專利名稱：使用可變形束的曝光方法以及使用所述方法的圖案形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體器件制造的曝光方法，更具體地涉及 一種使用能夠校正可變形束的臨界尺寸(CD)線性度的可變形束的曝 光方法，以及一種使用可變形束的圖案形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體設(shè)備變得更加集成化，圖案的線寬變得更精細(xì)。很難 使用光刻工藝在晶片上精確地形成具有精細(xì)線寬的圖案。已經(jīng)提出各 種曝光技術(shù)來使用光刻工藝在晶片上形成這種具有精細(xì)線寬的圖案。 作為這樣的曝光方法之一，可以使用利用電子束的電子束刻蝕 (Electronbeam lithography)。電子束刻蝕技術(shù)與其他曝光技術(shù)相比， 具有極好的分辨率和精確度。
根據(jù)束的形狀，電子束刻蝕的示例包括高斯束法、單元投影法、 和可變形束(VBS)法。在VSB方法的刻蝕技術(shù)中，孔徑開口設(shè)置為 彼此部分重疊，電子束可以通過開口的覆蓋部分，并且形成的電子束 照射到襯底上的光致抗蝕層上以在襯底上形成光致抗蝕圖案。由于 VSB方法的刻蝕技術(shù)可以將設(shè)計(jì)電路圖案劃分成可以用于執(zhí)行曝光 的、具有各種大小的多個(gè)矩形射束，因此重要的是，產(chǎn)生具有與劃分 后的電路圖案大小相同的電子束。
根據(jù)電子束曝光設(shè)備的控制精確度和工藝條件，產(chǎn)生的電子束的 CD測量可以指示在設(shè)計(jì)射束(beam shot)的CD和產(chǎn)生的射束的DC之
5間創(chuàng)建的CD差值。因此，很難精確地在襯底上形成期望的光致抗蝕圖 案。為了精確地形成期望的光致抗蝕圖案，可以校正設(shè)計(jì)射束的CD
和產(chǎn)生的射束的CD之間的CD差值。特別地，由于抗蝕劑分辨率的限 制，當(dāng)要形成的電路圖案的設(shè)計(jì)CD小于特定數(shù)值時(shí)，設(shè)計(jì)射束的CD 和產(chǎn)生的射束的CD之間的差值還可以增加。
圖l是示出了當(dāng)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的使用電子束曝光設(shè)備對具有各種 CD的電路圖案進(jìn)行曝光時(shí)關(guān)于CD變化的電路圖案的線性度的圖。這 里，將電路圖案的CD解釋為表示設(shè)計(jì)CD。參照圖l，當(dāng)電路圖案的設(shè) 計(jì)CD改變時(shí)，目標(biāo)平均(MTT)值也改變。當(dāng)設(shè)計(jì)CD大于特定值時(shí)， 例如，當(dāng)設(shè)計(jì)CD處在大于300nm的范圍(如A部分所示)內(nèi)時(shí)，在MTT 和設(shè)計(jì)CD之間存在線性關(guān)系。相反，當(dāng)設(shè)計(jì)CD在小于200nm的范圍 (例如，B部分)內(nèi)時(shí)，在MTT和設(shè)計(jì)CD之間存在非線性關(guān)系。此外， 當(dāng)電路圖案的設(shè)計(jì)CD變得更小，則MTT和設(shè)計(jì)CD之間的線性度更加 惡化。
電路圖案可以表示在襯底(諸如石英襯底)上形成的光致抗蝕劑 圖案、或在半導(dǎo)體晶片上形成的光致抗蝕劑圖案。設(shè)計(jì)CD可以表示要 在襯底上形成的光致抗蝕劑圖案的目標(biāo)CD或要在晶片上形成的光致 抗蝕劑圖案的目標(biāo)CD。產(chǎn)生的CD可以表示曝光工藝之后，在襯底或 晶片上實(shí)際形成的光致抗蝕劑圖案的測量CD。線性度可以表示設(shè)計(jì) CD和電路圖案的測量CD之間的差值根據(jù)設(shè)計(jì)CD變化的程度。當(dāng)如果 設(shè)計(jì)CD變化，而設(shè)計(jì)CD和產(chǎn)生的CD之間的CD差值是常量時(shí)，可以 認(rèn)為線性度是極好的。因此，為了在襯底上精確地形成設(shè)計(jì)的電路圖 案，在電子束曝光方法中，可以通過控制中電子束射束大小來校正CD 線性度。
圖2是示出了控制電子束的射束大小的方法來校正CD線性度的方 法的圖。參照圖2，在理想的情況下，如線21所示，照射在襯底或晶片 上的電子束的射束輸出(產(chǎn)生的射束的CD)與由電子束曝光設(shè)備產(chǎn)生 的電子束的射束輸入(設(shè)計(jì)射束的CD) —致。在這種情況下，即使電 路圖案的CD變化，設(shè)計(jì)射束的CD和產(chǎn)生的射束的CD之間的CD差值 不存在。因此，射束的CD不需要校正。在射束輸出以恒定速率增加的典型實(shí)施例中，如線段23所示，當(dāng) 射束輸入增加，可以控制電子束的射束增益來校正射束的CD。當(dāng)射束
輸出以恒定速率變化時(shí)，如線段25所示，當(dāng)射束輸入增加，可以控制 電子束的射束偏移來校正射束的CD?？梢允褂蒙涫菩Ｕ椒ɑ蛏?束增益校正的方法來校正MTT線性變化的范圍(圖1的A部分)內(nèi)的射 束的CD線性度。然而，當(dāng)使用射束增益校正方法或射束偏移校正方法 來校正在MTT非線性變化的范圍(圖1的B部分)內(nèi)射束的CD線性度 時(shí)，則如圖3所示產(chǎn)生誤差。這是由于射束增益校正方法和射束偏移校 正方法是線性校正方法。
因此，當(dāng)電路圖案的設(shè)計(jì)CD大于特定值時(shí)，可以使用射束增益校 正方法或射束偏移校正方法來線性地控制射束的CD以校正CD線性 度。相反，當(dāng)電路圖案的設(shè)計(jì)CD小于特定值時(shí)，可以非線性地校正射 束的CD。在典型實(shí)施例中，當(dāng)電路圖案的設(shè)計(jì)CD小于特定值時(shí)，關(guān) 于電路圖案的設(shè)計(jì)CD的射束的CD產(chǎn)生表格，并且CD的表格可以直接 應(yīng)用在校正CD線性度中。可選地，可以使用從表格獲得地規(guī)則控制非 線性的射束的CD以校正CD線性度。這里將更加詳細(xì)地描述根據(jù)典型 實(shí)施例的校正CD線性度的方法。

發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施例提供了一種使用能夠非線性地校正由電路圖案的CD 變化引起的可變形束的CD線性度的可變形束的曝光方法，以及一種使 用可變形束的圖案形成方法。
