專利名稱：薄膜晶體管及具有其的液晶顯示器件及它們的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管(TFT)，特別是涉及一種具有有效布局的TFT及其制造方法，以及一種具有所述TFT的液晶顯示器(LCD)及其制造方法。
背景技術(shù)：
LCD器件作為便于攜帶的重量輕、體積薄、功耗低的新一代顯示器件的代表，是技術(shù)聚集型的高附加值產(chǎn)品。
通過插在兩層基板間的液晶(LC)，LCD器件利用由LC各向異性造成的光折射率差異來顯示預(yù)定圖像。
一種TFT和像素電極以矩陣形式排列的有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)具有高分辨率和高動態(tài)圖像實現(xiàn)能力，從而在市場中越來越普及。
圖1為示出了現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的示意圖。
如圖1所示，以載帶自動焊接(TAB)型安裝驅(qū)動集成電路(IC)108和102。也就是說，柵驅(qū)動IC 112設(shè)置在柵載帶封裝(TCP)114上，而數(shù)據(jù)驅(qū)動IC108設(shè)置在數(shù)據(jù)TCP 110上。
柵印刷電路板(PCB)104通過柵TCP114與LC面板102相連，而數(shù)據(jù)PCB 106通過數(shù)據(jù)TCP 110與LC面板102相連。
數(shù)據(jù)PCB 106產(chǎn)生用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動IC 108的數(shù)據(jù)信號，并向數(shù)據(jù)驅(qū)動IC 108施加此數(shù)據(jù)控制信號和預(yù)定的視頻數(shù)據(jù)。為此，數(shù)據(jù)PCB 106具有信號焊盤118。該信號焊盤是用于接收來自外部的視頻數(shù)據(jù)和垂直/水平同步信號(Vsync，Hsync)的端子。數(shù)據(jù)控制信號由Vsync和Hsync產(chǎn)生。
數(shù)據(jù)PCB 106通過柔性印刷電路(PFC)116電連接到柵PCB 104。
柵PCB 104利用從數(shù)據(jù)PCB 106的信號焊盤118輸入的Vsync/Hsync信號產(chǎn)生用于控制柵驅(qū)動IC 112的柵控制信號，以向柵驅(qū)動IC 112提供所產(chǎn)生的柵控制信號。
如上所述，由于在現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件中柵PCB和數(shù)據(jù)PCB分別設(shè)置，并且由于柵驅(qū)動IC和數(shù)據(jù)驅(qū)動IC為必須單獨設(shè)置在TCP上的芯片，因此顯示器的部件數(shù)量增加、制造成本增加、并且制造過程變得更加復(fù)雜。
在現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件中，由于分辨率提高、通過柵線或數(shù)據(jù)線與TCP相連的焊盤的間距尺寸減小，從而引起TCP金屬線和焊盤之間的焊接難于實現(xiàn)的問題。
因此，已經(jīng)開始開發(fā)用于在LC面板內(nèi)部安裝用于驅(qū)動LC面板的驅(qū)動電路的技術(shù)。
此驅(qū)動電路具有多個TFT。例如，安裝在LC面板內(nèi)的柵驅(qū)動器具有多個移位寄存器以及用于分別控制移位寄存器輸出的多個TFT。
這樣，為了使驅(qū)動電路可靠，各TFT應(yīng)具有準確和快速開關(guān)的功能。為此，TFT應(yīng)具有良好的電荷遷移率和良好的電流驅(qū)動能力。為滿足這些需求，TFT的溝道應(yīng)當盡可能寬。
然而，當TFT的溝道寬度加寬后，由于驅(qū)動電路所占據(jù)的空間變大以及屏幕外邊緣的邊框區(qū)域尺寸變大，因而減小了屏幕的顯示區(qū)域。因此，為了確保同樣尺寸的屏幕，應(yīng)該增加LC面板的尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出一種通過設(shè)計具有有效布局的驅(qū)動電路能夠使有限面積的利用率最大化的TFT及其制造方法，一種具有此TFT的液晶顯示(LCD)器件及其制造方法，所述器件和方法可以基本上消除由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和不足而引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個優(yōu)點在于提供了一種TFT及其制造方法，以及一種具有該TFT的LCD器件及其制造方法，能夠通過以網(wǎng)格型形成的TFT使溝道寬度最大化，由此提高了TFT的電學(xué)特性并使驅(qū)動電路所占據(jù)的面積最小化。
本發(fā)明另外的優(yōu)點和特征將在隨后的說明書中部分地闡述，并且部分內(nèi)容基于以下的分析使對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見，或者通過實踐本發(fā)明了解到。通過所述說明書及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和其它的優(yōu)點。
為了根據(jù)本發(fā)明的目的實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點，在此進行具體的和廣泛的描述，本發(fā)明提供了一種TFT包括柵極；形成在所述柵極上的有源層；在所述有源層上呈島狀彼此交替設(shè)置的源極和漏極；以及分別與所述源極和所述漏極相連的源線和漏線。
