專利名稱：使用錐形波導的集成垂直波長(去)復用器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及集成光子技術領域，更具體地說，涉及III-V復合半導體材料 的光子集成電路。
背景技術：
受帶寬需求量大的各種應用的驅(qū)動，光寬帶接入網(wǎng)絡已經(jīng)在過去幾年得到 了飛速的發(fā)展，成為在同一光纖上向用戶終端傳輸數(shù)據(jù)、視頻和語音的新的三 重播放(tripleplay)電信業(yè)務的核心。光纖向接入網(wǎng)的深入滲透伴隨著沿光纖 鏈路驅(qū)動數(shù)據(jù)流量所需的光學器件的大量部署。具體而言，需要在每個光路末 端或/和網(wǎng)絡用戶接口處設置用于接收下行數(shù)據(jù)流和發(fā)送上行數(shù)據(jù)信號的光收 發(fā)器。因此，制造這些器件時的成本效率和容量比例縮放性正逐漸成為大規(guī)模 生產(chǎn)的主要要求。
因此，將不同的功能單片集成在一個光子芯片(photonic chip)內(nèi)的光子 集成電路(PIC)，因其能夠使用高容量半導體晶圓生產(chǎn)技術實現(xiàn)復雜光學電路 的生產(chǎn)，成為了備受關注的技術和器件解決方案。這一技術提供了動態(tài)減小器 件占用面積(footprint)的能力，避免了多次封裝的問題，消除了多次光學對 準，并最終在消費光子產(chǎn)品的量產(chǎn)時達到了前所未有的成本效率和容量可縮放 性。
實際應用中，當有源波導器件(active waveguide device)例如激光或光電 檢測器與無源波導器件(passive waveguide device)以及波導電路的元件相結 合，在芯片上通過最小的、優(yōu)選僅僅一個光輸入和/或輸出端口形成高度功能集成的光子系統(tǒng)時，pic技術的優(yōu)勢變得特別令人矚目。由于通過電學裝置發(fā)
出、檢測或有意地改變(例如，調(diào)制)光信號的有源器件通常都是由人造半導 體制成的，該人造半導體具有帶隙結構以適應其特定應用的功能和波長范圍，
該半導體是PIC的基底材料的自然選擇。例如，磷化銦(InP)和相關的III-V 半導體是用于光纖通信的pic所用的通用材料系統(tǒng)，因為它們唯一允許在感興 趣的頻譜范圍(例如1310nm和1490nm (或1555nm)頻帶)內(nèi)工作的有源和 無源器件被結合在同一 InP基底上。
由于由外延生長的半導體異質(zhì)結構制成的PIC內(nèi)的任何波導器件的功能 是通過其頻帶結構預先確定的，更具體地說，是通過特征在于在所有波導層中 具有最窄帶隙的波導核心層的帶隙波長(以下稱為波導帶隙波長)預先確定的， 功能不同的器件是由不同但相容的半導體材料制成的。這是一個基本要求，對 PIC和設計和生產(chǎn)兩者都具有深遠的影響。具有不同波導核心區(qū)的多個波導器 件的單片集成本質(zhì)上可通過以下三種方法之一來實現(xiàn)
□直接對接耦合(direct butt-coupling);利用執(zhí)行多步外延生長的能力， 包括選定區(qū)域的蝕刻和再生長，以提供期望的半導體材料，其使用穿 過PIC芯片的公共垂直平面來進行水平方向上的空間區(qū)分； □改進的對接耦合(modified butt-couping);利用單次外延生長周期內(nèi) 半導體材料生長的選定區(qū)域后生長(post-growth)更改來形成所需半 導體材料區(qū)，也在穿過pic芯片的垂直導向公共平面上進行空間區(qū)分; 以及
□漸逝場耦合(evanescent-field coupling);在單個外延生長步驟內(nèi)生長 的垂直分隔開但光耦合的波導，被用來提供期望的半導體材料，其現(xiàn) 在以PIC芯片的公共垂直堆疊來區(qū)分。 盡管這三種主要的集成技術每一種都具有自己的優(yōu)點和缺點，只有最后一 種，以下稱為垂直集成，能夠使得在每一波導器件被單獨優(yōu)化的同時僅僅使用 一個外延生長步驟和標準的半導體生產(chǎn)工藝例如干和濕蝕刻來生產(chǎn)出整個 PIC。因此，基于商業(yè)可用的半導體工藝，將設計靈活性和成本有效的生產(chǎn)方 法的適用性相結合，使得垂直集成方法成為用于瞄準逐漸形成的消費光子市場的各種應用的唯一多功能PIC平臺。
光通信領域內(nèi)的這種市場的一個例子是寬帶光接入市場，其中所需的用于 接收、處理和發(fā)送不同波長的光信號的雙向光收發(fā)器的比例是光器件工業(yè)中所
不常見的，而是接近電子消費產(chǎn)品。因此，用于寬帶光接入的基于PIC的光收
發(fā)器為垂直集成平臺提供了一種誘人且自然的應用。
使用這種半導體平臺的PIC設計者所面對的一個主要挑戰(zhàn)是在功能不同
且垂直方向上分開的光波導之間提供有效的光信號轉換，從而提供對性能要求 的遵從性和對高容量生產(chǎn)工藝的偏差的強解決方案。在同一光子電路內(nèi)的不同 組合中檢測、處理和發(fā)出不同波長范圍內(nèi)的光信號的這種光纖傳輸系統(tǒng)應用 中，功能和結構不同的光波導之間的這些垂直轉換應該還具有不同程度的波長
特異性，且該波長特異性是PIC設計空間內(nèi)的另一變量。特別是，在垂直集成 技術領域內(nèi)存在提供波長配置(以下稱為垂直波長(去)復用器(VWM))的 需求，以實現(xiàn)垂直方向上合并和分離不同波長范圍內(nèi)的光信號，從而在使用中， 每個特定波長范圍內(nèi)的信號從指定波長(通用)的輸入波導轉到到通用(這一 指定波長)的輸出波導，而不會明顯地與其他指定波長的波導相互影響。
