專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置。更詳細(xì)地說，涉及適于面內(nèi)開關(guān)(IPS: In Plane Switching)模式或邊緣場開關(guān)(FFS: Fringe Field Switching)模
式的液晶顯示的顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置等顯示裝置廣泛應(yīng)用于監(jiān)視器、投影儀、便攜式電 話、便攜式信息終端(PDA)等電子設(shè)備中。作為液晶顯示裝置的顯 示方式，例如存在反射型、透過型、反射透過兩用型。其中，在屋內(nèi) 等較暗的環(huán)境下，主要使用利用背光源的光的透過型的液晶顯示裝置， 在屋外等較明亮的環(huán)境下，主要使用利用周圍的光的反射型的液晶顯 示裝置。反射透過兩用型的液晶顯示裝置能夠進(jìn)行透過顯示和反射顯 示兩方，能夠在屋內(nèi)進(jìn)行以透過顯示為主的顯示，在屋外進(jìn)行以反射 ^示為主的顯示，所以無論是屋內(nèi)屋外的任何環(huán)境下，均能夠進(jìn)行高 品質(zhì)的顯示，常搭載在便攜式電話、PDA、數(shù)字?jǐn)z像機等移動設(shè)備上。 在反射透過兩用型的液晶顯示裝置中，作為顯示模式，例如使用垂直 取向(VA: Vertical Alignment)模式。VA模式通過下述方式進(jìn)行顯示 在施加電壓為OFF時液晶分子與基板面垂直地取向，在施加電壓為ON 時使液晶分子傾倒。
但是，在反射透過兩用型中，反射光透過液晶層兩次，但透過光 只透過液晶層一次，因此，在將單元間隙設(shè)計為最適于反射光用的情 況下，透過光的透過率為最佳值的約1/2。作為針對該問題的解決方法， 例如，公開有在反射區(qū)域和透過區(qū)域形成單元間隙不同的多重間隙結(jié) 構(gòu)，使反射區(qū)域中的液晶層的厚度較小的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)。 但是，在該方法中，因為必須在基板上設(shè)計凹凸結(jié)構(gòu)，所以結(jié)構(gòu)復(fù)雜， 此外制造工序也需要高精度，因此存在進(jìn)一步提高的余地。此外，對 于在反射區(qū)域和透過區(qū)域液晶分子的響應(yīng)時間不同這一點也存在改善的余地。
在液晶顯示裝置中，在VA模式之外，還已知IPS模式、FFS模式。 IPS模式、FFS模式是利用設(shè)置在一個基板上的液晶驅(qū)動用的電極對的 橫電場使液晶動作進(jìn)行顯示的方式。在該方式中，因為使液晶分子在 橫方向(基板平行方向)旋轉(zhuǎn)，所以能夠使視場角變大。關(guān)于IPS模 式也公開有反射透過兩用型的液晶顯示裝置(例如參照專利文獻(xiàn)2)， 但這也是具有多重間隙結(jié)構(gòu)的裝置，并不能夠解決上述問題。
專利文獻(xiàn)1:日本特幵平11—242226號公報
專利文獻(xiàn)2:日本特開2005—338264號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題提出，其目的在于提供一種顯示裝置，其能 夠不設(shè)置多重間隙結(jié)構(gòu)地在反射顯示和透過顯示這兩者中均進(jìn)行明亮 的顯示，并且能夠減少在反射區(qū)域和透過區(qū)域中在響應(yīng)時間上產(chǎn)生差 異。
本發(fā)明者對能夠不設(shè)置多重間隙結(jié)構(gòu)地以反射顯示和透過顯示兩 者進(jìn)行明亮的顯示的顯示裝置進(jìn)行了各種研究后，著眼于反射區(qū)域和
透過區(qū)域中的像素電極和共用電極的配置關(guān)系。于是，發(fā)現(xiàn)下述內(nèi)容
即使不采用多重間隙結(jié)構(gòu)，通過采用IPS模式、FFS模式等橫向電場方 式，在像素電極上設(shè)置多個狹縫，使這些狹縫中的至少一組為線對稱 的狹縫，在該線對稱的狹縫間進(jìn)一步設(shè)置狹縫，并且使線對稱的狹縫 的相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線為一方的輪廓線相對于另一方的輪廓線具有角 度的線，以成為該線對稱的狹縫的對稱軸的區(qū)域為反射區(qū)域，從而能 夠使在像素電極與共用電極之間產(chǎn)生的電場的強度在反射區(qū)域相比于 透過區(qū)域更弱，由此，能夠調(diào)整反射顯示和透過顯示中的光的利用效 率，從而想到能夠很好地解決上述問題，完成本發(fā)明。
艮P，本發(fā)明是一種顯示裝置(以下也稱為第一顯示裝置)，其包括 一對基板和被夾持在上述基板間的顯示介質(zhì)，并且在像素內(nèi)形成有進(jìn) 行反射顯示的反射區(qū)域和進(jìn)行透過顯示的透過區(qū)域，上述顯示裝置在 一個基板上具備像素電極和共用電極，通過上述像素電極和上述共用 電極在顯示介質(zhì)上施加電壓，上述像素電極設(shè)置有多個狹縫，上述多
7個狹縫包括至少一組線對稱的狹縫、和設(shè)置在上述線對稱的狹縫間的 狹縫，上述線對稱的狹縫的相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線中， 一方的輪廓線相 對于另一方的輪廓線具有角度，上述線對稱的對稱軸位于反射區(qū)域。 以下詳細(xì)敘述本發(fā)明。
本發(fā)明的第一顯示裝置包括一對基板和被夾持在上述基板間的顯 示介質(zhì)，并且在像素內(nèi)形成有進(jìn)行反射顯示的反射區(qū)域和進(jìn)行透過顯 示的透過區(qū)域。在本發(fā)明中，并不特別限定基板的種類和顯示介質(zhì)的 種類，例如，如果是有源矩陣型的液晶顯示裝置，則能夠舉出下述方 式該液晶顯示裝置包括一對基板和作為顯示介質(zhì)夾持在上述基板間 的液晶層，這一對基板分別是在基板上以掃描配線和信號配線交叉的 方式配線，并且在它們的交點上具有作為開關(guān)元件的TFT的有源矩陣
基板；和每個像素具有R (紅)G (綠)B (藍(lán))的著色層的彩色濾光 片基板。此外，在液晶顯示裝置中通常在它們的外部設(shè)置有偏光板、 背光源等。反射顯示是指，使周圍的光和從設(shè)置在顯示面?zhèn)鹊那肮庠?射出的光在顯示裝置內(nèi)反射進(jìn)行顯示的方式。透過顯示是指，使從背 光源射出的光透過進(jìn)行顯示的方式。反射區(qū)域和透過區(qū)域的大小、它 們在像素內(nèi)所占的比例并無特別限定。本發(fā)明在一個像素內(nèi)具有反射 區(qū)域和透過區(qū)域，因此是反射透過兩用型的顯示裝置。
