專利名稱：有源矩陣基板、顯示裝置、電視接收機的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于液晶顯示裝置等顯示裝置的有源矩陣基板。
技術背景圖14表示現(xiàn)有的用于液晶顯示裝置的有源矩陣基板的結構。如圖 14所示，有源矩陣基板100包括交叉配置的多條掃描信號線116和多 條數(shù)據(jù)信號線115、形成于各信號線(115、 116)的交點附近的TFT112 (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)和像素電極117。 TFT112的源 極119連接數(shù)據(jù)信號線115， TFT112的漏極108通過漏極引出電極107 與像素電極117連接。另外，掃描信號線116兼作為TFT112的柵極電 極。在配置在漏極引出電極107和像素電極117之間的絕緣膜上設有孔， 由此形成連接漏極引出電極107和像素電極117的接觸孔110。像素電 極117是ITO等的透明電極，使從有源矩陣基板的下方入射的光(背光 燈的光)透過。在上述有源矩陣基板100中，通過向掃描信號線116發(fā)送掃描信號 (柵極導通電壓)，TFT112成為導通(源極119和漏極108為導通狀態(tài)) 狀態(tài)，在該狀態(tài)下被發(fā)送至數(shù)據(jù)信號線115的數(shù)據(jù)信號(信號電壓)通 過源極119、漏極108和漏極引出電極107被寫入像素電極117。另外， 保持電容(Cs)配線118具有避免在TFT112為截止的期間液晶層自發(fā) 放電等的功能。在此，由于上述漏極引出電極107和保持電容配線118 (金屬)對 光有遮擋作用，因此，在像素電極117下層的，上述漏極引出電極107 和保持電容配線118形成的部分無法作為光透過部而起作用。因此，如 果僅考慮開口率的提高時，優(yōu)選盡可能地小地形成位于像素電極117 下層的漏極引出電極107。但是，如果減小漏極引出電極107，將容易 產(chǎn)生上述漏極引出電極107和接觸孔110之間的錯位。該錯位使接觸電阻增大，甚至使響應速度降低等，從而導致顯示品質的下降。專利文獻l (
公開日2004年5月20日)揭示了一種在半透過型液晶顯示裝置中提高背光燈顯示時的開口率的結構。也就是說，在半透 過型液晶顯示裝置中，雖然接觸孔區(qū)域作為反射部發(fā)揮作用，但是，其 顯示形態(tài)卻不同于其他反射部(原因在于，在該部分中不存在層間膜 等)，由此，在接觸孔內(nèi)的漏極上設置非電極形成區(qū)域(透過部)，從而 提高透過顯示時的開口率。專利文獻l:日本專利特開2004-144965號公報 發(fā)明內(nèi)容但是，如果像專利文獻1所述的在接觸孔內(nèi)的漏極上設置電極非形 成區(qū)域，漏極和像素電極的接觸面積將變小，容易由于錯位而導致接觸 面積變化(減少)。如果僅限于半透過型液晶顯示裝置，為了避免上述 缺陷可以增大漏極和接觸孔區(qū)域(由于漏極所存在的部分為反射部，因 此即使較大地形成漏極也不會對透過顯示時的開口率產(chǎn)生影響)，但透 過型液晶顯示裝置則無法實現(xiàn)上述結構。如上所述，在透過型液晶顯示 裝置中，如上所述使漏極的面積增大將直接導致開口率的降低。本發(fā)明是鑒于上述課題進行開發(fā)的，其目的在于提供一種能夠避免 或大幅度抑制漏極和像素電極間的接觸面積的變動(減少)并提高開口 率的有源矩陣基板。本發(fā)明的有源矩陣基板包括晶體管、像素電極、連接上述晶體管的 一個導通電極的電極區(qū)域以及連接該電極區(qū)域和上述像素電極的接觸孔，其特征在于在上述電極區(qū)域中設有其中未形成電極的鏤空部，上 述接觸孔的開口部與上述鏤空部相互交叉。