盡管對PIC技術內(nèi)的這種VWM有核心要求，在現(xiàn)有技術中還沒有出現(xiàn) 對VWM的已知一般解決方案。現(xiàn)有技術中出現(xiàn)的最接近的相關設計與波長選 擇性定向耦合器相關，并是基于諧振柵格輔助耦合的(例如R.C. Alfemess， et al., "Grating-assisted InGaAsp InP vertical co-directional coupler filter", i5/ )^. 丄e".， Vol. 55， P. 2011, 1989)或諧振漸逝場耦合的。諧振漸逝場耦合被進一步細 分為使用平面波導的解決方案(例如，V. Magnin， et al， "Design and Optimization of a丄3/1.55-(im Wavelength Selective p-i-n Photodiode Based on Multimode Diluted Waveguide",艦￡戶/zo組歸wo/.丄e".， Vol. 17， No. 2, pp. 459-461， 2005)、直脊形波導(straight ridge waveguides)(例如，C. Wu， et al., "A Vertically Coupled InGaAsP/InP Directional Coupler Filter of Ultra-narrow Bandwidth", /五五五尸/zoto". 7k^"o/ogy丄幼.，Vol. 3, No. 6， pp. 519-521， 1991)和錐形脊形波導 (tapered ridge waveguides)(例如，C.-W. Lee et al.， "Asymmetric Waveguides Vertical Couplers for Polarization-Independent Coupling and Polarizarion-ModeSplitting", / Z妙麵ve Tec/wo/" Vol. 23, No. 4， pp. 1818-1826， 2005)。
對諧振柵格輔助設計的分析顯示，這些僅適合于窄波長通帶應用并要求柵 格是形成在用于分隔垂直結合的波導的層內(nèi)的。這使得一步外延生長的使用行
不通，該一步外延生長是垂直集成平臺的一個重要優(yōu)點，其實現(xiàn)了在m-v半 導體材料上制造器件的高產(chǎn)量和低成本方法。
在諧振漸逝場耦合設計中，垂直集成的波導之間的傳遞沿傳播軸以預訂的 距離發(fā)生，這一位置針對光信號的波長是特定的。這大大限制了設計者設計電 路的自由度，也限制了諧振漸逝場耦合設計僅能用于窄通帶應用。
此外，任一窄波長通帶設計要求嚴密的制造公差，因為即使外延結構或/ 和器件布置的很小偏差也會導致中心波長偏移出特定通帶并導致該器件對于 預期的應用是無用的。這將明顯地降低了生產(chǎn)產(chǎn)量，并因此增加了符合性能的
pic器件的生產(chǎn)成本。
因此，通過為m-v半導體pic技術內(nèi)的垂直集成方法提供增加的設計、 制造和使用靈活度來提供一種消除現(xiàn)有技術中的約束的解決方案將是具有優(yōu) 勢的。如果該方案兼容標準的半導體材料，采用僅使用一個外延生長步驟的外 延半導體結構生長方法，并支持多個垂直集成的波導器件(其中的每個波導器 件工作在與具體應用相對應的波長通帶內(nèi)的不同工作波長范圍內(nèi))，則將更進 一步具有優(yōu)勢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是用于多個波長范圍內(nèi)的光信號的可控低損耗轉換的非諧
振型絕熱VWM，該光信號在相同的公共波導內(nèi)同向(co-directionally)或雙 向傳播到多個垂直間隔開的波長指定的波導內(nèi)，其中每個波導對應于特定的波 長范圍，從而該公共和指定的波導都單片集成到同一半導體基底上。
拫據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導體基底，以一個生長步驟在該基底上生長的 外延半導體結構，帶隙波長正好低于任何工作波長的公共波導，以及具有不同 帶隙波長的多個波長指定的波導，所有的波導形成在所述外延結構內(nèi)并按帶隙 波長增加的順序垂直集成，通過半導體蝕刻工藝側向定義并沿公共傳播方向?qū)?，其中，在公共波導?nèi)傳播的多個預定波長范圍內(nèi)的光信號可通過將該光信 號向上轉移而從這一波導轉換入多個指定波導內(nèi)，以及通過將該光信號向下轉 移而從多個指定波導轉換入這一波導。
導向的光信號從公共波導到每個指定波導的絕熱垂直轉換，取決于光信號
的波長、外延結構和波導布置(waveguide layout),從而在使用時，轉換以由 電路設計者定義的一定距離發(fā)生，指定波導的帶隙波長越長，這一波長內(nèi)的導 向光在被絕熱轉移到合適的指定波導之前在公共波導內(nèi)傳播得越遠。這一波導 和公共波導之間的每個指定波導的工作波長內(nèi)的光轉換的設計控制，通過多級 側向逐漸變小來實現(xiàn)以適配沿傳播方向預定距離的兩個波導之間的波阻。
這一方法有利地實現(xiàn)了在公共波導內(nèi)同向或雙向傳播的光信號在這一波 導和多個垂直集成的指定波導之間的垂直分離/合并，從而使得工作在不同波 長內(nèi)的波導器件能夠單片集成在同一基底上，且該公共波導連接至光電路的輸 入/輸出光端口或/和其他部分。
所述類型中最簡單的集成光子配置是二-波長VWM，其中兩個指定波導
形成工作在兩個不同波長;u和義2內(nèi)的波導器件，；u>;i2，垂直集成到同一基底 上，該基底位于連接至共用光輸入或輸出端口的公共波導之上，從而使得具有 較短工作波長的指定波導(以下稱為第一指定波導)位置更靠近光電路的該共 用輸入或輸出端口，并比具有較長工作波長的指定波導(以下稱為第二指定波 導)處于外延結構的更低級。
二-波長VWM內(nèi)以及用于此的任何其他VWM內(nèi)的公共波導，實質(zhì)上是 無源波導，因為其帶隙波長正好低于在VWM內(nèi)傳播的光信號的任何工作波
長。由于其關系到指定器件，這些指定器件既可以是無源波導(指定波長明顯 短于帶隙波長)，也可以是有源波導(指定波長接近或高于帶隙波長)，或者是
無源和指定波導的任意組合。通常，無源波導用于將PIC的輸入/輸出光端口 連接至PIC的其他部分，但是它也可以是另一集成光子電路配置的一部分，例
如可以是定向耦合器或任何類型的平面(去)復用器，其在工作時不需要光-
電或電-光轉換。通常，具有PIN結構的有源波導相反地用于提供光-電或電-
光轉換，例如光信號的生成(激光器)或檢測(光電檢測器)。在以下描述的二-波長VWM的典型實施例中，兩指定波導均是有源波導，但本領域的普通技術人員很容易得知如何將相同的設計和工作原理擴展到無源波導或有源和無源波導的組合。