根據(jù)典型實(shí)施例，提供了一種可以使用可變形束的曝光方法，所 述方法包括判斷可以使電路圖案曝光的射束的設(shè)計(jì)尺寸是小于特定 值，還是大于特定值；如果根據(jù)判斷設(shè)計(jì)尺寸大于特定值，則線性地 校正射束的尺寸；以及如果根據(jù)判斷設(shè)計(jì)尺寸小于特定值，則非線性 校正射束的尺寸。如圖1所示，該特定值可以是預(yù)定數(shù)值或期望數(shù)值， 可以表示與MTT中的變化相比設(shè)計(jì)CD從線性關(guān)系過渡到非線性關(guān)系
的閾值。
設(shè)計(jì)尺寸小于特定值的示例實(shí)施可以包括沿第一方向(X軸方向)的設(shè)計(jì)尺寸和沿第二方向(Y軸方向)的設(shè)計(jì)尺寸中的至少一項(xiàng)小于 特定值的典型實(shí)施例。
沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸中的至少一項(xiàng)小
于特定值的典型實(shí)施例可以包括，沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y軸方向 的設(shè)計(jì)尺寸之一的目標(biāo)平均(MTT)值存在非線性變化部分的典型實(shí) 施例。
射束的尺寸的非線性校正可以包括基于沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸 和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，預(yù)先設(shè)置束的校正量；以及單獨(dú)控制沿X 方向和Y方向的射束的設(shè)計(jì)尺寸。
校正量的預(yù)先設(shè)置可以包括用表格列出沿X方向的每一設(shè)計(jì)尺寸 和沿Y方向的每一設(shè)計(jì)尺寸的校正量，或基于校正量，用表格列出沿X 軸方向的射束的校正尺寸和沿Y軸方向的校正尺寸。
單獨(dú)控制沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸可以包括，如果沿X軸 方向的設(shè)計(jì)尺寸小于沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，則向著(+ ) Y軸方向和 (一)Y軸方向之一校正沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸。
所述方法還可以包括，在單獨(dú)控制沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì) 尺寸之后，向著(+ ) Y軸方向和(一)Y軸方向的另一方向，移動(dòng)射 束的位置。
單獨(dú)控制沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸可以包括，如果沿Y軸 方向上的設(shè)計(jì)尺寸小于沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，則向著(+ )X軸方向 和(一)X軸方向之一校正沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸。
所述方法還可以包括，在單獨(dú)控制沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì) 尺寸之后，向著(+ ) X軸方向和(一)X軸方向的另一方向，移動(dòng)射 束的位置。
單獨(dú)控制沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸可以包括，如果沿第 一方向的設(shè)計(jì)臨界尺寸(CD)和沿第二方向的設(shè)計(jì)CD相同，則向著 (+ ) X軸方向或(一)X軸方向以及(+ ) Y軸方向或(一)Y軸方 向校正產(chǎn)生的射束的尺寸。
所述方法還可以包括，在單獨(dú)控制沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì) 尺寸之后，向著(+ ) X軸方向或(一)X軸方向以及(+ ) Y軸方向或(一)Y軸方向移動(dòng)校正后射束的位置。
根據(jù)典型實(shí)施例，提供了一種使用可變形束的曝光方法，所述方 法包括測量可以使電路圖案曝光的射束的沿X軸方向和沿垂直于X 軸方向的Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸；獲得射束的沿X軸方向和Y軸方向的測 量尺寸；基于射束的沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和射束的沿X軸 方向和Y軸方向的產(chǎn)生的尺寸，預(yù)先設(shè)置射束的校正量；基于校正量， 單獨(dú)控制沿X軸方向和Y軸方向的測量尺寸。
校正量的預(yù)先設(shè)置可以包括，用表格列出沿x軸方向的每一設(shè)計(jì)
尺寸和沿Y軸方向的每一設(shè)計(jì)尺寸的校正量，或基于校正量，用表格 列出射束的沿X軸方向的校正尺寸和沿Y軸方向的校正尺寸。
單獨(dú)控制測量的尺寸可以包括，如果沿X軸方向測量CD差值足夠 小，則基于沿Y軸方向的CD差值，校正沿垂直于X軸方向的Y軸方向 測量尺寸，以及如果沿Y軸方向測量CD差值足夠小，則基于沿X軸方 向的CD差值，校正沿垂直于Y軸方向的X軸方向測量尺寸。術(shù)語"足 夠小"表示測量CD差值是可以忽略的。
所述方法還可以包括，在單獨(dú)控制測量尺寸之后，向著X軸方向 和Y軸方向之一移動(dòng)射束的位置。
所述方法還可以包括，如果線性地對射束的沿X軸方向測量尺寸 進(jìn)行校正，則向(+ )X軸方向和(一)X軸方向之一移動(dòng)射束的位置， 以及如果線性地對射束的沿Y軸方向測量尺寸進(jìn)行校正，則向(+ ) Y 軸方向和(一)Y軸方向之一移動(dòng)射束的位置。
單獨(dú)控制測量尺寸可以包括，如果沿X軸方向測量CD差值和沿Y 軸方向測量CD差值可以相同，分別基于沿X軸方向測量CD差值和沿Y 軸方向測量CD差值，對沿X軸方向測量尺寸和沿Y軸方向測量尺寸進(jìn) 行校正。
所述方法還可以包括，在單獨(dú)控制測量尺寸之后包括，向X軸方 向和Y軸方向移動(dòng)射束的位置。