根據(jù)上述結構，由于在光無法透過的電極區(qū)域(例如，漏極引出電 極)中，設有局部未形成電極的鏤空部(光透過部)，能夠提高光透過 率(開口率)。另外，由于上述接觸孔的開口部與鏤空部交叉形成，能夠有效消除制造工序(光刻等)中的錯位的影響，避免或大幅度抑制電 極區(qū)域和像素電極間的接觸面積的變化(減少)。由此，能夠提高利用 了本有源矩陣基板的顯示裝置的顯示品質。本發(fā)明的有源矩陣基板包括晶體管、像素電極、連接上述晶體管的 一個導通電極的電極區(qū)域以及連接該電極區(qū)域和上述像素電極得接觸 孔，其特征在于在上述電極區(qū)域中設有其中未形成電極的切口部，上 述接觸孔的開口部與上述切口部相互交叉。根據(jù)上述結構，由于在光無法透過的電極區(qū)域中，設有其中未形成 電極的切口部，能夠提高光透過率(開口率)。另外，由于上述接觸孔 的開口部與切口部交叉形成，能夠有效消除制造工序(光刻等)中的錯 位的影響，避免或大幅度抑制電極區(qū)域和像素電極間的接觸面積的變化 (減少)。由此，能夠提高利用了本有源矩陣基板的顯示裝置的顯示品 質。本發(fā)明的有源矩陣基板優(yōu)選上述鏤空部和上述開口部中的至少一 者為延伸形狀。由此，能夠進一步有效地抑制電極區(qū)域和像素電極之間 的接觸面積的變化。另外，如果上述開口部的延伸方向和鏤空部的延伸 方向交叉呈近似直角則更為有效。同樣的，本發(fā)明的有源矩陣基板優(yōu)選上述切口部和上述開口部中的 至少一者為延伸形狀。由此，能夠進一步有效地抑制電極區(qū)域和像素電 極之間的接觸面積的變化。另外，如果上述開口部的延伸方向和切口部 的延伸方向交叉呈近似直角則更為有效。另外，如果上述延伸方向為長方形，則能夠進一步有效地抑制電極 區(qū)域和像素電極之間的接觸面積的變化。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板能夠形成以下結構，即，在一個像素 電極中設有多個接觸孔和對應上述各接觸孔的鏤空部，各接觸孔的開口 部形成延伸形狀并且與鏤空部交叉。由此，能夠補償各接觸孔之間的錯位引起的接觸面積的變化。在這 種情況下，由于各接觸孔的開口部的延伸方向互相垂直，所以能夠更精 確地補償接觸面積的變化。本發(fā)明的有源矩陣基板能夠形成以下結構，即，上述晶體管為場效 應晶體管，上述電極區(qū)域連接場效應晶體管的漏極。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板優(yōu)選在接觸孔內(nèi)，在上述電極區(qū)域的 下層設置有與上述電極區(qū)域接觸的半導體層。由此，能夠減小接觸電阻。在這種情況下，上述半導體層優(yōu)選高電 阻半導體層和低電阻半導體層的層疊結構。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板優(yōu)選上述電極區(qū)域的層疊結構包括以Al為主要成分的金屬層和以Ti或Ta為主要成分的金屬層，上述像素 電極以Ti或Ta為主要成分。另外，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于具有上述有源矩陣基板。 本發(fā)明的電視接收機的特征在于包括上述顯示裝置和接收電視圖 像廣播的調(diào)諧器。如上所述，通過本發(fā)明的有源矩陣基板，由于在光無法透過的電極 區(qū)域(漏極)中設有未形成電極的鏤空部(光透過部)，從而能夠提高 光透過率(開口率)。另外，由于上述接觸孔的開口部與鏤空部交叉形 成，能夠有效消除制造工序(光刻等)中的錯位的影響，避免或大幅度 抑制電極區(qū)域和像素電極間的接觸面積的變化(減少)。由此，能夠提 高利用了本有源矩陣基板的顯示裝置的顯示品質。