在二-波長VWM的第一典型實施例中，第一指定波導器件是激光器，第二指定波導器件是光電檢測器，因此能夠?qū)崿F(xiàn)單片集成的雙向收發(fā)器，其中輸入的光信號在較長波長內(nèi)接收，而輸出的光信號在較短的波長內(nèi)生成。在^二1310nm且義2二1490nm (或可替換選擇的1555nm)的特定情況下，這一實施例涉及用于光纖入戶(FTTH)無源光網(wǎng)絡內(nèi)的光網(wǎng)絡單元(ONU)應用的單光纖雙向光收發(fā)器。
在二-波長VWM的第二典型實施例中，第一指定波導器件是該檢測器，而第二指定波導器件是該激光器，因而能夠?qū)崿F(xiàn)單片集成的逆雙向收發(fā)器，其中輸入的光信號在較短的波長內(nèi)檢測到，而輸出的光信號在較長的波長內(nèi)生成。在^二1490nm (或可選擇替換的1555nm)且^ = 1310nm的特定情況下，這一實施例涉及用于FTTH無源光網(wǎng)絡內(nèi)的光路終端(OLT)應用的單光纖雙向光收發(fā)器。
在二-波長VWM的第三典型實施例中，第一和第二指定波導器件兩者都是激光器，從而實現(xiàn)單片集成的雙色發(fā)射器，其中輸出的光信號在兩個不同的波長范圍內(nèi)單獨地生成。
在二-波長VWM的第四典型實施例中，第一和第二指定波導兩者都是光
電檢測器，從而實現(xiàn)單片集成的雙色接收器，其中輸入的光信號在兩個不同波長范圍內(nèi)單獨地檢測到。
對本領域的普通技術人員顯而易見的是，具有多波長的發(fā)射器和接收器的其他組合也是可能的，具有無源或有源波導之間或其組合的多個等級的進一步集成.


下面將結合附圖對本發(fā)明的典型實施例進行描述，附圖中
圖1是提供具有一個公共波導和兩個指定波導的二-波長集成VWM的本發(fā)明二個實施例的三維立體示意圖2a是二-波長接收器實施例中的光信號流的示意圖；圖2b是二-波長發(fā)射器實施例中的光信號流的示意圖；圖2c是具有較短波長的發(fā)射器和較長波長的接收器的雙向收發(fā)器內(nèi)的光
信號流的示意圖2d是具有較短波長的收發(fā)器和較長波長的發(fā)射器的雙向收發(fā)器內(nèi)的光信號流的示意圖2e是用于圖1的雙工器(diplexer)的一個實施例的典型外延結構的示意圖3a定義了圖1所示的實施例的三個截面的位置，該截面垂直于傳播方
向；
圖3b呈現(xiàn)了圖1所示實施例的第一截面內(nèi)第一波長A, = 1310nm內(nèi)的導向光學模式(opticalmode)的二維輪廓；該截面內(nèi)，第二波長義2= 1555nm內(nèi)的導向光學模式的二維輪廓近似于第一波長々二1310nm內(nèi)的；
圖3c呈現(xiàn)了圖1所示實施例的第二截面內(nèi)看到的第一波長;U二1310nm內(nèi)
的導向光學模式的二維輪廓；
圖3d呈現(xiàn)了圖1所示實施例的第二截面內(nèi)看到的第二波長A2二1555nm內(nèi)
的導向光學模式的二維輪廓；
圖3e呈現(xiàn)了圖l所示實施例的第三截面內(nèi)看到的第二波長義2二1555nm內(nèi)的導向光學模式的二維輪廓；
圖4呈現(xiàn)了第一和第二波長^二1310nm和A2=1555nm內(nèi)的傳播模式的有效指數(shù)(effective index),以圖2所示的本發(fā)明的實施例內(nèi)的第一指定波導的錐形寬度的函數(shù)繪制出；
圖5是本發(fā)明提供具有改進的濾波特性的二-波長集成VWM的另一典型實施例的三維立體示意圖。
具體實施例方式
圖1示出了本發(fā)明提供二-波長VWM 150的第一實施例的三維立體示意圖，特征在于一個公共波導110和兩個指定波導120和130，集成在同一半導體基底100上。
這三個波導110到130中的每個波導具有通過帶隙波長AG定義的導向?qū)樱搸恫ㄩL;i(3長于周圍覆層內(nèi)的波長。公共波導no的導向?qū)觾?nèi)的帶隙波長Ao)短于第一指定波導120的帶隙波長;icH，第一指定波導120的帶隙波長/^
進而短于第二指定波導13o的帶隙波長&2，即/ia)<;icH<aC2。換言之，所有這
三個波導110到130都垂直集成，并通過半導體處理步驟在縱向上(即傳播方
向)按照它們的導向?qū)觾?nèi)增長的帶隙波長的順序進行區(qū)分。
假設有兩個工作波長范圍，以波長;i,ioi和義2io2為中心，以下簡便起見
稱為工作波長A 101和;i2 102。兩個工作波長A 101和/12 102均長于公共波導
的帶隙波長，并接近或低于他們的對應指定波導的導向?qū)觾?nèi)的帶隙波長，即
義G0〈義1 (2)〈義G2 (l)o
本領域的普通技術人員理解的是，來自群III和V的直接帶隙半導體具有折射率n，該折射率取決于其帶隙波長;i(j和光場波長A之間的關系，從而在任何給定;i下，義e越長，n越高，但是對于任意給定&，在義=^的臨近區(qū)域內(nèi)反常色散的窄波長范圍外側義越長，n越低。因此理解的是，圖l所示的波導配置中，在任意工作波長下，三個波導110到130中每個波導內(nèi)的導向?qū)泳哂械恼凵渎矢哂谂R近層內(nèi)的折射率，其是這一層周圍的光場的垂直限制(verticalconfinement)的條件o
然而，這一條件對于這樣的限制實際發(fā)生來說是不足夠的。導向?qū)拥恼凵渎矢哂谂R近層以支持局限于這一層周圍的導向模式的這一能力，還取決于波導的側向結構。具體來說，若該蝕刻在這一層之上停止的話，通過垂直蝕刻側向定義的脊形波導(ridge waveguide)內(nèi)的所述導向?qū)涌偸侵С种辽僖环N導向模式，這種情況在以下被稱為淺蝕刻脊形波導，但是若蝕刻穿通這一層的話，不支持任何導向模式，這種情況在以下被稱為深蝕刻脊形波導，且脊的寬度w比某關鍵的截止寬度(cut-offwidth) Wco還窄。最后的參數(shù)取決于波長，從而
對于給定的層結構和波導布置，義越短，wc;o(;i)越窄，；i越長，W (義)越寬，
