專利名稱：保護(hù)膜及其支架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于掩膜版的保護(hù) 膜及其支架.背景技術(shù)光刻掩膜版(Mask),也稱為掩模版或者光罩，是一種對(duì)于曝光光 線具有透光性的平板，其上具有對(duì)于曝光光線具有遮光性的至少一個(gè)幾 何圖形，可實(shí)現(xiàn)有選擇地遮擋照射到晶片表面光刻膠上的光線，以便在 晶片表面的光刻膠上形成圖案。掩膜版的質(zhì)量會(huì)直接影響所形成的光刻 膠圖案的質(zhì)量，如果掩膜版被玷污，附有了異物，則該異物的圖形也會(huì) 轉(zhuǎn)移至晶片上，從而影響晶片上器件的性能和成品率，因此，對(duì)掩膜版 的質(zhì)量往往有較高的要求。為了在保存及使用過(guò)程中更好地保護(hù)掩膜版，降低掩膜版受到顆粒 玷污的可能性，防止因有雜質(zhì)落到掩膜版的圖形區(qū)而影響曝光質(zhì)量，通 常會(huì)在掩膜版的圖形區(qū)上覆蓋由支架撐起的易讓曝光用的光線通過(guò)的透 明的薄膜，該結(jié)構(gòu)稱為保護(hù)膜(Pellicle)。圖l為現(xiàn)有的具有保護(hù)膜的掩 膜版剖面示意圖，如圖l所示，掩膜版由透明(對(duì)曝光機(jī)的曝光光線而言) 的基板101和光刻的圖形102組成，其上的保護(hù)膜主要由透光薄膜103和用 于支持該薄膜的支架(Frame) 104組成，其中，薄膜103和支架104之間、 支架104和掩膜版的基板101之間利用粘附劑107、 108相連。另外，在支 架104側(cè)壁的中部附近具有一個(gè)開(kāi)口 105，該開(kāi)口 105的作用是保持保護(hù)膜 內(nèi)氣壓與外界環(huán)境的氣壓一致。為了防止環(huán)境中的顆粒由該開(kāi)口105進(jìn)入 保護(hù)膜，玷污掩膜版，在開(kāi)口處可以安裝一個(gè)顆粒過(guò)濾裝置106，用于將 環(huán)境中的顆粒隔離在保護(hù)膜之外。圖2為現(xiàn)有的具有保護(hù)膜的掩膜版立體 示意圖，其中支架104的一個(gè)側(cè)壁上具有開(kāi)口105。然而，上述具有顆粒過(guò)濾裝置的保護(hù)膜僅能防止外界顆粒玷污掩膜版，對(duì)于最受關(guān)注的掩膜版霧化(Haze)的問(wèn)題是無(wú)能為力的。所謂掩 膜版霧化問(wèn)題是指，當(dāng)掩膜版使用較長(zhǎng)時(shí)間后，其表面可能會(huì)出現(xiàn)一些 異物，使4^膜版的透光性變差，進(jìn)而影響到光刻的質(zhì)量。目前，隨著集成電路的飛速發(fā)展，掩膜版霧化問(wèn)題更為嚴(yán)重，對(duì)光 刻工藝造成的影響也更大。這一方面是因?yàn)榫叽缭絹?lái)越大，利用掩 膜版進(jìn)行膝光的次數(shù)越來(lái)越多；另 一方面也是因?yàn)槠骷年P(guān)鍵尺寸(CD, Critical Dimension)越來(lái)越小，為了提高分辨率，光學(xué)爆光機(jī)的波長(zhǎng)也不 斷縮小，現(xiàn)已從436mm、 365mm的近紫外(NUV， Near Ultra-Violet),進(jìn) 入到了246imm、 193mm的深紫外(DUV， Deep Ultra-Violet)，而這一曝 光波長(zhǎng)的降低意味著光照時(shí)光子能量的升高。上述兩方面的原因都會(huì)導(dǎo) 致掩膜版在較短的使用時(shí)間內(nèi)就出現(xiàn)了較為嚴(yán)重的霧化現(xiàn)象，進(jìn)一 步縮 短了掩膜版的使用壽命，造成生產(chǎn)成本的上升。2005年8月31日公開(kāi)的公告號(hào)為CN1217235C的中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)岢隽?一種保護(hù)膠片(保護(hù)膜)的制造方法，該方法改善了保護(hù)膜與掩膜版間 的粘附方式，以便在將保護(hù)膜粘附到掩膜版上后，發(fā)現(xiàn)掩膜版已被玷污， 需拆卸保護(hù)膜、清洗掩膜版并重新安裝保護(hù)膜時(shí)，可以再次利用原保護(hù) 膜。