根據(jù)典型實(shí)施例，提供了一種使用可變形束的圖案形成方法，所 述方法包括測量可以使電路圖案曝光的沿X軸方向和垂直于X軸方向 的Y軸方向上的設(shè)計(jì)尺寸；獲得產(chǎn)生的射束的X軸方向和Y軸方向的測量尺寸；基于射束的沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，以及產(chǎn)生的射 束的沿X軸方向和Y軸方向的測量尺寸，預(yù)先設(shè)置射束的校正量；基于
射束的校正量，非線性地對沿X軸方向和Y軸方向中的至少一個(gè)方向測 量尺寸進(jìn)行校正；以及將校正后射束照射到襯底的光致抗蝕劑層。


通過參照附圖更詳細(xì)地描述典型實(shí)施例，典型實(shí)施例的上述和其 他特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。附圖意在描述典型實(shí)施例并不能解 釋成對權(quán)利要求的預(yù)期范圍的限制。除非明確指出，否則附圖不能視 作按比例示出。
圖1是示出了關(guān)于CD變化的電路圖案的線性度的常規(guī)圖，其中， 使用電子束曝光設(shè)備對具有各種CD的電路圖案進(jìn)行曝光。 圖2是對校正CD線性度的方法進(jìn)行解釋的常規(guī)圖。 圖3是示出了當(dāng)使用線性校正方法在非線性范圍內(nèi)校正射束時(shí)所
產(chǎn)生的誤差的常規(guī)圖。
圖4是示出了根據(jù)典型實(shí)施例的產(chǎn)生可變形束的可變形束發(fā)生器
的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖5是對根據(jù)典型實(shí)施例的使用圖4的可變形束發(fā)生器的電子束 曝光方法進(jìn)行解釋的流程圖。
圖6是對根據(jù)另一典型實(shí)施例的使用圖4的可變形束發(fā)生器的電 子束曝光方法進(jìn)行解釋的流程圖。
圖7是示出了根據(jù)典型實(shí)施例的要使用圖5和6的電子束曝光方法
進(jìn)行曝光的電路圖案的示例的視圖。
圖8A是示出了根據(jù)典型實(shí)施例的沿X軸方向具有恒定設(shè)計(jì)CD并 在沿Y軸方向改變設(shè)計(jì)CD的各種射束的視圖。
圖8B是示出了根據(jù)典型實(shí)施例的圖8A的射束的沿X軸方向的 MTT和沿Y軸方向的MTT的圖。
圖8C是示出了根據(jù)典型實(shí)施例的相對于圖8A的射束的設(shè)計(jì)CD對 垂直方向上的射束CD進(jìn)行校正之后，射束的沿X軸方向和Y軸方向的 MTT的圖。圖9是示出了根據(jù)典型實(shí)施例的校正產(chǎn)生的射束的CD的方法的視
圖，其中，設(shè)計(jì)射束的沿X軸方向的設(shè)計(jì)CD和Y軸方向上的設(shè)計(jì)CD彼
此不同。
具體實(shí)施例方式
這里公開了詳細(xì)的典型實(shí)施例。然而，這里所公開的特定結(jié)構(gòu)和 功能的細(xì)節(jié)僅表示描述典型實(shí)施例的目的。然而，典型實(shí)施例可以以 許多可選的形式體現(xiàn)，并不應(yīng)視作僅對這里提出的實(shí)施進(jìn)行限制。
因此，雖然典型實(shí)施例具備各種修改和可選形式，其實(shí)施例通過 附圖中的示例示出并將更詳細(xì)地進(jìn)行描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，并 不傾向于使典型實(shí)施例受限于所公開的特定形式，反之，典型實(shí)施例 意在覆蓋落于實(shí)施例實(shí)施例范圍內(nèi)的所有修改、等同物、和可選中。 相同的附圖標(biāo)記指貫穿附圖的相同元件。
應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管這里可以使用術(shù)語第一、第二等來描述各種 元件，但這些元件不應(yīng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)元 件和另一元件。例如，在不背離典型實(shí)施例的范圍的前提下，第一單 元不能稱作第二單元，類似地，第二單元不能稱作第一單元。如這里 所使用的術(shù)語"和/或"包括任一和所有一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的組
合o
應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)單元被稱作"連接"或"耦合"至另一單元時(shí)， 其可以直接連接或耦合至另一單元或可以存在插入元件。相反，當(dāng)元 件被稱作"直接連接"或"直接耦合"至另一元件時(shí)，不存在插入元 件。用于描述元件之間關(guān)系的其他單詞可以以類似的方式插入(例如， "在...之間"對"直接在...之間"、"相鄰"對"直接相鄰"等)。
這里所使用的術(shù)語僅出于描述特定示例的目的并非意在限制典 型實(shí)施例。除非上下文中明確指示其他情況，如這里所使用的單數(shù)形 式"一"和"該"意在還包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)這里使 用術(shù)語"包含"、"包括"時(shí)，表示陳述的特征、整體、步驟、操作、 元件和/或組件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、 操作、單元、組件和/或其組合的存在或添加。還應(yīng)當(dāng)注意的是，在一些可選實(shí)施例中，所示的功能/動(dòng)作可以在 圖中所示的次序之外發(fā)生。例如，事實(shí)上，以連續(xù)方式示出的兩幅圖 根據(jù)所設(shè)計(jì)的功能/動(dòng)作，可以基本上同時(shí)執(zhí)行，或有時(shí)可以以相反的
次序執(zhí)行。
圖4示出了根據(jù)典型實(shí)施例的可以產(chǎn)生可變形束的可變形束發(fā)生 器的結(jié)構(gòu)。可變形束發(fā)生器100可以包括電子束發(fā)生器110、具有第
一開口125的第一孔徑120、具有第二開口135的第二孔徑130。電子束 可以由電子束發(fā)生器110來產(chǎn)生。電子束可以通過第一孔徑120的第一 開口125并可以形成為四邊形電子束?？梢酝ㄟ^第一孔徑120的四邊形 電子束可以通過第二孔徑130的第二開口135，并且可以通過第一孔徑 120的第一開口125和第二孔徑130的第二開口135的重疊，形成為具有