從而實現(xiàn)波長敏感的導向，當對于給定的脊寬w，根據(jù)截止條件Wco(;ia )二"H;確定的比;ico短的波長下的光場被導向，而較長波長下的光場未被導向。圖i所示的波導配置的層結構和布置，被設計成對于公共波導no具有淺
蝕刻脊形波導112，對于第一指定波導120具有深蝕刻脊形波導122、 124、 126，對于第二指定波導130具有深蝕刻脊形波導132和134，從而在使用時，對于任何給定光偏振
O在兩個波長^ 101和義2 102中的每一個下，公共波導110僅支持一種導向光學模式；
O第一指定波導120具有其基本模式的截止波長高于第一波長^101
且低于第二波長&102，即義^;iaM^l2;以及〇第二指定波導130具有其基本模式的截止波長高于第二波長義2102，即&02>&。第一和第二指定波導120和130實際僅在他們的導向?qū)幼鳛樯钗g刻脊的一部分出現(xiàn)且脊的寬度大于脊的截止寬度時，分別可導向這些層內(nèi)的光場。因此，通過將層結構設計成以公共和指定波長波導為特征從而使公共波導110內(nèi)的弱導向光學模式與其上的指定波導短暫耦合，以及通過使指定波導120和130內(nèi)的脊形層(ridge layers)側向逐漸變小，便可創(chuàng)建公共波導110內(nèi)的光學模式絕熱地轉移到第一和第二指定波導120、 130內(nèi)的條件。
在二-波長VWM 150內(nèi)，第一指定波導錐狀部122與公共波導層110上的錐狀部112的結合，用于在公共波導110和第一指定波導120之間的兩個方向中的任一方向上絕熱地傳輸波長^101下的光信號，并且同樣，第二指定波導錐狀部132與第二指定波導脊下的第一指定波導120脊級的另一錐狀部128的結合，用于在公共波導IIO和第二指定波導130之間的兩個方向中任一方向上絕熱地傳輸波長A2 102下的光信號。依據(jù)本發(fā)明這一實施例的層結構和波導布置的設計，提供了單片集成的二-波長VWM150，其中在公共波導內(nèi)同向或雙向傳播的不同波長范圍內(nèi)的兩光信號，可從兩個不同的指定波長波導內(nèi)垂直(去J復用。
圖1所示的這一實施例中還示出了指定觸點125和127結合接地觸點116和118，用于向第一指定波導120的兩個不同的波導部分124和126 (分別例如激光二極管和背光監(jiān)視器光電二極管)提供有源功能性，這兩個波導部分通
過窄且深的溝槽140來彼此電隔離。所示的第二指定波導130具有單個接地觸點129和單個驅(qū)動觸點131，例如在光電檢測器內(nèi)。
現(xiàn)在，參見圖2a，示出了圖1的二-波長VWM 150的第一種可能配置的光信號流。參見圖2a，示出了二-波長接收器的實施例，其中，較短波長信號211，例如^二1310nm，與下部的第一指定波導120耦合并被吸收。第二較長波長光信號212，例如^二1555nm，通過與公共波導110相連的公共光端口進入該設備，穿過第一指定波導而未被其明顯影響，并進而耦合至上部的第二指定波導130并在其內(nèi)被吸收。
圖2b示出了圖1的二-波長VWM 150的第二種可能的配置的光信號流。參見圖2b，示出了二-波長發(fā)射器的實施例，其中，較短波長信號221，例如^二1310nm，在下部的第一指定波導120內(nèi)生成并耦合至公共波導110。第二較長波長光信號222，例如義2二1555nm，在上部的第二指定波導130內(nèi)生成并同樣地耦合至公共波導110，通過該公共波導110，其到達公共光端口而未被第一指定波導明顯影響。
圖2c示出了二-波長VWM 150的第三種可能的配置的光信號流，其中，其被配置成ONU雙向收發(fā)器。此處，第一較短波長信號231 ，例如= 1310nm，在下部的第一指定波導120內(nèi)生成并耦合至公共波導110以從二-波長VWM150中傳送。第二較長波長光信號232，例如義2二1555nm，通過公共光端口耦合進入二-波長VWM 150的VWM公共波導110內(nèi)，光信號在其內(nèi)傳播而未被第一指定波導明顯影響，直到該光信號耦合至上部的第二指定波導130并在其內(nèi)被吸收。
圖2d示出了二-波長VWM 150的第四種可能的配置的光信號流，其中其被配置成OLT雙向收發(fā)器。此處，第一較短波長信號241，例如A二1310nm，被耦合進入二-波長VWM 150的公共波導110內(nèi)，并進而進入下部的第一指定波導120并在其內(nèi)被吸收。第二較長波長光信號242，例如義2二1555nm，在上部的第二指定波導130內(nèi)生成并進而耦合至公共波導110，該光信號在其內(nèi)傳播到光端口而未被第一指定波導明顯影響，以便從二-波長VWM 150中傳送。進一步的詳細描述將結合圖2e所示的典型層結構來給出，該層結構利于圖1中的第一實施例的布置，與圖2c的ONU雙向收發(fā)器配置相關的二-波長VWM 150。 二-波長VWM 150提供有1310nm激光器以生成輸出的光信號，并提供有1555nm光電檢測器以用于接收輸入的光信號。該器件結構在半絕緣InP基底250上示出并包括
層251 lpm厚，非有意摻雜的InP緩沖層；
層252 0.6pm厚，公共波導110的非有意摻雜的GalnAsPUo二1000nm)
導向?qū)樱?br> 層253 0.4pm厚，重N-摻雜InP光學隔離/電N-接觸層；
層254 0.2nm厚，第一指定波導120的N-摻雜GaInAsPaG= lOOOnm)
單獨限制異質(zhì)結構導向?qū)?；?55O.llpm厚，第一指定波導120的非有意摻雜的GalnAsP/GalnAsP
緊補償多量子井a(chǎn)(3=1310nm)導向?qū)?；?56 O.lpm厚，第一指定波導120的P-摻雜GaInAsPU(3= 1000nm)
單獨限制異質(zhì)結構導向?qū)?；?57 0.4pm厚，重P-摻雜InP光學隔離/電P-接觸層；層258 0.085(im厚，第二指定波導130的非有意摻雜GalnAsP (&二
1654nm)導向?qū)?；?59 1.5pm厚，重N-摻雜InP光學覆蓋/電N-接觸層。參見圖1，第二指定波導130的深蝕刻脊134和其錐狀部132兩者均通過從頂面穿過層258和259向下到層257的頂部的蝕刻來形成。第一指定波導120的深蝕刻脊124和126，以及對應的錐狀部122，都是通過從層257的頂部穿過層254到257向下到層253的頂部的蝕刻來形成。最后，公共波導110的淺蝕刻脊112是通過從層253的頂部穿過這一層向下到層252的頂部的蝕刻來形成。