圖1是表示本實施方式的有源矩陣基板的結構的俯視圖。 圖2是表示本有源矩陣基板的構造的剖面圖。 圖3是表示本有源矩陣基板的構造的剖面圖。 圖4 (a)是表示本有源矩陣基板的構造的俯視圖。 圖4 (b)是表示用于說明本有源矩陣基板的效果的參考結構的俯 視圖。圖5 (a)是表示本有源矩陣基板對錯位的容許程度的示意圖。 圖5 (b)是用于說明圖5 (a)的參考圖。 圖6 (a)是表示本有源矩陣基板的設計例的俯視圖。 圖6 (b)是表示用于對本有源矩陣基板的效果進行說明的參考結 構的俯視圖。圖7 (a)是表示本有源矩陣基板的變形例的俯視圖。 圖7 (b)是表示本有源矩陣基板的變形例的俯視圖。 圖7 (c)是表示本有源矩陣基板的變形例的俯視圖。圖8 (a)是表示本有源矩陣基板的變形例的俯視圖。圖8 (b)是表示本有源矩陣基板的變形例的俯視圖。圖8 (C)是表示本有源矩陣基板的變形例的俯視圖。 圖9是表示本有源矩陣基板的變形例的俯視圖。圖10 (a)是表示本有源矩陣基板的半導體層的結構的剖面圖。 圖10 (b)是表示本有源矩陣基板的半導體層的結構和接觸電阻之 間的關系的圖表。圖11是表示本實施方式的液晶顯示裝置的結構的框圖。 圖12是表示本實施方式的液晶顯示裝置的結構的框圖。 圖13是表示本實施方式的電視接收機的結構的立體圖。 圖14是表示現(xiàn)有技術的有源矩陣基板的結構的俯視圖。 符號的說明10 有源矩陣基板 5 鏤空部 7漏極引出電極(電極區(qū)域) 8漏極11 接觸孔12 TFT15 數(shù)據(jù)信號線16 掃描信號線17 像素電極 55 切口部具體實施方式
以下根據(jù)圖1 圖13說明本發(fā)明的一實施方式。圖1是表示本實施方式的有源矩陣基板的結構的透視俯視圖。如圖 1所示，有源矩陣基板10包括互相交叉配置的多條掃描信號線16、多 條數(shù)據(jù)信號線15和形成于各信號線(15、16)的交點附近的TFT12(Thin Film Transistor:薄膜晶體管)和像素電極17。其中，上述掃描信號 線16在圖中左右方向上形成，上述數(shù)據(jù)信號線15在圖中上下方向上形成。TFT12的源極9連接數(shù)據(jù)信號線15，其漏極8通過漏極引出電極7 (電極區(qū)域)連接像素電極17。另外，掃描信號線16兼作為TFT12的 柵極電極。像素電極17是IT0等的透明電極，使從有源矩陣基板10 下方入射的光(背光燈的光)透過。在漏極引出電極7的一部分上設置以B-B'(上下)方向為長邊方向的長方形的鏤空部5 (局部未形成電極的區(qū)域)。另外，在設置于漏極 引出電極7和像素電極17之間的絕緣膜(未圖示)上設置以A-A'(左 右)方向為長邊方向的長方形的孔，該孔與鏤空部5交叉呈近似直角。 即，橫穿鏤空部5的中央部分而形成的絕緣膜的孔成為孔開口部，形成 接觸孔ll，并且，漏極引出電極7和像素電極17在該接觸孔11內(nèi)相 互連接。在上述有源矩陣基板10中，通過向掃描信號線16發(fā)送掃描信號(柵 極導通電壓)，TFT12成為導通(源極9和漏極8為導通狀態(tài))狀態(tài)， 在該狀態(tài)下被發(fā)送至數(shù)據(jù)信號線15的數(shù)據(jù)信號(信號電壓)通過源極 9、漏極8和漏極引出電極7被寫入像素電極17。另外，保持電容(Cs) 配線18作為保持電容元件的一電極(保持電容下部電極)；像素電極 17作為保持電容元件的另一電極(保持電容上部電極)。該保持電容元 件作為輔助的電容進行動作，該輔助的電容用于在像素電極17被寫入 下一次的數(shù)據(jù)信號之前的期間內(nèi)保存被寫入像素電極17的電位。以下利用圖2和圖3進一步詳細說明圖1所示的有源矩陣基板10。 圖2表示圖1所示的A-A'線的剖面，圖3表示圖1所示的B-B'線的剖 面。