專利名稱：：用于制造灰色調(diào)掩模的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本申請(qǐng)涉及一種用于制造灰色調(diào)掩模的方法。
背景技術(shù)：
：在平板顯示器的制造過程中，使用灰色調(diào)掩模來降低制造成本。灰色調(diào)掩?？梢员磉_(dá)單掩模的多色調(diào)的曝光量。因此，與轉(zhuǎn)換掩模的次數(shù)相對(duì)應(yīng)的光蝕刻步驟數(shù)量比當(dāng)使用不能表達(dá)半色調(diào)級(jí)別的光掩模時(shí)更少。這種灰色調(diào)掩模除了使用在多色調(diào)曝光過程中，還廣泛使用在各種制造步驟中?；疑{(diào)掩模包括擋住光的擋光部分、傳輸光的開口部分和部分傳輸光的半透光部分。為了獲得兩種不同的曝光量，開口部分形成對(duì)應(yīng)于100%曝光量的曝光部分、而擋光部分形成對(duì)應(yīng)于0%曝光量的不曝光部分。半透光部分形成具有在0%與100%之間的曝光量的半透光部分。半透光部分的曝光量由半透光膜的透射率確定并且根據(jù)TFT襯底制造過程要求的條件從5%到70%的范圍中選擇。如在本發(fā)明中提到的透射率是指光的透射率。一般地，依據(jù)半透光部分的結(jié)構(gòu)將灰色調(diào)掩模分類為縫隙掩模和半色調(diào)掩模。圖22(a)是平面視圖而圖22(b)是截面視圖，各表示縫隙掩模50S的結(jié)構(gòu)。圖23(a)和圖23(b)都是平面視圖而圖24(a)和圖24(b)都是截面視圖，各表示半色調(diào)掩模50H的結(jié)構(gòu)。如在圖22中所示的，縫隙掩模50S具有在透光襯底S上的擋光部分51、光傳輸部分52和半透光部分53?？p隙掩模50S的半透光部分53具有縫隙圖案53a，其具有相應(yīng)于在透光襯底S上的分辨率極限的間距。縫隙圖案53a獲得中間曝光量。然而，當(dāng)使用縫隙掩模50S時(shí)，光掩模的增大增加了用于形成縫隙圖案53a的印刷數(shù)據(jù)。在使用縫隙掩模50S的制造過程中，這樣拉長了縫隙掩模50的制造時(shí)間和提高了生產(chǎn)成本。在使用灰色調(diào)掩模的制造過程中，要求降低上面描述的印刷數(shù)據(jù)。用于半色調(diào)掩模50H的已知結(jié)構(gòu)包括如在圖23(a)和圖23(b)中所示的、在透光襯底S與半透光膜TF之間具有擋光膜UF的結(jié)構(gòu)，如在圖24(a)和圖24(b)中所示的、在透光襯底S與擋光膜UF之間具有半透光膜TF的結(jié)構(gòu)，以及在半透光膜TF與擋光膜UF之間具有蝕刻停止層的結(jié)構(gòu)。在半色調(diào)掩模50H中，通過半透光膜的光學(xué)特性獲得中間曝光量。與縫隙掩模50S相比，這顯著地降低了上述描述的印刷數(shù)據(jù)。因此，灰色調(diào)掩模的制造時(shí)間不會(huì)被拉長并且避免生產(chǎn)成本的增加。在曝光過程中曝光光線一般不是單頻率的光。曝光光線包括具有例如i線(波長365nm)、h線(波長405nm)或g線(波長436nm)的中心波長的光及具有中心波長附近的波長的光。照射到曝光物體上的曝光光線的能量是這些波長的總能量。因此，當(dāng)半透光部分的透射率不依賴于波長時(shí)，可以獲得高再現(xiàn)性的曝光結(jié)果，而與所選擇的波長無關(guān)。作為用于半色調(diào)掩模50H的半透光膜TF，氧化鉻膜和氧氮化鉻膜是已知的。如圖25所示，從300nm波長附近的短波區(qū)域到700nm波長附近的長波區(qū)域，氧氮化鉻的透射率持續(xù)增加。因此，對(duì)于灰色調(diào)掩模的光學(xué)特性，理想的是透射率基本上不依賴于波長，以在所選波長不同時(shí)獲得高的曝光再現(xiàn)性。在例如專利文獻(xiàn)1到4中討論了將金屬膜或氮化鉻膜作為用于降低透射率的波長依賴性的半透光膜的材料。在專利文獻(xiàn)1中，通過使用處理氣體實(shí)施反應(yīng)濺射來形成氮化鉻的半透光膜，氣體中的60體積％到100體積％為氮?dú)?N2)而其余為氬氣(Ar)。在專利文獻(xiàn)1中，獲得在300nm到500nm波長范圍內(nèi)具有大約5%透射率均勻性的半透光膜。在專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3中，通過使用80體積％的氬氣(Ar)和20體積％的氮?dú)?N2)實(shí)施反應(yīng)濺射來形成金屬鉻膜的半透光膜。因此，在專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3中，獲得例如對(duì)于i線(波長365nm)具有37%透射率及對(duì)于g線(波長436nm)具有35%透射率的半透光膜。專利文獻(xiàn)4討論具有金屬鉻膜和極薄的氧氮化鉻膜兩層結(jié)構(gòu)的半透光膜。其獲得在300nm到500nm波長范圍內(nèi)具有大約0.8%透射率均勻性的半透光膜。在專利文獻(xiàn)1到3描述的半透光膜中，透射率的波長依賴性比由氧化鉻膜或氧氮化鉻膜形成的半透光膜低。然而，這些公開文件均沒有具體描述或充分提及一種用于制造基本上不依賴波長的半透光膜的方法。在專利文獻(xiàn)4描述的半透光膜中，半透光膜使用兩層結(jié)構(gòu)。因此，必須調(diào)節(jié)各層的膜形成條件以獲得期望的透射率。膜形成條件的這種調(diào)節(jié)是麻煩的。因此，這樣的膜缺乏多用性。專利文獻(xiàn)1日本特許專利公開號(hào)2006-268035專利文獻(xiàn)2日本特許專利公開號(hào)2007-171623專利文獻(xiàn)3日本特許專利公開號(hào)2007-178649專利文獻(xiàn)4日本特許專利公開號(hào)2007-133098