預(yù)定尺寸的電子束。
可變電子束發(fā)生器100還可以包括使電子束偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)器140。偏 轉(zhuǎn)器140可以包括成形偏轉(zhuǎn)器141和位置偏轉(zhuǎn)器145。成形偏轉(zhuǎn)器141可 以使由第一孔徑120形成電子束偏轉(zhuǎn)，從而電子束可以通過第二孔徑 130的第二開口135。位置偏轉(zhuǎn)器145可以使通過第二孔徑130的電子束 偏轉(zhuǎn)，從而可以將電子束精確地照射到要被曝光的光致抗蝕劑層153 的一部分154上。
圖5是示出了根據(jù)典型實(shí)施例的使用圖4的可變形束曝光設(shè)備100 的電子束曝光方法的流程圖。如圖中所示，在方法操作S110中，確定 X軸或Y軸方向上的設(shè)計(jì)尺寸是否小于特定值。如圖1所示，該值可以 是預(yù)定值，表示設(shè)計(jì)CD與MTT的變化相比從線性關(guān)系變化到非線性關(guān) 系的閾值。
如果在操作S110中確定沿X軸方向或Y軸方向的設(shè)計(jì)值小于特定 值，則如操作S120所示，對于小于特定值的設(shè)計(jì)尺寸，對射束進(jìn)行非 線性校正。應(yīng)當(dāng)注意的是，沿X軸和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸均可以小于特 定值，在這樣的情況下，可以對兩個(gè)尺寸進(jìn)行非線性校正。
如果在操作S110中確定沿X軸或Y軸方向的設(shè)計(jì)值不小于特定 值，則如操作S130所示，可以對射束進(jìn)行線性校正。
如操作S140中所示，然后可以對校正尺寸的射束的位置進(jìn)行校正，以便校正產(chǎn)生的射束的位置的位移(以下將更詳細(xì)地描述)。
圖6是示出了根據(jù)另一典型實(shí)施例的使用圖4的可變形束曝光設(shè) 備100的電子束曝光方法的流程圖。圖7示出了使用圖5和6的電子束曝
光方法的要曝光的電路圖案。針對該示例的目的，假設(shè)要使用電子束
曝光方法進(jìn)行曝光的電路圖案155 (如圖6所示)是"F"形的字符， 從而電路圖案155被劃分成分別具有不同設(shè)計(jì)CD的多個(gè)圖案155a、 155b、和155c。在該示例中，三次照射射束，以便執(zhí)行總曝光。
可以將光致抗蝕劑層153的電路圖案155劃分成針對每一個(gè)電子 束的設(shè)計(jì)尺寸的多個(gè)圖案155a、 155b和155c。然后可以對相應(yīng)的圖案 155a、 155b和155c的設(shè)計(jì)射束的設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行測量(S210)。設(shè)計(jì)尺寸 表示被設(shè)計(jì)為使圖案155a、 155b和155c曝光的射束的CD，其中這些射 束的尺寸與圖案155a、 155b和155c的設(shè)計(jì)CD—致。隨后，可以獲得與 設(shè)計(jì)射束相對應(yīng)的產(chǎn)生的射束的測量尺寸(S220)。測量尺寸表示產(chǎn) 生的射束的測量CD，當(dāng)使用具有與圖案155a、 155b和155c的設(shè)計(jì)CD 相同的設(shè)計(jì)尺寸的射束對光刻層153進(jìn)行曝光時(shí)，產(chǎn)生的射束被照射到 光致抗蝕劑層153上。
第一圖案155a的設(shè)計(jì)射束沿第一方向(例如，X軸方向)可以具 有設(shè)計(jì)尺寸dlx，并且圖案155a沿第二方向(例如，Y軸方向)可以具 有設(shè)計(jì)尺寸dly。沿X軸方向上的設(shè)計(jì)尺寸dlx可以大于沿Y軸方向的設(shè) 計(jì)尺寸dly。第二圖案155b的設(shè)計(jì)射束沿X軸方向可以具有設(shè)計(jì)尺寸 d2x，并沿Y軸方向具有設(shè)計(jì)尺寸d2y。沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸d2x可以 相對小于沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸d2y。第三圖案155c的設(shè)計(jì)射束沿X軸 方向可以具有設(shè)計(jì)尺寸d3x，并沿Y軸方向具有設(shè)計(jì)尺寸d3y。沿X軸方 向的設(shè)計(jì)尺寸d3x可以與沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸d3y相同。
隨后，基于設(shè)計(jì)尺寸，可以對MTT非線性變化的范圍內(nèi)的設(shè)計(jì)射 束的測量尺寸進(jìn)行校正。如非線性地控制射束的尺寸的大小的方法， 基于沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，和產(chǎn)生的射束的 沿X軸方向的測量尺寸和沿Y軸方向上測量尺寸，可以產(chǎn)生相應(yīng)設(shè)計(jì)射 束的設(shè)計(jì)尺寸的表格(S230)。 g卩，如表1所示，可以產(chǎn)生針對射束的 X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸的校正后的射束的X軸方向的尺寸和Y軸方向的尺寸的表格。參照表l，當(dāng)設(shè)計(jì)射束的沿X軸方
向的設(shè)計(jì)尺寸為1000nm、 500nm、 30nm、 200nm和100nm并沿Y軸方 向的設(shè)計(jì)尺寸為1000nm、 500nm、 30nm、 200nm和100nm時(shí)，用表格 列出校正后射束的沿X軸方向和Y軸方向的校正量。