本發(fā)明的顯示裝置，在一個基板上具備像素電極和共用電極，通 過上述像素電極和上述共用電極在顯示介質(zhì)上施加電壓。當(dāng)在由像素 電極和共用電極構(gòu)成的電極對上施加電壓時，在與像素電極和共用電 極接近的顯示介質(zhì)上產(chǎn)生與基板平行的橫向電場。該電場進(jìn)行顯示介 質(zhì)的控制。作為在這樣的本發(fā)明中使用的控制方式，例如，像素電極 和共用電極為所謂的梳齒狀，這些電極以嚙合的方式設(shè)置在同一層的
方式(IPS方式)；像素電極或共用電極是梳齒狀，這些電極設(shè)置在不
同的層的方式(FFS方式)等。
在本發(fā)明中，上述像素電極設(shè)置有多個狹縫。此外，上述多個狹 縫包括至少一組線對稱的狹縫，和設(shè)置在上述線對稱的狹縫間的狹縫。 即，在多個設(shè)置的狹縫中，至少存在一組以某假想線為對稱軸的線對 稱形狀的兩個狹縫，而且，在這一組線對稱的狹縫間存在別的狹縫。 設(shè)置在一組線對稱的狹縫間的狹縫的數(shù)量可以是單個也可以是多個。此外，本發(fā)明的線對稱是能夠達(dá)到本發(fā)明的效果的程度的實質(zhì)上的線 對稱即可。另外，這樣的線對稱的組合的數(shù)目通常需要能夠形成反射 區(qū)域的組合的數(shù)目。
上述線對稱的狹縫的相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線中， 一方的輪廓線相對 于另一方的輪廓線具有角度。即，此時形成的線對稱的各狹縫的形狀 是相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線彼此平行以外的方式的線。從而，例如，像將 長方形或正方形平行配置時那樣，相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線彼此平行的形 狀要從本發(fā)明中除去，只要不是這樣的形狀就可以。通過采用這樣的 方式，設(shè)置在這一組線對稱的狹縫間的狹縫，能夠容易地比形成在其 他區(qū)域的狹縫更寬。像素電極和共用電極的電場的強度隨著狹縫的寬 度變寬而減弱。此外，因為由于液晶的取向程度由電場的強度產(chǎn)生變 化，所以利用該點能夠調(diào)節(jié)透過液晶中的光的利用效率。
上述線對稱的對稱軸位于反射區(qū)域。根據(jù)上述方式，在作為線對 稱的狹縫的對稱軸的區(qū)域和/或其附近，能夠容易地設(shè)置相比于其他的 不是設(shè)置在線對稱的對稱軸的區(qū)域中的狹縫更寬的狹縫，因此，能夠 利用這樣的設(shè)置有狹縫的區(qū)域和/或其附近作為反射區(qū)域。另外，形成 在反射區(qū)域中的像素電極的狹縫寬度只要狹縫寬度的平均值大于形成 在透過區(qū)域中的像素電極的狹縫寬度的平均值，則無特別限定，例如， 可以在形成在反射區(qū)域中的像素電極的狹縫寬度的一部分中具有與形 成在透過區(qū)域中的像素電極的狹縫寬度相同程度的部分。此外，優(yōu)選 形成在反射區(qū)域中的像素電極的狹縫寬度的最大值大于形成在透過區(qū) 域中的像素電極的狹縫寬度的最大值的方式。
在本發(fā)明的第一顯示裝置中，作為像素電極優(yōu)選的方式，例如能 夠舉出梳齒狀的方式。通過形成梳齒狀，在像素電極與共用電極之間， 能夠高密度地形成橫電場，能夠高精度地控制顯示介質(zhì)。另外，梳齒 狀是指從一根長線突出多根短線的形狀，并不特別限定一根根梳齒的 形狀。
作為形成在上述像素電極上的狹縫的優(yōu)選方式，例如能夠舉出周 圍全部被像素電極包圍的方式、長方形至少彎曲一次的形狀的方式、 鋸齒形狀的方式、圓弧狀的方式、蛇行狀的方式。根據(jù)這樣的方式， 能夠有效地使像素電極和共用電極嚙合，由此，能夠高密度地形成橫
9電場，能夠高精度地控制顯示介質(zhì)。
作為上述共用電極的優(yōu)選方式，能夠舉出與像素電極夾著絕緣膜 設(shè)置在不同的層的方式。通過采用隔著絕緣膜配置像素電極和共用電 極的FFS方式，能夠在顯示介質(zhì)中產(chǎn)生與基板平行的橫向電場。作為 這樣的方式，例如能夠舉出一方的電極是梳齒狀，另一方的電極是沒
有狹縫的平坦的形狀的情況等。根據(jù)FFS方式，即使在由于開口率等
的制約不能將像素電極和共用電極設(shè)置在同一層的情況下，也能夠適 用本發(fā)明。
上述線對稱的對稱軸優(yōu)選位于設(shè)置在線對稱的狹縫間的狹縫內(nèi)。 即，通過在包括形成有像素電極的一組線對稱的狹縫的對稱軸的區(qū)域 中設(shè)置像素電極的狹縫，能夠容易地使夾著該狹縫位于兩側(cè)的像素電 極彼此的距離擴大，能夠有效地減弱在像素電極與共用電極之間產(chǎn)生 的電場的強度。
作為上述共用電極的優(yōu)選的其他方式，能夠舉出設(shè)置有狹縫的方
式。此外，在該情況下，上述共用電極優(yōu)選設(shè)置在形成有像素電極的
層。通過采用在共用電極上也設(shè)置狹縫，使其與像素電極的狹縫相互
嚙合，將像素電極和共用電極配置在同一層的IPS方式，能夠在顯示
介質(zhì)中產(chǎn)生與基板平行的橫向電場。此外，通過將像素電極和共用電 極形成在同一層，能夠簡化制造工序，提高生產(chǎn)性。
上述共用電極的狹縫優(yōu)選包括與像素電極的狹縫實質(zhì)上相同的形 狀。由此，能夠使得在共用電極的狹縫與像素電極的狹縫相互嚙合的 各部位中產(chǎn)生的電場的強度均勻，能夠均勻地控制液晶的取向。此外， 即使不是狹縫整體，只是一部分具有實質(zhì)上相同的形狀即可，例如， 在共用電極上，將與像素電極的一組線對稱的狹縫實質(zhì)上相同的形狀 的狹縫以與這--組線對稱的狹縫鄰接的方式設(shè)置，能夠有效地擴大反 射區(qū)域中像素電極與共用電極的間隔。另外，本說明書中的"相同" 是能夠使在各部位產(chǎn)生的電場的強度實質(zhì)上(不會對顯示品質(zhì)造成影 響的程度)均勻的程度，稱為實質(zhì)上相同。
此外，此時，上述共用電極和像素電極優(yōu)選分別位于彼此的狹縫 內(nèi)。即，共用電極位于像素電極的狹縫內(nèi)，像素電極位于共用電極的 狹縫內(nèi)的方式。通過使共用電極的狹縫與像素電極的狹縫為實質(zhì)上相同的形狀，能夠形成使像素電極和共用電極交互嚙合的電極對，由此， 能夠在顯示介質(zhì)上更均勻且高密度地產(chǎn)生與基板平行的橫向電場。
