專利名稱：半導(dǎo)體制造裝置和圖案形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過使用浸入光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體制造裝置，以及使用所述半導(dǎo)體制造裝置的圖案形成方法。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體集成電路的集成程度的增加以及半導(dǎo)體器件的尺寸的減小，對光刻技術(shù)的進一步快速顯影的需求日益增加。目前，通過利用水銀燈、KrF準(zhǔn)分子激光器、ArF準(zhǔn)分子激光器或類似儀器的曝光用光的光刻技術(shù)來形成圖案，并且對于發(fā)射較短波長激光的F2激光器的使用正在檢驗中。然而，由于在曝光系統(tǒng)和抗蝕材料方面仍然存在大量的問題，因此使用波長較短的曝光用光的光刻技術(shù)不能投入實際的應(yīng)用中。
在這些情況下，浸入光刻技術(shù)近來已經(jīng)被提出，用于通過使用傳統(tǒng)的曝光用光來實現(xiàn)圖案的進一步的精細化(例如，參見M.Switkes和M.Rothschild的“Immersion lithography at 157nm(157納米下的侵入光刻技術(shù))”，J.Vac.Sci.Technol.，Vol B19，p.2353(2001))。
在浸入光刻技術(shù)中，用具有折射率n的液體填充曝光系統(tǒng)的、在投影透鏡與形成在芯片上的抗蝕膜之間的區(qū)域，因此曝光系統(tǒng)的NA(數(shù)值孔徑)具有值n·NA。結(jié)果，能提高抗蝕膜的分辨率。
現(xiàn)在，將參考

圖13A至13D描述使用浸入光刻的傳統(tǒng)的圖案形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下成分的正性化學(xué)增強抗蝕材料基礎(chǔ)聚合物聚((降冰片烯-5-亞甲基-叔丁基羧酸酯)(50mol％)-(馬來酸酐)(50mol％))...2g酸發(fā)生劑三氟甲磺酸三苯基锍(triphenylsulfonium triflate)...0.06g淬火劑三乙醇胺...0.002g
溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯...20g接著，如圖13A所示，將上述化學(xué)增強抗蝕材料涂在襯底1上，以形成厚度為0.35μm的抗蝕膜2。
然后，如圖13B所示，在液體(水)3設(shè)置在抗蝕膜2上的情況下，利用ArF準(zhǔn)分子激光器的曝光用光4通過掩模5對抗蝕膜2進行輻照、從而實施圖案曝光。
在圖案曝光之后，如圖13C所示，利用加熱板以100℃的溫度對抗蝕膜2烘焙60秒，并且利用2.38％重量百分比的氫氧化四甲銨顯影劑對所得的抗蝕膜進行顯影。這樣，如圖13D所示，形成抗蝕圖2a，所述抗蝕圖2a由抗蝕膜2的未曝光部分形成并且具有0.09μm的線寬。然而，如圖13D所示，由傳統(tǒng)的圖案形成方法所形成的抗蝕圖在形狀方面有缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明人已經(jīng)研究了通過傳統(tǒng)的浸入光刻形成的抗蝕圖在形狀方面存在缺陷的原因，所得發(fā)現(xiàn)如下當(dāng)設(shè)置在曝光系統(tǒng)中用于保持芯片的可移動平臺移動時，細小的泡沫形成在液體3中，這些泡沫導(dǎo)致投影透鏡的象差和衍射等異常。特別地是，當(dāng)可移動平臺帶著位于芯片表面上的液體移動時，空氣通過抗蝕膜與液體之間的邊界以泡沫的形式被吞入液體中。
