專(zhuān)利名稱(chēng)：共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，尤其涉及一種共平面開(kāi)關(guān)(IPS)模式液晶顯示器件。
背景技術(shù)：
在具有僅幾厘米厚屏幕的超薄平板顯示器件中，液晶顯示器件主要用在諸如便攜式電腦，監(jiān)視器和飛機(jī)等各種領(lǐng)域中。
液晶顯示器件包括下基板、上基板和形成在上下基板之間的液晶層。在液晶顯示器件中，在有電壓施加時(shí)，液晶的排列發(fā)生變化，光透射率隨著排列的變化而調(diào)整，從而顯示圖像。
下面將參照附圖詳細(xì)介紹傳統(tǒng)液晶顯示器件。
圖1A至圖1B所示為傳統(tǒng)液晶顯示器件的透視圖，尤其是扭曲向列(TN)模式液晶顯示器件的透視圖。圖1A示出了其上沒(méi)有施加電壓的傳統(tǒng)TN模式液晶顯示器件的狀態(tài)，圖1B示出了其上施加有電壓的傳統(tǒng)TN模式液晶顯示器件的狀態(tài)。
首先，簡(jiǎn)要介紹傳統(tǒng)TN模式液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)，并詳細(xì)描述其工作原理。
傳統(tǒng)TN模式液晶顯示器件包括第一基板1，第二基板3，及形成在基板1和3之間的液晶層5。
第一基板1包括形成在其外側(cè)上且具有沿預(yù)定方向定向的透射軸的第一偏振片7，第二基板3包括形成在其外側(cè)上且具有與第一偏振片7的透射軸垂直的透射軸的第二偏振片9。
此外，盡管在附圖中沒(méi)有描述，但第一基板1還包括像素電極，而第二基板3還包括公共電極，從而在像素電極與公共電極之間產(chǎn)生垂直方向的電場(chǎng)。
如圖1A中所示，在無(wú)電壓施加時(shí)，液晶層5在第一基板1和第二基板3之間扭曲90度。這里，在光10通過(guò)第二偏振片9進(jìn)入時(shí)，光10穿過(guò)液晶層5。此時(shí)，和液晶層的分子扭曲90度一樣，光10也扭曲90度并穿過(guò)第一偏振片7。從而，顯示白色圖像。
如圖1B中所示，在有電壓施加時(shí)，通過(guò)像素電極和公共電極之間的垂直方向電場(chǎng)的作用，液晶層5的分子在基板1和3之間垂直排列。這里，在光10通過(guò)第二偏振片9進(jìn)入時(shí)，光10穿過(guò)液晶層5。此時(shí)，因?yàn)楣獾钠穹较驔](méi)有旋轉(zhuǎn)，光10不能穿過(guò)第一偏振片7。從而，顯示黑色圖像。
然而，TN模式液晶顯示器件具有視角窄這一嚴(yán)重缺陷。
圖2A至圖2C所示為與傳統(tǒng)TN模式液晶顯示器件視角有關(guān)的問(wèn)題的示意圖。
圖2A示出了無(wú)電壓施加時(shí)的白色顯示狀態(tài)。圖2B表示了滿(mǎn)電壓施加時(shí)的黑色顯示狀態(tài)，圖2C示出了施加中等級(jí)別電壓時(shí)的中等級(jí)別顯示狀態(tài)。
如圖2A中所示，在無(wú)電壓施加時(shí)，液晶層5的分子在相同的方向上扭曲很小的角，入射光(圖中箭頭表示)在所有方向上作為白色光顯示。
如圖2B中所示，在滿(mǎn)電壓施加時(shí)，由于電場(chǎng)的作用，液晶層5的分子在垂直方向上排列，入射光沒(méi)有扭曲，從而顯示黑色。
如圖2C中所示，在中等級(jí)別電壓施加時(shí)，液晶層5的分子在傾斜方向上排列，而顯示的狀態(tài)根據(jù)入射光的方向而不同。換句話(huà)說(shuō)，從右下側(cè)到左上側(cè)方向上進(jìn)入的光顯示黑色，因?yàn)楣獾钠穹较驔](méi)有改變，相反，從左下側(cè)到右上側(cè)的方向上進(jìn)入的光顯示為白色，因?yàn)楣獾钠穹较蚺で恕?br> 這樣，傳統(tǒng)TN模式液晶顯示器件具有這樣的缺點(diǎn)，即顯示狀態(tài)根據(jù)光的入射角而不同且視角很窄。
因而，拓寬視角的研究工作正在全力進(jìn)行中，且提出了各種各樣的方法。例如，提出了使用水平方向電場(chǎng)的共平面開(kāi)關(guān)(IPS)模式，使用垂直排列層的垂直排列(VA)模式，和電控雙折射(BCB)模式，分割疇并使用液晶層分子排列的平均值的多疇方法，及使用相位補(bǔ)償膜來(lái)根據(jù)視角變化改變相位差的相位補(bǔ)償方法。
本發(fā)明涉及拓寬視角方法中一種IPS模式液晶顯示器件，下面將詳細(xì)描述傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件。
圖3A至圖3D示出了傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件，其中圖3A和圖3B所示為無(wú)電壓施加其上的傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件的截面圖和平面圖，圖3C和圖3D所示為有電壓施加其上的傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件的截面圖和平面圖。
首先，簡(jiǎn)要介紹傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)，并詳細(xì)描述其工作原理。
傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件包括第一基板1，第二基板3，和形成在基板1和3之間的液晶層5。
第一基板1包括形成在其外側(cè)上且具有沿預(yù)定方向定向的透射軸的第一偏振片7，第二基板3包括形成在其外側(cè)上且具有與第一偏振片7的透射軸垂直的透射軸的第二偏振片9。
此外，第一基板1包括互相平行的像素電極2和公共電極4，從而在像素電極2和公共電極4之間產(chǎn)生水平方向的電場(chǎng)。
如圖3A和圖3B中所示，在無(wú)電壓施加時(shí)，液晶層5大致平行于電極2和電極4的縱向方向排列。這里，在光10通過(guò)第一偏振片7進(jìn)入時(shí)，光10透過(guò)液晶層5。此時(shí)，因?yàn)楣?0的偏振方向沒(méi)有旋轉(zhuǎn)，所以光10不能穿過(guò)具有與第一偏振片7的透射軸垂直的透射軸的第二偏振片9。從而，顯示黑色圖像。
如圖3C和圖3D中所示，在有電壓施加時(shí)，液晶層5在第一基板1附近與第二基板3附近之間排列有所不同。換句話(huà)說(shuō)，由于像素電極2和公共電極4之間的水平方向電場(chǎng)，液晶層5在第一基板1附近相對(duì)于電極2和電極4縱向方向的垂直方向上排列，并在第二基板3附近相對(duì)于電極2和電極4縱向方向的水平方向上排列，和無(wú)電壓施加時(shí)一樣，因?yàn)殡妶?chǎng)的作用很弱。
因而，在光10通過(guò)第一偏振片7進(jìn)入時(shí)，光10穿過(guò)液晶層5。此時(shí)，因?yàn)橄褚壕?的分子一樣，光10被扭曲并穿過(guò)，所以光10穿過(guò)與第一偏振片7相反的第二偏振片9。從而，顯示白色圖像。
這樣，因?yàn)樵趥鹘y(tǒng)IPS模式液晶顯示器件中，液晶層的分子垂直豎起卻水平切換，所以，即使在施加中間級(jí)別電壓時(shí)，視角也不會(huì)根據(jù)光的入射角改變。
然而，因?yàn)橄袼仉姌O2和公共電極4形成在第一基板1上，所以傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件具有較低的透射率。
低透射率的原因是因?yàn)殚_(kāi)口率隨著像素電極2和公共電極4的寬度增加而下降。目前，像素電極2和公共電極4的寬度大約是4μm，這是光刻法能夠形成的最小值。在進(jìn)行光刻時(shí)，由于光刻的特性，減小像素電極2和公共電極4的寬度是很限的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，其基本克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，其使用了新的工序，從而顯著減小了像素電極和公共電極的寬度，增加了開(kāi)口率。
本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其顯著減小了像素電極和公共電極的寬度，從而增加了開(kāi)口率。
在下面的描述中列出了本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征，其一部分根據(jù)下面的解釋對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的，或通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明可以領(lǐng)會(huì)到。通過(guò)在所寫(xiě)說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其它的優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法包括如下步驟1)在基板上形成具有預(yù)定形狀的第一絕緣層，2)在包含第一絕緣層的基板上形成用于公共電極和像素電極的電極層，3)在電極層上形成第二絕緣層，4)蝕刻第二絕緣層，以使第二絕緣層留在第一絕緣層的側(cè)面上，及5)使用保留的第二絕緣層作為掩模蝕刻電極層，從而形成彼此平行設(shè)置的公共電極和像素電極。
在研究為增加共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的開(kāi)口率而顯著減小像素電極和公共電極的寬度的方法時(shí)，發(fā)明人從一種現(xiàn)象得到啟示發(fā)明了本專(zhuān)利，即當(dāng)控制工序使電極層保留在構(gòu)圖的絕緣層的側(cè)面上時(shí)，保留的電極層的寬度非常小。發(fā)明人將保留在絕緣層側(cè)面上的電極層用于公共電極和像素電極。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件包括互相面對(duì)并分別具有像素區(qū)域的第一基板和第二基板，形成在第一和第二基板之間的液晶層，在第一基板上構(gòu)圖的第一絕緣層，及交替形成在第一絕緣層側(cè)面上并互相平行排列的公共電極和像素電極。
應(yīng)該理解，本發(fā)明上面的概述和下面的詳細(xì)說(shuō)明都是示例性和解釋性的，意欲對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步解釋。


所包括的用于提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步解釋并引入構(gòu)成本申請(qǐng)一部分的