上述線對稱的對稱軸優(yōu)選位于共用電極的狹縫內(nèi)。通過使形成在 像素電極上的一組線對稱的狹縫的對稱軸設(shè)置在共用電極的狹縫內(nèi)， 能夠在反射區(qū)域中容易地在像素電極與共用電極之間設(shè)置一定的間 隔。
作為上述第一顯示裝置的優(yōu)選方式，能夠舉出在反射區(qū)域中，在 像素電極與共用電極間設(shè)置有屏蔽電極的方式。本說明書中的"屏蔽 電極"是指存在于像素電極與共用電極之間，使像素電極與共用電極 之間的電位差改變的電極。通過在像素電極與共用電極之間設(shè)置屏蔽 電極，在像素電極與共用電極之間產(chǎn)生的電位差相比于沒有設(shè)置屏蔽 電極的情況變小，因此，通過將其與本發(fā)明的方式組合，能夠更有效 地使在像素電極與共用電極之間產(chǎn)生的電場的強度在反射區(qū)域中相比 于透過區(qū)域更弱。作為屏蔽電極的材料，只要具有導(dǎo)電性則無特別限 定，但特別優(yōu)選具有透光性的材料。例如，能夠適用氧化銦錫(ITO:
Indium Tin Oxide)等金屬氧化物。此外，屏蔽電極只要能夠設(shè)置在像 素電極與共用電極之間，其大小和形狀并無特別限定。
上述屏蔽電極優(yōu)選被接地。通過接地，能夠?qū)⑹┘釉谄帘坞姌O上 的電壓一定地保持在OV。通過使屏蔽電極接地，使屏蔽電極的電位為 0V，能夠有效地減少像素電極與共用電極之間的電位差。
此外，本發(fā)明是一種顯示裝置(以下也稱為第二顯示裝置)，其包 括一對基板和被夾持在上述基板間的顯示介質(zhì)，并且在像素內(nèi)形成有 進(jìn)行反射顯示的反射區(qū)域和進(jìn)行透過顯示的透過區(qū)域，上述顯示裝置 在一個基板上具備像素電極和共用電極，通過上述像素電極和上述共 用電極在顯示介質(zhì)上施加電壓，上述共用電極設(shè)置有多個狹縫，上述 多個狹縫包括至少一組線對稱的狹縫、和設(shè)置在上述線對稱的狹縫間 的狹縫，上述線對稱的狹縫的相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線中， 一方的輪廓線 相對于另一方的輪廓線具有角度，上述線對稱的對稱軸位于反射區(qū)域。 即，將第一顯示裝置中的像素電極置換為共用電極，將共用電極置換 為像素電極的方式。根據(jù)這樣的在共用電極的狹縫上具有特征的本發(fā) 明的第二顯示裝置，也能夠達(dá)到與在像素電極的狹縫上具有特征的本200780028305. 1
發(fā)明的第一顯示裝置同樣的效果。
在本發(fā)明的第二顯示裝置中，作為共用電極的優(yōu)選的方式'能夠 舉出梳齒狀的方式。此外，作為形成在共用電極上的狹縫的優(yōu)選方式， 能夠舉出周圍全部被共用電極包圍的方式、長方形至少彎曲一次的形 狀的方式、鋸齒形狀的方式、圓弧狀的方式、蛇行狀的方式。
作為上述共用電極的優(yōu)選的其他方式，能夠舉出與像素電極夾著 絕緣膜設(shè)置在不同的層的方式。此外，作為形成在上述共用電極上的 狹縫的其他優(yōu)選方式，能夠舉出線對稱的對稱軸位于設(shè)置在線對稱的 狹縫間的狹縫內(nèi)的方式，和線對稱的對稱軸位于像素電極的狹縫內(nèi)的 方式。
作為上述像素電極的優(yōu)選方式，能夠舉出設(shè)置有狹縫的方式。此 外，作為形成在上述像素電極上的狹縫的優(yōu)選方式，能夠舉出像素電 極的狹縫包括與共用電極的狹縫實質(zhì)上相同的形狀的方式。
作為上述第二顯示裝置的優(yōu)選方式，能夠舉出在反射區(qū)域中，在 共用電極與像素電極之間設(shè)置有屏蔽電極的方式。此時，上述屏蔽電 極優(yōu)選被接地。
以上，舉出有本發(fā)明的第二顯示裝置的共用電極的優(yōu)選其他方式、 形成在共用電極上的狹縫的優(yōu)選方式、像素電極的優(yōu)選方式、形成在 像素電極上的狹縫的優(yōu)選方式、和第二顯示裝置的優(yōu)選方式，但這些 方式是將本發(fā)明的第一顯示裝置的優(yōu)選方式中的像素電極置換為共用 電極，將共用電極置換為像素電極的方式，因此省略詳細(xì)的說明。
根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置，能夠不設(shè)置多重間隙結(jié)構(gòu)地以反射顯示 和透過顯示兩者進(jìn)行明亮的顯示。此外，因為沒有必要設(shè)置多重間隙 結(jié)構(gòu)，所以能夠減少在反射區(qū)域和透過區(qū)域中在液晶分子的響應(yīng)時間 上產(chǎn)生差異。


圖l一l是構(gòu)成實施方式1的液晶顯示裝置(IPS模式)的一個像
素的平面示意圖。
圖l一2是圖1一1所示的虛線A—B的截面示意圖。
圖2是表示實施方式1的變形例(在像素電極的一組線對稱的狹
12縫的對稱軸上，形成共用電極的直線狀的梳齒)的平面示意圖。
圖3是表示實施方式1的變形例(在像素電極的梳齒的中央和共 用電極的梳齒的中央相互靠近的區(qū)域中也形成反射區(qū)域)的平面示意 圖。
圖4是表示實施方式1的變形例(在像素電極的一組線對稱的狹 縫的對稱軸上形成像素電極的直線狀的梳齒)的平面示意圖。
圖5是表示實施方式1 3的無電壓施加時的偏光板、相位差板和
液晶分子的配置關(guān)系的示意圖。
圖6是表示實施方式1 3的電壓施加時的反射區(qū)域中的偏光板、 相位差板和液晶分子的配置關(guān)系的示意圖。
圖7是表示實施方式1 3的電壓施加吋的透過區(qū)域中的偏光板、 相位差板和液晶分子的配置關(guān)系的示意圖。
圖8是表示實施方式1的變形例(長方形的狹縫彎曲一次的形狀) 的電極(像素電極和共用電極中的任一個或者兩者)的平面示意圖。
圖9是表示實施方式1的變形例(長方形的狹縫彎曲二次的形狀) 的電極(像素電極和共用電極中的任一個或者兩者)的平面示意圖。
圖IO是表示實施方式1的變形例(長方形的狹縫彎曲三次的形狀) 的電極(像素電極和共用電極中的任一個或者兩者)的平而示意圖。
圖11是表示實施方式1的變形例(狹縫為蛇行狀)的電極(像素 電極和共用電極中的任一個或者兩者)的平面示意圖。
圖12是表示實施方式1的像素電極和共用電極(狹縫為圓弧狀) 的示意圖，(a)是平面示意圖，(b)、 (c)、 (d)是表示(a)所示的虛 線C-D的截面示意圖。
圖l3是表示實施方式1的變形例(像素電極與共用電極之間具有 屏蔽電極)的平面示意圖，(a)是平面示意圖，(b)是表示(a)所示 的虛線C-D的截面示意圖。