但是，該技術(shù)方案僅是提高了保護(hù)膜的利用率，對(duì)于解決掩膜版霧 化的問(wèn)題沒(méi)有直接的幫助。為解決霧化問(wèn)題，常用的方法是從預(yù)防入手，優(yōu)化掩膜版的清洗質(zhì) 量，以減少掩膜版上可能殘留的微粒量。 一種常用方法是利用由等離子 體轟擊實(shí)現(xiàn)的干法清洗方法代替由硫酸等化學(xué)試劑溶液實(shí)現(xiàn)的濕法清洗 方法對(duì)掩膜版進(jìn)行清洗，以防止掩膜版上殘留化學(xué)試劑微粒。但是，對(duì) 于掩膜版上粘附的一些有機(jī)物質(zhì)，如光刻膠等，單純采用干法清洗方法 是無(wú)法清除干凈的，通常在等離子體轟擊后還是需要再利用硫酸等化學(xué) 試劑溶液對(duì)掩膜版進(jìn)行清洗，因此，其仍無(wú)法避免在掩膜版上殘留化學(xué)試劑微粒的問(wèn)題。另 一種方法是在用硫酸等化學(xué)試劑溶液清洗掩膜版后， 再利用大量的熱去離子水對(duì)掩膜版進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的沖洗，以減少掩膜版上 殘留的化學(xué)試劑微粒，該方法可以去除一部分化學(xué)試劑微粒，但是要經(jīng)過(guò);f艮長(zhǎng)時(shí)間， 一般正常情況下的產(chǎn)能為每小時(shí)3片，而熱去離子水沖洗方法的產(chǎn)能僅為每?jī)尚r(shí)一片，對(duì)于工業(yè)生產(chǎn)而言應(yīng)用性不大。此外，現(xiàn)有的一些比較昂貴新的清洗機(jī)臺(tái)，通過(guò)引入含03的去離子水、含H2的去 離子水，以及利用172nm的紫外線進(jìn)行照射，也可以對(duì)抗掩膜版霧化的問(wèn) 題，但是需要投入大量資金去購(gòu)買新的機(jī)臺(tái)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種用于掩膜版的保護(hù)膜及其支架，以改善現(xiàn)有的掩膜 版易出現(xiàn)霧化的現(xiàn)象。本發(fā)明提供的一種保護(hù)膜，所述保護(hù)膜包括支架和粘附于所述支架 上的薄膜，所述支架的側(cè)壁具有開(kāi)口，其中，在所述開(kāi)口處還具有氣體 過(guò)濾裝置。其中，所述氣體過(guò)濾裝置包含吸附氨氣和/或含^^氣體的濾芯。 其中，所述氣體過(guò)濾裝置包括活性碳纖維或活性碳粉或沸石的濾芯。其中，所述氣體過(guò)濾裝置可以位于所述開(kāi)口內(nèi)。 其中，所述氣體過(guò)濾裝置可以位于所述開(kāi)口的任一側(cè)。 另外，上述保護(hù)膜的開(kāi)口處還可以具有顆粒過(guò)濾裝置，所述顆粒過(guò) 濾裝置在保護(hù)膜外的空氣到達(dá)所述氣體過(guò)濾裝置前將所述空氣中的顆 粒濾除。所述顆粒過(guò)濾裝置可以與所述氣體過(guò)濾裝置相對(duì)設(shè)置安裝。本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的一種保護(hù)膜的支架，所述支架的 側(cè)壁具有開(kāi)口，其中，在所述開(kāi)口處具有氣體過(guò)濾裝置。其中，所述氣體過(guò)濾裝置包含吸附氨氣和/或含硫氣體的濾芯。其中，所述氣體過(guò)濾裝置包括活性碳纖維或活性碳粉或沸石的濾芯。其中，所述氣體過(guò)濾裝置可以位于所述開(kāi)口內(nèi)。其中，所述氣體過(guò)濾裝置可以位于所述開(kāi)口的任一側(cè)。另外，所迷支架的所述開(kāi)口處還可以具有用于濾除即將進(jìn)入所述氣 體過(guò)濾裝置的氣體中的顆粒的顆粒過(guò)濾裝置，所述顆粒過(guò)濾裝置與所述 氣體過(guò)濾裝置相對(duì)設(shè)置。