專利名稱：：高反射鏡及其制造方法
技術領域：
：本發(fā)明特別涉及一種適用于手機等的小型液晶顯示器用背光源模塊的高反射鏡及其制造方法。技術背景目前，用于平板顯示器(flatpaneldisplay)等電子器件的反射鏡，普遍使用的是利用金屬膜進行反射的反射鏡。為了改善電子器件的輝度以及節(jié)省能量，需要提高反射鏡的反射率。如，用于手機等的液晶顯示器，使用反射背光的鏡，此類反射鏡為了輕便其基板使用薄膜(film)。同時，液晶顯示器用反射鏡應具有高反射率。反射鏡的金屬膜材料，以往通常使用鋁。但是，使用鋁的金屬膜材料時，其反射率隨光入射角變化，發(fā)生反射色分散的問題。并且已知，層疊低折射率膜和高折射率膜，構成多層結構可有效提高反射率。而且通過所述的多層結構還有望提高耐擦傷性等，但存在成膜工藝較復雜的問題。為了解決上述技術問題，使用在可見光域的反射率高于鋁的銀作為金屬膜材料。但是，雖然銀與鋁相比可見光域的反射率高，但與薄膜基板的結合性差，因此存在耐濕性及耐鹽水性等耐久性較差的問題。公開了一種高反射鏡，該高反射鏡以Ag膜為金屬膜，具有高反射率及高耐久性，在玻璃基板上按照AL20J莫、Ag膜、AL203膜、Ti02膜的順序積層(如參考專利文獻1)。但是，該高反射鏡制造Ag膜的與基板相反側上的AL203膜時，由于導入氧氣，導致銀易被氧化，從而降低反射率。另外，公開了一種為了改善Ag膜與基板的結合性，Ag中混合Ce、這類Nd金屬的反射膜(如參考專利文獻2)。但是，該反射膜是銀的單膜，僅記載了Ag膜和基板的結合性，沒有記載關于Ag膜和其他層的結合性的任何評價。另外，公開了一種在Ag膜上形成有AL203膜、Zr02膜、Si02膜的反射鏡(如參考專利文獻3)。其中記載了，AL203膜是提高Ag膜的耐久性的保護膜，Zr02膜是提高反射效率的膜，Si02膜是保護膜。還公開了一種為了提高基板和Ag膜的結合性，在基板和Ag膜之間形成由氧化鉻構成的膜的技術方案(如參考專利文獻4)。并且還記載了在Ag膜上形成AL203膜，為了更加提高耐久性，設置氧化鋯、二氧化硅、氧化鈦、氧化鉿，氧化錫、氧化銻、氧化鎢等層的技術方案。(如參考專利文獻5)。還公開了，為了提高耐久性，在基板和Ag膜之間設有由氧化硅形成的基底膜(如參考專利文獻6)。但是，這些反射膜均存在可見光域的反射率較低的問題。另外，還公開了一種為了提高與基板的結合性，在Ag膜與基板之間形成金屬鉻、鎳、鈦系合金膜的反射鏡(如參考專利文獻7)。但，該反射鏡是僅基底膜和Ag膜構成的層疊結構，對作為保護膜將氯乙烯等薄膜層合之后的結合性進行評價，但對由氧化物膜形成保護膜的結構沒有進行評價。最近，隨著手機等的使用用途及使用目的多樣化，要求液晶顯示器具有在更加苛刻的環(huán)境下使用時的耐久性要求。例如，公開了一種為了提高反射鏡對硫化氫的耐性，利用氧化鋁膜，把Ag膜夾成夾心狀的由銀形成的反射膜(如，參考專利文獻8)。但是，該專利文獻8，作為氧化鋁膜的制作方法，實施例中記載了使用氧化鋁顆粒。該方法中存在，氧化鋁附著于銀膜時銀被氧化，難以獲得高反射率的問題。專利文獻1:日本專利特開2003-4919號公報專利文獻2:日本專利特開2002-226927號公報專利文獻3:日本專利特開2002-200700號公報專利文獻4:日本專利特開2002-55213號公報專利文獻5:日本專利特開平2-109003號公報專利文獻6:日本專利特開2001-343510號公報專利文獻7:日本專利特開2003-297122號公報專利文獻8:日本專利特開2003-329818號公報發(fā)明的揭示本發(fā)明的目的是提供一種在可見光域內具有高反射率、耐濕性、特別是置于高溫高濕的環(huán)境之后仍能維持高反射率，并且對硫化氫具有高耐性的高反射鏡及其制造方法。