圖14一1是表示構(gòu)成實施方式2的液晶顯示裝置(FFS模式)的 一個像素的平面示意圖。
圖M—2是表示圖14一1所示的虛線E-F的截面示意圖。
圖15是表示實施方式1的變形例(在像素電極的梳齒的中央和鄰 接的像素電極的梳齒的中央相互靠近的區(qū)域中也形成反射區(qū)域)的平面示意圖。
圖16是表示實施方式2的變形例(狹縫的周圍全部被電極包圍) 的電極(像素電極和共用電極中的任一個)的平面示意圖。
圖17是表示實施方式2的像素電極和共用電極(狹縫為圓弧狀) 的示意圖。(a)是平面示意圖，(b)、 (c)是表示(a)所示的虛線G-H 的截面示意圖。
圖18是表示實施方式2的變形例(在像素電極與共用電極之間具 有屏蔽電極)的平面示意圖。(a)是平面示意圖，(b)是表示(a)所 示的虛線G-H的截面示意圖。
圖19是表示實施方式2的變形例(共用電極為梳齒狀，像素電極 形成于像素整體)的平面示意圖。
符號說明
1、101:第一基板
2、102:第二基板
3、103:液晶層
4、104:像素電極
5、105:共用電極
6、106:彩色濾光片層
7、107:第一取向膜
8、跳掃描配線
9、跳共用配線
10、110:第一絕緣層
11、111:信號配線
12、112:薄膜晶體管
13、113:第二絕緣層
14、114:反射板
15、115:第三絕緣層
16、116:第二取向膜
17、117:第一接觸孔
18、118:第二接觸孔
20、120:反射光21、 121:透過光
22、 122:第一偏光板
23、 123:第二偏光板
24、 124:第一相位差板
25、 125:第二相位差板26:第一偏光板的透過軸27:第二偏光板的透過軸28:第一相位差板的滯相軸29:第二相位差板的滯相軸30:液品分子
31:梳齒狀電極(長方形的狹縫彎曲一次的形狀)32:梳齒狀電極(長方形的狹縫彎曲二次的形狀)33:梳齒狀電極(長方形的狹縫變曲三次的形狀)34:梳齒狀電極(狹縫為蛇行狀)35:電極(狹縫的周圍全部被電極包圍)
50、 150:屏蔽電極
119:第四絕緣層T:透過區(qū)域R:反射區(qū)域
具體實施例方式
以下公開實施方式，更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些實施方式。
(實施方式1)
實施方式1是一種液晶顯示裝置，在本發(fā)明的第一顯示裝置或第
二顯示裝置中具有IPS模式的結(jié)構(gòu)。圖l一l是構(gòu)成實施方式1的液晶顯示裝置的一個像素的平面示意圖，圖l一2是圖l一l所示的虛線A—B的截面示意圖。如圖l一2所示，實施方式1的液晶顯示裝置具有第一基板l、第二基板2和被夾持在這些基板之間的液晶層3。此外，第二基板2具備像素電極4和共用電極5，通過像素電極4和共用電極5在液晶層3上施加電壓。
15第一基板1在液晶層3 —側(cè)依次具有彩色濾光片層6和第一取向
膜7。第一基板1例如能夠使用玻璃基板。彩色濾光片層6重復(fù)排列有呈紅色、綠色和藍(lán)色的區(qū)域。其中，彩色濾光片層6也可以由4色以上的區(qū)域構(gòu)成。此外，由彩色濾光片層6引起的凹凸也可以通過樹脂制的平坦化層等進(jìn)行平坦化。第一取向膜7規(guī)定接近的液晶層3的取向方向。
第二基板2在液晶層3—側(cè)具有掃描配線8、共用配線9、第一絕緣層10、信號配線11、薄膜晶體管12、第二絕緣層13、反射板14、第三絕緣層15、像素電極4和共用電極5、和第二取向膜16。第二基板2能夠與第一基板1同樣，例如使用玻璃基板。掃描配線8和信號配線11隔著第一絕緣層10形成為不同的層，并且正交。薄膜晶體管12位于掃描配線8和信號配線11的交叉部附近。其結(jié)構(gòu)為柵極電極下置型(inverted staggered)結(jié)構(gòu)，柵極電極與掃描配線8連接，源極電極與信號配線11連接，漏極電極通過第一接觸孔17與像素電極4連接。薄膜晶體管12的溝道部由非晶硅層形成。共用配線9與掃描配線8平行地設(shè)置，通過第二接觸孔18與共用電極5連接。
像素電極4和共用電極5均為梳齒狀，梳齒(突出部)形成為圓弧狀。像素電極4和共用電極5是由氧化銦錫(ITO: Indium Tin Oxide)構(gòu)成的透明電極，形成在同一層。因此，相比于形成在不同層的情況，能夠簡化制造過程。在這樣的實施方式1的液晶顯示裝置中，如果在像素電極4和共用電極5上施加電壓，則在液晶層3上形成橫向的電場，產(chǎn)生取向變化。由此，進(jìn)行透過液晶層3的光的控制。
在圖1一1和圖1—2中，與反射板14重疊的區(qū)域是反射區(qū)域R，在圖l一l中表示為黑色的部分是反射區(qū)域R。如圖l一2所示，反射光20透過反射區(qū)域R。來自背光源的透過光21透過透過區(qū)域T。作為反射板14的材質(zhì)，優(yōu)選高反射率的鋁、銀合金等。
在實施方式l中，在透過區(qū)域T與反射區(qū)域R中使用同一材料的像素電極4和共用電極5，在像素電極4和共用電極5上分別設(shè)置有多個狹縫，其中的若干個成為圓弧狀的線對稱的狹縫的組合。此外，在各線對稱的狹縫的組合之間，還設(shè)置有別的狹縫。而且，在包括像素電極4所具有的一組線對稱的狹縫的對稱軸的、像素電極4的梳齒與共用電極5的梳齒之間的區(qū)域中，形成有反射區(qū)域R。其中，"圓弧"形狀是指在線對稱的狹縫相對形成的情況下，內(nèi)側(cè)的輪廓線彼此分別具有一定的角度。
如圖l一l所示，實施方式1的像素電極4和共用電極5的一根根梳齒為圓弧形狀。而且，在成為反射區(qū)域R的部位，像素電極4和共用電極5成為圓弧夾著反射區(qū)域R相互相對的形狀。另一方面，在成為透過區(qū)域T的部位，像素電極4和共用電極5成為圓弧在同一方向上并排的形狀。而且，在該情況下，反射區(qū)域R形成在圓弧相互相對的像素電極4的梳齒與共用電極5的梳齒之間。從而，根據(jù)本實施方式，像素電極4的一組線對稱的狹縫的對稱軸位于設(shè)置在該線對稱的狹縫間的狹縫內(nèi)，并且位于共用電極5的狹縫內(nèi)。此外，在實施方式l中，共用電極5的狹縫與像素電極4的狹縫為實質(zhì)上相同的形狀，共用電極5和像素電極4分別位于彼此的狹縫內(nèi)。即，本方式可以說是像素'乜極4的梳齒和共用電極5的梳齒均等地嚙合的形狀。根據(jù)這樣的實施方式1，反射區(qū)域R巾的像素電極4和共用電極5的狹縫寬度大于透過區(qū)域T中的像素電極4和共用電極5的狹縫寬度，即使使用相同材料的像素電極4和共用電極5，在透過區(qū)域T和反射區(qū)域R中施加在液晶層3上的電壓也不同，因此，即使不在反射區(qū)域R上另外設(shè)置臺階形成層而變更液晶層3的厚度(多重間隙)，也能夠進(jìn)行反射顯示和透過顯示。