隨后，基于被列成表格的校正量，可以對要產(chǎn)生的校正后的射束 的尺寸進(jìn)行非線性校正(S240)。如表1所示，"10/10"表示，當(dāng)設(shè)計(jì) 射束的沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸為300nm并且設(shè)計(jì)射束的沿Y軸方向的 設(shè)計(jì)尺寸為300nm時(shí)，設(shè)計(jì)射束的設(shè)計(jì)尺寸應(yīng)當(dāng)沿X軸方向被校正 10nm并沿Y軸方向被校正10nm，從而校正后射束的沿X軸方向和沿Y 軸方向的校正后尺寸分別為310nm和310nm。因此，當(dāng)對沿X軸方向的 設(shè)計(jì)CD為300nm并沿Y軸方向的設(shè)計(jì)CD為300nm的圖案155c進(jìn)行曝 光，在晶片上實(shí)際曝光的產(chǎn)生的射束的沿X軸方向和沿Y軸方向的測量 CD分別為290nm和290nm。因此，為了對沿X軸方向和沿Y軸方向的設(shè) 計(jì)CD分別為300nm和300nm的第三圖案155c進(jìn)行曝光，應(yīng)當(dāng)使用沿X 軸方向和Y軸方向的CD分別為(300+10) nm和(300+10) nm的校正 后的射束。
表l的"20/10"表示，如果沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)CD分別 為300nm和200nm時(shí)，則設(shè)計(jì)射束的設(shè)計(jì)CD應(yīng)當(dāng)沿X軸方向被校正 20nm并沿Y軸方向被校正10nm，從而校正后射束的校正后CD在X軸方 向?yàn)?20nm并在Y軸方向?yàn)?10nm。因此，為了對沿X軸方向和沿Y軸 方向的設(shè)計(jì)CD分別為300nm和200nm的第一圖案155a進(jìn)行曝光，校正 后射束的沿X軸方向和Y軸方向的CD應(yīng)當(dāng)是320nm和210nm。當(dāng) "10/20"表示，當(dāng)沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)CD分別為200nm和 300nm時(shí)，則設(shè)計(jì)射束的設(shè)計(jì)CD應(yīng)當(dāng)在沿X軸方向被校正10nm并沿Y 軸方向被校正20nm,從而校正后射束的校正后CD沿X軸方向應(yīng)當(dāng)為 210nm并在Y軸方向應(yīng)當(dāng)為320nm。因此，為了對沿X軸方向和沿Y軸 方向設(shè)計(jì)CD分別為200nm和300nm的圖案155b進(jìn)行曝光，校正后射束 的沿X軸方向和Y軸方向的CD應(yīng)當(dāng)是21 Onm和320nm。
設(shè)計(jì)cd7 111)----l，OOO500300200100
設(shè)計(jì)cd (y-軸)
1,00010/1010/3010/5010/7010/100
1450030/1030/3030/503CV7030/100
30050/1050/3050/5050/7050/100
20070/1070/3070/5070/7070/100
100100/10100/30100/50100/70100/100
表圖8A是示出了在X軸方向具有恒定設(shè)計(jì)尺寸沿Y軸方向具有變化 設(shè)計(jì)尺寸的各種射束的視圖。圖8B示出了使用圖8A的射束的沿X軸方 向的MTT和沿Y軸方向的MTT。圖8C示出了相對于圖8A的射束的設(shè)計(jì) 尺寸對沿垂直方向的射束尺寸進(jìn)行校正之后的MTT。參照圖8A和8B， 當(dāng)設(shè)計(jì)射束的沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸為常值并且設(shè)計(jì)射束的沿Y軸方 向的設(shè)計(jì)尺寸變化時(shí)，沿Y軸方向的MTT變化較小，而沿X軸方向的 MTT變化象沿Y軸方向的設(shè)計(jì)CD變化一樣。
因此，當(dāng)設(shè)計(jì)射束的沿X方向和Y方向的設(shè)計(jì)尺寸彼此不同時(shí)， 根據(jù)X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，產(chǎn)生的射束的測量尺 寸可以極大地受到設(shè)計(jì)射束的沿垂直方向的設(shè)計(jì)尺寸的影響。例如， 當(dāng)設(shè)計(jì)射束的沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y方向的設(shè)計(jì)尺寸的沿X軸 方向的設(shè)計(jì)尺寸的MTT處在非線性范圍內(nèi)時(shí)，與產(chǎn)生的射束的沿X軸 方向的測量尺寸相比，產(chǎn)生的射束的沿Y軸方向的測量尺寸可以變化 的更多。當(dāng)沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y方向的設(shè)計(jì)尺寸的沿Y軸方向 的設(shè)計(jì)尺寸的MTT處在非線性范圍內(nèi)時(shí)，與產(chǎn)生的射束的沿Y軸方向 的測量尺寸相比，產(chǎn)生的射束的沿X軸方向的測量尺寸可以變化的更 多。
因此，相對于設(shè)計(jì)射束的沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸在要曝光的圖案 的設(shè)計(jì)尺寸的沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸的MTT是非線性的范圍內(nèi)，可以 對產(chǎn)生的射束的沿Y軸方向的測量尺寸進(jìn)行校正。相對于設(shè)計(jì)射束的 沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸在要曝光的圖案的設(shè)計(jì)尺寸的沿Y軸方向的設(shè) 計(jì)尺寸的MTT是非線性的范圍內(nèi)，可以對產(chǎn)生的射束的沿X軸方向的 測量尺寸進(jìn)行校正。參照圖8C，當(dāng)沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸與沿Y軸方 向的設(shè)計(jì)尺寸彼此不同，并且沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸的MTT為非線性 時(shí)，則通過對垂至于設(shè)計(jì)射束的沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸的沿X軸方向的 測量尺寸進(jìn)行校正，來極大地提高沿X軸方向的MTT。