對于具有上述典型層結構的二-波長VWM150，公共、第一和第二波導脊110、 120和130的直線部分的寬度分別是4.0^m、 2.2pm和4.5拜。每個指定波導120和130中的側向錐狀部的寬度從直線部分開始逐漸改變到在錐狀部122和132的尖端大約是0.5pm。
第一指定波導120內(nèi)垂直集成的激光器的激光腔可通過例如在層257內(nèi)、 激光器的P-觸點125的兩面上提供蝕刻的分布式布拉格(Bragg)反射器來形 成。具有一后段(back-end)功率監(jiān)控器以控制激光輸出是非常有利的，這在 圖1所示的集成器件的情況下，很容易通過將監(jiān)控器光學對接耦合至激光器來 進行設置，因為這兩者共用同樣的第一指定波導120。分別將激光器和監(jiān)控器 部分124和126電隔離，是通過向下到N-接觸層253并相對于垂直于傳播方 向的平面傾斜大約7-8度的窄且深的溝槽140來實現(xiàn)的。
本領域的普通技術人員理解的是，通過PIC的應用和性能目的確定的集成 部件的材料系統(tǒng)、層結構和布置，并不限于這一典型實施例。例如，代替1555nm 范圍內(nèi)的較長工作波長，同樣的原理可用于設計具有1490nm范圍內(nèi)的較長工 作波長的器件；或者，代替僅在器件的層結構內(nèi)使用GalnAsP四元材料，可 將GaAlInAs四元材料加入該層結構內(nèi)，特別是，形成工作在1310nm波長范 圍內(nèi)的激光器的量子井有源區(qū)(active region)。
現(xiàn)在，參見圖3a，示出了二-波長VWM 150的三個截面301-303的位置， 每個截面都垂直于傳播方向。第一截面301位于二-波長VWM 150中兩光信 號A 101和義2 102均限制在公共波導110內(nèi)的部分內(nèi)。第二截面302位于二-波長VWM 150中第一光信號A 101垂直限制在第一指定波導120內(nèi)而第二光 信號;12102仍然被限制在公共波導110內(nèi)的部分內(nèi)。最后，第三截面303位于 二-波長VWM 150中第二光信號102被限制在第二指定波導130內(nèi)的部分內(nèi)。 每個截面上A 101和義2 102的光學模式輪廓在圖3b到圖3e中示出。
圖3b中所示的是典型的二-波長VWM 150的疊加有與第一和第二波長即 ^二1310nm 101和^二1555nm 102內(nèi)的信號相對應的二維模式輪廓的波導截 面301?？梢钥闯觯趦晒ぷ鞑ㄩL中每一工作波長下，公共波導110僅支持一 種導向模式輪廓310，且在兩種波長之間模式形狀有微小的區(qū)別。
然而，第二截面302內(nèi)的情況卻非常不同，其中參見圖3c，在波長^ = 1310nm 101下僅支持的二維模式是垂直限制在這一波導的導向?qū)又車哪?式，如模式輪廓320所示，并且因此，耦合至第一指定波導的深蝕刻脊部。相反，圖2d示出了波長^二1555nml02下的二維模式，其仍然垂直限制在公共 波導110的導向?qū)觾?nèi)并僅僅通過其漸逝場與第一指定波導120的脊部相互作 用。
因此，盡管使用第一指定波導110的導向?qū)拥膶蚰Ｊ降南拗埔蜃俞槍Φ?一波長A二1310nm 101很高，同時針對第二波長義2=1555證102可被維持在 非常低的級別，例如低于1%。這使得公共波導110內(nèi)的波長;i2二1555nm102 可沿二-波長VWM 150進一步傳播并到達第二指定波導120，而不會與第一指 定波導IIO發(fā)生任何明顯的交互。
參照圖3e，示出了第三截面303，其中第二指定波導130具有深蝕刻脊部， 其高度和寬度足夠支持波長^二1555nm 102中的光學模式，它垂直地限制在 它的導向?qū)又?，這從模式輪廓330可以明顯看出。
現(xiàn)在，參見圖4，光信號從公共波導到指定波導的傳遞，通過兩個波長A 二1310nm 101和義2二1555nm 102中每個波長下傳播模式的有效指數(shù)(effective index)與第一指定波導的錐狀部的寬度之間的計算關系400來示出。這些仿 真中使用的集成部件的層結構和布置是圖2e和圖2a中分別詳細示出的二-波 長VWM 150的層結構和布置。
從圖表400可以清楚的看出，圖4中示出的兩條曲線均顯示了較低和較高 有效指數(shù)下兩種不同狀態(tài)之間的轉換，該轉換因波導的深蝕刻脊部的寬度的改 變而產(chǎn)生。前者對應于主要限制在公共波導內(nèi)的光學模式，而后者對應于主要 限制在第一指定波導的導向?qū)觾?nèi)的光學模式。兩種狀態(tài)中的任一狀態(tài)下，脊部 的寬度對模式的有效指數(shù)的影響不是非常明顯，因為光場被強力地垂直限制在 脊部之下(下部狀態(tài))或之內(nèi)(上部狀態(tài))的導向?qū)觾?nèi)。然而，在轉換范圍內(nèi)， 因改變脊部的寬度而導致的有效指數(shù)的改變，確實是非常明顯的，因為這是傳 播模式的光場從一個垂直限制模式(公共波導內(nèi))轉換到另一模式(第一指定 波導內(nèi))的區(qū)域。
圖4所示的圖表400中需要重點指出的是第二波長/l2二1555nm 102下傳 播模式的轉換區(qū)域相對于第一波長A二1310nm 101下傳播模式的轉換區(qū)域的 偏移。從圖4中可以看出，對應于主要限制在第一指定波導的導向?qū)觾?nèi)的傳播模式的較高有效指數(shù)狀態(tài)，在第二波長義2二1555nm 102下并未達到，直到脊 部的寬度超出了4.0^im-4.5^im，如第二波長曲線402所示。相反，對于第一波 長^二1310nm101，同樣的脊部寬度剛超出2.(^m-2.5pm便達到了 ，如第一波 長曲線401所示。