在本發(fā)明的第二個方面，提供了一種TFT包括其上形成有多個柵孔的柵極；形成在所述柵極上的有源層；在所述有源層上呈島狀彼此交替設(shè)置并且與所述柵孔相對應(yīng)的源極和漏極；分別與所述源極和所述漏極相連的源線和漏線。
在本發(fā)明的第三個方面，提供了一種LCD器件包括具有用于控制輸出的TFT的驅(qū)動電路；以及用于顯示與所述驅(qū)動電路輸出信號相對應(yīng)的圖像的顯示板，所述各TFT包括柵極；形成在所述柵極上的有源層；在所述有源層上呈島狀彼此交替設(shè)置的源極和漏極；以及分別與所述源極和所述漏極相連的源線和漏線。
在本發(fā)明的第四個方面，提供了一種TFT制造方法包括在基板上形成柵極；在所述柵極上形成有源層；在所述有源層上形成呈島狀彼此交替設(shè)置的源極和漏極；以及形成分別與所述源極和所述漏極相連的源線和漏線。
在本發(fā)明的第五個方面，提供了一種TFT制造方法包括形成其上具有多個柵孔的柵極；在所述柵極上形成有源層；在所述有源層上形成呈島狀彼此交替設(shè)置并對應(yīng)于柵孔的源極和漏極；以及形成分別與所述源極和所述漏極相連的源線和漏線。
應(yīng)該理解，上面的概括性描述和下面的詳細描述都是示意性和解釋性的，意欲對本發(fā)明的權(quán)利要求提供進一步的解釋。


本申請所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，并且引入構(gòu)成本申請的一部分，該附圖示出了本發(fā)明的實施方式并且連同說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的示意圖；
圖2A至2C所示為根據(jù)本發(fā)明的LCD器件的部分驅(qū)動電路的平面示意圖；圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD器件的部分驅(qū)動電路的平面圖；圖4所示為沿圖3中A-A′線提取的截面圖；圖5所示為圖3中的溝道和溝道寬度形成時的電流運動示意圖；圖6所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的LCD器件的部分驅(qū)動電路的平面圖；圖7所示為沿圖6中B-B′線提取的截面圖；以及圖8為僅示出了圖6和圖7中的柵極的平面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖所示的實施例，具體說明本發(fā)明的實施方式。
圖2A至2C所示為根據(jù)本發(fā)明的LCD器件的部分驅(qū)動電路的平面示意圖。雖然討論集中于液晶顯示器件，但應(yīng)當理解本發(fā)明也適用于包括例如有機發(fā)光二極管(OLED)的其它顯示技術(shù)。
驅(qū)動電路包括安裝在LC面板內(nèi)的柵驅(qū)動器或數(shù)據(jù)驅(qū)動器。柵驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器具有多個移位寄存器。所述移位寄存器具有多個用于控制移位寄存器輸出的TFT。為了改善TFT的電學(xué)特性(例如電荷遷移率、電流驅(qū)動能力)，應(yīng)當加大其溝道寬度。圖2A至2C中示出了用于加寬溝道寬度的設(shè)計結(jié)構(gòu)。
圖2A為普通驅(qū)動電路的平面示意圖。
如圖2A所示，構(gòu)成TFT的源極210和漏極220設(shè)置成折線狀。這樣，TFT的溝道寬度為24,000μm，水平長度為1750μm，垂直長度為180μm，而其面積為315,000μm2。
圖2B為本發(fā)明驅(qū)動電路的平面示意圖。
參照圖2B，驅(qū)動電路包括柵極201、形成在柵極201上的柵絕緣層(未示出)形成在柵絕緣層上的有源層205、呈島狀交替設(shè)置在柵極201上的漏極220和源極210、沿斜線方向形成的用于電連接漏極220的漏線221、以及沿斜線方向形成并與漏線交替設(shè)置的用于電連接源極的源線211。
在源極210和漏極220上形成具有源接觸孔和漏接觸孔形成于其中的鈍化層(未示出)，并且源接觸孔暴露出源極210的預(yù)定區(qū)域而漏接觸孔暴露出漏極220的預(yù)定區(qū)域。
源線211通過源接觸孔與源極210相連，而漏線221通過漏接觸孔與漏極220相連。
源線211合并成一條線以接收源信號，所述源信號送至具有島狀并與源線211相連的源極。
同樣，漏線221合并成一條線以接收漏信號，所述漏信號送至具有島狀并與漏線221相連的漏極。
源線211和漏線221可以用透明導(dǎo)電材料制造。所述透明導(dǎo)電材料可以是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
以島狀形成源極210和漏極220并沿垂直方向和水平方向交替設(shè)置。這樣，相同的源極210和相同的漏極220沿斜線設(shè)置。
源線211應(yīng)當僅與源極210相連，而漏極221應(yīng)當僅與漏極220相連。因此，源線211沿斜線設(shè)置使得僅與相同的源極210相連，而漏線221沿斜線設(shè)置使得僅與相同的漏極220相連。
試驗結(jié)果表明，布線設(shè)計區(qū)域與圖2A的驅(qū)動電路相同時，圖2B的驅(qū)動電路能夠確保約30,700μm的溝道寬度，因此預(yù)期增加溝道寬度28％。
圖2C為本發(fā)明的驅(qū)動電路的平面示意圖。