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種用于制造灰色調(diào)掩模的方法，其在穩(wěn)定和簡(jiǎn)單的膜形成條件下降低曝光波長的波長依賴性。本發(fā)明的一個(gè)方面是一種用于制造灰色調(diào)掩模的方法，該方法包括使用在反應(yīng)氣體和濺射氣體的氣氛中濺射由鉻或鎳合金形成的靶材的反應(yīng)濺射方法來形成具有單層結(jié)構(gòu)的半透光膜的步驟。該反應(yīng)氣體包含至少一種選自由氧氣、一氧化碳、二氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、氮?dú)夂图淄榻M成的組的氣體。形成半透光膜的步驟包括獲得在具有不同反應(yīng)氣體濃度的多種膜形成條件下多種薄膜的光透射率曲線；從多種薄膜的光透射率曲線獲得用于反應(yīng)氣體的目標(biāo)濃度，在該目標(biāo)濃度，半透光膜透射率的最大值和最小值之間的差值在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下；以及利用該目標(biāo)濃度的反應(yīng)氣體形成該半透光膜。圖1是表示半透光膜透射率的波長依賴性的圖；圖2是表示加一氧化氮的鉻半透光膜(加NO的Cr半透光膜)的光透射率曲線的圖；圖3是表示加一氧化氮的鉻半透光膜的光透射率曲線的圖；圖4是表示加氮?dú)獾你t半透光膜(加N2的Cr半透光膜)的光透射率曲線的圖；圖5是表示加氮?dú)獾你t半透光膜的光透射率曲線的圖；圖6是表示加氮?dú)獾逆囥t半透光膜(加N2的NiCr半透光膜)的光透射率曲線的圖7是表示加氮?dú)獾逆囥t半透光膜的光透射率曲線的圖；圖8是表示加二氧化碳的鉻半透光膜(加C02的Cr半透光膜)的光透射率曲線的圖；圖9是表示加二氧化碳的鉻半透光膜的光透射率曲線的圖；圖10是表示加一氧化氮的鉻半透光膜的透射率均勻性的圖；圖11是表示加一氧化氮的鉻半透光膜的透射率均勻性的圖；圖12是表示在加一氧化氮的鉻半透光膜中的一氧化氮濃度的圖；圖13是表示加氮?dú)獾你t半透光膜的透射率均勻性的圖；圖14是表示加氮?dú)獾你t半透光膜的透射率均勻性的圖；圖15是表示在加氮?dú)獾你t半透光膜中的氮?dú)鉂舛鹊膱D；圖16是表示加氮?dú)獾逆囥t半透光膜(加N2的NiCr半透光膜)的透射率均勻性的圖；圖17是表示加氮?dú)獾逆囥t半透光膜的透射率均勻性的圖；圖18是表示在加氮?dú)獾逆囥t半透光膜中的氮?dú)鉂舛鹊膱D；圖19是表示加二氧化碳的鉻半透光膜的透射率均勻性的圖；圖20是表示加二氧化碳的鉻半透光膜的透射率均勻性的圖；圖21是表示在加二氧化碳的鉻半透光膜中的二氧化碳濃度的圖；圖22(a)是平面圖而圖22(b)是截面圖，各表示現(xiàn)有技術(shù)的灰色調(diào)掩模；圖23(a)是平面圖而圖23(b)是截面圖，各表示現(xiàn)有技術(shù)的灰色調(diào)掩模；以及圖24(a)是平面圖而圖24(b)是截面圖，各表示現(xiàn)有技術(shù)的灰色調(diào)掩模；以及圖25是表示現(xiàn)有技術(shù)半透光膜透射率的波長依賴性的圖。附圖標(biāo)記50H灰色調(diào)掩模，51擋光部分，52開口部分，53半透光部分具體實(shí)施例方式雙層薄膜(下文簡(jiǎn)稱為疊層膜)通常具有結(jié)合每層的光學(xué)特性而獲得的光學(xué)特性，且有效透射率是每層透射率的中間值。在這樣的疊層膜中，按需要選擇每層的光透射率以獲得期望的光透射率特性。例如，當(dāng)疊層膜的每層的光透射率曲線相對(duì)沿著預(yù)定透射率延伸的波長軸呈線對(duì)稱時(shí)，各層的波長依賴性互相抵消。因此，疊層膜的光透射率基本上不依賴于波長。另一方面，當(dāng)每層的光透射率曲線沒有沿波長軸呈線對(duì)稱時(shí)，各層的波長依賴性會(huì)反映為疊層膜的光透射率的波長依賴性。在單層薄膜中，形成薄膜的成分比例等于形成疊層膜的各層的成分比例的中間值。這樣獲得與疊層膜相同的光學(xué)特性。例如，當(dāng)通過實(shí)施反應(yīng)濺射形成疊層膜的各層，并且各層的膜形成條件差異僅在于反應(yīng)氣體的流量時(shí)，只要單層膜使用用于各層的流量的中間值來形成，那么單層膜可以獲得與疊層膜相同的光學(xué)特性。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)實(shí)驗(yàn)并且已經(jīng)證實(shí)，當(dāng)使用鉻或鎳合金作為靶材實(shí)施反應(yīng)濺射，在其中氧化、氧氮化、氮化和碳化已經(jīng)充分進(jìn)行的薄膜的透射率對(duì)波長的依賴性很強(qiáng)。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，在其中氧化、氧氮化、氮化和碳化已經(jīng)充分進(jìn)行的金屬化合物膜中的光透射率曲線與由金屬形成的金屬膜的光透射率曲線基本上沿波長軸呈線對(duì)稱。現(xiàn)在將關(guān)于附圖根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式描述一種用于制造灰色調(diào)掩模的方法。圖1是表示通過反應(yīng)濺射形成的半透光膜透射率的波長依賴性的圖。在圖1中，“加一氧化氮的鉻半透光膜”(破折線)表示通過使用純鉻靶材作為濺射靶材、7.4體積％的一氧化氮(NO)作為反應(yīng)氣體、以及92.6體積％的氬氣作為濺射氣體形成的半透光膜的光透射率曲線。“加氮?dú)獾你t半透光膜”(雙虛線)表示通過使用純鉻靶材作為濺射靶材、27.2體積％的氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體、以及72.8體積％的氬氣作為濺射氣體形成的半透光膜的光透射率曲線?！凹拥?dú)獾逆囥t半透光膜”(實(shí)線)表示通過使用鎳鉻靶材作為濺射靶材、28.6體積％的氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體、以及71.4體積％的氬氣作為濺射氣體形成的半透光膜的光透射率曲線。在圖1中，“加一氧化氮的鉻半透光膜”、“加氮?dú)獾你t半透光膜”和“加氮?dú)獾逆囥t半透光膜”在365nm到436nm范圍內(nèi)各自的透射率均勻性為1.0%或以下，或者在300nm到500nm范圍內(nèi)各自的透射率均勻性為4.0%或以下，并且因此基本上沒有波長依賴性?，F(xiàn)在還將利用實(shí)例描述用作加一氧化氮鉻半透光膜的氧氮化鉻膜、用作加氮?dú)忏t半透光膜的氮化鉻膜、用作加氮?dú)忏t半透光膜的氮化鎳鉻膜外以及用作加二氧化碳鉻半透光膜的碳氧化鉻膜。[實(shí)例1氧氮化鉻膜]使用具有6mm厚度并由純鉻形成的靶材作為濺射靶材，使用具有5.Omm厚度的硅基片作為襯底，并且使用大型往復(fù)式(interback)膜形成裝置。