本發(fā)明提供了一種高反射鏡，它是在基板上設有銀膜的高反射鏡，其特征在于，在所述高反射鏡的最表面形成以碳為主成分的膜作為保護膜，并且該以碳為主成分的膜(以下，簡稱碳膜)的消光系數在O.l以下。另外，本發(fā)明提供了如上述的高反射鏡，其中，在所述銀膜的基板側形成基底膜；如上述的高反射鏡，其中，所述基底膜是通過濺射法形成的氧化物膜，并且濺射法的濺射氣體實質上不包含氧化性氣體；如上述的高反射鏡，其中，所述基底膜是氧化鈦膜，該氧化釹膜由缺氧靶形成；如上述的高反射鏡，其中，所述碳為主成分的膜通過濺射法形成，且濺射法的濺射氣體實質上不包含氧化性氣體。本發(fā)明提供了一種高反射鏡的制造方法，其特征在于，在濺射氣體中實質上不包含氧化性氣體的條件下，由濺射法在基板上形成基底膜，在該基底膜上由濺射法形成銀膜，在濺射氣體實質上不包含氧化性氣體的條件下，由濺射法在最表面上形成作為保護膜的碳為主成分的膜。本發(fā)明的高反射鏡，由于用銀作為金屬膜材料，從而可提高可見光域的反射率。而且加具有耐濕性，特別是置于高濕高^a的環(huán)境之后仍能維持高反射率，并且具有對硫化氫的高耐性，因而適用于顯示用的光學零部件，特別是適用于在苛刻環(huán)境條件下使用的手機等小型液晶顯示器用背光源模塊。還有利于提高顯示器的輝度以及利于光學設計的簡單化。實施發(fā)明的最佳方式本發(fā)明的高反射鏡中，基板的種類不受特別的限制，可例舉例如，玻璃、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯等的薄膜等?；鍨楸∧r，薄膜基板的厚度優(yōu)選為30~500um，利于輕量化，基板的形狀只要是平面，擴散面、凹面、凸面、梯形等各種反射用光學構件的基體所要求的形狀即可，并無特別限制。并且，基板為薄膜時，優(yōu)選對薄膜基板進行等離子處理，這利于提高與基板的結合性。有效反射光的銀膜為以銀為主要成分的膜，含銀量為90原子％以上時，利于可見光域的反射率。利用銀膜可提高可見光域的反射率，可減少反射率對入射角的依賴性。銀膜可含有銅等雜質，但其含量優(yōu)選為10原子％以下。同時，本發(fā)明中"可見光域"是指400700nm波長范圍。另外，銀膜可以是銀和其他金屬的合金膜，其他金屬具體可例舉選自金、鈀、錫、鉀、銦、銅、鈦以及鉍中的l種以上。與金的合金膜利于提高銀膜的耐久性以及反射率。合金膜中其他金屬的總含量優(yōu)選為，膜中0.2~10原子％，利于提高耐久性。并且，合金膜中銀的含量為90原子％以上時，利于可見光域的反射率。銀膜的物理膜厚是，6(K300nm，優(yōu)選是80~200nm。小于60nrn時，可見光域的反射率低，超過300nrn時，同表面的凹凸發(fā)生光的吸收及散射，其結果降低可見光域的反射率。本發(fā)明的高反射鏡，優(yōu)選在銀膜的基板側形成基底膜。通過形成基底膜，可提高銀膜與基板的結合性，即可得到耐濕性高的高反射鏡?；啄?yōu)選為氧化物膜，利于基板與銀的結合性。并且，通過濺射法形成，且噴射氣體實質上不包含氧化性氣體(如氧氣)，在基板為薄膜時不會影響薄膜基板?；啄ぃ唧w是優(yōu)選選自氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鋁、氧化鉻、以及氧化鈮中的至少一種以上。并且，基底膜可以是單層或多層。基底膜的物理厚度是150nm，優(yōu)選是315nm。