.如權利要求23所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述柵極絕緣層為氮化硅層或氧化硅層。
26.如權利要求23所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述歐姆接觸層為摻雜的非晶硅層。
27.如權利要求23所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括形成于所述色阻層 上的平坦化層。
28.如權利要求27所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述平坦化層為有機膜。
29.如權利要求27所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括數據線和晶體管源 極、漏極，形成于所述平坦化層和圖案化的歐姆接觸層上；晶體管溝道區(qū)域，形成于所 述晶體管源極、漏極之間。
30.如權利要求29所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述數據線和晶體管源極、漏 極的材料為鉬或者其合金。
31.如權利要求27所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述數據線形成在對應所述圖 案化的擋光層的位置。
32.如權利要求27所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括保護層，形成于所 述數據線、晶體管源極、溝道區(qū)域和平坦化層上。
33.如權利要求32所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述保護層為氮化硅層或氧化 硅層。
34.如權利要求32所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括像素電極，形成于 所述晶體管的漏極和部分保護層上。
35.如權利要求34所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極的材料為氧化銦 錫或氧化銦鋅。
全文摘要
一種液晶顯示裝置及其制造方法。所述方法包括提供基底；在所述基底上依次形成擋光層和薄膜晶體管結構層；圖案化所述薄膜晶體管結構層和擋光層；在所述基底和部分圖案化的擋光層上形成色阻層；在所述色阻層和圖案化的歐姆接觸層上形成平坦化層，去除部分平坦化層以暴露出所述圖案化的薄膜晶體管結構層中的歐姆接觸層；在所述平坦化層和圖案化的歐姆接觸層上形成數據線和晶體管源極、漏極；在晶體管源極、漏極之間形成晶體管溝道區(qū)域；在所述數據線、晶體管源極、溝道區(qū)域和平坦化層上形成保護層；在所述晶體管漏極和部分保護層上形成像素電極。所述液晶顯示裝置及其制造方法可以提高開口率和簡化制造工藝。
文檔編號G02F1/1362GK102012592SQ200910195308
公開日2011年4月13日 申請日期2009年9月4日 優(yōu)先權日2009年9月4日
發(fā)明者袁劍峰, 黃賢軍 申請人:上海天馬微電子有限公司