設(shè)置的條件包括膜形成溫度，其是用于膜形成的襯底溫度；濺射氣體；反應(yīng)氣體；膜形成壓力，其是用于膜形成的壓力；以及靶材電功率，其是輸入到靶材的功率。這些條件設(shè)置如下，以獲得半透光膜，即實(shí)例1中的氧氮化鉻膜(氧氮化Cr膜)。在這個(gè)例子中，控制襯底穿過薄膜形成區(qū)域傳送速度以保持遍布該襯底的膜的膜質(zhì)量，并且將氧氮化鉻膜的膜厚度調(diào)節(jié)為5nm到20nm，其是當(dāng)透射率基本上不依賴波長的半透光膜中的透射率為30%到50%時(shí)的膜厚度。膜形成溫度150°C到200°C濺射氣體/濺射氣體流量氬氣/35sCCm到75sCCm(每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升)反應(yīng)氣體/反應(yīng)氣體流量一氧化氮(NO)/Osccm到15SCCm膜形成壓力1.1XIO^1Pa到6.4XICT1Pa靶材電功率約2.5Kff(功率密度0.9ff/cm2)測(cè)量了在實(shí)例1中的每個(gè)氧氮化鉻膜的光透射率。并且將在365nm到436nm波長范圍內(nèi)的最大透射率與最小透射率之間的差值和在300nm到500nm波長范圍內(nèi)的最大透射率與最小透射率之間的差值分別計(jì)算作為透射率均勻性。圖2示出了在包括在上述條件中的75sCCm的氬氣流量條件下形成的氧氮化鉻膜的光透射率曲線。圖3示出了在包括在上述條件中的35sCCm的氬氣流量條件下形成的氧氮化鉻膜的光透射率曲線。而且，圖10和表1示出了在75sCCm的氬氣流量條件下形成的氧氮化鉻膜的透射率均勻性。圖11和表2示出了在35sCCm的氬氣流量條件下形成的氧氮化鉻膜的透射率均勻性。圖12和表3示出了一氧化氮濃度的區(qū)域(下文中簡(jiǎn)稱為選擇區(qū)域)，在該一氧化氮濃度區(qū)域，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下。如在圖2中所示，當(dāng)氬氣流量是75ccm時(shí)，在一氧化氮流量是Osccm的條件下形成的膜中，隨被測(cè)波長從300nm提高到500nm，膜的透射率從大約40%逐漸下降。當(dāng)一氧化氮流量從Osccm逐漸上升，在氧氮化鉻膜的透射率曲線中，透射率的下降趨勢(shì)變得逐漸緩和。在一氧化氮流量是12sCCm的條件下形成的氧氮化鉻膜中，透射率從大約40%逐漸上升。在一氧化氮流量為Osccm的條件下形成的膜的光透射率曲線和在氧氮化充分進(jìn)行條件下形成的氧氮化鉻膜的光透射率曲線沿波長軸基本呈線對(duì)稱。更具體地，顯而易見地，在一氧化氮流量是Osccm的條件下獲得的膜的光透射率曲線和在一氧化氮流量是12sccm的條件下獲得的氧氮化鉻膜的光透射率曲線相對(duì)沿著大約40%的透射率延伸的波長軸基本上呈線對(duì)稱。還顯而易見的是，在具有線對(duì)稱光透射率的兩個(gè)一氧化氮流量的中間值6sCCm的氧氮化鉻膜的光透射率曲線在300nm到500nm波長范圍內(nèi)基本上平行于波長軸o從圖3也可以證實(shí)光透射率的一氧化氮流量依賴性。更具體地，當(dāng)氬氣流量是35ccm時(shí)，顯而易見地，在一氧化氮流量是Osccm的條件下形成的鉻膜的光透射率曲線和在一氧化氮流量是13sCCm的條件下形成的鉻膜的光透射率曲線相對(duì)沿著大約40%的透射率延伸的波長軸基本上呈線對(duì)稱。還顯而易見的是，在具有線對(duì)稱光透射率的兩個(gè)一氧化氮流量的中間值6.5sCCm的氧氮化鉻膜的光透射率曲線在300nm到500nm波長范圍內(nèi)基本上平行于波長軸。如在圖10中所示的，在氬氣流量是75ccm的條件下，中間值6Sccm時(shí)的氧氮化鉻膜的透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為0.45%，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為1.08%。隨著一氧化氮流量從Osccm接近該中間值，氧氮化鉻膜的透射率均勻性下降。在包括中間值6SCCm的區(qū)域內(nèi)，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下。隨一氧化氮流量從中間值增加時(shí)，透射率均勻性增加。因此，在氬氣流量是75ccm的條件下，在氧氮化鉻膜的膜形成過程中，當(dāng)將作為目標(biāo)濃度的目標(biāo)流量設(shè)置為中間值時(shí)，透射率均勻性由于該一氧化氮流量進(jìn)一步得到穩(wěn)定。從圖11也可以證實(shí)光透射率的一氧化氮流量依賴性。更具體地，在氬氣流量是35sccm的情況下，當(dāng)中間值是6.5sccm時(shí)，氧氮化鉻膜的透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為0.31%，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為1.18%。隨著一氧化氮流量從Osccm接近中間值，氧氮化鉻膜的透射率均勻性下降，在包括中間值6.5Sccm的一區(qū)域內(nèi)進(jìn)入基本上不依賴于波長的狀態(tài)；并且隨著一氧化氮流量從中間值增加，透射率均勻性增加。因此，當(dāng)氬氣流量是35sCCm時(shí)，在氧氮化鉻膜的膜形成過程中，通過使用中間值6.5sccm作為目標(biāo)流量，透射率均勻性由于該一氧化氮流量進(jìn)一步得到穩(wěn)定。在圖12中，將從一氧化氮流量和氬氣流量獲得的氣體種類的體積百分比分別稱為一氧化氮濃度和氬氣濃度。將在上面描述的膜形成條件中，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%的點(diǎn)稱為選擇點(diǎn)。將透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)大于1.0%或在300nm到500nm波長范圍內(nèi)大于4.0%的點(diǎn)稱為非選擇點(diǎn)。如在圖12中所示的，在一氧化氮濃度是6%到16%、而其余為氬氣的區(qū)域內(nèi)，也就是，在如圖12中所示沿著單破折線展開的一氧化氮濃度的選擇區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，可以看到大量的選擇點(diǎn)。