由此，當(dāng)通過包括這種細小泡沫的液體實施圖案曝光時，所得抗蝕圖案在形狀方面存在缺陷。例如，如圖13D所示，由使用浸入光刻的傳統(tǒng)的圖案形成方法所形成的抗蝕圖案2a在形狀方面存在缺陷。當(dāng)具有這種缺陷形狀的抗蝕圖案被用于蝕刻目標(biāo)膜時，目標(biāo)膜的所得圖案在形狀方面也存在缺陷，這在半導(dǎo)體器件的制造過程中會降低生產(chǎn)率和產(chǎn)量。
在考慮上述傳統(tǒng)問題的基礎(chǔ)上，本發(fā)明的目的是通過使用浸入光刻技術(shù)形成形狀良好的抗蝕圖案。
為了實現(xiàn)所述目標(biāo)，根據(jù)本發(fā)明，在使用浸入光刻技術(shù)的半導(dǎo)體制造裝置和使用所述裝置的圖案形成方法中，曝光時設(shè)置在抗蝕膜上的液體中所包含的氣體被去除。
具體地是，利用除氣機構(gòu)或用于噴射浸入液體的機構(gòu)去除氣體。
(關(guān)于使用除氣機構(gòu)的方面)
本發(fā)明的使用除氣機構(gòu)的第一半導(dǎo)體制造裝置包括平臺，所述平臺用于放置其上形成抗蝕膜的襯底；液體供給部分，用于將液體供至所述平臺上；曝光部分，所述曝光部分利用設(shè)置在抗蝕膜上的液體、利用通過掩模的曝光用光來照射抗蝕膜；以及除氣部分，用于去除包括在液體中的氣體，所述除氣部分包括用于從已經(jīng)由液體供給部分供給的液體中去除氣體的去除部分、用于將已經(jīng)被去除了氣體的液體供至抗蝕膜上的供給路徑；以及用于將已經(jīng)供至抗蝕膜上的液體回收到回收部分的回收路徑。
在第一半導(dǎo)體制造裝置中，已經(jīng)通過除氣部分將氣體去除的液體設(shè)置在抗蝕膜上，因此，在曝光中所使用的液體不包含泡沫。結(jié)果，可以形成形狀良好的精細圖案。
本發(fā)明的使用除氣機構(gòu)的第二半導(dǎo)體制造裝置包括液體供給部分，用于供給液體以將液體設(shè)置在用于放置襯底的平臺上，其中所述襯底上形成有抗蝕膜；曝光部分，所述曝光部分利用設(shè)置在抗蝕膜上的液體、利用通過掩模的曝光用光照射抗蝕膜；以及除氣部分，用于從液體中去除包含在液體中的氣體，所述除氣部分去除通過液體供給單元設(shè)置在所述平臺上的液體中的氣體。
在第二半導(dǎo)體制造裝置中，設(shè)置在所述平臺上的液體通過除氣部分被除去氣體，由此將已經(jīng)被除去氣體的液體設(shè)置在抗蝕膜上。因此，曝光中所使用的液體不包含泡沫。結(jié)果，能形成形狀良好的精細圖案。
本發(fā)明的使用除氣機構(gòu)的第三半導(dǎo)體制造裝置包括曝光部分，所述曝光部分利用通過掩模的曝光用光照射抗蝕膜，所述抗蝕膜形成在置于平臺上的襯底上，液體設(shè)置在所述抗蝕膜上；液體供給部分，用于將液體供至抗蝕膜與曝光部分之間；液體回收部分，用于回收已經(jīng)被供至抗蝕膜上的液體；以及控制部分，用于控制液體供給部分的液體供給操作、液體回收部分的液體回收操作以及所述平臺的操作。
在第三半導(dǎo)體制造裝置中，控制部分適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)所述平臺上的液體的流速和流動方向以及所述平臺的移動方向和移動速度。因此，能防止移動所述平臺時空氣通過襯底的邊緣被吞入液體中，所以沒有泡沫形成。結(jié)果，能形成形狀良好的精細圖案。
在第三半導(dǎo)體制造裝置中，優(yōu)選控制部分以這樣的方式控制液體供給操作和液體回收操作、并且調(diào)節(jié)所述平臺的操作即，通過液體供給操作和液體回收操作而在抗蝕膜上產(chǎn)生的液體的流速和流動方向大致與所述平臺的移動速度和移動方向一致。
在第一半導(dǎo)體制造裝置中，優(yōu)選通過回收路徑回收至回收部分的液體在去除部分中被除氣，并通過供給路徑供至抗蝕膜。
在第三半導(dǎo)體制造裝置中，優(yōu)選液體回收部分和液體供給部分相互連接，并且優(yōu)選已經(jīng)通過液體回收部分回收的液體流入液體供給部分中。這樣，可以減小液體的消耗，并且能夠穩(wěn)定地供給液體。