小于lnm時，難以顯現提高結合性效果，超過50nm時，隨表面的凹凸變大其反射率降低，且內部應力增高使結合性下降。物理膜厚不同于光學膜厚，物理膜厚通過光學膜厚除以折射率來計算?；啄?，優(yōu)選通過濺射的方法形成，并且濺射法中噴射氣體實質上不包含氧化性氣體。噴射氣體中不包含氧化性氣體的條件是指，基板為薄膜時，噴射氣體中不包含影響薄膜基板的結合性的氧化性氣體。具體可例舉，噴射氣體中氧化性氣體的含量優(yōu)選為18體積％以下。噴射氣體優(yōu)選是如氬氣等稀有氣體。氧化性氣體，具體是指，如氧氣、二氧化碳等。形成基底膜時所用的靶優(yōu)選，氧化鈦等氧化物靶或TiOx(1.5《x〈2.0)靶等缺氧的靶，這樣噴射氣體中實質上不包含有氧化性氣體也可形成氧化膜。利用缺氧靶，易于通過直流(DC)濺射法急速成膜。本發(fā)明的高反射鏡，以在高反射鏡的最表面形成保護膜為特征。單一的銀膜，易于受到氧氣的影響并且耐濕性較差。其保護膜，從透明度可以考慮氧化鈮或氧化鋅等氧化物膜。但是，銀膜上通過濺射法形成氧化物膜時，作為噴射氣體需使用氧氣等氧化性氣體。該方法中，銀膜易于受到氧氣的影響難以得到所需的反射率。還可考慮另一種方法，在不使用氧化性氣體作為噴射氣體的條件下，利用氧化物靶，通過濺射形成氧化物膜，但是該方法中為了維持透明度也需要導入少量氧氣。與此相對，碳膜以碳(石墨)為主成分，因此噴射氣體中無需導入氧氣，可抑制氧對銀膜的影響，提高反射率。同時，碳膜與下層銀膜的結合性好，不需要結合層，經濟性好。并且，通過利用碳膜，在高溫高濕的條件下也可維持高反射率，該高反射鏡露于硫化氫環(huán)境之后，其反射率也不會下降，該碳膜對硫化氫具有高耐性的原因如下所述。硫化氫侵蝕銀膜降低反射率的過程估計為，首先是硫化氫附著于保護膜上，然后滲透過膜中。因此，首先抑制硫化氫附著于保護膜上，即可提高對硫化氫的耐性。采用碳膜為保護膜時，碳膜中的碳原子與硫化氫中硫原子的結合能高，其結果為附著于膜表面需要很多能量，從而可推定由于附著于膜表面的硫的量少，因而對硫化氫的耐性優(yōu)良。通過碳膜的形成，可防止銀膜的氧化并提高高反射鏡的耐濕性以及對硫化氫的耐性。并且，通過濺射法形成碳膜時，濺射氣體中不需添加氧氣等氧化性氣體，可防止銀膜的氧化以及反射率的下降。碳膜，從反射率的角度應為透明的膜，具體是衰減系數為O.l以下，優(yōu)選是0.08以下，更加優(yōu)選為0.05以下。本發(fā)明的消光系數是指波長為400700nrn的可視域內的消光系數。碳膜的物理厚度是220nm，優(yōu)選是410nm。小于2nm時，提高結合性的效果差，超過20nm時，反射率會降低。碳膜為保護膜時，即使如上所述膜厚較薄，對硫化氫也具有高的耐性。還有，折射率是指雙折射率的實數部，消光系數是指可見光域的雙折射率的虛數部，可分別利用橢圓偏振光譜儀分光光度計(如，VASE:J.A.Woollam公司制)進行測量。碳膜中的碳含量為碳膜中全部元素的50質量％以上，優(yōu)選是80質量％以上，更加優(yōu)選是90質量％以上。碳膜中可含有其它元素，其它元素具體可例舉，如氫和/又氟。碳膜通過膜中添加氫原子來增加其硬度。因此在添加氫的氬氣氣氛中形成碳膜時，易提高反射鏡的耐擦傷性及耐候性。碳膜中碳及氫的總含量，優(yōu)選是95原子％以上。再有，基板為薄膜時，碳膜應為與薄膜相配程度的柔軟膜質，因此添加氫時最好調節(jié)其含量。添加氫提高耐候性的原因尚不明確，但可能是碳膜中存在的眾多未結合的缺陷，通過添加氫達到穩(wěn)定的原因。碳膜，優(yōu)選通過濺射法形成，并且濺射氣體中實質上不包含氧化氣體。