圖9是示出了對設(shè)計(jì)射束曝光的線性度進(jìn)行校正的方法的視圖，例如，X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸彼此不同的第一圖案
155a。參照圖9，設(shè)計(jì)射束155aa可以被設(shè)計(jì)為對在X軸方向具有設(shè)計(jì) 尺寸dlxb和在Y軸方向具有設(shè)計(jì)尺寸dlyb的第一圖案155a進(jìn)行曝光。 在理想的情況下，當(dāng)通過設(shè)計(jì)射束155aa對第一圖案155a進(jìn)行曝光時(shí)， 可以將設(shè)計(jì)射束155aa照射到圖l的光致抗蝕劑層153上。然而，當(dāng)實(shí)際 測量照射到光致抗蝕劑層153上的光束時(shí)，可以獲得沿X軸方向具有設(shè) 計(jì)尺寸dlxb'和沿Y軸方向具有設(shè)計(jì)尺寸dlyb'的產(chǎn)生的射束155ab。
可以獲得沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和測量尺寸之間的CD差值2Ax， 以及可以從設(shè)計(jì)射束155aa和產(chǎn)生的射束155ab來獲得沿Y軸方向設(shè)計(jì) 尺寸和測量尺寸之間的CD差值2Ay。因此，由于測量尺寸dlxb'遠(yuǎn)小于 沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸dlxb，因此沿X軸方向的CD差值2Ax很重要。由 于測量尺寸dlyb'與沿Y方向的設(shè)計(jì)尺寸dlyb類似，因此沿Y軸方向的 CD差值2Ay可以忽略。這可以與如表1所示的X軸方向和Y軸方向的設(shè) 計(jì)尺寸分別為1000nm和100nm的情況相對應(yīng)。
基于所獲得的CD差值2Ax，可以通過控制產(chǎn)生的射束155ab的增 益或偏移來對產(chǎn)生的射束155ab的測量尺寸進(jìn)行線性校正。當(dāng)對沿(+ ) X軸方向的Ax和沿(一)X軸方向的Ax之和的CD差值2Ax進(jìn)行校正來 說明設(shè)計(jì)射束155aa的設(shè)計(jì)CDdlxb和產(chǎn)生的射束155ab的測量CDdlxb， 之間的差值時(shí)，可以獲得CD校正的射束155ac。起初校正后射束155ac 具有X軸方向的CDdlxb"和Y軸方向的dlyb"。因此，校正后射束155ac 可以沿X軸方向具有等于X軸方向的設(shè)計(jì)射束155aa的CD dlxb的CD dlxb"，并且校正后射束155ac可以沿Y軸方向具有等于Y軸方向的設(shè)計(jì) 射束155a的CD dlyb的CD dlyb"。
例如，雖然可以對產(chǎn)生的射束155ab進(jìn)行線性校正來產(chǎn)生校正后 射束155ac，但校正后射束155ac可以從產(chǎn)生的射束155ab的邊緣僅在 (+ ) X軸方向和(一)X軸方向之一上延伸。如圖1所示，參照第二 孔徑130的第二開口135的邊緣137，通過由第一孔徑120的第一開口125 和第二孔徑130的第二開口135的重疊創(chuàng)建的可變形電子束來引起該圖 像的位移。
因此，即使可以將產(chǎn)生的射束155ab照射到圖l的光致抗蝕劑層上作為線性校正后的射束155ac，可以不用將校正后的射束155ac照射到 要形成第一圖案153a的光致抗蝕劑層153上，而是將其照射到沿(+ ) X軸方向移動(dòng)Ax的位置上。即使可以將具有與設(shè)計(jì)射束155aa相同尺寸 的校正后的射束155ac照射到光刻層153上，但由于光致抗蝕劑層153 上的校正后射束155ac的唯一，可能不能精確地形成校正后射束155ac 的位置。
因此，校正后射束155ac可以在沿(一)X軸方向移動(dòng)Ax來產(chǎn)生位 置校正射束155ad。由于位置校正射束155ad可以在沿(_) X軸方向 移動(dòng)Ax并將其照射到光刻層153上，可以使電子束在形成第一圖案 155a的光致抗蝕劑層153的位置上曝光。如上所示，當(dāng)?shù)谝粓D案155a 沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸dlx大于沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸dly時(shí)，并且第一 圖案155a沿X軸方向具有可以認(rèn)為可忽略的CD差值時(shí)，可以對沿X軸 方向的測量尺寸進(jìn)行線性校正，然后沿(一)X軸方向的位置校正可 以移動(dòng)校正后射束155ac，從而校正后射束可以與相同的CD和設(shè)計(jì)射 束155aa的位置相對應(yīng)。
可以接著考慮沿X方向的設(shè)計(jì)尺寸與沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸不同 的第二圖案155b。沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸d2x可以小于沿Y軸方向的設(shè) 計(jì)尺寸d2y，沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸的MTT出在非線性范圍內(nèi)。處于示 例的目的，如表1所示，沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺 寸分別為100nm和1000nm。使用射束對第二圖案155b進(jìn)行曝光，沿Y 軸方向的設(shè)計(jì)尺寸d2y可以大于沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸d2x，并且因此， 沿X軸方向的設(shè)計(jì)射束的設(shè)計(jì)尺寸和產(chǎn)生的射束的測量尺寸之間的 CD差值可以足夠小，從而認(rèn)為沿X軸方向的CD差值可以忽略。同時(shí)， 沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和測量尺寸之間的CD差值可以很重要，從而CD 差值可以影響沿Y軸方向的設(shè)計(jì)射束的CD。