這是因?yàn)檠醯t膜在中間值處基本上不具有波長依賴性，并且在中間值附近容易獲得這種特性。因此，在用純鉻靶材實(shí)施反應(yīng)濺射的氧氮化鉻膜的膜形成過程中，可以理解，通過從一氧化氮濃度是6%到16%的區(qū)域選擇一氧化氮濃度容易獲得基本上不具有波長依賴性的氧氮化鉻膜。[實(shí)例2:氮化鉻膜]使用具有6mm厚度并由純鉻形成的靶材作為濺射靶材，使用具有5.Omm厚度的硅基片作為襯底，并且以與實(shí)例1相同的方式使用大型往復(fù)式類型膜形成裝置。膜形成溫度、濺射氣體、反應(yīng)氣體、膜形成壓力以及靶材電功率設(shè)置為如下所示的條件，以獲得由氮化鉻膜(氮化Cr膜)形成的實(shí)例2的半透光膜。在這個(gè)例子中，將氮化鉻膜的厚度調(diào)節(jié)為5nm到20nm，其是當(dāng)透射率基本上不依賴波長的半透光膜中的透射率為30%到50%時(shí)的膜厚度，通過襯底穿過薄膜形成區(qū)域的傳送速度來控制該膜厚度，以保持遍布該襯底的膜的膜質(zhì)量。膜形成溫度150°C到200°C濺射氣體/濺射氣體流量氬氣/35sCCm到75sCCm反應(yīng)氣體/反應(yīng)氣體流量氮?dú)?N2)/Osccm到80sccm膜形成壓力1.3XICT1Pa到5.7XICT1Pa靶材電功率接近2.5Kff(功率密度0.9ff/cm2)測(cè)量了在實(shí)例2中的每個(gè)氮化鉻膜的光透射率。并且將在365nm到436nm波長范圍內(nèi)的最大透射率與最小透射率之間的差值和在300nm到500nm波長范圍內(nèi)的最大透射率與最小透射率之間的差值分別計(jì)算作為透射率均勻性。圖4示出了在包括在上述條件中的75sCCm的氬氣流量條件下形成的氮化鉻膜的光透射率曲線。圖5示出了在包括在上述條件中的35sCCm的氬氣流量條件下形成的氮化鉻膜的光透射率曲線。而且，圖13和表4示出了在75sCCm的氬氣流量條件下形成的氮化鉻膜的透射率均勻性。圖14和表5示出了在35sCCm的氬氣流量條件下形成的氮化鉻膜的透射率均勻性。圖15和表6示出了氮?dú)鉂舛鹊倪x擇區(qū)域，在該氮?dú)鉂舛葏^(qū)域，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下。如在圖4中所示，當(dāng)氬氣流量是75ccm時(shí)，在氮?dú)饬髁渴荗sccm的條件下形成的膜中，當(dāng)被測(cè)波長從300nm提高到500nm，膜的透射率逐漸下降。當(dāng)?shù)獨(dú)饬髁繌腛sccm逐漸上升，在氮化鉻膜的透射率曲線中，透射率的下降趨勢(shì)變得逐漸緩和。在氮?dú)饬髁渴荗sccm的條件下形成的膜的光透射率曲線和在氮化充分進(jìn)行條件下形成的氮化鉻膜的光透射率曲線沿波長軸基本呈線對(duì)稱。更具體地，顯而易見地，在氮?dú)饬髁渴?5sCCm的條件下獲得的膜的光透射率曲線和在氮?dú)饬髁渴荗sccm的條件下獲得的氮化鉻膜的光透射率曲線沿波長軸基本上呈線對(duì)稱。還顯而易見地是，在線對(duì)稱光透射率的兩個(gè)氮?dú)饬髁康闹虚g值38sCCm附近的氮化鉻膜的光透射率曲線在波長300nm到500nm范圍內(nèi)基本上平行于波長軸。從圖5也可以證實(shí)光透射率的氮?dú)饬髁恳蕾囆浴Ｈ缭趫D13中所示，在氬氣流量是75sCCm的情況下，在中間值38sCCm附近的氮化鉻膜的透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下。隨著氮?dú)饬髁繌腛sccm接近中間值，氮化鉻膜的透射率均勻性下降，并且隨著氮?dú)饬髁繌闹虚g值增加，透射率均勻性增加。因此，在氬氣流量是75sCCm的情況下，在氮化鉻膜的膜形成過程中，當(dāng)將作為目標(biāo)濃度的目標(biāo)流量設(shè)置為中間值時(shí)，透射率均勻性由于該氮?dú)饬髁慷M(jìn)一步得到穩(wěn)定。從圖14也可以證實(shí)透射率均勻性的氮?dú)饬髁恳蕾囆浴Ｔ趫D15中，將從氮?dú)饬髁亢蜌鍤饬髁揩@得的氣體種類的體積百分比分別稱為氮?dú)鉂舛群蜌鍤鉂舛?。將在上面描述的膜形成條件中，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或更小，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或更小的點(diǎn)稱為選擇點(diǎn)。將透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)大于1.0%，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)大于4.0%的的點(diǎn)稱為非選擇點(diǎn)。如在圖15中所示，在氮?dú)鉂舛仁?0%到55%、而其余為氬氣的區(qū)域內(nèi)，也就是，在如圖15中所示沿著單破折線展開的氮?dú)鉂舛鹊倪x擇區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，可以看到大量的選擇點(diǎn)。這是因?yàn)榈t膜在中間值處基本上不具有波長依賴性，并且在中間值附近容易獲得這種特性。因此，在用純鉻靶材實(shí)施反應(yīng)濺射的氮化鉻膜的膜形成過程中，顯而易見地，通過從氮?dú)鉂舛仁?0%到55%的區(qū)域選擇氮?dú)鉂舛热菀撰@得基本上不具有波長依賴性的氮化鉻膜。[實(shí)例3:氮化鎳鉻膜]使用具有6mm厚度并由92原子百分比的鎳和8原子百分比的鉻形成的靶材作為濺射靶材，使用具有5.0mm厚度的硅基片作為襯底，并且以與實(shí)例1相同的方式使用大往復(fù)式類型膜形成裝置。膜形成溫度、濺射氣體、反應(yīng)氣體、膜形成壓力以及靶材電功率為如下所示的條件，以獲得由氮化鎳鉻膜(氮化NiCr膜)形成的實(shí)例3的半透光膜。在這個(gè)例子中，將氧氮化鎳鉻膜的膜厚度調(diào)節(jié)為5nm到20nm，其是當(dāng)透射率基本上不依賴波長的半透光膜中的透射率為30%到50%時(shí)的膜厚度，通過襯底穿過薄膜形成區(qū)域的傳送速度來控制該膜厚度，以保持遍布該襯底的膜的膜質(zhì)量。膜形成溫度150°C到200°C濺射氣體/濺射氣體流量氬氣/35sccm到75sccm反應(yīng)氣體/反應(yīng)氣體流量氮?dú)?N2)/Osccm到90sccm膜形成壓力2.2XlO—ipa到6.4XlO—ipa靶材電功率約2.5Kff(功率密度0.9ff/cm2)測(cè)量了在實(shí)例3中的每個(gè)氮化鎳鉻膜的光透射率。