驅(qū)動電路包括與圖2B的驅(qū)動電路中相同的網(wǎng)格類型TFT。獲得24,000μm所必需的面積由180μm的垂直寬度和1,360μm的水平寬度形成，該24,000μm為圖2A中驅(qū)動電路的TFT的溝道寬度。因此，實現(xiàn)了水平寬度減少390μm并由此面積降低到244,880μm2，使得有望實現(xiàn)面積減小29％。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD器件的部分驅(qū)動電路的平面示意圖，圖4為沿圖3中A-A′線提取的截面圖，圖5所示為形成圖3中的溝道和溝道寬度時的電流運動示意圖。
參照圖3和圖4，根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD器件的驅(qū)動電路包括在基板300上形成的與柵線(未示出)相連的柵極301，在柵極301上形成的柵絕緣層303，在柵絕緣層303上柵極301的位置處形成的有源層305，在有源層305上呈島狀交替形成的源極310和漏極320，具有用于暴露源極310的預(yù)定區(qū)域的源接觸孔312和用于暴露漏極320的預(yù)定區(qū)域的漏接觸孔322的鈍化層308，在鈍化層308上的用于通過源接觸孔312與源極310相連的源線311，以及在鈍化層308上的用于通過漏接觸孔322與漏極320相連的漏線321。
源線311在整體上彼此相連，同時漏線321彼此相連。
源極310和漏極320呈島狀形成在柵極301上。源極310和漏極320在垂直方向和水平方向交替形成。這樣，同樣的源極310和同樣的漏極320沿斜線方向設(shè)置。
源線311應(yīng)當僅與源極310相連，而漏線321應(yīng)當僅與漏極320相連。因此，源線311和漏線321沿斜線方向設(shè)置使得僅與同樣的源極310和同樣的漏極320相連。
源線311和漏線321可以用透明導(dǎo)電材料制造。該透明導(dǎo)電材料可以是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
因此，源線311沿斜線方向形成以通過源接觸孔312與源極310相連。漏線321關(guān)于源線311交替設(shè)置并通過漏接觸孔322與漏極320相連。
參照圖5，呈島狀排列的源極310和漏極320彼此隔開一預(yù)定的間隔并且在垂直方向和水平方向交替設(shè)置。
在僅說明柵極301、有源層305以及源極310和漏極320的情況，當溝道形成在源極310和漏極320之間時的溝道寬度可以是W1、W2、W3、W4以及W5。也就是說，由于溝道寬度是沿著源極310和漏極320的四個邊緣形成，因而溝道寬度最大。
因此，本發(fā)明具有帶有最大溝道寬度的網(wǎng)格型TFT，因此減小了邊框尺寸，即屏幕的非顯示區(qū)域，以使LC面板尺寸緊湊、并提高TFT的電學(xué)特性以及能夠?qū)Ⅱ?qū)動電路所占據(jù)的面積減到最小。
本發(fā)明通過在那些面積有限的應(yīng)用中提供一種網(wǎng)格型TFT使面積利用率最大化。
具體的說，在利用元素遷移率相當?shù)偷姆蔷Ч?a-Si)、微晶體或有機化合物形成TFT時，本發(fā)明提供了顯著的改進。
如上所述，在制造其中具有驅(qū)動電路的LC面板時，本發(fā)明使LC面板內(nèi)的電路所占據(jù)的面積最小化。
圖6所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的LCD器件的部分驅(qū)動電路的平面圖，圖7所示為沿圖6中B-B′線提取的截面圖，圖8為僅示出了圖6和圖7中的柵極的平面圖。
參照圖6至圖8，LCD器件的驅(qū)動電路包括在基板400上形成的與柵線(未示出)相連并且具有柵孔444的柵極401，形成在柵極401上的柵絕緣層403，在柵絕緣層403上柵極401的位置處形成的有源層405，在有源層405上呈島狀交替形成的源極410和漏極420，具有用于暴露源極410預(yù)定區(qū)域的源接觸孔412以及用于暴露漏極420預(yù)定區(qū)域的漏接觸孔422的鈍化層408，用于通過鈍化層408上的源接觸孔412與源極410相連的源線411，以及用于通過鈍化層408上的漏接觸孔422與漏極420相連的漏線421。
柵孔444形成在與源極410和漏極420的位置相對應(yīng)之處，其目的是通過減小源極410和柵極401之間的電容Cgs以及漏極420和柵極401之間的電容Cgd來減小寄生電容。
源線411在整體上彼此相連，同時漏線421彼此相連。
源極410和漏極420呈島狀形成在柵極401上。源極410和漏極420在垂直方向和水平方向交替形成。這樣，同樣的源極410和同樣的漏極420沿斜線方向排列。
因此，源線411沿斜線方向形成以通過源接觸孔421與源極410相連。同樣的，漏線421關(guān)于源線411交替設(shè)置以通過漏接觸孔422與漏極420相連。
呈島狀設(shè)置的源極410和漏極420彼此隔開一預(yù)定的間隔，并且在垂直方向和水平方向上交替設(shè)置。例如，源極410設(shè)置在在漏極420四周的上下左右。因此，由于在漏極420和四個源極410之間存在四個溝道寬度，與一個源極對應(yīng)一個漏極設(shè)置的情況相比，一個漏極具有四個溝道寬度。
因此，本發(fā)明通過在對應(yīng)于源極410和漏極420的不存在柵極的位置上形成柵孔444，能夠減少源極410和柵極401之間的寄生電容Cgs以及漏極420和柵極401之間的寄生電容Cgd，以提高TFT的電學(xué)特性。
同時，本發(fā)明具有帶有最大溝道寬度的網(wǎng)格型TFT，因此減小了作為屏幕的非顯示區(qū)域的邊框尺寸，使得LC面板結(jié)構(gòu)緊湊、TFT的電學(xué)特性提高、以及驅(qū)動電路所占據(jù)的面積最小。