濺射氣體中實質上不包含氧化氣體的條件是指，基板為薄膜時，濺射氣體中不含有影響薄膜基板的結合性等的氧化氣體。具體是指，濺射氣體中氧化性氣體為1體積％以下。濺射氣體優(yōu)選如氬氣等稀有氣體。氧化性氣體，具體可例舉氧氣，二氧化碳等。碳膜，根據成膜方法，膜的特性會有顯著的差異。膜的特性主要是可按照碳粒子到達基板的能量來進行分類。濺射法形成碳膜時，碳原子之間的結合易為SP2結合。因此，不易形成非常強的含有多S^結合的類金剛石碳膜。但是，本發(fā)明中，通過碳原子之間的結合大部分為SPS結合，膜為非結晶狀，其結果可形成耐硫化氫性高的膜。本發(fā)明的高反射鏡，如前所述的是在基板的一面形成包含銀膜、碳膜的多層膜，但也可以在基板的兩面設置該多層膜。并且，兩面上的多層膜結構，可以相同或不同。本發(fā)明的高反射鏡，膜面反射率為90%以上，優(yōu)選是95%以上，更加優(yōu)選是97%以上。本發(fā)明的高反射鏡，由于膜面的反射率達到如上所述的高值，從而如在投影電視及液晶顯示器等電子設備中反復反射，也能夠不會降低輝度地映出畫面。還有，入射角表示相對于垂直于膜面的垂直線的角度。膜面反射率(對來自膜面?zhèn)鹊娜肷涔獾姆瓷渎?，使用JIS-Z8701(1982年)規(guī)定的視感反射率。本發(fā)明的高反射鏡，可利用氧化物靶、金屬靶及石墨靶，通過濺射法形成。高反射鏡從基板依次為基底膜、銀膜、保護膜的結構時，高反射鏡的制造方法如下。首先，在薄膜基板上(l)利用氧化物靶，通過濺射法形成基底膜；(2)在該基底膜上利用銀或銀合金的靶，通過濺射法形成銀膜；(3)在該銀膜上利用石墨耙，通過濺射法形成保護膜。濺射法，與CVD法或離子鍍膜法相比較，可形成大面積的膜并且易于形成透明的膜。同時，表面粗糙程度較小，可保證高反射率。濺射法可采用交流(AC)、直流(DC)或高頻(RF)濺射法。DC濺射法包括脈沖DC濺射法。AC濺射法以及脈沖DC濺射法，在防止異常放電方面更為有效。并且，AC或DC反應性濺射法，在形成致密的膜方面更為有效。實施例如下，對本發(fā)明的高反射鏡的實施例(例l),以及比較例(例2及3)進行詳細的說明。但，本發(fā)明下述實施例并不起到解釋限定的作用，本發(fā)明不限于下述實施例。真空槽內，設置施以丙烯酸類硬涂層的平坦的PET薄膜(厚度為50ym)作為基板。缺氧的TiOx靶(商品名TXO:旭硝子Ceramics公司制)，添加Au的銀合金耙(Au含量為1原子％，銀的含量為99質量％)以及石墨靶(東洋碳素社制造IG-15,碳含量為99.6質量％以上)分別設置于陰極上部薄膜基板的相對位置上。真空槽內排氣至2X10—Spa。進行下述(A)(D)步驟處理之后，得到高反射鏡。(A)...(薄膜基板的前處理工序)真空槽內導入氬氣200sccm，提供100W的功率，向基板照射由離子束源(LIS-150:AdvancedEnergy公司制)離子化的Ar離子，進行基板的干式洗滌。(B)..(基底膜(氧化鈦膜)的形成)真空槽內導入濺射氣體氬氣。通過DC濺射法，在0.15Pa的壓力下，進行頻率為lOOKHz，功率密度0.79w/cm2，反轉脈沖寬度為1usec的脈沖濺射。利用TiOx靶在基板上形成5nm厚度的氧化鈦膜。氧化鈦膜的成分相同于耙。(C)...(銀合金膜的形成)排除殘余氣體之后，真空槽內導入濺射氣體氬氣。通過DC濺射法，在0.15Pa的壓力下，進行頻率為100KHz，功率密度2.46w/cm2，反轉脈沖寬度為5ysec的脈沖濺射。利用添加有Au的銀合金靶，在基底膜上形成添加有Au的150nm厚度的銀合金膜。