對于第一指定波導120的直線部分的寬度為2.2^m的實施例，如此處所 仿真的，第二波長;i2二1555nm 102下的傳播模式的有效指數(shù)大約是0.06，低 于其在上部狀態(tài)內(nèi)的值，需要達到該值以使這一波長內(nèi)的光場垂直限制在第一 指定波導120的導向?qū)觾?nèi)。這是傳播模式的有效指數(shù)的一個相當重要的區(qū)別， 其實現(xiàn)了波長義,-1310nml01和;i2-1555nml02的置信垂直(去)復用，即 使有不可避免的制造公差。仿真表明，典型的二-波長VWM 150內(nèi)從公共波 導110傳遞到第二指定波導130的第二波長義2二1555nm 102下光信號的總插 入損耗，可被降低到低于ldB。
圖3和圖4所示的二-波長VWM內(nèi)的傳播模式的二維輪廓和有效指數(shù)的 數(shù)字仿真，是基于使用商業(yè)的波束傳播方法仿真器和多層異質(zhì)結構的光學性能 的顯微鏡計算的，在以下參考文獻中己有描述V丄Tosltikhin， "Optical properties of semiconductor heterostmctures for active photonic device modeling", L Sc/e廳& rec/wo/og^， Vol. A18， pp. 605-609, 2000。
光電檢測器的低插入損耗是本發(fā)明的在現(xiàn)有方法上采用集成ONU雙工器 的形式的實施例的一個優(yōu)點，其中，較短波長激光器和較長波長光電檢測器既 可以是通過使用多生長步驟技術直線對接耦合的，參見例如Koch等的美國專 利5,031,188，也可以是通過使用一步外延生長垂直漸逝場耦合的，參見例如 O'Donnell等的美國專利申請US/2005/0249504。每種現(xiàn)有技術方法中，較長 波長光信號在耦合至光電檢測器的有源波導之前，一直通過激光器的有源波導 傳播。
由于重要的自由載體(free carrier),激光器的和激光監(jiān)控器的波導的有源 和重摻雜接觸層內(nèi)的主要中介帶(例如，J. Taylor and V.I. Tolstikhin， "Intervalence band absorption in Inp and related materials for optoelectronic device modeling",々 p/.Vol. 87, pp. 1054-1059， 2000)吸收，導致了光電檢測器的不可接受的高插入損耗，即使光電檢測器的較長波長工作范圍內(nèi)的光信號 在經(jīng)過較短帶隙波長激光器和激光監(jiān)測器的波導時不經(jīng)歷直接帶間吸收。以上 描述的實施例由于較長波長光信號被保持在公共波導內(nèi)而未經(jīng)由較短波長指 定波導耦合，從而消除了這一點。
本領域的普通技術人員很清楚的是，以上參照圖1-3公開且通過圖2e內(nèi) 的二-波長VWM結構進行數(shù)字仿真的結果示出的垂直(去)復用的基本原理， 并不限于這些實施例，且相反，對于以所述類型的一個公共波導和兩個指定波 導為特征的集成光學配置來說是一般性的。二-波長VWM的層結構和布置的 各種改進，例如以實現(xiàn)特定性能目標為目的的改進，是在該同一基本設計和工 作原理的框架內(nèi)可以想得到的。
圖5示出了對本發(fā)明第一實施例的這樣一個改進的示意圖，提供了二-波 長集成VWM 500，目的在于改進其波長濾波性能并從而降低兩波長內(nèi)光信號 之間可能的串擾(cross-talk),這是需要解決的一個非常重要的實際問題，特 別是在一個(發(fā)射的)信號比其他(接收的)信號強得多的收發(fā)器配置中。
一種改進中，第一指定波導由兩個垂直堆疊的導向?qū)咏M成，即第一雙核層 530和第二雙核層540，每層能夠支持以該層為中心的垂直限制光學模式，其 中至少下部的一層是帶隙波長正好低于第一(最短)工作波長的無源波導。參 見圖5，在該二-波長集成VWM500的垂直堆疊結構內(nèi)，雙核第一指定層仍位 于公共波導520之上且位于第二指定波導550之下。然而，雙核波導允許兩步 側向逐漸變小，這增加了器件的靈活性，并為指定波長內(nèi)的光信號提供了可以 最小插入損耗從公共波導520轉換到第二雙核層540內(nèi)的能力(例如，F(xiàn). Wu， V. Tolstikhin, et al, Two畫Step Lateral Taper Spot-Size Converter for Efficient Coupling to InP-Based Photonic Intergrated Circuits,尸raceed 5!P/五，Vol. 5577， pp. 213-220， 2004)。
如圖所示，二-波長集成VWM 500內(nèi)的第一器件組件560 (例如光發(fā)射器 或光電檢測器，用于處理第一光信號A-1310nm 101)，由第一雙核層530內(nèi) 的第一雙核錐狀部531、第二雙核層540內(nèi)的第二雙核錐狀部541和第一雙核 組件542來形成。二-波長集成VWM 500內(nèi)的第二器件組件(例如光電檢測器，用于處理第二光信號;i2二1555nm 102)，由第一雙核層530內(nèi)的第三雙核 錐狀部533、第二雙核層540內(nèi)的第四雙核錐狀部545、第二指定波導550內(nèi) 的第 指定錐狀部551和第一指定器件部分552來形成。
根據(jù)二-波長VWM 150作出的二-波長集成VWM 500的另一種改進中， 在第一器件組件560和第二器件組件580之間插入額外的組件570。該額外的 組件被插入在傳播方向上由雙核層530和540形成的第一指定波導的末端和第 二指定波導550的起始端之間。如圖所示，該額外的組件570包括第一雙核層 530內(nèi)的第五雙核錐狀部532、第二雙核層540內(nèi)的第六雙核錐狀部543以及 也位于第二雙核層540內(nèi)的第二雙核組件544。當?shù)谝恢付ú▽且园l(fā)射激光 或吸收功能為特征的有源波導的情況下，該額外的組件(其上可或可不具有觸 點)向PIC設計者提供了一種可控方法，若為第二雙核組件544增加觸點，以 吸收第一波長A = 1310nm 101內(nèi)的殘留光信號，而不影響第二波長A2 = 1555nm 102內(nèi)的光信號。這可例如用于改進二-波長集成VWM 500的濾波性 能并降低第一波長A二1310nm101到第二波長A2= 1555nm 102的串擾?；蛘?， 第一器件組件560可特別設計來用于提取并處理第一波長^二1310nm 101的 重要部分，例如使用高速光接收器(photoreceiver)檢測編碼數(shù)字數(shù)據(jù)，并提 供第一波長A = 1310nm 101的剩余部分給該額外的組件570，例如提供低速監(jiān) 控信號以用于控制二-波長集成VWM 500的操作的一個方面或其工作所處的 光學模塊。