本發(fā)明的使用除氣機構(gòu)的第一圖案形成方法包括如下步驟即在襯底上形成抗蝕膜；利用設(shè)置在抗蝕膜上的液體、通過曝光用光有選擇地照射抗蝕膜，以實施圖案曝光；以及在圖案曝光之后，通過對抗蝕膜進行顯影來形成抗蝕圖案，實施圖案曝光的所述步驟包括去除設(shè)置在抗蝕膜上的液體中所包含的氣體的子步驟。
在第一圖案形成方法中，設(shè)置在抗蝕膜上的液體總是被除去氣體，因此在曝光時所用的液體中沒有形成泡沫。結(jié)果，能形成形狀良好的精細圖案。
本發(fā)明的使用除氣機構(gòu)的第二圖案形成方法包括步驟在襯底上形成抗蝕膜；在將其上形成有抗蝕膜的襯底放置在平臺上之后，利用設(shè)置在抗蝕膜上的液體、利用曝光用光有選擇地照射抗蝕膜來實施圖案曝光；以及在圖案曝光之后，通過顯影抗蝕膜來形成抗蝕圖案，所述實施圖案曝光的步驟包括以這樣的方式將液體供至抗蝕膜上、并且從上述抗蝕膜上回收液體的子步驟即在抗蝕膜上引起的液體的流速和流動方向大致與平臺的移動速率和移動方向一致。
在第二圖案形成方法中，在實施圖案曝光的步驟中，能夠防止在平臺移動過程中，空氣通過襯底的邊緣被吞入設(shè)置在平臺上的液體中，從而不會形成泡沫。結(jié)果，可以形成形狀良好的精細圖案。
優(yōu)選地是，第一或第二圖案形成方法還包括，在實施圖案曝光步驟之后的回收液體以反復(fù)使用的步驟。
(使用用于通過噴射來供給浸入液體的機構(gòu)的方面)本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過噴射待儲存液體能夠顯著地減少形成在浸入液體中的泡沫，并且將浸入液體噴射到泡沫上能減小泡沫的直徑、增加流速，從而增大泡沫破碎力。
具體而言，當(dāng)噴射液體時，每個液滴的直徑非常小，與液體被允許流入容器的一般情況相比，液滴的流速非常高。由此，例如，當(dāng)液體通過噴射被供給到在先儲存在容器中的液體上時，被噴射的液體碰撞在先儲存的液體的液體面的力大于液體被允許流入容器中的情況下所獲得的力。在這一點上，由于被噴射液滴具有非常小的直徑，因此因為液體表面的排斥力小，被噴射的液體快速地透入被儲存液體的液體表面。換言之，當(dāng)液體被噴射時，最低程度地形成泡沫，并且在噴射的液體碰撞在先形成的泡沫的情況下，泡沫容易消失。
基于上述的發(fā)現(xiàn)提出本發(fā)明的以下各方面。在浸入液體被臨時儲存的情況下，浸入液體被噴射以便被儲存，從而使將被設(shè)置在抗蝕膜與投影透鏡之間的液體里形成的泡沫消失。這些方面具體實施如下本發(fā)明的第四半導(dǎo)體制造裝置包括平臺，所述平臺用于放置其上形成抗蝕膜的襯底；液體供給部分，用于將液體供至所述平臺上；曝光部分，所述曝光部分利用設(shè)置在抗蝕膜上的液體、利用通過掩模的曝光用光來照射抗蝕膜，所述液體供給部分包括用于儲存液體的儲存部分和用于將液體噴入儲存部分中的噴霧嘴。
在第四半導(dǎo)體制造裝置中，能夠使將被設(shè)置在曝光部分與抗蝕膜之間的浸入液體里所形成的泡沫消失。由此，能夠防止投影透鏡的象差異常，從而形成形狀良好的抗蝕圖案。
在第四半導(dǎo)體制造裝置中，優(yōu)選地是，液體供給部分包括用于允許另一液體流入儲存部分中的噴嘴。這樣，當(dāng)另一液體被允許通過噴嘴流入容器以便被儲存，并且液體通過噴霧嘴被噴射到被儲存液體上時，被噴射液體與儲存的液體混合，同時使形成在儲存液體中的泡沫消失。并且，由于被噴射液體能被一點一點地加至儲存液體中，因此能容易地調(diào)整混合液體的組成。然而，被噴射液體和被儲存液體不需要具有不同的組成，但也可以具有相同的組成。
在這種情況下，用于允許另一液體流動的噴嘴優(yōu)選是噴霧嘴。
在第四半導(dǎo)體制造裝置中，曝光部分和液體供給部分優(yōu)選設(shè)置在一個室內(nèi)。