本發(fā)明通過在那些面積有限的應(yīng)用中提供一種網(wǎng)格類型TFT能夠使面積利用率最大化。
具體的說，在利用元素遷移率相當?shù)偷姆蔷Ч?a-Si)、微晶體或有機化合物形成TFT時，本發(fā)明具有顯著效果。
如上所述，在制造其中具有驅(qū)動電路的LC面板時，本發(fā)明使LC面板內(nèi)的電路所占據(jù)的面積最小化。
本發(fā)明使用具有最大溝道寬度的網(wǎng)格型TFT，因此，使得甚至在利用具有低遷移率的非晶硅(a-Si)、微晶體或有機半導(dǎo)體形成TFT的情況下，驅(qū)動電路也可以設(shè)置在LC面板內(nèi)。
對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然可以對本發(fā)明做出各種改進和修改。因此，發(fā)明意欲覆蓋所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的對本發(fā)明進行的改進和修改。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件，包括驅(qū)動電路，具有多個用于控制輸出的薄膜晶體管；以及顯示面板，用于顯示與所述驅(qū)動電路輸出的信號相對應(yīng)的圖像，所述各薄膜晶體管包括柵極；有源層，形成在所述柵極上；源極和漏極，呈島狀彼此交替設(shè)置；以及源線和漏線，分別與所述源極和所述漏極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，沿斜線方向設(shè)置的所述源極與所述源線相連，沿斜線方向設(shè)置的所述漏極與所述漏線相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，所述源線和所述漏線交替設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述源極和所述漏極在水平方向上交替設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述源極和所述漏極在垂直方向上交替設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，沿斜線方向設(shè)置的所述源極為相同的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，沿斜線方向設(shè)置的所述漏極為相同的電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述源線一體地形成，并且所述漏極一體地形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述源極具有關(guān)于與其相鄰的漏極所形成的溝道。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述漏極具有關(guān)于與其相鄰源極的所形成的溝道。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述柵極具有多個對應(yīng)于所述源極和所述漏極的柵孔。
12.一種薄膜晶體管，包括第一電極；有源層，形成于所述第一電極上；第二電極和第三電極，在所述有源層上以島狀交替形成；第二線和第三線，分別連接到所述第二電極和第三電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括第一絕緣層，形成在所述第一電極和所述有源層之間；以及第二絕緣層，形成在所述第二電極和所述第三電極之間以及所述第二線和所述第三線之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二絕緣層具有多個第二接觸孔和多個第三接觸孔，所述第二電極通過所述第二接觸孔與所述第二線相連，而所述第三電極通過所述第三接觸孔與所述第三線相連。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，沿斜線方向設(shè)置的所述第二電極與所述第二線相連，而沿斜線方向設(shè)置的所述第三電極與所述第三線相連。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二線和所述第三線交替設(shè)置。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二線和所述第三線利用透明導(dǎo)電材料制造。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為選自氧化銦錫和氧化銦鋅所組成的組中的一個。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二線和所述第三線利用不透明導(dǎo)電材料制造。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述不透明導(dǎo)電材料選自鋁、銅和鉬所組成的組中。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二電極和所述第三電極在水平方向交替設(shè)置。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二電極和所述第三電極在垂直方向交替設(shè)置。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，沿著斜線方向設(shè)置的所述第二電極為相同的電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，沿著斜線方向設(shè)置的所述第三電極為相同的電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二線一體地形成，并且所述第三線一體地形成。