另外，在像素電極4的更靠液晶層3的一側(cè)具有第二取向膜16，與液晶層3接近并規(guī)定其取向方向。此外，在實施方式1中，反射區(qū)域R的像素電極4的狹縫寬度，在最小區(qū)域與透過區(qū)域T的像素電極4的狹縫寬度為相同程度，并且在最大區(qū)域為透過區(qū)域T的狹縫寬度的兩倍以上。而且，反射區(qū)域R的像素電極4的狹縫寬度的平均值大于透過區(qū)域T的像素電極4的狹縫寬度的平均值。從而，根據(jù)本實施方式，能夠充分地達(dá)到本發(fā)明的效果。
以下，對實施方式1的像素電極4和共用電極5的形狀、配置的變形例進(jìn)行說明。
在實施方式1中，像素電極4和共用電極5的形狀、配置并不限定于圖1 —l所示的方式，例如，也可以是圖2 4所示的形狀、配置。圖2所示的像素電極4和共用電極5與圖l一l所示的結(jié)構(gòu)有所不
同，共用電極5在形成在像素電極4上的圓弧狀的一組線對稱的狹縫的對稱軸上形成有直線狀的梳齒。另一方面，像素電極4為圓弧相互
相對的形狀，在包括線對稱的狹縫的對稱軸的這些相互相對的像素電
極4的梳齒間形成有反射區(qū)域R。即，雖然形成于像素電極4的圓弧狀的一組線對稱的狹縫的對稱軸不位于共用電極5的狹縫內(nèi)，但即使是這樣的配置，反射區(qū)域R中的像素電極4的狹縫寬度也大于透過區(qū)域T中的像素電極4的狹縫寬度，因此，反射區(qū)域R能夠形成在包括設(shè)置在像素電極4上的一組線對稱的狹縫的對稱軸的區(qū)域中。
圖3所示的像素電極4和共用電極5，與圖l一l同樣，為在一個像素整體中像素電極4和共用電極5以圓弧相互嚙合的形狀。但是，與圖1 —l所示的不同，像素電極4和共用電極5的圓弧的彎曲的程度較小，此外，不僅在圖1一1所示的像素電極4的梳齒的中央與共用電極5的梳齒的中央相互擴展開的區(qū)域間設(shè)置有反射區(qū)域R，在像素電極4的梳齒的中央與共用電極5的梳齒的中央相互靠近的區(qū)域中也設(shè)S有反射區(qū)域R。通過如圖3所示使梳齒的根部彼此的間隔擴展，在像素電極4的梳齒的中央與共用電極5的梳齒的中央相互靠近的區(qū)域中也能夠形成反射區(qū)域R，在這樣的方式中，反射區(qū)域R也位于包括在像素電極4上形成的線對稱的狹縫的對稱軸上的、像素電極4與共用電極5相互相對的區(qū)域，因此包括在本發(fā)明中。根據(jù)這樣的配置，隨著朝向梳齒的根部，像素電極4與共用電極5的間隔變寬，因此能夠?qū)⒃搮^(qū)域利用作為反射區(qū)域R。
圖4所示的像素電極4在形成在像素電極4上的圓弧狀的一組線對稱的狹縫的對稱軸上，以直線狀的梳齒形成像素電極4。此外，共用電極5在形成在共用電極5上的線對稱的狹縫的對稱軸上，以直線狀的梳齒形成共用電極5。并且，在包括這些線對稱的狹縫的對稱軸、相互相對的像素電極4的梳齒間形成有反射區(qū)域R。即，形成在像素電極4上的圓弧狀的一組線對稱的狹縫的對稱軸并不位于設(shè)置在該一組線對稱的狹縫間的狹縫內(nèi)，但即使是這樣的配置，反射區(qū)域R中的像素電極4的狹縫寬度相比于透過區(qū)域T中的像素電極4的狹縫寬度更寬，因此，反射區(qū)域R能夠在包括設(shè)置在像素電極4上的一組線對稱
18的狹縫的對稱軸的區(qū)域中形成。
接著，使用圖5 7，說明偏光板、相位差板、和液晶分子的配置關(guān)系。圖5表示無電壓施加時的偏光板、相位差板、和液晶分子的配
置關(guān)系。圖6表示電壓施加時的反射區(qū)域中的偏光板、相位差板、和液晶分子的配置關(guān)系。圖7表示電壓施加時的透過區(qū)域中的偏光板、
相位差板、和液晶分子的配置關(guān)系。
在實施方式1中，如圖l一2所示，在第一基板1的相對于液晶層3的相反側(cè)、以及第二基板2的相對于液晶層3的相反側(cè)，第一偏光板22和第二偏光板23以各自的透過軸26、 27正交的方式配置。此外，在第一基板1與第一偏光板22之間配置有第一相位差板24，在第二基板2與第二偏光板23之間配置有第二相位差板25。
此時，如圖5所示，第一相位差板24的相位差為四分之一波長，以使其滯相軸28相對液晶分子30的取向方向順時針旋轉(zhuǎn)45度的方式進(jìn)行設(shè)定。第一偏光板22的透過軸26以與液晶分子30的取向方向平行的方式設(shè)定。第二相位差板25的相位差為四分之一波長，以使其滯相軸29與第一相位差板24的滯相軸28正交的方式配置。
在反射區(qū)域R中，在施加在像素電極4和共用電極5上的電壓不足降j但吋，液晶層3與第一偏光板22和第一相位差板24的疊層體作為圓偏光板起作用。當(dāng)透過第一偏光板22的直線偏光透過第一相位差板24時成為圓偏光。并且，在被反射板14反射之后，成為與入射時反向的圓偏光，再次入射到第一偏光板22時，為振動方向相對于第一偏光板22的透過軸26垂直的直線偏光，因此通過第一偏光板22被吸收而得喑顯示。另一方面，在施加在像素電極4和共用電極5上的電壓超過閾值時，如圖6所示，液晶分子30在順時針方向上進(jìn)行規(guī)定的角度e的取向變化。由此，入射光被反射板14反射之后，再次入射到第一偏光板22時，為振動方向相對于第一偏光板22的透過軸平行的直線偏光，因此不會被第一偏光板22吸收而獲得亮顯示。
在透過區(qū)域T中，第一相位差板24與第二相位差板25正交，因此從第一基板1的法線方向看的相位差為0，對從該方向看時的顯示不造成影響。在施加在像素電極4和共用電極5上的電壓不足閾值時，液晶分子30的長軸與第二偏光板23的透過軸27正交，因此透過第二偏光板23的直線偏光為相對于第一偏光板22的透過軸26垂直的直線偏光，因此，通過第一偏光板22被吸收而獲得暗顯示。另一方面，如果施加在像素電極4和共用電極5上的電壓超過閾值，則如圖7所示，液晶分子30在順時針方向上進(jìn)行規(guī)定的角度2 9的取向變化。在入射到第一偏光板22時，成為振動方向相對于第一偏光板22的透過軸26平行的直線偏光，因此不會被第一偏光板22吸收而獲得亮顯示。
第一相位差板24和第二相位差板25使用折射率的波長分散性較小的材料，例如降冰片烯(norbomene)類的材料(JSR社制造，商品名ARTON)，由此著色較少，能夠獲得更黑的暗顯示。
使以上述方式制作的反射透過兩用型液晶顯示面板與驅(qū)動裝置連接，并在背后配置背光源等，完成反射透過兩用型液晶顯示裝置。