其中，所述開(kāi)口的外側(cè)還具有一個(gè)殼體，所述顆粒過(guò)濾裝置與所述 氣體過(guò)濾裝置組裝于所述殼體內(nèi)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的保護(hù)膜及其支架，在支架側(cè)壁的開(kāi)口處設(shè)置了一個(gè)可吸附 某些特定氣體，如氨或含硫氣體等的氣體過(guò)濾裝置，該氣體過(guò)濾裝置可 以防止空氣中的某些特定氣體進(jìn)入保護(hù)膜內(nèi)，避免該部分氣體在啄光機(jī) 的光照下發(fā)生反應(yīng)，生成導(dǎo)致掩膜版霧化的反應(yīng)物，從而有效改善了掩 膜版的霧化現(xiàn)象。附困說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有的具有保護(hù)膜的掩膜版剖面示意圖；圖2為現(xiàn)有的具有保護(hù)膜的掩膜版立體示意圖；圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的具有保護(hù)膜的掩膜版剖面示意圖；圖4為本發(fā)明第 一 實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖；圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖；圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖；圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖；圖8為本發(fā)明第五實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖； 圖9為本發(fā)明第六實(shí)施例的保護(hù)膜的支架的立體示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合 附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明的處理方法可被廣泛地應(yīng)用到許多應(yīng)用中，并且可利用許多 適當(dāng)?shù)牟牧现谱?，下面是通過(guò)較佳的實(shí)施例來(lái)加以說(shuō)明，當(dāng)然本發(fā)明并 不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換 無(wú)疑地涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)， 為了便于說(shuō)明，表示剖面的示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，不應(yīng)以 此作為對(duì)本發(fā)明的限定，此外，在實(shí)際的制作中，應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及 深度的三維空間尺寸。為解決掩膜版霧化的問(wèn)題，首先對(duì)導(dǎo)致掩膜版霧化的異物成份進(jìn)行 了分析，發(fā)現(xiàn)其主要是由硫、氨等成份組成。在半導(dǎo)體制作車間內(nèi)，一些清洗劑或腐蝕劑中帶有NH/,操作人員也會(huì)釋放出NH3，雖然會(huì)在車 間內(nèi)安裝一些去除氨的過(guò)濾器，但其周圍環(huán)境中的氨氣仍不能完全去除。 另外，清洗掩膜版后殘留的硫酸微粒、空氣中的含硫氣體等也可能會(huì)導(dǎo) 致掩膜版的霧化。這些空氣中的氨氣或含硫氣體等接觸到掩膜版，并在 進(jìn)行光刻曝光處理時(shí)，在光照的作用下發(fā)生一系列的反應(yīng)，生成的反應(yīng) 物粘附在掩膜版上，就表現(xiàn)為掩膜版發(fā)生霧化。