并且將在365nm到436nm波長范圍內(nèi)的最大透射率與最小透射率之間的差值和在300nm到500nm波長范圍內(nèi)的最大透射率與最小透射率之間的差值分別計(jì)算作為透射率均勻性。圖6示出了在包括在上述條件中的75sCCm的氬氣流量條件下形成的氮化鎳鉻膜的光透射率曲線。圖7示出了在包括在上述條件中的35sCCm的氬氣流量條件下形成的氮化鎳鉻膜的光透射率曲線。而且，圖16和表7示出了在75sCCm的氬氣流量條件下形成的氮化鎳鉻膜的透射率均勻性。圖17和表8示出了在35sCCm的氬氣流量條件下形成的氮化鎳鉻膜的透射率均勻性。圖18和表9示出了氮?dú)鉂舛鹊倪x擇區(qū)域，在該氮?dú)鉂舛葏^(qū)域，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下。如在圖8中所示，當(dāng)氬氣流量是75ccm時(shí)，在二氧化碳流量是Osccm的條件下形成的膜中，在300nm到500nm波長范圍內(nèi)測(cè)量時(shí)，具有凸起形的透射率曲線，其凸向高透射率一側(cè)。當(dāng)?shù)獨(dú)饬髁繌腛sccm逐漸上升，在氮化鎳鉻膜的透射率曲線中，該凸起形狀逐漸變小。在氮?dú)饬髁渴?0SCCm形成的氮化鎳鉻膜中，透射率曲線是凹陷的，并且凹向低透射率一側(cè)。在氮?dú)饬髁渴荗sccm的條件下形成的膜的光透射率曲線和在氮化充分進(jìn)行條件下形成的氮化鎳鉻膜的光透射率曲線沿波長軸基本上呈線對(duì)稱。更具體地，顯而易見地，在氮?dú)饬髁渴荗sccm的條件下獲得的膜的光透射率曲線和在氮?dú)饬髁渴?0SCCm的條件下獲得的氮化鎳鉻膜的光透射率曲線沿波長軸基本上呈線對(duì)稱。還顯而易見的是，在具有線對(duì)稱光透射率的兩個(gè)氮?dú)饬髁康闹虚g值30sCCm附近的氮化鎳鉻膜的光透射率曲線在300nm到500nm波長范圍內(nèi)基本上平行于波長軸。從圖7也可以證實(shí)光透射率的氮?dú)饬髁恳蕾囆?。更具體地，當(dāng)氬氣流量是35ccm時(shí)，在氬氣流量是35ccm的條件下形成的鎳鉻膜的光透射率曲線和在氮?dú)饬髁渴?0sCCm的條件下形成的氮化鎳鉻膜的光透射率曲線沿波長軸基本上呈線對(duì)稱。而且，還顯而易見的是，在具有線對(duì)稱光透射率的兩個(gè)氮?dú)饬髁康闹虚g值20sCCm的氮化鎳鉻膜的光透射率曲線在300nm到500nm波長范圍內(nèi)基本上平行于波長軸。如在圖16中所示，在氬氣流量是75sCCm的情況下，在中間值30sCCm附近的氮化鎳鉻膜的透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為0.54%,或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為0.66%。當(dāng)?shù)獨(dú)饬髁繌腛sccm靠近中間值，氮化鎳鉻膜的透射率均勻性下降。而且在包括中間值30SCCm的一區(qū)域內(nèi)，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下。而且，當(dāng)?shù)獨(dú)饬髁繌闹虚g值增加時(shí)，透射率均勻性增加。因此，在氬氣流量是75sCCm的條件下，在氮化鎳鉻膜的膜形成過程中，當(dāng)將作為目標(biāo)濃度的目標(biāo)流量設(shè)置為中間值時(shí)，透射率均勻性由于該氮?dú)饬髁窟M(jìn)一步得以穩(wěn)定。從圖17也可以證實(shí)透射率均勻性的氮?dú)饬髁恳蕾囆?。更具體地，在氬氣流量是35sccm的條件下，在中間值20sccm處，氮化鎳鉻膜的透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為0.49%，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為0.88%。當(dāng)?shù)獨(dú)饬髁繌腛sccm靠近中間值時(shí)，氮化鎳鉻膜的透射率均勻性下降。而且氮化鎳鉻膜的透射率均勻性，透射率均勻性在包括中間值20sCCm的一區(qū)域內(nèi)進(jìn)入基本上不依賴于波長的狀態(tài)，并且隨氮?dú)饬髁繌闹虚g值增加而增加。因此，當(dāng)氬氣流量是35sCCm時(shí)，在氧氮化鉻膜的膜形成過程中，通過使用中間值作為目標(biāo)流量，透射率均勻性由于該氮?dú)饬髁窟M(jìn)一步得以穩(wěn)定。在圖18中，將從氮?dú)饬髁亢蜌鍤饬髁揩@得的氣體種類的體積百分比分別稱為氮?dú)鉂舛群蜌鍤鉂舛?。將在上面描述的膜形成條件中，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下的點(diǎn)稱為選擇點(diǎn)。將透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)大于1.0%，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)大于4.0%的點(diǎn)稱為非選擇點(diǎn)。如在圖18中所示的，在氮?dú)鉂舛仁?0%到60%、而其余為氬氣的區(qū)域內(nèi)，也就是，在如圖18中所示沿著單破折線展開的氮?dú)鉂舛鹊倪x擇區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，可以看到大量的選擇點(diǎn)。這是因?yàn)樵谥虚g值基本上不具有波長依賴性，并且在中間值附近容易獲得這種特性。因此，當(dāng)用鎳鉻靶材實(shí)施反應(yīng)濺射時(shí)，通過從氮?dú)鉂舛仁?0%到60%的區(qū)域選擇氮?dú)鉂舛热菀撰@得基本不具有波長依賴性的氮化鉻膜是顯而易見的。[實(shí)例4碳氧化鉻膜]使用具有6mm厚度并由純鉻形成的靶材作為濺射靶材，使用具有5.Omm厚度的硅基片作為襯底，并且以與實(shí)例1相同的方式使用大往復(fù)式類型膜形成裝置。膜形成溫度、濺射氣體、反應(yīng)氣體、膜形成壓力以及靶材電功率為如下所示的條件以獲得由碳氧化鉻膜(碳氧化Cr膜)形成的實(shí)例4的半透光膜。