了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1A和圖1B是分別示出其上施加有電壓施加時(shí)的傳統(tǒng)扭曲向列模式液晶顯示器件和其上沒(méi)有施加電壓時(shí)的傳統(tǒng)扭曲向列模式液晶顯示器件的示意圖；圖2A至圖2C是示出常規(guī)扭曲向列模式液晶顯示裝置中視角形成較窄的問(wèn)題的示意圖，其中圖2A示出了沒(méi)有施加電壓時(shí)的白色顯示狀態(tài)，圖2B示出了施加滿(mǎn)電壓時(shí)的黑色顯示狀態(tài)，圖2C示出了施加中等級(jí)別電壓時(shí)的中等級(jí)別顯示狀態(tài)；圖3A至圖3D是示出傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件的示意圖，其中圖3A和圖3B是示出其上沒(méi)有施加電壓時(shí)的傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件的截面圖和平面圖，圖3C和3D是示出其上施加有電壓時(shí)的傳統(tǒng)IPS模式液晶顯示器件的截面圖和平面圖；圖4A到圖4E是示出依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的IPS模式液晶顯示器件的制造工序的截面圖；和圖5是示出依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的IPS模式液晶顯示器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖4A和圖5中所示的制造共平面開(kāi)關(guān)液晶顯示器件的方法的實(shí)施例，詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
下面將介紹制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法。
圖4A到圖4E所示為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的IPS模式液晶顯示器件的制造工序的截面圖。圖4A到圖4E僅示出了在共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的單元像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和公共電極的工序?？赡芡ㄟ^(guò)本發(fā)明領(lǐng)域中各種公知的方法及其修改例形成其他元件。
首先，如圖4A中所示，將第一絕緣層110構(gòu)圖，從而在基板100上具有預(yù)定形狀。
第一絕緣層110由諸如硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)等的無(wú)機(jī)材料，諸如苯并芴、聚乙烯醇等的有機(jī)材料，或無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的雙層形成。
隨后，如圖4B中所示，在包括第一絕緣層110的基板100的整個(gè)表面上形成用于公共電極和像素電極的電極層200。
諸如ITO等的透明金屬，或諸如鉬(Mo)，鈦(Ti)等的不透明金屬可用作電極層200的材料。
隨后，如圖4C中所示，在電極層200上形成第二絕緣層130。
第二絕緣層130由適合在后述工序過(guò)程中使用蝕刻獲得預(yù)定形狀的適當(dāng)材料形成，優(yōu)選無(wú)機(jī)材料，更優(yōu)選使用二氧化硅(SiO2)或硅的氧化物(SiOx)。
隨后，如圖4D中所示，蝕刻第二絕緣層130，從而在第一絕緣層110側(cè)面上形成第二絕緣層130a。
最好通過(guò)使用蝕刻氣體的干蝕刻來(lái)執(zhí)行蝕刻。
在用諸如硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)等的無(wú)機(jī)材料作為第二絕緣層130時(shí)，如圖4D中所示，在注入蝕刻氣體時(shí)，第二絕緣層130a只保留在第一絕緣層110的側(cè)面處。應(yīng)當(dāng)理解，產(chǎn)生該結(jié)果是因?yàn)樵诘谝唤^緣層110的側(cè)面處的第二絕緣層130的厚度比在其他區(qū)域的厚。
隨后，如圖4E中所示，通過(guò)使用保留的第二絕緣層130a作為掩模蝕刻電極層200，從而形成互相平行的公共電極200a和像素電極200b。
公共電極200a和像素電極200b連接第一絕緣層110的側(cè)面，并水平延伸到第一絕緣層110的上側(cè)和基板100的表面。此外，公共電極200a和像素電極平行設(shè)置。
雖然在圖中沒(méi)有描述，但是在圖4E的工序之后，可以清除保留的第二絕緣層130a。
這樣，公共電極200a和像素電極200b的寬度(見(jiàn)圖4E中所述的長(zhǎng)度X)確定為在圖4B的工序過(guò)程中形成的電極層200的厚度與延伸到第一絕緣層110上側(cè)和基板100表面的長(zhǎng)度的和。因?yàn)殡姌O層200的厚度形成在0.03μm到0.1μm的范圍內(nèi)，所以在考慮到延伸的長(zhǎng)度時(shí)，公共電極200a和像素電極200b的寬度X形成在0.1μm到2μm的范圍內(nèi)，這樣顯著增加了開(kāi)口率。