下面列舉幾種可能導(dǎo)致 掩膜版發(fā)生霧化的化學(xué)反應(yīng)1、通常掩膜版是利用硫酸溶液進(jìn)行清洗的，即使在清洗后經(jīng)檢查確 認(rèn)掩膜版已沖洗干凈，實(shí)際在掩膜版上仍會(huì)殘留部分疏酸微粒，在進(jìn)行 曝光時(shí)，該部分殘留的硫酸微粒在光照的作用下，會(huì)與空氣中的氨氣發(fā) 生反應(yīng)，生成的固體硫酸氨粘附在掩膜版上，使掩膜版霧化，其反應(yīng)式 為H2S04+2NH3 — (NH4)2S042、 空氣中的氨氣與空氣中的氧化硫在光照下發(fā)生反應(yīng)，同樣會(huì)導(dǎo) 致掩膜版發(fā)生霧化，其反應(yīng)式為S02+2NH3 + 2H20 —(NH4)2S04+H2 S03+2NH3 + H20 — (NH4)2S043、 空氣中的氨氣在光照下還可能與空氣中的二氧化碳發(fā)生如下反應(yīng)3NH3 + 3C02 —C303N3H3 + 3H20該反應(yīng)中生成的有機(jī)物C303N3H3 (氫尿酸)粘附于掩膜版上，也會(huì)導(dǎo) 致掩膜版霧化。且隨著掩膜版使用時(shí)間的延長(zhǎng)，掩膜版上積累的反應(yīng)生 成物增多，掩膜版的霧化現(xiàn)象越來(lái)越嚴(yán)重，只能將保護(hù)膜拆下，對(duì)掩膜 版進(jìn)行重新清洗，這一方面影響了生產(chǎn)的效率，另一方面，掩膜版在清 洗、裝上新的保護(hù)膜后再次重新投入使用，壽命會(huì)縮短。以上只是列出了幾種與氨氣有關(guān)的可能導(dǎo)致掩膜版發(fā)生霧化的化 學(xué)反應(yīng)，實(shí)際上導(dǎo)致掩膜版發(fā)生霧化的化學(xué)反應(yīng)是多種多樣的，在此不 再一一列舉，但由上述分析可以看出，要改善掩膜版的霧化問(wèn)題，可以由掩膜版周圍的氣體著手。實(shí)踐發(fā)現(xiàn)，雖然掩膜版的霧化在兩面都會(huì)發(fā) 生，但由于掩膜版帶圖形處易粘附異物，位于保護(hù)膜內(nèi)的掩膜版帶圖形 一面的霧化要更為嚴(yán)重。另外，由于掩膜版帶圖形一面為光刻時(shí)聚焦的 位置，其上的霧化對(duì)光刻工藝中圖形轉(zhuǎn)移效果的影響較大。由此可以推 出，如果能避免氨氣、含硫氣體等可能引起化學(xué)反應(yīng)的氣體進(jìn)入保護(hù)膜， 就可以避免在位于保護(hù)膜內(nèi)的掩膜版帶圖形的一面上產(chǎn)生異物，也就可 以有效地改善掩膜版霧化的問(wèn)題。為了改善因空氣中的氨氣進(jìn)入保護(hù)膜而令掩膜版出現(xiàn)霧化的問(wèn)題， 本發(fā)明提出了一種可用于掩膜版的保護(hù)膜，圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的 具有保護(hù)膜的掩膜版剖面示意圖，如圖3所示，本發(fā)明的保護(hù)膜由支架 104和粘附于該支架上的薄膜103組成，其中，支架104的側(cè)壁具有一個(gè)開(kāi)口 105，且在開(kāi)口處設(shè)置了用于吸附某些氣體的氣體過(guò)濾裝置301。 該氣體過(guò)濾裝置301可以是購(gòu)買的能吸附多種氣體，包括氨氣、含硫氣 體等的氣體過(guò)濾器；也可以僅是包含專用于吸附氨氣或氧化硫等的濾芯 的過(guò)濾裝置。此外，在該氣體過(guò)濾裝置301的外側(cè)，還可以再設(shè)置一個(gè)顆粒過(guò)濾 裝置106。雖然氣體過(guò)濾裝置301也能將顆粒隔離在外，但這些大的顆 粒會(huì)影響到氣體過(guò)濾裝置301的使用壽命，因此，本實(shí)施例中還是在氣 體過(guò)濾裝置301外安裝了顆粒過(guò)濾裝置106,該顆粒過(guò)濾裝置106可以 在保護(hù)膜外的空氣到達(dá)氣體過(guò)濾裝置301前將空氣中的顆粒濾除圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖，如 圖4所示，在支架104的開(kāi)口 105處，為了防止周圍環(huán)境中的顆粒進(jìn)入 開(kāi)口 105，在開(kāi)口的外側(cè)安裝了一個(gè)顆粒過(guò)濾裝置106，其可以將空氣 中較大的顆粒隔離在開(kāi)口 105之外。