在這個(gè)例子中，碳氧化鉻膜的厚度被調(diào)節(jié)為5nm到20nm，其是當(dāng)透射率基本上不依賴于波長的半透光膜中的透射率是30%到50%時(shí)的膜厚度，通過襯底穿過薄膜形成區(qū)域的傳送速度來控制該膜厚度，以保持遍布該襯底的膜的膜質(zhì)量。膜形成溫度150°C到200°C濺射氣體/濺射氣體流量氬氣/35sCCm到75Sccm反應(yīng)氣體/反應(yīng)氣體流量二氧化碳(CO2)/Osccm到30SCCm膜形成壓力2.7XICT1Pa至Ij6.OXICT1Pa靴材電功率約5.OKff(功率密度1.8ff/cm2)測(cè)量了在實(shí)例4中的每個(gè)碳氧化鉻膜的光透射率。而且將在365nm到436nm波長范圍內(nèi)的最大透射率與最小透射率之間的差值和在300nm到500nm波長范圍內(nèi)的最大透射率與最小透射率之間的差值分別計(jì)算作為透射率均勻性。圖8示出了在包括在上述條件中的75sCCm的氬氣流量條件下形成的碳氧化鉻膜的光透射率曲線。圖9示出了在包括在上述條件中的35sCCm的氬氣流量條件下形成的碳氧化鉻膜的光透射率曲線。而且，圖19和表10示出了在75sCCm的氬氣流量條件下形成的碳氧化鉻膜的透射率均勻性。圖20和表11示出了在35sCCm的氬氣流量條件下形成的碳氧化鉻膜的透射率均勻性。圖21和表12示出了氮?dú)鉂舛鹊倪x擇區(qū)域，在該氮?dú)鉂舛葏^(qū)域，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下。如在圖8中所示的，當(dāng)氬氣流量是75ccm時(shí)，在二氧化碳流量是Osccm的條件下形成的膜中，隨被測(cè)量波長從300nm增加到500nm，透射率從20%附近逐漸下降。當(dāng)二氧化碳流量從Osccm逐漸上升，在碳氧化鉻膜的透射率曲線中，透射率的下降趨勢(shì)變得逐漸緩和。在二氧化碳流量是28sCCm的條件下形成的碳氧化鉻膜中，透射率曲線從70%附近逐漸上升。在二氧化碳流量是Osccm的條件下形成的膜的光透射率曲線和在氧氮化充分進(jìn)行條件下形成的碳氧化鉻膜的光透射率曲線沿波長軸基本上呈線對(duì)稱。更具體地，顯而易見地，在二氧化碳流量是Osccm的條件下獲得的膜的光透射率曲線和在二氧化碳流量是28sccm的條件下獲得的氧氮化鉻膜的光透射率曲線相對(duì)于沿著約40%的透射率延伸的波長軸基本上呈線對(duì)稱。還顯而易見的是，在具有線對(duì)稱光透射率的兩個(gè)氮?dú)饬髁康闹虚g值Hsccm處的碳氧化鉻膜的光透射率曲線在300nm到500nm波長范圍內(nèi)基本上平行于波長軸ο從圖9也可以證實(shí)光透射率的二氧化碳流量依賴性。更具體地，當(dāng)氬氣流量是35ccm時(shí)，在二氧化碳流量是Osccm的條件下形成的鉻膜的光透射率曲線和在二氧化碳流量是28sCCm的條件下形成的碳氧化鉻膜的光透射率曲線相對(duì)沿著約40%透射率延伸的波長軸基本上呈線對(duì)稱是顯而易見的。而且，在具有線對(duì)稱光透射率的兩個(gè)二氧化碳流量的中間值Hsccm處，碳氧化鉻膜的光透射率曲線在300nm到500nm波長范圍內(nèi)基本上平行于波長軸也是顯而易見的。如在圖19中所示的，在氬氣流量是75ccm的情況下，在中間值Hsccm處的碳氧化鉻膜的透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為0.22%，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為1.03%。隨二氧化碳流量從Osccm靠近中間值，碳氧化鉻膜的透射率均勻性下降。而且在包括中間值Hsccm的一區(qū)域內(nèi)，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下。而且，隨二氧化碳流量從中間值增加，透射率均勻性增加。因此，在氬氣流量是75ccm的條件下，在碳氧化鉻膜的膜形成過程中，當(dāng)將作為目標(biāo)濃度的目標(biāo)流量設(shè)置為中間值時(shí)，透射率均勻性由于該二氧化碳流量進(jìn)一步得以穩(wěn)定。從圖20也可以證實(shí)透射率均勻性的二氧化碳流量依賴性。更具體地，在氬氣流量是35sCCm的條件下，在中間值Hsccm處，碳氧化鉻膜的透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為0.39%，或在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為1.09%。隨二氧化碳流量從Osccm靠近中間值，碳氧化鉻膜的透射率均勻性下降。而且碳氧化鉻膜的透射率均勻性在包括中間值Hsccm的一區(qū)域內(nèi)進(jìn)入基本不依賴于波長的狀態(tài)，而且，隨二氧化碳流量從中間值增力口，透射率均勻性增加。因此，當(dāng)氬氣流量是35sCCm時(shí)，在碳氧化鉻膜的膜形成過程中，通過使用中間值作為目標(biāo)流量，透射率均勻性由于該二氧化碳流量進(jìn)一步得以穩(wěn)定。在圖21中，將從二氧化碳流量和氬氣流量獲得的氣體種類的體積百分比分別稱為二氧化碳濃度和氬氣濃度。將在上面描述的膜形成條件中，透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0%或以下的點(diǎn)稱為選擇點(diǎn)。將透射率均勻性在365nm到436nm波長范圍內(nèi)大于1.0%或在300nm到500nm波長范圍內(nèi)大于4.0%的點(diǎn)稱為非選擇點(diǎn)。如在圖21中所示的，在二氧化碳濃度是10%到35%、而其余為氬氣的區(qū)域內(nèi)，也就是，在如圖21中所示沿著單破折線展開的二氧化碳濃度的選擇區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，可以看到大量的選擇點(diǎn)。這是因?yàn)樵谥虚g值處基本上不具有波長依賴性，并且在中間值附近容易獲得這種特性。因此，當(dāng)用純鉻靶材實(shí)施反應(yīng)濺射的碳氧化鉻膜的形成過程中，通過從二氧化碳濃度是10%到35%的區(qū)域選擇二氧化碳濃度容易獲得基本不具有波長依賴性的碳氧化鉻膜是顯而易見的。[實(shí)例5]通過使用在實(shí)例1中獲得的半透光膜(氧氮化鉻膜)來形成實(shí)例5的灰色調(diào)掩模。更具體地，使用鉻靶材作為靶材，使用75sCCm的氬氣作為濺射氣體，并且使用6sCCm的一氧化氮?dú)怏w作為反應(yīng)氣體以在鉻光掩模上形成氧氮化鉻膜的半透光膜。