可選地是，在第四半導(dǎo)體制造裝置中，優(yōu)選地是，曝光部分被設(shè)置在室內(nèi)，而液體供給部分被設(shè)置在室外。這樣，能防止儲存在儲存部分中的液體污染室的內(nèi)部。
本發(fā)明的第三圖案形成方法包括步驟在襯底上形成抗蝕膜；噴射待儲存的液體；利用設(shè)置在抗蝕膜上的被儲存液體、利用曝光用光有選擇地照射抗蝕膜來實施圖案曝光；以及在圖案曝光之后，通過顯影抗蝕膜來形成抗蝕圖案。
在第三圖案形成方法中，液體被噴射以便被儲存，并且被儲存的液體被設(shè)置在抗蝕膜上，因此形成在液體中的泡沫能夠消失。由此，投影透鏡的象差異常能夠被防止，從而形成形狀良好的抗蝕圖案。
在第三圖案形成方法中，在噴射液體的步驟中，通過將液體噴射到另一在先被儲存的液體上來儲存液體。這樣，由于被噴射的液體被加至在先被儲存的液體，因此噴射的液體與儲存的液體混合，同時形成在儲存液體中的泡沫消失。并且，由于噴射的液體能一點一點地被加至儲存液體，因此能容易地調(diào)整混合液體的組成。然而，被噴射的液體和被儲存的液體無需具有不同的組成，但是也可以具有相同的組成。
在第三圖案形成方法中，優(yōu)選并行地實施噴射液體的步驟和實施圖案曝光的步驟。
在本發(fā)明的任一半導(dǎo)體制造裝置和圖案形成方法中，當(dāng)曝光用光是諸如g線或i線之類的紫外線，或者是諸如KrF準(zhǔn)分子激光或ArF準(zhǔn)分子激光之類的遠紫外線時，優(yōu)選液體是水。
可選地是，在本發(fā)明的任一半導(dǎo)體制造裝置和圖案形成方法中，當(dāng)曝光用光是真空紫外線，諸如F2激光時，優(yōu)選液體是過氟聚醚(perfluoropolyether)。
在本發(fā)明的任一半導(dǎo)體制造裝置和圖案形成方法中，浸入液體優(yōu)選包括防沫劑。這樣，形成在液體中的泡沫能通過防沫劑被大量地去除，并且因此，曝光時由于泡沫的影響而產(chǎn)生的圖案損壞能極大地被減少。
作為防沫劑，可以使用破泡劑、抑泡劑或者消泡劑。破泡劑被吸到泡沫上并通過表面張力的作用浸入泡沫的表面膜。其后，破泡劑通過表面張力膨脹遍及泡沫的表面膜，這樣減小了表面膜的厚度，從而最終能使表面膜破損。抑泡劑與液體中的起泡物質(zhì)一起被吸到泡沫的表面膜上。當(dāng)抑泡劑被吸收時，泡沫的表面膜的表面張力降低，從而減小了表面膜的厚度。因此，泡沫變得不穩(wěn)定，并且當(dāng)它到達液體表面時破碎。消泡劑被吸收到液體中的泡沫的表面膜上。當(dāng)這種泡沫在液體中彼此吸收時，泡沫在被吸收接口上破損，因此泡沫能結(jié)合形成大的泡沫。大的泡沫具有大的上升力，并且因此高速上升至液體表面。
至此所述，在根據(jù)本發(fā)明的、半導(dǎo)體制造裝置和使用所述裝置的圖案形成方法中，沒有泡沫形成在設(shè)置在抗蝕膜上的液體中，并且因此，能防止投影透鏡的象差異常和曝光異常，諸如聚焦失敗等。結(jié)果，能形成形狀良好的圖案。
附圖簡述圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例1的、用于利用浸入光刻技術(shù)實現(xiàn)圖案形成方法的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的示意剖視圖；圖2A、2B、2C和2D是在使用本發(fā)明實施例1的半導(dǎo)體制造裝置的圖案形成方法中的各步驟的剖視圖；圖3是根據(jù)實施例1的變更實施方式的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的示意剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例2的、用于利用浸入光刻技術(shù)實現(xiàn)圖案形成方法的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