另外，由于該顆粒過(guò)濾裝置106對(duì) 于各種氣體是沒(méi)有隔離能力的，空氣中的氨或含疏氣體401仍能透過(guò)該 顆粒過(guò)濾裝置到達(dá)開(kāi)口 105內(nèi)，并在光照下發(fā)生一些反應(yīng)，造成掩膜版 霧化。為此，本實(shí)施例中，還在開(kāi)口 105內(nèi)安裝了氣體過(guò)濾裝置301， 本實(shí)施例中的氣體過(guò)濾裝置301的濾芯采用的是活性碳纖維，另外，為 了更好地隔離空氣中危害較大的NH3，可以再在該活性碳纖維內(nèi)浸上磷 酸等無(wú)機(jī)酸，當(dāng)NH3通過(guò)時(shí)，無(wú)機(jī)酸與NH3反應(yīng)生成的固體物質(zhì)會(huì)被 吸附在活性碳纖維上，可以更有效防止空氣中的NH3進(jìn)入保護(hù)膜，也就 更有效地防止了掩膜版霧化問(wèn)題的出現(xiàn)。在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，氣體過(guò)濾裝置安裝于支架開(kāi)口內(nèi)部靠近 內(nèi)壁的位置，在實(shí)際應(yīng)用中，該氣體過(guò)濾裝置的安裝方式可以是多種多 樣的，只要其位于支架開(kāi)口處，可以將保護(hù)膜內(nèi)、外的氣體隔離開(kāi)來(lái)即 可。圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖，如圖5所示，在第二實(shí)施例中，氣體過(guò)濾裝置501安裝于支架104的開(kāi)口 105內(nèi)，靠近外壁的位置，與位于開(kāi)口外側(cè)的顆粒過(guò)濾裝置106相鄰。 同樣可以實(shí)現(xiàn)先由顆粒過(guò)濾裝置106隔離外部環(huán)境中的顆粒，再由氣體 過(guò)濾裝置501濾去外部環(huán)境中的某些氣體的目的，其中，所濾去的氣體 可以是氨氣或含硫氣體(如氧化硫、硫化氫)等。該氣體過(guò)濾裝置501 的濾芯可以是活性碳纖維，也可以是其他能吸附氨氣等氣體的物質(zhì)，如 活性碳粉或沸石，或者也可以是以上三者中任意兩種或三種的混合物等 等。圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖，如 圖6所示，在第三實(shí)施例中，在開(kāi)口 105的外側(cè)安裝一個(gè)殼體602，并 在該殼體602內(nèi)安裝顆粒過(guò)濾裝置106和氣體過(guò)濾裝置601。為了實(shí)現(xiàn) 先由顆粒過(guò)濾裝置106隔離外部環(huán)境中的顆粒，再由氣體過(guò)濾裝置濾去 外部環(huán)境中的某些氣體的目的，將氣體過(guò)濾裝置601安裝于該殼體602 內(nèi)靠近開(kāi)口的一側(cè)，將顆粒過(guò)濾裝置106安裝于該殼體內(nèi)靠近外部的一 側(cè)。其中，既可以是將單獨(dú)的氣體過(guò)濾裝置601和單獨(dú)的顆粒過(guò)濾裝置 106組裝于殼體602內(nèi)，也可以是直接安裝顆粒、氣體過(guò)濾集成裝置(此 時(shí)，集成裝置外已有殼體，不需要再單獨(dú)安裝殼體602)。注意到其中 氣體過(guò)濾裝置要求濾去的氣體是氨氣和/或含硫氣體(如氧化硫、硫化 氫)等。圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖，如 圖7所示，還可以將氣體過(guò)濾裝置701安裝于支架開(kāi)口 105的內(nèi)壁處， 但此時(shí)如果安裝不當(dāng)，該氣體過(guò)濾裝置701可能會(huì)影響到開(kāi)口附近掩膜 版邊緣的圖形轉(zhuǎn)移，因此，在安裝時(shí)需格外注意，如可以將支架上的開(kāi) 口對(duì)應(yīng)設(shè)置在掩膜版邊緣沒(méi)有圖形之處。