同時(shí)，如上所述，圖4A到圖4E僅示出了在單位像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和公共電極的工序。在單位像素區(qū)域中形成互相交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域中形成薄膜晶體管。
通過(guò)本發(fā)明領(lǐng)域中各種公知的方法形成柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管。
此外，圖4A到圖4E僅示出了形成其中形成有像素電極和公共電極的基板的工序。通過(guò)在基板和面對(duì)該基板的相對(duì)基板之間設(shè)置液晶層并將基板和相對(duì)的基板粘接來(lái)形成共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件。
此時(shí)，通過(guò)繼續(xù)形成遮光層、紅色濾色片層、藍(lán)色濾色片層和綠色濾色片層制造相對(duì)的基板。
此外，基板之一進(jìn)一步形成有用于保持液晶顯示裝置盒間隙的襯墊料。
至少一個(gè)基板進(jìn)一步形成有定向膜，用于初始定向液晶。通過(guò)使用聚酰胺、聚酰亞胺、聚乙烯醇(PVA)、聚酰胺酸等化合物的摩擦定向，或通過(guò)使用光反應(yīng)材料，如聚肉桂酸乙烯酯(PVCN)化合物、聚硅氧烷肉桂酸酯(PSCN)化合物、纖維素肉桂酸酯(CelCL)化合物等的光定向材料來(lái)形成定向膜。
同時(shí)，作為在基板之間形成液晶層的方法有真空注入方法和滴落方法。
真空注入方法是粘接基板并通過(guò)注入口注入液晶的方法，滴落方法是在任意一個(gè)基板上滴落液晶并粘接基板的方法。如果基板尺寸較大，因?yàn)橥ㄟ^(guò)真空注入方法注入液晶花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng)，且降低了生產(chǎn)率，所以滴落方法是合適的方法。
下面將介紹共平面開(kāi)關(guān)(IPS)模式液晶顯示器件。
圖5所示為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的IPS模式液晶顯示器件的截面圖，但僅示出了IPS模式液晶顯示器件單位像素區(qū)域中的像素電極和公共電極。
如圖5中所示，依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的IPS模式液晶顯示器件包括互相面對(duì)的第一基板100和第二基板300，及形成在基板100和基板300之間的液晶層400。
在第一基板100上，將第一絕緣層110構(gòu)圖，在第一絕緣層110的側(cè)面上交替形成公共電極200a和像素電極200b。
公共電極200a和像素電極200b與第一絕緣層110和110a的側(cè)面接觸，并水平延伸到第一絕緣層110的頂側(cè)和基板100的表面。此外，公共電極200a和像素電極平行排列，從而產(chǎn)生水平方向的電場(chǎng)。
此外，在公共電極200a和像素電極200b上形成第二絕緣層130a。
這里，諸如ITO等的透明金屬，或諸如鉬(Mo)，鈦(Ti)等的不透明金屬可用作公共電極200a和像素電極200b的材料。此外，公共電極200a和像素電極200b的寬度從0.1μm到2μm。
第一絕緣層由無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料形成。
第二絕緣層優(yōu)選由無(wú)機(jī)材料形成，更優(yōu)選由二氧化硅(SiO2)或硅的氮化物(SiNx)形成。
在第二基板300上，形成用于阻止光泄漏的遮光層310，并在遮光層310上形成RGB(紅色，綠色和藍(lán)色)濾色片層320。
雖然在附圖中沒(méi)有描述，但在第一基板100上，柵線和數(shù)據(jù)線互相交叉，從而確定像素區(qū)域，且在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域中形成薄膜晶體管。
通過(guò)密封材料密封基板100和基板300，并在基板100和基板200之間形成襯墊料來(lái)保持液晶顯示器件的盒間隙。襯墊料為球形襯墊料或柱形襯墊料。
此外，基板100和基板300中至少一個(gè)進(jìn)一步形成有用于液晶初始定向的定向膜。
雖然沒(méi)有詳細(xì)地描述，但可通過(guò)本發(fā)明領(lǐng)域中公知的各種方法修改除了作為本發(fā)明核心的公共電極200a和像素電極200b之外的各種元件。
依據(jù)本發(fā)明，由于公共電極和像素電極可以形成在0.1μm到2μm范圍內(nèi)，所以顯著增加了開(kāi)口率，并提高了透射率。