對本領域的普通技術人員來說顯而易見的是，以上兩種改進中的任一者或 兩者可根據(jù)需求加入VWM設計中而不會改變這一集成部件的設計和操作原理。
此外，根據(jù)該集成VWM的同一設計和操作原理，對三核或多核第一指定 波導和其處于第二指定波導之前的兩個或多個額外的組件的任何一般化歸納， 都是可能的。同樣，以上描述的實施例可以擴展到提供VWM工作的更多數(shù)量 的離散波長或波帶。這樣的VWM器件的例子包括稀疏波分復用(CWDM) 和密集波分復用(DWDM)。
根據(jù)本發(fā)明還可以得出各種其它的實施例而不脫離本發(fā)明的精神實質(zhì)或<formula>formula see original document page 23</formula>
權利要求
1、一種實現(xiàn)在III-V半導體材料系統(tǒng)內(nèi)的集成光子配置，其特征在于，包括半導體基底，所述基底用于支持外延半導體生長；生長在所述半導體基底上的外延半導體結構，所述外延半導體結構以一個生長步驟生長，并包括公共波導，所述公共波導位于所述外延半導體結構內(nèi)的預定位置，以用于支持預定的第一波長范圍內(nèi)的光信號的傳播并以至少一個帶隙波長為特征；以及與所述公共波導在光學上間隔預定距離排列的多個指定波導中的至少一個，所述多個指定波導設置在所述公共波導之上以增加帶隙波長且每個指定波導都支持預定第二波長范圍內(nèi)的光信號的傳播，所述預定的第二波長范圍位于所述預定的第一波長范圍內(nèi)。
2、 根據(jù)權利要求1所述的集成光子配置，其特征在于，所述公共波導的帶隙波長比所述多個指定波導的預定第二波長范圍中任一者低至少第一預定波長偏移量。
3、 根據(jù)權利要求1到2中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述公共波導的帶隙波長比所述多個指定波導的預定第二波長范圍中任一者低至少第二預定波長偏移量。
4、 根據(jù)權利要求1到3中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述多個指定波導中任一個的帶隙波長接近或高于所述多個指定波導中前一指定波導的工作波長，所述前一指定波導是所述多個指定波導中選定的指定波導之下最靠近的一個，所述指定波導的帶隙波長位于所述前一指定波導的第三預定波長范圍內(nèi)。
5、 根據(jù)權利要求1到4中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，耦合至公共波導并在所述公共波導內(nèi)傳播且具有位于所述預定第一波長范圍內(nèi)的工作波長的光信號，被絕熱地傳遞到所述多個指定波導中的一個指定波導內(nèi)，而未顯著地與所述多個指定波導中的任何其他指定波導進行交互，所述多個指定波導中的所述一個指定波導至少是依據(jù)光信號的工作波長來確定的。
6、 根據(jù)權利要求1到5中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述多個指定波導中的一個指定波導內(nèi)生成的發(fā)射的光信號被絕熱地傳遞給公共波導而未顯著地與所述多個指定波導中的任何其他指定波導進行交互；所述發(fā)射的光信號位于所述多個指定波導中的所述一個指定波導的預定第二波長范圍內(nèi)并位于所述公共波導的預定第一波長范圍內(nèi)。
7、 根據(jù)權利要求1到6中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述多個指定波導中的每個指定波導包括至少一波導電路，所述波導電路包括光發(fā)射器和光檢測器之一。
8、 根據(jù)權利要求1到7中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述多個指定波導中的每個指定波導包括至少一波導電路，所述波導電路至少根據(jù)應用于該指定波導的電極的偏壓用作光發(fā)射器和光檢測器之一。
9、 根據(jù)權利要求1到8中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述多個指定波導中的每個指定波導包括光發(fā)射器。
10、 根據(jù)權利要求1到9中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述多個指定波導中的每個指定波導包括光檢測器。
11、 根據(jù)權利要求1到10中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述多個指定波導中的至少一個指定波導包括至少一光發(fā)射器和第一光檢測器，且所述多個指定波導中的至少一個其他指定波導包括第二光檢測器。
12、 根據(jù)權利要求l到ll中任一項所述的集成光子配置，其特征在于，所述多個指定波導中的至少一個指定波導包括光發(fā)射器，且所述多個指定波導中的至少一個其他指定波導包括光調(diào)制器。
13、 一種使用III-V半導體材料系統(tǒng)處理光信號的方法，其特征在于，包括提供一半導體基底，所述基底用于支持外延半導體生長；在所述半導體基底上生長出外延半導體結構，所述外延半導體結構以一個生長步驟生長，所述生長的外延半導體結構提供至少公共波導，所述公共波導位于所述外延半導體結構內(nèi)的預定位置，以用于支持預定的第一波長范圍內(nèi)的光信號的傳播并以至少一帶隙波長為特征；以及與所述公共波導在光學上間隔預定距離排列的多個指定波導中的至少一個，所述多個指定波導設置在所述公共波導之上以增加帶隙波長且每個指定波導都支持預定第二波長范圍內(nèi)的光信號的傳播，所述預定的第二波長范圍位于所述預定的第一波長范圍內(nèi)。