因此，當(dāng)校正第二圖案155b類似于圖9的校正方法時(shí)，可以獲得 沿Y軸方向的產(chǎn)生的射束的測量尺寸和設(shè)計(jì)尺寸之間的CD差值?；?沿Y軸方向所獲得的CD差值，可以將產(chǎn)生的射束的沿Y軸方向的測量 尺寸線性地校正成設(shè)計(jì)射束的沿Y軸方向的尺寸。隨后，可以沿(+ ) Y方向或(一)Y方向?qū)Τ叽缧Ｕ涫M(jìn)行位置校正。此外，可以考慮沿X軸方向的設(shè)計(jì)CD與沿Y軸方向的設(shè)計(jì)CD相同 的圖案的情況。例如，當(dāng)校正第三圖案155c時(shí)，如表1所示，沿X軸方 向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸分別為300nm和300nm。由于沿 X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸d3x和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸d3y相同，因此基于表
l中所示的校正量，可以對產(chǎn)生的射束的測量尺寸進(jìn)行非線性校正 (S240),并且使用圖8所示的方法，射束的位置可以沿(一)X軸方 向和(+ ) X軸方向之一的方向移動(dòng)Ax，并可以沿(一)Y軸方向和 (+ ) Y軸方向之一的方向移動(dòng)Ay (如圖5的操作S250所示)。
如上所述，使用如圖8A、 8B、 8C和9所示的校正方法，在MTT是 非線性的范圍內(nèi)，相對于設(shè)計(jì)射束的X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，可以對產(chǎn) 生的射束的Y軸方向的測量尺寸進(jìn)行校正，或者相對于設(shè)計(jì)射束的Y 軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，可以對產(chǎn)生的射束的X軸方向的測量尺寸進(jìn)行校 正。為了用表格列出校正后射束的數(shù)據(jù)，如表1所示，可以用表格列出 沿X軸方向和Y軸方向的射束的CD差值，或沿X軸方向和Y軸方向的校 正后射束的校正后CD。為了非線性地校正射束尺寸，可以直接使用表 l中所示的校正后射束的表列數(shù)據(jù)，或者可以從表l中所示的表列數(shù)據(jù) 中獲得預(yù)定規(guī)則，從而使用所獲原則來非線性地校正射束。
在使用上述方法對射束的線性度和位置進(jìn)行校正之后，可以通過 縮影透鏡(未示出)，將針對相應(yīng)的圖案155a、 155b和155c而校正的校 正后射束照射到鍍到圖4的襯底151上的光致抗蝕劑層153上。可以通過 顯影工藝將由電子束曝光的光致抗蝕劑層153的一部分154移除以形成 光致抗蝕劑圖案。可以使用光致抗蝕劑圖案來刻蝕由Cr形成的阻光層 152以形成阻光圖案?？梢砸瞥庵驴刮g劑圖案以便制造掩模150。
在根據(jù)典型實(shí)施例的使用可變形束的曝光方法中，當(dāng)電路圖案的 設(shè)計(jì)尺寸小于特定值時(shí)，可以產(chǎn)生針對電路圖案的設(shè)計(jì)CD的射束尺寸 的表格，并且可以將該表格直接應(yīng)用于校正射束尺寸?？蛇x地，可以 基于從表格所獲得的原則來非線性地校正針對電路圖案的設(shè)計(jì)CD的 射束尺寸。因此，可以針對電路圖案的每一設(shè)計(jì)CD線性或非線性地校 正電子束的射束尺寸。
此外，在校正電子束的射束尺寸之后，根據(jù)典型實(shí)施例的曝光方法可以校正被電子束照射的位置，因此，精確地將電子束照射到光致 抗蝕劑層的期望位置。此外，當(dāng)電路圖案中X軸方向的設(shè)計(jì)CD與Y軸 方向的設(shè)計(jì)CD不同時(shí)，可以沿X軸方向或Y軸方向(或這二者)對電
子束的射束尺寸進(jìn)行校正。
已經(jīng)對典型實(shí)施例進(jìn)行了描述，顯而易見的是，可以采用許多方 法來改變相同的方法。這樣的改變不能視作背離典型實(shí)施例的預(yù)期精 神和范圍，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，所有這樣的修改將是顯而易見 的，并意在包含在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種使用可變形束的曝光方法，所述方法包括確定射束的設(shè)計(jì)尺寸是小于特定值還是大于特定值，所述射束用于對電路圖案進(jìn)行曝光；如果設(shè)計(jì)尺寸大于特定值，則對射束的尺寸進(jìn)行線性校正；以及如果設(shè)計(jì)尺寸小于特定值，則對射束的尺寸進(jìn)行非線性校正。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中，設(shè)計(jì)尺寸小于特定值包括:射束 沿第一方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿第二方向的設(shè)計(jì)尺寸中的至少一項(xiàng)小于特 定值，所述第一方向是X軸方向，以及所述第二方向是Y軸方向。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，小于特定值的沿X軸方向的設(shè) 計(jì)尺寸和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸中的至少一項(xiàng)具有非線性變化范圍內(nèi) 的目標(biāo)平均(MTT)值。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，所述非線性校正包括 確定射束的沿X軸方向和Y軸方向的至少一個(gè)方向的校正量，所述校正量基于所述設(shè)計(jì)尺寸，在產(chǎn)生射束之前確定校正量；以及基于所述校正量，控制沿X軸方向和Y軸方向的至少一個(gè)方向的 射束的設(shè)計(jì)尺寸。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，確定校正量包括用表格列出 沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸的校正量。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，控制沿X軸方向和Y軸方向的 設(shè)計(jì)尺寸包括如果沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸小于沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，向著 (+ ) Y軸方向和(一)Y軸方向之一校正沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6的方法，還包括向著(+ ) Y軸方.向和(一)Y軸方向的另一方向移動(dòng)射束的位置。