圖8為本發(fā)明第五實(shí)施例的保護(hù)膜的支架開(kāi)口處的剖面示意圖，如 圖8所示，為了達(dá)到更好的氣體過(guò)濾效果，還可以按不同的氣體分別設(shè)置多個(gè)專用過(guò)濾裝置，如可以設(shè)置兩個(gè)氣體過(guò)濾裝置801和802, —個(gè) 專用于吸附氨氣，另一個(gè)專用于吸附含硫氣體，這二者間的安裝位置可 以互換。多個(gè)氣體過(guò)濾裝置801和802與顆粒過(guò)濾裝置106間的位置可 以為前四個(gè)實(shí)施例中的任一種。本實(shí)施例中采用了如第一實(shí)施例中所示 的位置關(guān)系。圖9為本發(fā)明第六實(shí)施例的保護(hù)膜的支架的立體示意圖，如圖9所 示，支架104的側(cè)壁具有一個(gè)開(kāi)口 105，且在所述開(kāi)口處設(shè)置了氣體過(guò) 濾裝置701。該氣體過(guò)濾裝置701包含吸附氨氣和/或含^5克氣體等的濾芯， 防止該類氣體進(jìn)入利用支架形成的保護(hù)膜結(jié)構(gòu)，可以預(yù)防因其在光照的 作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，而導(dǎo)致的掩膜版帶圖形一面出現(xiàn)霧化的現(xiàn)象。氣體過(guò)濾裝置的濾芯可以由活性碳纖維或活性碳粉或沸石組成，為 提高其對(duì)危害較大的氨氣的吸附效果，還可以事先將上述活性碳纖維等 浸入某種無(wú)機(jī)酸中，如磷酸，并曬干后安裝于開(kāi)口處。另外，為保護(hù)氣體過(guò)濾裝置，延長(zhǎng)其使用壽命，在支架的開(kāi)口處還 具有顆粒過(guò)濾裝置(圖中未示出)，其可以用于濾除即將進(jìn)入氣體過(guò)濾 裝置的氣體中的顆粒。外界環(huán)境中的氣體會(huì)先經(jīng)過(guò)顆粒過(guò)濾裝置濾去其 中的顆粒，再經(jīng)過(guò)氣體過(guò)濾裝置，吸附去除其中的氨氣、含硫氣體等， 才能進(jìn)入由支架支起的保護(hù)膜內(nèi)。顆粒過(guò)濾裝置與氣體過(guò)濾裝置相對(duì)設(shè)置的。其中，氣體過(guò)濾裝置通 ?？梢栽O(shè)置在支架側(cè)壁的開(kāi)口內(nèi)，位置既可以靠近支架的內(nèi)壁，也可以 靠近支架的外壁，甚至可以位于支架開(kāi)口的內(nèi)壁或外壁上，只要其可以 令保護(hù)膜內(nèi)、外的氣體隔離開(kāi)來(lái)即可，圖9中示出的是氣體過(guò)濾裝置701 位于支架開(kāi)口內(nèi)壁上的情況。也可以在開(kāi)口的外側(cè)安裝一個(gè)殼體，將顆 粒過(guò)濾裝置與氣體過(guò)濾裝置組裝于該殼體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)顆粒及某些氣體的過(guò) 濾。此外，為了達(dá)到更好的氣體過(guò)濾效果，還可以按不同的氣體分別設(shè)置多個(gè)專用過(guò)濾裝置，如可以設(shè)置兩個(gè)氣體過(guò)濾裝置， 一個(gè)專用于吸附 氨氣，另一個(gè)專用于吸附含石克氣體，這二者間的安裝位置可以互換。注意其中制成支架的材料可以為鋁材料或有機(jī)材料等，顆粒過(guò)濾裝 置及氣體過(guò)濾裝置可以用粘貼方式、填充方式、螺釘方式、鉚釘方式等 中的任一種方式固定，本發(fā)明對(duì)此并沒(méi)有額外的限制。本發(fā)明的保護(hù)膜及其支架，通過(guò)在支架側(cè)壁的開(kāi)口處設(shè)置一個(gè)氣體 過(guò)濾裝置，將空氣中的某些特定氣體，如氨氣和/或含硫氣體等隔離在 保護(hù)膜之外，避免了其因光照發(fā)生反應(yīng)，在掩膜版帶圖形一面生成導(dǎo)致 掩膜版霧化的反應(yīng)物，從而有效改善了掩膜版的霧化問(wèn)題。注意到，只要是利用氣體過(guò)濾裝置，將某些氣體隔離在保護(hù)膜之外， 以改善掩膜版霧化問(wèn)題的方法及裝置，都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之 內(nèi)。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能 的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種保護(hù)膜，所述保護(hù)膜包括支架和粘附于所述支架上的薄膜，所述支架的側(cè)壁具有開(kāi)口，其特征在于在所述開(kāi)口處還具有氣體過(guò)濾裝置。