然后，在半透光膜上形成抗蝕劑圖案。批量蝕刻半透光膜和擋光膜(鉻膜)以形成開口部分。使用鉻蝕刻溶液(硝酸鈰銨+高氯酸體系)作為蝕刻溶液。隨后，移除抗蝕劑圖案以形成半透光部分。這就獲得了實(shí)例5的灰色調(diào)掩模。通過使用實(shí)例5的灰色調(diào)掩模，測(cè)量了半透光部分的透射率。結(jié)果，由于半透光部分從實(shí)例5的氧化鉻膜形成，觀察到了期望的透射率，并且觀察到了透射率的波長依賴性小的特性即膜基本上不依賴于波長的特性。[比較例]使用純鉻作為濺射靶材。而且，以與在實(shí)例1中的相同方式，使用大往復(fù)式類型膜形成裝置。在這個(gè)例子中，膜形成溫度、濺射氣體、反應(yīng)氣體、膜形成壓力以及靶材電功率為如下所示的條件，以獲得由氧氮化鉻膜形成的比較例的半透光膜。測(cè)量了比較例的碳氧化鉻膜的光透射率。在圖1和圖25中示出了比較例的光透射率曲線。在這個(gè)例子中，將碳氧化鉻膜的膜厚度調(diào)節(jié)為IOnm到40nm，其是當(dāng)透射率是30%到50%時(shí)的膜厚度，該膜厚度通過襯底穿過薄膜形成區(qū)域的傳送速度來控制，以保持遍布該襯底的膜的膜質(zhì)量。膜形成溫度150°C到20(TC濺射氣體/濺射氣體流量氬氣/20sCCm反應(yīng)氣體/反應(yīng)氣體流量二氧化碳(CO2)/20sccm+氮?dú)?35sccm膜形成壓力2.5XICT1Pa靶材電功率接近6.OKW(功率密度2.3ff/cm2)表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表3_______<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表^_<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表10<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表11<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表12<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>根據(jù)該實(shí)施方式的制造灰色調(diào)掩模的方法具有下述優(yōu)點(diǎn)。(1)在上述實(shí)施方式中，通過使用反應(yīng)濺射方法，其在氬氣和一氧化氮的氣氛中濺射純鉻靶材，形成具有單層結(jié)構(gòu)的氧氮化鉻膜作為半透光膜。這樣，基于在具有不同一氧化氮濃度的多種膜形成條件下獲得的多條不同光透射率曲線，獲得一氧化氮的目標(biāo)濃度(中間值)，在該目標(biāo)濃度，半透光膜的透射率均勻性在365nm到436nm范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm范圍內(nèi)為4.0%或以下。然后，通過使用一氧化氮目標(biāo)濃度形成了半透光膜。因此，在上述實(shí)施方式中，基于在不同一氧化氮濃度獲得的多條不同光透射率曲線，獲得了用于獲得基本上不依賴于波長的半透光膜的目標(biāo)濃度。結(jié)果，在上述實(shí)施方式中，僅通過調(diào)節(jié)一氧化氮濃度，就獲得了基本上不依賴于波長的單層結(jié)構(gòu)半透光膜。因此，該用于制造灰色調(diào)掩模的方法在穩(wěn)定和容易的膜形成條件下降低了對(duì)于灰色調(diào)掩模的曝光波長的波長依賴性。(2)在上述實(shí)施方式中，通過使用反應(yīng)濺射方法，其在氬氣和氮?dú)獾臍夥罩袨R射純鉻靶材，形成具有單層結(jié)構(gòu)的氮化鉻膜作為半透光膜。這樣，基于在具有不同氮?dú)鉂舛鹊亩喾N膜形成條件下獲得的多條不同光透射率曲線，獲得了氮?dú)獾哪繕?biāo)濃度(中間值)，在該目標(biāo)濃度下，半透光膜的透射率均勻性在365nm到436nm范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm范圍內(nèi)為4.0%或以下。然后，通過使用氮?dú)饽繕?biāo)濃度形成了半透光膜。而且，通過使用在氬氣和氮?dú)獾臍夥罩袨R射鎳鉻靶材的反應(yīng)濺射方法，形成具有單層結(jié)構(gòu)的氮化鎳鉻膜作為半透光膜。在這個(gè)實(shí)例中，基于在具有不同氮?dú)鉂舛鹊亩鄠€(gè)膜形成條件下獲得的多條不同光透射率曲線，獲得氮?dú)饽繕?biāo)濃度(中間值)，其使得半透光膜的透射率均勻性在365nm到436nm范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm范圍內(nèi)為4.0%或以下。然后，通過使用氮?dú)饽繕?biāo)濃度形成了半透光膜。因此，在這些實(shí)施方式中，僅通過調(diào)節(jié)氮?dú)鉂舛?，就獲得了基本不依賴于波長的單層結(jié)構(gòu)半透光膜。(3)在上述實(shí)施方式中，通過使用反應(yīng)濺射方法，其在氬氣和二氧化碳的氣氛中濺射純鉻靶材，形成具有單層結(jié)構(gòu)的碳氧化鉻膜作為半透光膜。這樣，基于在具有不同二氧化碳濃度的多個(gè)膜形成條件下獲得的多條不同光透射率曲線，獲得一氧化氮的目標(biāo)濃度(中間值)，在該目標(biāo)濃度下，半透光膜的透射率均勻性在365nm到436nm范圍內(nèi)為1.0%或以下，或者在300nm到500nm范圍內(nèi)為4.0%或以下。然后，通過使用該二氧化碳目標(biāo)濃度形成了半透光膜。因此，在上述實(shí)施方式中，基于在具有不同二氧化碳濃度的多種膜形成條件下獲得的多個(gè)不同光透射率曲線，獲得了用于獲得基本上不依賴于波長的半透光膜的目標(biāo)濃度。結(jié)果，在上述實(shí)施方式中，僅通過調(diào)節(jié)二氧化碳濃度，就獲得了基本不依賴于波長的單層結(jié)構(gòu)半透光膜。因此，用于制造灰色調(diào)掩模的方法在穩(wěn)定和容易的膜形成條件下降低了對(duì)于灰色調(diào)掩模的曝光波長的波長依賴性。上述實(shí)施方式可以作如下修改。在上述實(shí)施方式中，這些實(shí)例使用了一氧化氮、氮?dú)?、二氧化碳作為反?yīng)氣體。