如圖2所示，在玻璃基板20上形成有絕緣膜23，在該絕緣膜23 上形成有半導體層30，在半導體層30上形成有漏極引出電極7。另外， 由于在漏極引出電極7上設有鏤空部5，所以圖2所示的漏極引出電極 7被分成夾著鏤空部5的兩個部分。另外，漏極引出電極7具有以Ti 或Ta為主要成分的第1金屬層7a和以Al為主要成分的第2金屬層7b， 第1金屬層7a接觸半導體層30，在第1金屬層7a的一部分(距離鏤 空部5較遠一側的部分)上形成有第2金屬層7b。在漏極引出電極7上介于絕緣膜26 (鈍化膜)形成有像素電極17， 在該絕緣膜26上，如上所述地設置長方形的孔19，其中，該孔19以鏤空部5 (以B-B'方向為長邊方向的長方 形)垂直地交叉。即，孔19的A-A'方向的寬度大于鏤空部5的A-A' 方向的寬度，孔19的B-B'方向的寬度小于鏤空部5的B-B'方向的寬 度。由此，漏極引出電極7的與孔19重疊的部分32a、 32a(第l金屬 層7a的一部分)和像素電極17直接接觸，孔19成為孔開口部(不考 慮IT0的厚度)，形成接觸孔ll。另外，在第1金屬層7a的外側(距離鏤空部5較遠一側)部分上 形成第2金屬層7b，該第2金屬層7b被上述絕緣膜26和側面的空洞x 包圍，因此，第2金屬層7b形成不與像素電極17 (IT0)接觸的結構。另外，如上所述，孔19是向A-A'方向延伸的形狀(長方形)，其 B-B'方向的寬度小于鏤空部5的B-B'方向的寬度，因此在圖3中，漏極引出電極7和像素電極17不接觸。圖4 (a)是表示本有源矩陣基板的接觸區(qū)域的放大圖，圖4 (b) 表示為了說明圖4 (a)的結構上的優(yōu)點的參考結構。另外，在圖4 (a) 所示的接觸區(qū)域(外框)的面積S1、漏極引出電極7和像素電極17的 接觸部分(涂黑部分)的面積S2、以及鏤空部5 (白色部分)的面積 S3分別和在圖4 (b)中所示的接觸區(qū)域(外框)的面積S1、漏極引出 電極7和像素電極17的接觸部分(涂黑部分)的面積S2、以及鏤空部 5 (白色部分)的面積S3完全相等。如圖4 (a)所示，在本結構中， 以左右方向為延伸方向的長方形的接觸孔11的開口部在以上下方向為 延伸方向的長方形的鏤空部5的大致中間的部分，與該鏤空部5交叉呈 近似直角形成，漏極引出電極7和像素電極17在接觸孔11的長邊(延 伸)方向的兩端部分相互連接。因此，能夠從與圖4 (b)的比較中得知，在接觸部分的面積S2不 變的情況下最大的錯位寬度(錯位限度M)與參考結構相比非常大。特 別是上下方向的錯位限度(My+、 My-)較大，在發(fā)生如圖5 (a)和圖5 (b)所示的錯位時，在本結構中，如圖5 (a)所示的接觸部分的面積 S2不發(fā)生變化，而如圖5(b)所示的接觸部分的面積S2將大幅度減少。 在左右方向產(chǎn)生錯位時，在接觸孔11不超出漏極引出電極7的范圍內(nèi)， 接觸部分的面積S2不發(fā)生變化。另外，根據(jù)本結構，能夠在鏤空部5(光透過部)的延伸方向(上下方向)上擴大鏤空部5 (光透過部)。 因此，能夠確保漏極引出電極7和像素電極17 (接觸孔ll)的適當?shù)膶?，并且能夠提高鏤空部5的開口率。作為一個示列，圖6 (a)表示本結構中的各部分的尺寸。其單位 、為um。圖6 (b)所示的是比較結構的尺寸。在這種情況下，將包含掃 描信號線16的俯視圖形和包含漏極引出電極7的俯視圖形進行對準(光 刻工序中的位置對準)，將包含掃描信號線16的俯視圖形和包含接觸孔 ll的圖形進行對準，如果各對準的最大誤差均為1.5um，那么，漏極 引出電極7和接觸孔11之間的最大誤差將為3uni。在上下方向產(chǎn)生3 ym誤差的情況下，在本結構中，漏極引出電極7和像素電極17的接 觸面積(S2)不會發(fā)生變化，但在比較結構中上述接觸面積將會減少 35%。