2、 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜，其特征在于所述氣體過(guò)濾裝置 包含吸附氨氣和/或含硫氣體的濾芯。
3、 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜，其特征在于所述氣體過(guò)濾裝置 包括活性碳纖維或活性碳粉或沸石的濾芯。
4、 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜，其特征在于所述氣體過(guò)濾裝置 ^立于所述開(kāi)口內(nèi)。
5、 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜，其特征在于所述氣體過(guò)濾裝置 位于所述開(kāi)口的任一側(cè)。
6、 如權(quán)利要求l、 2或3所述的保護(hù)膜，其特征在于所述開(kāi)口處 還具有顆粒過(guò)濾裝置，所述顆粒過(guò)濾裝置在保護(hù)膜外的空氣到達(dá)所述氣 體過(guò)濾裝置前將所述空氣中的顆粒濾除。
7、 如權(quán)利要求6所述的保護(hù)膜，其特征在于所述顆粒過(guò)濾裝置 與所述氣體過(guò)濾裝置相對(duì)設(shè)置。
8、 一種保護(hù)膜的支架，所述支架的側(cè)壁具有開(kāi)口，其特征在于 在所述開(kāi)口處具有氣體過(guò)濾裝置。
9、 如權(quán)利要求8所述的支架，其特征在于所述氣體過(guò)濾裝置包 含吸附氨氣和/或含硫氣體的濾芯。
10、 如權(quán)利要求8所述的支架，其特征在于所述氣體過(guò)濾裝置包 括活性碳纖維或活性碳粉或沸石的濾芯。
11、 如權(quán)利要求8所述的支架，其特征在于所述氣體過(guò)濾裝置位 于所述開(kāi)口內(nèi)。
12、 如杈利要求8所述的支架，其特征在于所述氣體過(guò)濾裝置位于所述開(kāi)口的任一側(cè)。
13、 如權(quán)利要求8、 9或10所述的支架，其特征在于所述開(kāi)口處 還具有用于濾除即將進(jìn)入所述氣體過(guò)濾裝置的氣體中的顆粒的顆粒過(guò) 濾裝置，所述顆粒過(guò)濾裝置與所述氣體過(guò)濾裝置相對(duì)設(shè)置。
14、 如權(quán)利要求13所述的支架，其特征在于所述開(kāi)口的外側(cè)還 具有一個(gè)殼體，所述顆粒過(guò)濾裝置與所述氣體過(guò)濾裝置組裝于所述殼體 內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種保護(hù)膜及其支架，所述保護(hù)膜包括所述支架和粘附于所述支架上的薄膜，所述支架的側(cè)壁具有開(kāi)口，此外，在所述開(kāi)口處具有氣體過(guò)濾裝置。本發(fā)明的保護(hù)膜及其支架，安裝了氣體過(guò)濾裝置，可以防止空氣中的某些特定氣體進(jìn)入保護(hù)膜內(nèi)，并在光照下發(fā)生反應(yīng)，生成導(dǎo)致掩膜版霧化的反應(yīng)物，從而有效地改善了掩膜版的霧化現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G03F1/48GK101256352SQ20071003774
公開(kāi)日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2007年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月26日
發(fā)明者劉戈煒 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司