以下，說明實施方式1的像素電極4和共用電極5的梳齒單位的形狀的變形例。
在本實施方式中，梳齒狀的像素電極4和共用電極5中的梳齒(突出部)的形狀并不限于圖l一l所示的圓弧狀，例如，也可以為圖8 11所示的形狀。圖8所示的梳齒狀電極31具有在梳齒的中央折線狀彎曲一次的V字形狀，狹縫形狀是長方形的狹縫彎曲一次的形狀。圖9所示的梳齒狀電極32中，梳齒具有兩個折線狀的彎曲部，整體具有大致V字形的形狀，狹縫形狀是長方形的狹縫彎曲兩次的形狀。圖10所示的梳齒狀電極33中，梳齒具有三個折線狀的彎曲部，整體具有排列有兩個的大致V字形的形狀，狹縫形狀是長方形的狹縫彎曲三次的鋸齒形狀。圖11所示的梳齒狀電極34中，梳齒具有三個圓弧狀的彎曲部，整體具有排列有兩個大致V字形的形狀，狹縫是蛇行狀。另外，像素電極4和/或共用電極5的形狀中作為一組線對稱的狹縫的對稱軸的區(qū)域，分別如圖8 圖11所示成為反射區(qū)域R。
圖12是表示實施方式1的像素電極4和共用電極5的示意圖。圖12 (a)是像素電極4和共用電極5的平面示意圖，(b)、 (c)、 (d)是表示(a)所示的虛線C-D的三種截面示意圖。像素電極4和共用電極5的配置關(guān)系不限定于圖12 (b)所示的形成在同一層的方式，也可以如圖12 (c)所示，像素電極4形成在相比于共用電極5更靠近液晶層3—側(cè)的層，也可以如圖12 (d)所示，共用電極5形成在相比于像素電極4更靠近液晶層3 —側(cè)的層。
在實施方式1中，位于反射區(qū)域R的像素電極4和/或共用電極5的梳齒之間，設(shè)置有屏蔽電極也可以。圖13是在實施方式1的像素電極4與共用電極5之間設(shè)置有屏蔽電極50的情況的示意圖。圖13 (a)是平面示意圖，圖13 (b)是圖13 (a)所示的虛線C-D的截面示意圖。通過在像素電極4與共用電極5之間設(shè)置屏蔽電極50，也能夠使在像素電極4與共用電極5之間產(chǎn)生的電場的強度減弱，因此，通過在反射區(qū)域R設(shè)置屏蔽電極50，與在像素電極4和/或共用電極5中具有一組線對稱的狹縫的結(jié)構(gòu)組合，能夠更有效地使在像素電極4與共用電極5之間產(chǎn)生的電場的強度在反射區(qū)域R中相比于透過區(qū)域T更弱。另外，此時，屏蔽電極50優(yōu)選被接地。(實施方式2)
實施方式2是一種液晶顯示裝置，在本發(fā)明的第一顯示裝置或第二顯示裝置中具有FFS模式的結(jié)構(gòu)。圖14一1是構(gòu)成實施方式2的液晶顯示裝置的一個像素的平面示意圖，圖14一2是圖14一1所示的虛線E-F的截面示意圖。實施方式2的液晶顯示裝置，如圖14一2所示，具有第一基板101、第二基板102、和被夾持在這些基板之間的液晶層103。此外，第二基板102具備像素電極104和共用電極105，通過像素電極104和共用電極105，在液晶層103上施加電壓。
第一基板101在液晶層103 —側(cè)依次具有彩色濾光片層106和第一取向膜107。第一基板101例如能夠使用玻璃基板。彩色濾光片層106重復(fù)排列有顯示紅色、綠色和藍(lán)色的區(qū)域。另外，彩色濾光片層106也可以由四色以上的區(qū)域構(gòu)成。由彩色濾光片層106引起的凹凸也可以通過樹脂制的平坦化層等被平坦化。第一取向膜107規(guī)定接近的液晶層103的取向方向。
第二基板102在液晶層103 —側(cè)具有掃描配線108、共用配線109、第一絕緣層110、信號配線111、薄膜晶體管112、第二絕緣層113、反射板114、第三絕緣層115、共用電極105、第四絕緣層119、像素電極104、和第二取向膜116。第二基板102與第一基板101同樣，例如能夠使用玻璃基板。掃描配線108和信號配線111隔著第一絕緣層110形成在不同的層，并且正交。薄膜晶體管112位于掃描配線108與信號配線111的交叉部附近。該結(jié)構(gòu)是柵極電極下置型結(jié)構(gòu)，柵極電極 與掃描配線108連接，源極電極與信號配線111連接，漏極電極通過
第一接觸孔117與像素電極104連接。薄膜晶體管112的溝道部由非 晶硅層形成。共用配線109與掃描配線108平行地設(shè)置，通過第二接 觸孔118與共用電極105連接。
像素電極104是梳齒狀，梳齒(突出部)形成為圓弧狀。另一方 面，共用電極105形成在像素整體，由第四絕緣層119隔開位于像素 電極104的更下層。像素電極104和共用電極105是由氧化銦錫(ITO) 構(gòu)成的透明電極。在這樣的實施方式2的液晶顯示裝置中，當(dāng)在像素 電極104和共用電極105上施加電壓時，在液晶層103上產(chǎn)生橫向的 電場，在液晶層103中產(chǎn)生取向變化。由此，進(jìn)行透過液晶層103的 光的控制。
在圖14一1和圖14一2中，與反射板114重疊的區(qū)域是反射區(qū)域R， 在圖14一1中表示為黑色的部分是反射區(qū)域R。如圖14一2所示，反 射光120透過反射區(qū)域R。來自背光源的透過光121透過透過區(qū)域T。 作為反射板114的材質(zhì)，優(yōu)選高反射率的鋁、銀合金等。
在實施方式2中，在透過區(qū)域T和反射區(qū)域R中使用同--材料的 像素電極104和共用電極105，但在像素電極104中設(shè)置有多個狹縫， 其中的若干個成為圓弧狀的線對稱的狹縫的組合。此外，在各線對稱 的狹縫的組合之間，還設(shè)置有其他狹縫。而且，在包括像素電極104 所具有的一組線對稱的狹縫的對稱軸的、像素電極104的梳齒和與其 鄰接的像素電極104的梳齒之間的區(qū)域中，形成有反射區(qū)域R。
如圖14一1所示，實施方式2的像素電極104的一根根梳齒均為 圓弧狀。而且，在作為反射區(qū)域R的部位，像素電極104的梳齒成為 圓弧夾著反射區(qū)域R相互相對的形狀。另一方面，在作為透過區(qū)域T 的部位，成為圓弧在同一方向并排的形狀。另外，根據(jù)本實施方式， 像素電極104的一組線對稱的狹縫的對稱軸位于在該線對稱的狹縫間 設(shè)置的狹縫內(nèi)。根據(jù)這樣的實施方式2，反射區(qū)域R中的像素電極104 的狹縫寬度比透過區(qū)域T中的狹縫寬度寬，能夠不在反射區(qū)域R中另 外形成臺階形成層以改變液晶層103的厚度(多重間隙)地進(jìn)行反射 顯示和透過顯示。在比像素電極104更靠近液晶層103的一側(cè)具有第
22二取向膜116，其接近液晶層103并規(guī)定其取向方向。另外，在實施方