銀合金膜成分相同于靶。(D)…(保護膜(加氫碳膜)的形成)利用石墨靶，向真空槽內導入各濺射氣體氫及氬氣，并調整為氫氣占濺射氣體的50體積％，不有意導入氧氣。在0.25Pa的壓力下，進行頻率為100KHz，功率密度2.46w/cm2，反轉脈沖寬度為4.5usec的脈沖濺射。形成5nm厚的加氫碳膜。對于形成的高反射鏡的耐久性，通過如下(1)(7)的方法進行評價，其結果示于表1~4。(1)高溫耐濕試驗從所形成的高反射鏡切出50mmX100mm大小的試樣。在溫度6(TC，相對濕度為90%的氣氛中放置試樣100個小時之后，確認有無膜的剝離以及腐蝕。0:沒有膜的剝離，沒有檢出腐蝕。X:有膜的剝離以及檢出腐蝕。(2)高溫試驗從所形成的高反射鏡切出50mmX100mm大小的試樣。在溫度85t:，相對濕度為30%以下的氣氛中放置試樣IOO個小時之后，確認有無膜的剝離以及腐蝕。0:沒有膜的剝離，沒有檢出腐蝕。X:有膜的剝離以及檢出腐蝕。(3)膠帶剝離試驗利用刀具切割所形成的高反射鏡膜面，形成100個分部。接著用手勁兒牢固地把膠帶(Nichiban社制)貼于膜面，然后用力均勻地剝離之后，確認膜面的各分部有無剝離，全部沒有剝離時表示為100/100，全部發(fā)生剝離時表示為0/100。剝離試驗在成膜后，高溫耐濕試驗后及高溫試驗后進行。(4)膜面反射率利用彩色分析儀(TOPSCAN:東京電色社制)測定膜面的反射率，通過計算求得JIS-Z8701(1982年)規(guī)定的三刺激值的色度Y，得到視感反射率，將該視感反射率作為膜面反射率。測定是通過測定正反射光以及擴散光兩者來進行測定的SCI方式。視感反射率在成膜后，高溫耐濕的試驗后及或高溫試驗后進行測定。C5)耐硫化氫試驗從所形成的高反射鏡切出50X100mm大小的試樣。導入10ppm的硫化氫，在溫度50。C，相對濕度80%的氣氛中條件下放置試樣IOO個小時，放置后，確認視感反射率以及有無膜剝離或腐蝕現象。視感反射率的測定方法如同(4)的測定方法。對于有無腐蝕，O:沒有膜的剝離，也沒有檢出腐蝕。發(fā)現輕微的膜的剝離以及檢出輕微的腐蝕，但實際上不足以發(fā)生什么問題。X:有膜的剝離及檢出腐蝕。(6)測定硫的附著量利用XPS(Quantum2000:ULVAC-PHI社制)測定上述耐硫化氫試驗后試樣表面的硫附著量。X射線源利用單色化ALKa線，檢測器以與試料表面形成45。角進行分析。通過檢出硫的2P軌道，觀察峰值的強度來推定表面存在的硫量。峰值強度越高，意味著附著量越多，O表示完全沒有附著硫。(7灘光系數的測定利用橢圓偏振光譜儀(J.A.Woollam社制，型號VASE)，對得到的試樣，以測定角度各為60。、70°80°，波長為400700nm范圍進行測定之后，利用入射角度5°時測定的光譜反射率的數據進行擬合，求出消光系數。(例2)(比較例)除了保護膜用氧化鈮膜的保護膜替代加氫碳膜之外，與例1同樣處理制造高反射鏡。以與例1同樣的方法評價所形成的高反射鏡，其結果示于表l-3。還有，如下所述形成氧化鈮膜。真空槽內導入濺射氣體氬氣。通過DC濺射法，在0.15Pa的壓力下，進行周波數為lOOKHz，功率密度1.47w/cm2，反轉脈沖幅為2usec的脈沖濺射。利用缺氧NbOx靶(旭硝子Ceramics公司制商品名NBO)在基板上形成5nm厚度的氧化鈮膜。氧化鈮膜的成分與靶相同。(例3)(比較例)對于例1，除不形成保護膜之外，以與例1同樣的處理方法形成高反射鏡。并以與例1同樣的方法評價所形成的高反射鏡，其結果示于表13。