然而，上述實(shí)施方式不限于前面的描述，并且該方法可以使用至少一種從由氧氣、一氧化碳、二氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、氮?dú)夂图淄榻M成的組中選擇的氣體。在這樣的制造方法中，可以獲得如在上述實(shí)施方式中描述的相同效果。在上述實(shí)施方式中，一個(gè)實(shí)例使用了92原子百分比的鎳和8原子百分比的鉻的合金靶材作為鎳合金靶材。然而，上述實(shí)施方式不限于前面的描述，并且可以使用由鎳合金和包含金屬的元素形成的靶材，其中包含金屬的元素是至少一種選自由鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、銅、鐵、鋁、硅、鉻、鉬和鈀組成的組的元素，可使用總量為5原子百分比至40原子百分比的所述元素。即使在這樣的制造方法中，也可以獲得如在實(shí)例3中描述的相同優(yōu)點(diǎn)。在上述實(shí)施方式中，討論了在鉻光掩模上形成半透光膜作為用于制造灰色調(diào)掩模的方法的實(shí)例。然而，上述實(shí)施方式不限于前面的描述，并且作為制造灰色調(diào)掩模的方法，可以在透光襯底S上形成半透光膜，然后將擋光膜形成在半透光膜上以獲得在圖23中所示的灰色調(diào)掩模。而且，作為制造灰色調(diào)掩模的方法，可以在透光襯底S上形成半透光膜。然后，可以在半透光膜上形成蝕刻停止膜，并且在蝕刻停止膜上形成擋光膜。在這樣的制造方法中，可以獲得如在實(shí)例5中描述的相同優(yōu)點(diǎn)。在上述實(shí)施方式中，討論了半透光膜的透射率是30%到50%的實(shí)例。然而，上述實(shí)施方式不限于前面的描述，并且根據(jù)平板顯示器制造要求的各種條件，半透光膜的透射率可以從5%到80%的范圍選擇。權(quán)利要求一種制造包括半透光膜的灰色調(diào)掩模的方法，該方法包含步驟通過使用在反應(yīng)氣體和濺射氣體的氣氛中濺射由鉻或鎳合金形成的靶材的反應(yīng)濺射方法來形成具有單層結(jié)構(gòu)的半透光膜，其中所述反應(yīng)氣體包含至少一種選自由氧氣、一氧化碳、二氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、氮?dú)夂图淄榻M成的組的氣體，并且形成該半透光膜的步驟包括獲得在具有不同反應(yīng)氣體濃度的多種膜形成條件下多種薄膜的光透射率曲線；從所述多種薄膜的光透射率曲線獲得所述反應(yīng)氣體的目標(biāo)濃度，在所述目標(biāo)濃度，所述半透光膜的透射率的最大值和最小值之間的差值在365nm到436nm波長范圍內(nèi)為1.0％或以下，或者在300nm到500nm波長范圍內(nèi)為4.0％或以下；以及利用所述目標(biāo)濃度的反應(yīng)氣體形成所述半透光膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造灰色調(diào)掩模的方法，其中所述靶材是鉻靶材；所述反應(yīng)氣體是一氧化氮；所述目標(biāo)濃度是選自6體積％至16體積％的濃度；以及所述濺射氣體是氬氣。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造灰色調(diào)掩模的方法，其中所述靶材是鉻靶材；所述反應(yīng)氣體是二氧化碳；所述目標(biāo)濃度是選自10體積％至35體積％的濃度；以及所述濺射氣體是氬氣。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造灰色調(diào)掩模的方法，其中所述靶材是鉻靶材；所述反應(yīng)氣體是氮?dú)?；所述目?biāo)濃度是選自20體積％至55體積％的濃度；以及所述濺射氣體是氬氣。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造灰色調(diào)掩模的方法，其中所述靶材是由92原子百分比的鎳和8原子百分比的鉻形成的合金靶材；所述反應(yīng)氣體是氮?dú)?；所述目?biāo)濃度是選自10體積％至60體積％的濃度；以及所述濺射氣體是氬氣。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造灰色調(diào)掩模的方法，其中所述鎳合金是鎳和包含金屬的元素的合金；以及所述包含金屬的元素是至少一種選自由鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、銅、鐵、鋁、硅、鉻、鉬和鈀組成的組的元素，所述包含金屬的元素的總量為5到40原子百分比。7.根據(jù)權(quán)利要求1到6任意之一所述的制造灰色調(diào)掩模的方法，其中所述形成半透光膜的步驟包括在透光襯底上形成所述半透光膜，所述方法還包含步驟在所述半透光膜上形成擋光膜。8.根據(jù)權(quán)利要求1到6任意之一所述的制造灰色調(diào)掩模的方法，還包括步驟在透光襯底上形成擋光膜，其中所述形成半透光膜的步驟包括在所述擋光膜內(nèi)設(shè)置開口部分，所述透光襯底從所述開口部分暴露；以及在所述曝露的透光襯底上形成所述半透光膜。9.根據(jù)權(quán)利要求1到6任意之一所述的制造灰色調(diào)掩模的方法，其中所述形成半透光膜的步驟包括在透光襯底上形成所述半透光膜，所述方法包含步驟在所述半透光膜上形成蝕刻停止膜；以及在所述蝕刻停止膜上形成擋光膜。全文摘要一種用于制造灰色調(diào)掩模的方法，其在穩(wěn)定和簡(jiǎn)單的膜形成條件下減低了對(duì)于曝光波長的波長依賴性。使用在氬和一氧化氮?dú)怏w中濺射純鉻靶材的反應(yīng)濺射方法來形成具有單層結(jié)構(gòu)的氮化鉻膜?；谠诰哂胁煌谎趸獫舛鹊亩鄠€(gè)膜形成條件下獲得的多條不同光透射率曲線，獲得一氧化氮的目標(biāo)濃度(中間值)，其將半透光膜的透射率均勻性在365nm到436nm范圍內(nèi)設(shè)置為1.0％或以下，或者在300nm到500nm范圍內(nèi)設(shè)置為4.0％或以下。然后，通過使用一氧化氮目標(biāo)濃度形成了半透光膜。文檔編號(hào)G03F1/00GK101821676SQ200880111760公開日2010年9月1日申請(qǐng)日期2008年10月9日優(yōu)先權(quán)日2007年10月12日發(fā)明者佐佐木貴英,小林良一,尾崎俊治,山田文彥,影山景弘,林厚,石塚正彥,磯博幸申請(qǐng)人:愛發(fā)科成膜株式會(huì)社