式2中，共用電極105與像素電極104夾著絕緣膜設(shè)置在不同的層上。 此外，在實施方式2中，反射區(qū)域R的像素電極104的狹縫寬度在最 小的區(qū)域與透過區(qū)域T的像素電極104的狹縫寬度為相同程度，并且 在最大的區(qū)域為透過區(qū)域T的狹縫寬度的兩倍以上。此外，反射區(qū)域 R的像素電極104的狹縫寬度的平均值大于透過區(qū)域T的像素電極104 的狹縫寬度的平均值。從而，根據(jù)本實施方式，能夠充分地達(dá)到本發(fā) 明的效果。
實施方式2的偏光板、相位差板、和液晶分子的配置關(guān)系與實施 方式1同樣，在第一基板101的與液晶層相反的一側(cè)，以及第二基板 102的與液晶層相反的一側(cè)，第一偏光板122和第二偏光板123以使各 自的透過軸正交的方式配置。在第一基板101與第一偏光板122之間 配置有第一相位差板124，在第二基板102與第二偏光板123之間配置 有第二相位差板125。此外，第一相位差板124的相位差為四分之一波 長，以使其滯相軸相對液晶分子的取向方向順吋針旋轉(zhuǎn)45度的方式進(jìn) 行設(shè)定。第一偏光板122的透過軸以與液晶分子的取向方向平行的方 式設(shè)定。第二相位差板125的相位差為四分之一波長，以使其滯相軸 與第一相位差板124的滯相軸正交的方式配置。
作為第一相位差板124和第二相位差板125，使用折射率的波長分 散性較小的材料，例如降冰片烯類的材料(JSR社制造，商品名 ARTON)，由此著色較少，能夠獲得更黑的暗顯示。
將以上述方式制作的反射透過兩用型液晶顯示面板與驅(qū)動裝置連 接，并在背后配置背光源等，完成反射透過兩用型液晶顯示裝置。
在實施方式2中，像素電極104和共用電極105的形狀、配置并 不限定于圖14一1所示的結(jié)構(gòu)，例如，也可以為圖15所示的形狀、配 置。
圖15所示的像素電極104與圖14一1所示的不同，像素電極104 的圓弧的彎曲程度較小，此外，不僅在圖14一1所示的像素電極104 的梳齒的中央與鄰接的像素電極104的梳齒的中央相互擴展開的區(qū)域 間設(shè)置有反射區(qū)域R，在像素電極104的梳齒的中央與鄰接的像素電 極104的梳齒的中央相互靠近的區(qū)域中也設(shè)置有反射區(qū)域R。通過如圖15所示使梳齒的根部彼此的間隔擴展，在像素電極104的梳齒的中 央與鄰接的像素電極104的梳齒的中央相互靠近的區(qū)域中也能夠形成
反射區(qū)域R，在這樣的方式中，反射區(qū)域R也位于包括在像素電極104 上形成的線對稱的狹縫的對稱軸上的區(qū)域的、像素電極104的梳齒與 鄰接的像素電極104的梳齒相互相對的區(qū)域，因此包括在本發(fā)明中。 根據(jù)這樣的配置，隨著朝向梳齒的根部，像素電極104與像素電極104 的梳齒的間隔變寬，因此能夠?qū)⒃搮^(qū)域利用作為反射區(qū)域R。
以下，說明實施方式2的像素電極104的梳齒單位的形狀的變形
在實施方式2中，梳齒狀的像素電極104中的梳齒(突出部)的 形狀并不限于圖14一1所示的圓弧狀，例如，也可以為圖8 11所示 的形狀。此外，在實施方式2的情況下，像素電極104也可以不是梳 齒狀，而是如圖16所示，具有周圍全部被像素電極104包圍的大致橢 圓形的狹縫的電極35。
圖17是表示實施方式2的像素電極104和共用電極105的平面示 意圖。圖17 (a)是像素電極104和共用電極105的平面示意圖，(b)、 (c)是(a)所示的虛線G-H的兩種截面示意圖。像素電極104和共 用電極105的配置關(guān)系，不限定于圖17 (b)所示的像素電極104形成 在相比于共用電極105更靠近液晶層103 —側(cè)的層上的方式，也可以 如圖17 (c)所示，共用電極105形成在相比于像素電極104更靠近液 晶層103——側(cè)白勺層。
在實施方式2中，與實施方式1同樣，位于反射區(qū)域R的像素電 極104的梳齒之間，設(shè)置有屏蔽電極也可以。圖8是在實施方式2的 像素電極104與共用電極105之間設(shè)置有屏蔽電極150的情況的示意 圖。圖18 (a)是平面示意圖，圖18 (b)是圖18 (a)所示的虛線G-H 的截面示意圖。與實施方式1同樣，通過在像素電極104與共用電極 105之間，將屏蔽電極150設(shè)置在反射區(qū)域R，也能夠使在像素電極 104與共用電極105之間產(chǎn)生的電場的強度在反射區(qū)域R中減弱，因 此，與在像素電極104中具有一組線對稱的狹縫的結(jié)構(gòu)組合，能夠更 有效地使在像素電極104與共用電極105之間產(chǎn)生的電場的強度在反 射區(qū)域R中相比于透過區(qū)域T更弱。與實施方式l同樣，此時，屏蔽
24電極150優(yōu)選被接地。
如圖19所示，實施方式2的顯示裝置也可以是，共用電極105形 成為梳齒狀，像素電極104形成在像素整體。即，相對于上述的方式， 可以置換像素電極104的結(jié)構(gòu)與共用電極105的結(jié)構(gòu)，在這樣的方式 中，也能夠達(dá)到本發(fā)明的效果。
另外，本申請以2006年8月2日提出的日本國專利申請2006 — 210902號為基礎(chǔ)，主張基于巴黎公約和進(jìn)入國的法規(guī)的優(yōu)先權(quán)。該申 請的內(nèi)容整體作為參照引入本申請。
此外，本申請書中的"以上"包括該數(shù)值(臨界值)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其包括一對基板和被夾持在該基板間的顯示介質(zhì)，并且在像素內(nèi)形成有進(jìn)行反射顯示的反射區(qū)域和進(jìn)行透過顯示的透過區(qū)域，該顯示裝置的特征在于該顯示裝置在一個基板上具備像素電極和共用電極，通過該像素電極和該共用電極在顯示介質(zhì)上施加電壓，該像素電極設(shè)置有多個狹縫，該多個狹縫包括至少一組線對稱的狹縫、和設(shè)置在該線對稱的狹縫間的狹縫，該線對稱的狹縫的相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線中，一方的輪廓線相對于另一方的輪廓線具有角度，該線對稱的對稱軸位于反射區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述像素電極為梳齒狀。
3. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述像素電極的狹縫的周圍全部被像素電極包圍。
4. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述像素電極的狹縫為長方形至少彎曲一次的形狀。
5. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述像素電極的狹縫為鋸齒形狀。
6. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述像素電極的狹縫為圓弧狀。
7. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述像素電極的狹縫為蛇行狀。
8. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極與像素電極夾著絕緣膜設(shè)置在不同的層上。
9. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述線對稱的對稱軸位于設(shè)置在線對稱的狹縫間的狹縫內(nèi)。
10. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極設(shè)置有狹縫。
11. 如權(quán)利要求IO所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極設(shè)置在形成有像素電極的層。
12. 如權(quán)利耍求IO所述的顯示裝置，其特征在于所述共用電極的狹縫包括與像素電極的狹縫實質(zhì)上相同的形狀。
13. 如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極和像素電極分別位于彼此的狹縫內(nèi)。
14. 如權(quán)利要求IO所述的顯示裝置，其特征在于 所述線對稱的對稱軸位于共用電極的狹縫內(nèi)。
15. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 所述反射區(qū)域中，在像素電極與共用電極之間設(shè)置有屏蔽電極。
16. 如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其特征在于 所述屏蔽電極被接地。
17. —種顯示裝置，其包括一對基板和被夾持在該基板間的顯示介 質(zhì)，并且在像素內(nèi)形成有進(jìn)行反射顯示的反射區(qū)域和進(jìn)行透過顯示的 透過區(qū)域，該顯示裝置的特征在于該顯示裝置在一個基板上具備像素電極和共用電極，通過該像素 電極和該共用電極在顯示介質(zhì)上施加電壓，該共用電極設(shè)置有多個狹縫，該多個狹縫包括至少一組線對稱的狹縫、和設(shè)置在該線對稱的狹 縫間的狹縫，該線對稱的狹縫的相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線中， 一方的輪廓線相對于 另一方的輪廓線具有角度，該線對稱的對稱軸位于反射區(qū)域。
18. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極為梳齒狀。
19. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極的狹縫的周圍全部被共用電極包圍。
20. 如權(quán)利耍求17所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極的狹縫為長方形至少彎曲一次的形狀。
21. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極的狹縫為鋸齒形狀。
22. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于 所述共用電極的狹縫為圓弧狀。
23. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在亍-所述共用電極的狹縫為蛇行狀。
24. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于所述共用電極與像素電極夾著絕緣膜設(shè)置在不同的層上。
25. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于所述線對稱的對稱軸位于設(shè)置在線對稱的狹縫間的狹縫內(nèi)。
26. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于所述像素電極設(shè)置有狹縫。
27. 如權(quán)利要求26所述的顯示裝置，其特征在于 所述像素電極的狹縫包括與共用電極的狹縫實質(zhì)上相同的形狀。
28. 如權(quán)利要求26所述的顯示裝置，其特征在于所述線對稱的對稱軸位于像素電極的狹縫內(nèi)。
29. 如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于-所述反射區(qū)域中，在共用電極與像素電極之間設(shè)置有屏蔽電極。
30. 如權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其特征在于 所述屏蔽電極被接地。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，其能夠不設(shè)置多重間隙結(jié)構(gòu)地以反射顯示和透過顯示兩者進(jìn)行明亮的顯示，并且能夠減少在反射區(qū)域和透過區(qū)域中在響應(yīng)時間上產(chǎn)生差異。本發(fā)明的顯示裝置包括一對基板和被夾持在所述基板間的顯示介質(zhì)，并且在像素內(nèi)形成有進(jìn)行反射顯示的反射區(qū)域和進(jìn)行透過顯示的透過區(qū)域，所述顯示裝置在一個基板上具備像素電極和共用電極，通過所述像素電極和所述共用電極在顯示介質(zhì)上施加電壓，所述像素電極設(shè)置有多個狹縫，所述多個狹縫包括至少一組線對稱的狹縫、和設(shè)置在所述線對稱的狹縫間的狹縫，所述線對稱的狹縫的相對的內(nèi)側(cè)的輪廓線中，一方的輪廓線相對于另一方的輪廓線具有角度，所述線對稱的對稱軸位于反射區(qū)域。
文檔編號G02F1/1335GK101495910SQ20078002830
公開日2009年7月29日 申請日期2007年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月2日
發(fā)明者西田賢治 申請人:夏普株式會社