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>[表2]反射率％(成膜后)反射率％(高溫耐濕試驗后)反射率％(高溫試驗后)例1989898例297.697.697.6例399.599.589.5[表3]腐蝕狀況(耐硫化氫試驗后)反射率％(耐硫化氫試驗后)硫的附著量例10970例2X54.16773例3X9.314332以上表4]消光系數例10.058例1所述的高反射鏡，加氫碳膜為其保護膜，因而高溫高濕試驗等耐久性試驗后的反射率高達98%以上，耐硫化氫試驗后與耐硫化氫試驗前相比，反射率僅降低了2%以下。其表面存在的硫比測定界極值還小，幾乎不存在，所以對硫化氫的耐性高。并且，由于通過利用惰性氣體的濺射法所形成了基底膜，在高溫高濕試驗等耐久性試驗之后的結合性優(yōu)良。于此相對，在例2，氧化鈮作為保護膜，因而高溫高濕試驗等耐久性試驗之后的反射率高，但是對硫化氫的耐性差。而在例3，沒有形成保護膜，因而高溫試驗等耐久性及耐硫化氫性均較差。產業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的高反射鏡，適用作平板顯示器、投影電視、手機等所用的顯示器等的光源用的反射構件。特別是，本發(fā)明高反射鏡的耐濕性和對硫化氫性等耐久性高，因而可有效地應用于移動用PC、手機、PDA、可攜帶游戲機等可攜帶的電子設備為主的的顯示器的光源用反射構件中。特別是，本發(fā)明的高反射鏡，可有效應用于手機等的小型液晶顯示器用背光源模塊。在此引用，2005年3月31日申請的日本專利申請2005-102839號，以及2005年6月7日申請的日本專利申請2005-167066號的說明書、權利要求書、以及摘要的全部內容，作為本發(fā)明說明書的揭示。權利要求1、一種高反射鏡，它是基板上設有銀膜的高反射鏡，其特征在于，在所述高反射鏡的最表面形成以碳為主成分的膜作為保護膜，并且所述以碳為主成分的膜的消光系數在0.1以下。2、如權利要求1所述的高反射鏡，其特征在于，在所述銀膜的基板側形成基底膜。3、如權利要求2所述的高反射鏡，其特征在于，所述基底膜是氧化物膜，通過濺射法形成，并且濺射法中的濺射氣體實質上不包含氧化性氣體。4、如權利要求2或3所述的高反射鏡，其特征在于，所述基底膜是氧化鈦膜，并且該氧化鈦膜由缺氧靶形成。5、如權利要求1至4中任一項所述的高反射鏡，其特征在于，所述以碳為主成分的膜通過濺射法形成，并且濺射法中的濺射氣體實質上不包含氧化性氣體。6、如權利要求1至5中任一項所述的高反射鏡，其特征在于，所述基底膜的物理膜厚是150nm，所述銀膜的物理膜厚是60300nm，并且所述碳膜的物理膜厚是220nm。7、一種高反射鏡的制造方法，其特征在于，在基板上(l)在濺射氣體中實質上不包含氧化性氣體的條件下，由濺射法形成基底膜；(2)由濺射法形成銀膜；(3)在濺射氣體實質上不包含氧化性氣體的條件下，由濺射法在最表面形成以碳為主成分的膜作為保護膜。全文摘要本發(fā)明提供了一種在可見光域內具有高反射率、耐濕性，特別是置于高溫高濕條件之后仍能維持高反射率以及對硫化氫的耐性高的高反射鏡。該高反射鏡是基板上設有銀膜的高反射鏡，其特征在于，該高反射鏡的最表面形成保護膜，該保護膜的衰減系數是0.1以下，所述保護膜是碳膜。所述銀膜的基板側形成基底膜，所述基底膜為氧化鈦膜，且氧化鈦膜由缺氧的靶形成。文檔編號G02B5/08GK101151557SQ200680010130公開日2008年3月26日申請日期2006年2月2日優(yōu)先權日2005年3月31日發(fā)明者宮澤英明,川崎正人,森本保,進奈緒子申請人:旭硝子株式會社