以上說明了以左右方向為延伸方向的長方形的接觸孔11 (其開口 部)在以上下方向為延伸方向的長方形的鏤空部5的大致中央的部分， 與該鏤空部5交叉呈近似直角的結構，但并不限定于此。例如，也可以 如圖7 (a)所示地形成以下結構，g卩，以左右方向為延伸方向的長方 形的接觸孔11 (其開口部)在以上下方向為延伸方向的長方形的切口 部55的大致中間部分，與該切口部55交叉呈近似直角。另外，也可以 如圖7 (b)所示地形成以下結構，即，以左右方向為延伸方向的長方 形的接觸孔11 (其開口部)在以上下方向為延伸方向的橢圓形的鏤空 部5的大致中間的部分，與該鏤空部5交叉呈近似直角。另外，也可以 如圖7 (c)所示地形成以下結構，即，正方形(非延伸形狀)的接觸 孔11 (其開口部)在以左右方向為延伸方向的長方形的鏤空部5的大 致中間的部分，與該鏤空部5交叉呈近似直角。另外，也可以如圖8 (a)所示地形成以下結構，S口，以左右方向 為延伸方向的橢圓形的接觸孔11 (其開口部)在以上下方向為延伸方 向的橢圓形的鏤空部5的大致中間的部分，與該鏤空部5交叉呈近似直 角。另外，也可以如圖8 (b)所示地形成以下結構，即，以左右方向 為延伸方向的長方形的接觸孔11 (其開口部)在正方形(非延伸形狀) 的鏤空部5的大致中間的部分，與該鏤空部5交叉呈近似直角。另外，也可以如圖8 (C)所示地形成以下結構，即，以向右45角方向為延伸 方向的長方形的接觸孔11 (其開口部)與以上下方向為延伸方向的長方形的鏤空部5交叉。也就是說，接觸孔ll的開口部和鏤空部5能夠形成斜向交叉(不垂直交叉)的結構。另外，如圖9所示，也可以設置多個接觸區(qū)域Cl、 C2。 gp，在一 個像素電極17中，設置兩個接觸孔lla和lib以及與各接觸孔(lla、 lib)對應的鏤空部5a和5b。在上述結構的C1中，以左右方向為延伸 方向的長方形的接觸孔lla (其開口部)在以上下方向為延伸方向的長 方形的鏤空部5a的大致中間的部分，與該鏤空部5a交叉呈近似直角。 另外，在C2中，以上下方向為延伸方向的長方形的接觸孔lib (其開 口部)在以左右方向為延伸方向的長方形的鏤空部5b的大致中間的部 分，與該鏤空部5b交叉呈近似直角。如上所述，通過使各接觸孔lla 和lib (其開口部)的延伸方向不同(優(yōu)選如圖9所示的直角關系)， 即使左右方向的對準產(chǎn)生誤差，C2上的接觸面積也難以發(fā)生變化；即 使上下方向的對準產(chǎn)生誤差，Cl上的接觸面積也難以發(fā)生變化。由此， 較之于接觸區(qū)域為l個的情況，能夠減少接觸不良。另外，也能夠將本發(fā)明應用于多像素驅動(在l個像素(子像素) 內(nèi)形成不同亮度的多個區(qū)域的驅動)用的有源矩陣基板。在這種情況下， 在一個像素區(qū)域中，設置第l和第l晶體管、第1和第2像素電極、 連接第1晶體管的漏極的第1漏極引出電極、連接第2晶體管的漏極的 第2漏極引出電極、連接上述第1像素電極和第1漏極引出電極的第1 接觸孔和連接上述第2像素電極和第2漏極引出電極的第2接觸孔。在 此，向上述第l漏極引出電極設置局部未形成電極的第l鏤空部，并且 向上述第2漏極引出電極也設置局部未形成電極的第2鏤空部，上述第 l接觸孔為其開口部與第l鏤空部交叉的延伸形狀，上述第2接觸孔為 其開口部與第2鏤空部交叉的延伸形狀。由此，能夠形成光透過率(開口率)高，且在制造工序(光刻等) 中漏極引出電極和像素電極之間的接觸面積不易變化(減少)的結構。 因此，在多像素驅動的顯示裝置中，能夠提高其顯示品質。以下，說明有源矩陣基板10的制造方法的一個示例。如圖1 圖3所示，在本實施方式中，在玻璃或塑料等透明且絕緣的基板io上設置 有作為TFT12的柵極電極進行動作的掃描信號線16。