很顯然，本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍的情況下可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改進(jìn)。因此，本發(fā)明旨在覆蓋所有落入所附權(quán)利要求及其等效物范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的修改和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，包括下述步驟1)在基板上形成預(yù)定形狀的第一絕緣層；2)在包含所述第一絕緣層的所述基板上形成用于公共電極和像素電極的電極層；3)在所述電極層上形成第二絕緣層；4)蝕刻所述第二絕緣層，從而使所述第二絕緣層保留在所述第一絕緣層的側(cè)面上；和5)用所述保留的第二絕緣層作為掩模蝕刻所述電極層，從而形成互相平行設(shè)置的公共電極和像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，其特征在于，通過(guò)使用蝕刻氣體的干蝕刻來(lái)執(zhí)行所述步驟4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，其特征在于，所述步驟3)中形成的所述第二絕緣層包括二氧化硅或硅的氮化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括移除所述保留的第二絕緣層的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括下述步驟A)在所述基板上形成互相交叉的柵線和數(shù)據(jù)線；和B)在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域中形成薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括下述步驟C)制備面對(duì)所述基板的相對(duì)的基板，所述相對(duì)的基板設(shè)置有遮光層和濾色片層；和D)在所述基板和所述相對(duì)的基板之間形成液晶層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，其特征在于，所述步驟D)包括下述步驟在至少所述基板和所述對(duì)向基板之一上滴落所述液晶層；和粘接所述基板和所述對(duì)向基板。
8.一種共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，包括彼此相對(duì)并分別具有像素區(qū)域的第一基板和第二基板；形成在所述第一和第二基板之間的液晶層；在所述第一基板上構(gòu)圖的第一絕緣層；和交替形成在所述第一絕緣層側(cè)面上且互相平行排列的公共電極和像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，進(jìn)一步包括形成在所述公共電極和所述像素電極上的第二絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述公共電極和所述像素電極的寬度為0.1μm到2μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述公共電極和所述像素電極由透明金屬或不透明金屬形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述第一絕緣層由無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述第二絕緣層由無(wú)機(jī)材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述第二絕緣層由二氧化硅或硅的氮化物形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，所述公共電極和所述像素電極與所述第一絕緣層的側(cè)面接觸并延伸到所述第一絕緣層的頂側(cè)和所述第一基板的表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，進(jìn)一步包括形成在所述第一基板上互相交叉的柵線和數(shù)據(jù)線；和形成在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉區(qū)域中的薄膜晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，進(jìn)一步包括形成在所述第二基板上的遮光層和濾色片層。
18.根據(jù)權(quán)利要求8所述共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件，其特征在于，進(jìn)一步包括形成在所述第一基板和所述第二基板之間用來(lái)保持盒間隙的襯墊料。
全文摘要
一種制造共平面開(kāi)關(guān)模式液晶顯示器件的方法，包括下述步驟在基板上形成第一絕緣層；在包含第一絕緣層的基板上形成用于公共電極和像素電極的電極層；在電極層上形成第二絕緣層；蝕刻第二絕緣層，從而使第二絕緣層保留在第一絕緣層的側(cè)面上；和用保留的第二絕緣層作為掩模蝕刻電極層，從而形成彼此平行設(shè)置的公共電極和像素電極。因?yàn)楣搽姌O和像素電極形成為0.1μm到2μm的寬度，所以開(kāi)口率增大了，透射率也提高了。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1892328SQ20061009054
公開(kāi)日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月27日
發(fā)明者柳洵城, 趙興烈 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社