14、 根據(jù)權利要求13所述的方法，其特征在于，提供所述公共波導包括提供帶隙波長比所述多個指定波導的預定第二波長范圍中任一者低至少第一預定波長偏移量的光波導。
15、 根據(jù)權利要求1到14所述的方法，其特征在于，提供所述公共波導包括提供具有的帶隙波長比所述多個指定波導的預定第二波長范圍中任一者低至少第二預定波長偏移量的光波導。
16、 根據(jù)權利要求1到15所述的方法，其特征在于，提供所述多個指定波導中的任一個指定波導包括帶隙波長接近或高于所述多個指定波導中前一指定波導的工作波長的任一指定波導，所述前一指定波導是所述多個指定波導中該任一指定波導之下最靠近的一個，所述指定波導的帶隙波長位于所述前一指定波導的第三預定波長范圍內(nèi)。
17、 根據(jù)權利要求1到16所述的方法，其特征在于，提供耦合至公共波導并在所述公共波導內(nèi)傳播且具有位于所述預定第一波長范圍內(nèi)的工作波長的光信號，導致所述光信號被絕熱地傳遞到所述多個指定波導中的一個指定波導內(nèi)，而未顯著地與所述多個指定波導中的任何其他指定波導進行交互，所述多個指定波導中的所述一個指定波導至少是依據(jù)光信號的工作波長來確定的。
18、 根據(jù)權利要求1到17所述的方法，其特征在于，生成所述多個指定波導中的一個指定波導內(nèi)發(fā)射的光信號，導致所述發(fā)射的光信號被絕熱地傳遞給公共波導而未顯著地與所述多個指定波導中的任何其他指定波導進行交互；所述發(fā)射的光信號位于所述多個指定波導中的所述一個指定波導的預定第二波長范圍內(nèi)并位于所述公共波導的預定第一波長范圍內(nèi)。
19、 根據(jù)權利要求1到18所述的方法，其特征在于，提供所述多個指定 波導中的每個指定波導包括提供光發(fā)射器和光檢測器的至少之一 。
20、 根據(jù)權利要求1到19所述的方法，其特征在于，提供所述多個指定 波導中的每個指定波導包括提供至少一波導電路，所述波導電路至少根據(jù)應用 于該指定波導的電極的偏壓用作光發(fā)射器和光檢測器之一。
21、 根據(jù)權利要求1到20所述的方法，其特征在于，提供所述多個指定 波導中的每個指定波導包括提供光發(fā)射器。
22、 根據(jù)權利要求1到21所述的方法，其特征在于，提供所述多個指定 波導中的每個指定波導包括提供光檢測器。
23、 根據(jù)權利要求1到22所述的方法，其特征在于，提供所述多個指定 波導屮的至少一個指定波導包括提供光發(fā)射器和第一光檢測器，且提供所述多 個指定波導中的至少一個其他指定波導包括提供第二光檢測器。
24、 根據(jù)權利要求1到23所述的方法，其特征在于，提供所述多個指定 波導中的至少一個指定波導包括提供光發(fā)射器，且提供所述多個指定波導中的 至少一個其他指定波導包括提供光調(diào)制器，所述光調(diào)制器用于調(diào)制由所述光發(fā) 射器發(fā)射的光信號。
25、 —種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，其內(nèi)存儲有依據(jù)預定計算設 備格式的數(shù)據(jù)，且通過合適的計算設備執(zhí)行所述數(shù)據(jù)，提供一電路，包括半導體基底，所述基底用于支持外延半導體生長；生長在所述半導體基底上的外延半導體結構，所述外延半導體結構以一個 生長步驟生長，并包括公共波導，所述公共波導位于所述外延半導體結構內(nèi)的預定位置，以 用于支持預定的第一波長范圍內(nèi)的光信號的傳播并以至少一個帶隙波長 為特征；以及與所述公共波導在光學上間隔預定距離排列的多個指定波導中的至 少一個，所述多個指定波導設置在所述公共波導之上以增加帶隙波長且每 個指定波導都支持預定第二波長范圍內(nèi)的光信號的傳播，所述預定的第二 波長范圍位于所述預定的第一波長范圍內(nèi)。
26、 一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，其內(nèi)存儲有依據(jù)預定計算設備格式的數(shù)據(jù)，且通過合適的計算設備執(zhí)行所述數(shù)據(jù)，提供一種使用m-v半導體材料系統(tǒng)處理光信號的方法，包括提供一半導體基底，所述基底用于支持外延半導體生長；在所述半導體基底上生長出外延半導體結構，所述外延半導體結構以一個 生長步驟生長，所述生長的外延半導體結構提供至少公共波導，所述公共波導位于所述外延半導體結構內(nèi)的預定位置，以用于支持預定的第一波長范圍內(nèi)的光信號的傳播并以至少一帶隙波長為特征；以及與所述公共波導在光學上間隔預定距離排列的多個指定波導中的至 少一個，所述多個指定波導設置在所述公共波導之上以增加帶隙波長且每 個指定波導都支持預定第二波長范圍內(nèi)的光信號的傳播，所述預定的第二 波長范圍位于所述預定的第一波長范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種實現(xiàn)在多層III-V半導體結構內(nèi)的集成光子配置，包括半導體基底；以一個生長步驟生長在該基底上的外延半導體結構；公共波導；以及多個指定波長的波導；所述波導使用現(xiàn)有的半導體處理技術形成在該外延結構內(nèi)。每個波導由其核心區(qū)域的帶隙波長來定義，所有波導以遞增帶隙波長的順序垂直設置；公共波導設置在該結構的底部，具有最長帶隙波長的指定波長波導設置在該結構的頂部。使用時，公共波導的帶隙波長正好低于任何工作波長，從而提供出每個工作波長通過公共波導低損耗傳播到其指定波導的條件。本發(fā)明公開一種用于多個波長光信號的波長去復用(復用)方法，通過將其從公共波導垂直分離到各波長指定波導或從各指定波長波導合并到公共波導內(nèi)，該光信號在集成光子配置內(nèi)同向—或雙向傳播。
文檔編號G02B6/12GK101529292SQ200780028493
公開日2009年9月9日 申請日期2007年7月31日 優(yōu)先權日2006年7月31日
發(fā)明者芳 吳, 瓦萊里·I·托希凱恩 申請人:奧尼奇普菲托尼克斯有限公司