26.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二電極具有關(guān)于與其相鄰的第三電極所形成的溝道。
27.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三電極具有關(guān)于與其相鄰的第二電極所形成的溝道。
28.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一電極是柵極，所述柵極具有多個對應(yīng)于所述第二電極和所述第三電極的柵孔。
29.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二電極是源極，所述第三電極是漏極，所述源極和所述漏極形成在所述有源層上。
30.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二線是源線，所述第三線是漏線。
31.一種薄膜晶體管，包括柵極，具有形成在其中的多個柵孔；有源層，形成在所述柵極上；源極和漏極，在所述有源層上以島狀彼此交替設(shè)置，并且與所述柵孔相對應(yīng)；以及源線和漏線，分別與所述源極和所述漏極相連。
32.一種薄膜晶體管制造方法，包括在基板上形成柵極；在所述柵極上形成有源層；在所述有源層上形成呈島狀彼此交替設(shè)置的源極和漏極；以及形成分別與所述源極和所述漏極相連的源線和漏線。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，還包括在所述柵極和所述有源層之間形成第一絕緣層；以及在所述源極和所述漏極之間，以及在所述源線和所述漏線之間形成第二絕緣層。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，形成沿斜線方向設(shè)置的所述源極以與所述源極相連，并且形成沿斜線方向設(shè)置的所述漏極以與所述漏線相連。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所述源線和所述漏線交替設(shè)置。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于，所述源線和所述漏線由透明導(dǎo)電材料制造。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為選自由氧化銦錫和氧化銦鋅所構(gòu)成的組中的一個。
38.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所述源極和所述漏極在水平方向上交替設(shè)置。
39.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，其特征在于，所述源極和所述漏極在垂直方向上交替設(shè)置。
40.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，沿斜線方向設(shè)置的所述源極為相同的電極。
41.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，沿斜線方向設(shè)置的所述漏極為相同的電極。
42.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于，所述源線整體成型，并且所述漏線一體地形成。
43.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所述源極具有關(guān)于與其相鄰的漏極所形成的溝道。
44.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所述漏極具有關(guān)于與其相鄰的源極所形成的溝道。
45.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所述柵極具有與所述源極和所述漏極相對應(yīng)的多個柵孔。
46.一種薄膜晶體管制造方法，包括形成其中具有多個柵孔的柵極；在所述柵極上形成有源層；對應(yīng)于所述柵孔，在所述有源層上形成呈島狀彼此交替設(shè)置的源極和漏極；以及形成分別與所述源極和所述漏極相連的源線和漏線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提供有效布局的TFT(薄膜晶體管)及其制造方法，以及一種具有此TFT的LCD(液晶顯示)器件及其制造方法。所述TFT具有柵極以及源極/漏極，在其間插入有源層。所述源極和所述漏極在垂直方向和水平方向上交替設(shè)置。因此，相同的源極沿斜線方向設(shè)置并且相同的漏極沿斜線方向設(shè)置。源線與沿斜線方向設(shè)置的源極相連而漏線與沿斜線方向設(shè)置的漏極相連。由于溝道寬度形成在所述源極和相鄰的漏極之間，溝道寬度能夠在有限的區(qū)域做到最大化。同樣的，所述源線和所述漏線沿斜線方向設(shè)置，因此面積利用率最大。
文檔編號G02F1/1343GK1862324SQ20051012593
公開日2006年11月15日 申請日期2005年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月13日
發(fā)明者孫忠用 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社