掃描信號線16 (TFT12的柵極電極)通過以下方法形成，S卩，通過濺射法，利用鈦、 鉻、鋁、鉬、鉭、鉤、銅等金屬膜、或其合金膜或其層疊膜進行成膜以 形成1000A 3000A的厚度，并通過光蝕刻法等對上述膜進行圖案形成， 從而形成必要的形狀。成為柵極絕緣膜23的氮化硅膜和半導體層30通過等離子CVD (Chemical Vapor D印osition:化學氣相沉積)法等連續(xù)成膜，通過 光蝕刻法等形成圖案。如圖10所示，上述半導體層30由非晶態(tài)硅或多 晶硅等形成，具有形成于柵極絕緣膜23上的高電阻半導體層30a和n+ 非晶態(tài)硅等低電阻半導體30b的層疊結構。在此，作為柵極絕緣膜23 的氮化硅膜的厚度，例如為3000A 5000A左右，作為高電阻半導體層 的非晶態(tài)硅膜的厚度為1000A 3000A左右，作為低電阻半導體層的11+ 非晶態(tài)硅膜的厚度為400A 700A左右。通過同一工序形成數(shù)據(jù)信號線15、漏極引出電極7、源極9和漏極 8。數(shù)據(jù)信號線15和漏極引出電極7通過以下方法形成，g卩，通過濺射 法，利用鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鉤、銅等金屬膜、或其合金膜或其層疊 膜進行成膜以形成1000A 3000A的厚度，并通過光蝕刻法等對上述膜 進行圖案形成，從而形成必要的形狀。漏極引出電極7通過以下方法形成，即，在作為第l金屬層7a的 厚度為500A 1500A的鈦上以1000A 2000A的鋁作為第2金屬層7b 進行成膜，并通過光蝕刻法來圖案形成鏤空部5等。另外，也可以在作 為第1金屬層7a的厚度為500A 1500A的鉭上形成1000A 2000A的鋁 作為第2金屬層7b。TFT12通過以下方法形成，即，對非晶態(tài)硅膜等高電阻半導體層和 n+非晶態(tài)硅膜等低電阻半導體層，以數(shù)據(jù)信號線15、源極9、漏極8 和漏極引出電極7的圖形作為掩膜，并利用干法腐蝕進行溝道刻蝕。進 而，作為(層間)絕緣膜26，能夠利用感光性丙烯?；鶚渲葮渲?、 氮化硅、氧化硅等無機絕緣膜或者其層疊膜等形成。作為上述層疊膜， 例如，能夠利用通過等離子CVD法等成膜的厚度為2000A 5000A的氮化硅膜和在該氮化硅膜上通過旋涂法形成的厚度為20000A 40000A的感光性丙烯?；鶚渲盈B而成的層疊膜等。在本實施方式中僅設置了 2000A 5000A的氮化硅膜。在這種情況 下，像素電極17和保持電容配線18之間的絕緣層(介電層)能夠較層 疊結構的情況形成得更薄。由此，能夠減小保持電容配線(保持電容下 部電極)18的面積，有利于提高開口率。接觸孔11穿過絕緣膜26而形成，絕緣膜26覆蓋TFT12、掃描信 號線16、數(shù)據(jù)信號線15和漏極引出電極7的上部。絕緣膜26的孔19 利用光刻法進行圖案形成。以絕緣膜26作為掩膜，利用由磷酸、硝酸 和醋酸為主體的混合液形成的腐蝕劑進行蝕刻，除去通過上述孔19而 露出的第1金屬層7b (鋁)。這時，通過在上述第1金屬層7b (鋁)的 下方設置像鈦、鉭這樣的不易腐蝕的膜，從而形成具有接觸部的漏極引 出電極7，這樣，能夠形成與由ITO構成的像素電極17之間不易發(fā)生 電蝕的接觸結構。另外，像素電極17形成于層間絕緣膜26的上層。另外，在本實施方式中利用ITO形成像素電極17，但也可以通過 以下方法形成，即，例如通過濺射法，利用IZ0、氧化亞鉛和氧化錫等 具有透明性的導電膜進行成膜以形成1000A 2000A的厚度，并通過光 蝕刻法等對上述膜進行圖案形成，從而形成必要的形狀。如圖2所示，根據(jù)上述工序，第1金屬層7b (鋁)附近的區(qū)域x 部分被腐蝕除去，因此，能夠防止ITO和鋁的接觸，不易引起電蝕。