8、 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，控制沿X軸方向和Y軸方向的 設(shè)計(jì)尺寸包括如果沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸小于沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，向著(+ ) X軸方向和(一)X軸方向之一校正沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，還包括向著(+ ) X軸方向和(一)X軸方向的另一方向移動(dòng)射束的位置。
10、 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，控制沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸包括如果沿第一方向的設(shè)計(jì)臨界尺寸(CD)和沿第二方向的設(shè)計(jì)CD 相同，則向著(+ ) X軸方向或(一)X軸方向以及(+ ) Y軸方向或 (_)Y軸方向校正所產(chǎn)生的射束的測量尺寸。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10的方法，還包括向著(+ ) X軸方向或(一)X軸方向以及(+ ) Y軸或(_) Y軸方向移動(dòng)校正后射束的位置。
12、 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，確定校正量包括，用表格列 出沿X軸方向的校正后設(shè)計(jì)尺寸和沿Y軸方向的校正后設(shè)計(jì)尺寸。
13、 一種使用可變形束的曝光方法，所述方法包括 測量射束的沿X軸方向和Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸，所述射束用于對電路圖案進(jìn)行曝光；獲得所產(chǎn)生的射束的沿X軸方向和Y軸方向的測量尺寸； 確定射束的沿X軸方向和Y軸方向的至少一個(gè)方向的校正量，所述校正量是基于所產(chǎn)生的射束的測量設(shè)計(jì)尺寸；以及基于所述校正量，控制沿X軸方向和Y軸方向的至少之一的測量尺寸。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中，確定校正量包括用表格列 出沿X軸方向的設(shè)計(jì)尺寸和沿Y軸方向的設(shè)計(jì)尺寸的校正量。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，控制測量尺寸包括 如果沿X軸方向的測量CD差值足夠小，則基于沿Y軸方向的CD差值來校正沿Y軸方向的測量尺寸，所述X軸方向大約垂直于所述Y軸方 向，沿X軸的測量CD差值是射束的沿X軸的測量設(shè)計(jì)尺寸和所產(chǎn)生的 射束的沿X軸的測量尺寸之間的差值；以及如果沿Y軸方向的測量CD差值足夠小，則基于沿X軸方向的CD差值來校正沿X軸方向的測量尺寸，沿Y軸的測量CD差值是射束的沿Y軸的測量設(shè)計(jì)尺寸和所產(chǎn)生的射束的沿Y軸的測量尺寸之間的差值。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15的方法，還包括向著X軸方向和Y軸方向中的一個(gè)方向移動(dòng)射束的位置。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16的方法，還包括如果線性地校正射束沿x軸方向的測量尺寸，則向著(+ )x軸方向和(_) X軸方向之一移動(dòng)射束的位置；以及如果線性地校正射束沿Y軸方向上的測量尺寸，則向著(+ ) Y 軸方向和(一)Y軸方向之一移動(dòng)射束的位置。
18、 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，控制測量尺寸包括如果沿X軸方向的測量CD差值與沿Y軸方向的測量CD差值相同， 則基于沿X軸方向的測量CD差值和沿Y軸方向的測量CD差值，分別對 沿X軸方向的測量尺寸和沿Y軸方向的測量尺寸進(jìn)行校正，所述沿X軸 的測量CD是射束的沿X軸的測量設(shè)計(jì)尺寸和所產(chǎn)生的射束的沿X軸的 測量尺寸之間的差值，所述沿Y軸的測量CD是射束的沿Y軸的測量設(shè) 計(jì)尺寸和所產(chǎn)生的射束的沿Y軸的測量尺寸之間的差值。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，還包括 向著X軸方向和Y軸方向移動(dòng)所述射束的位置。
20、 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，還包括將校正后的射束照射到襯底的光致抗蝕劑層上，其中，所述測量 尺寸的控制是非線性校正。
21、 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中，確定校正量包括，用表格列 出射束沿X軸方向的校正尺寸和沿Y軸方向的校正尺寸。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種使用可變形束的曝光方法，可以在校正電路圖案的設(shè)計(jì)CD的CD線性度期間，最小化臨界尺寸(CD)分布和目標(biāo)平均(MTT)差值，還提供了一種使用該曝光方法的圖案形成方法。在曝光方法中，確定用于使電路圖案曝光的射束的設(shè)計(jì)尺寸是小于特定值還是大于特定值。如果設(shè)計(jì)尺寸大于該值，則線性地校正射束的尺寸。當(dāng)設(shè)計(jì)尺寸小于該值時(shí)，非線性地校正射束的尺寸。
文檔編號G03F7/20GK101482703SQ20081019034
公開日2009年7月15日 申請日期2008年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月31日
發(fā)明者李昊駿 申請人:三星電子株式會社