另外，由于在接觸孔ll內(nèi)，漏極引出電極7的下方設置有如圖10 (a)所示的半導體層30 (具有由非晶態(tài)硅或多晶硅等形成的高電阻半 導體層30a和由n+非晶態(tài)硅等形成的低電阻半導體30b的層疊結構的 半導體層)，因此能夠降低像素電極17和漏極8之間的接觸電阻。其原 因在于，例如，能夠通過向半導體層30濺射金屬層(Ti或Ta)等進行 成膜來提高金屬層的結晶性。另外，如圖10 (b)所示，隨著高電阻半 導體層30a的厚度的增加，接觸電阻下降。由此，優(yōu)選高電阻半導體層 30a的厚度大于低電阻半導體層30b的厚度。例如，高電阻半導體層30a 為1300A 1800A，低電阻半導體層30b為400A。另外，液晶面板是通過粘合有源矩陣基板和濾色片基板，注入并密封液晶而形成。其中，上述有源矩陣基板通過上述實施方式得到；上述 濾色片基板由與有源矩陣基板的各像素對應的呈矩陣狀設置的紅、綠、 藍中任一著色層和被設置于各著色層之間的遮光性黑矩陣而形成。通過 向上述液晶面板連接驅動器(液晶驅動用LSI)等，并且安裝偏光板和 背光燈，從而形成本發(fā)明的液晶顯示裝置。以下參照圖11 圖13說明本發(fā)明的液晶顯示裝置以及具有該液晶顯示裝置的電視接收機。圖11是表示本液晶顯示裝置的結構示例的框圖。如圖11所示，本液晶顯示裝置601包括Y/C分離電路500、視頻色度電路501、 A/D 轉換器502、液晶控制器503、具有本有源矩陣基板的液晶面板504、 背光燈驅動電路505、背光燈506、微型計算機507和灰度電路508。 在液晶顯示裝置601中，電視廣播信號的輸入視頻信號首先被輸入至Y /C分離電路500，使其亮度信號和色度信號分離。亮度信號和色度信 號在視頻色度電路501中被轉換成光的3原色，即R、 G、 B，并且，該 模擬RGB信號通過A / D轉換器502轉換成數(shù)字RGB信號，被輸入液晶 控制器503。從液晶控制器503以預定時間向液晶面板504輸入RGB信 號的同時，從灰度電路508向液晶控制器503提供RGB各自的灰度電壓， 從而圖像被顯示。包括上述處理，系統(tǒng)的整體控制通過微型計算機507 進行。另外，能夠根據(jù)基于作為視頻信號的電視圖像廣播的視頻信號、 或通過照相機拍攝的視頻信號、或通過網(wǎng)絡線路提供的視頻信號等各種 視頻信號進行顯示。進而，如圖12所示，本電視廣播接收機包括調(diào)諧器部600和液晶 顯示裝置601，調(diào)諧器部600接收電視圖像廣播并且輸出視頻信號，液 晶顯示裝置601基于從調(diào)諧器部600輸出的視頻信號進行圖像(視頻) 顯示。另外，例如，如圖13所示，本電視接收機形成以下結構，g卩，第 1筐體301和第2筐體306包裹并夾持液晶顯示裝置601。第1筐體301 形成有使液晶顯示裝置601上所顯示的視頻透過的開口部301a。另外， 第2筐體306具有用于操作液晶顯示裝置601的操作用電路305并在其 下方設置有支持用構件308，其中，第2筐體306覆蓋液晶顯示裝置601的背面。本有源矩陣基板適用于圖ll所示的液晶顯示裝置，也能夠適用于 其它的顯示裝置。例如，能夠通過配置濾色片基板和與濾色片基板對置 的本有源矩陣基板，并在上述兩基板之間配置有機EL層，從而形成有 機EL基板。另外，能夠通過在上述面板的外部引出端子上連接驅動器等，構成有機EL顯示裝置。另外，本發(fā)明還能夠適用于除上述液晶顯 示裝置或有機EL顯示裝置以外的，具有有源矩陣基板的顯示裝置。工業(yè)可利用性本發(fā)明的有源矩陣基板例如適用于液晶電視機。
權利要求
1.一種有源矩陣基板，包括晶體管、像素電極、與上述晶體管的一個導通電極連接的電極區(qū)域、以及將該電極區(qū)域和上述像素電極連接的接觸孔，其特征在于在上述電極區(qū)域中設置未形成電極的鏤空部，上述接觸孔的開口部與上述鏤空部交叉。
2. —種有源矩陣基板，包括晶體管、像素電極、與上述晶體管的 一個導通電極連接的電極區(qū)域、以及將該電極區(qū)域和上述像素電極連接 的接觸孔，其特征在于在上述電極區(qū)域中設置未形成電極的切口部，上述接觸孔的開口部 與上述切口部相互交叉。
3. 根據(jù)權利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述鏤空部和上述幵口部中的至少一方是延伸形狀。
4. 根據(jù)權利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述切口部和上述開口部中的至少一方是延伸形狀。
5. 根據(jù)權利要求3所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述延伸形狀為長方形形狀。
6. 根據(jù)權利要求3所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述開口部和鏤空部都具有延伸形狀，上述開口部的延伸方向和鏤空部的延伸方向交叉呈近似直角。
7. 根據(jù)權利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于 對一個像素電極設置多個接觸孔以及與各接觸孔對應的鏤空部，各接觸孔的開口部形成為延伸形狀并且與所對應的鏤空部交叉。
8. 根據(jù)權利要求7所述的有源矩陣基板，其特征在于 各接觸孔的開口部的延伸方向相互正交。
9. 根據(jù)權利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述晶體管是場效應晶體管，上述電極區(qū)域與場效應晶體管的漏極連接。
10. 根據(jù)權利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于在接觸孔內(nèi)，在上述電極區(qū)域的下層設置有與上述電極區(qū)域接觸的 半導體層。
11. 根據(jù)權利要求l所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述電極區(qū)域具有層疊結構，該層疊結構包括以Al為主要成分的金屬層和以Ti或Ta為主要成分的金屬層，上述像素電極以Ti或Ta 為主要成分。
12. 根據(jù)權利要求10所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述半導體層具有層疊結構，該層疊結構包括高電阻半導體層和低電阻半導體層。
13. —種顯示裝置，具有權利要求1至12中的任意一項所述的有 源矩陣基板。
14. 一種電視接收機，具有權利要求13所述的顯示裝置以及接收 電視廣播的調(diào)諧器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有源矩陣基板(10)，包括晶體管(12)、像素電極(17)、連接上述晶體管(12)的漏極(8)的漏極引出電極(7)，以及連接該漏極引出電極(7)和上述像素電極(17)的接觸孔(11)，在上述漏極引出電極(7)中設有未形成電極的鏤空部(5)，上述接觸孔(11)的開口部與上述鏤空部(5)相互交叉。根據(jù)上述結構，能夠避免或大幅度抑制漏極引出電極(7)和像素電極(7)間的接觸面積的變化，并且能夠提高開口率。
文檔編號G02F1/1343GK101326560SQ20068004588
公開日2008年12月17日 申請日期2006年7月28日 優(yōu)先權日2005年12月15日
發(fā)明者伴厚志, 岡田美廣, 杉原利典, 津幡俊英 申請人:夏普株式會社