的示意剖視圖；圖5A、5B、5C和5D是在使用實施例2的半導(dǎo)體制造裝置的圖案形成方法中的各步驟的剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例3的、用于利用浸入光刻實現(xiàn)圖案形成方法的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的示意剖視圖；圖7是根據(jù)實施例3的變更實施方式1的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的示意剖視圖；圖8是根據(jù)實施例3的變更實施方式2的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的示意剖視圖；圖9是根據(jù)實施例3的變更實施方式3的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的示意剖視圖；圖10A、10B、10C和10D是在根據(jù)本發(fā)明實施例4的圖案形成方法中的各步驟的剖視圖；圖11A、11B、11C和11D是在根據(jù)本發(fā)明實施例5的圖案形成方法中的各步驟的剖視圖；圖12A、12B、12C和12D是在根據(jù)本發(fā)明實施例6的圖案形成方法中的各步驟的剖視圖；以及圖13A、13B、13C和13D是在傳統(tǒng)圖案形成方法中的各步驟的剖視圖。
具體實施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例1的、用于利用浸入光刻技術(shù)實現(xiàn)圖案形成方法的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的示意剖視圖。
如圖1所示，實施例1的半導(dǎo)體制造裝置包括光學(xué)系統(tǒng)30，所述光學(xué)系統(tǒng)30設(shè)置在室10中，并且作為光源用于使設(shè)計圖案曝光至涂在芯片20主表面上的抗蝕膜(未示出)上；除氣部分40，所述除氣部分40用于去除設(shè)置在芯片20的抗蝕膜上的液體25中的氣體，所述液體25在曝光過程中用于增加曝光用光的數(shù)值孔徑的值；以及液體供給部分45，用于將液體供至除氣部分40。
在光學(xué)系統(tǒng)30的下面，設(shè)置有曝光部分(投影透鏡)34和用于保持芯片20的可移動平臺36，其中所述曝光部分34用于通過液體25、將由光學(xué)系統(tǒng)30發(fā)出的、且通過具有將要被轉(zhuǎn)移到抗蝕膜上的設(shè)計圖案的掩模(標(biāo)線)32而進入的曝光用光投射到抗蝕膜上。在曝光時，曝光部分34被保持與設(shè)置在芯片20的抗蝕膜上的液體25的表面接觸，從而覆蓋可移動平臺36(或芯片20)。并且，可移動平臺36被保持在表面板38上，可相對曝光部分34移動。
除氣部分40包括用于對液體25進行除氣的除氣部分主體41；用于將已經(jīng)設(shè)置在可移動平臺36上的液體25回收至除氣部分主體41的回收路徑42；以及用于將已經(jīng)被除氣的液體25供給到可移動平臺36上的供給路徑43。
已經(jīng)被回收且已經(jīng)通過除氣部分主體41被除去氣體的液體25被再次供給到可移動平臺36上，以便在下次曝光中使用。這里，除氣部分主體41可以不覆蓋已經(jīng)被供給到可移動平臺36上的全部液體25，而是可以將回收的一部分液體25與從液體供給部分45新供給的新鮮液體25進行混合，在除氣部分主體41中除去混合液體25中的氣體，并且將除去氣體的液體25再次供給到平臺36上。
除氣部分主體41可以使用以下方法中的任一種即，氮溶解方法；氣-液分離膜方法，該方法使用無定形含氟聚合物或類似物質(zhì)的膜，其中濾網(wǎng)尺寸例如為大約0.1μm；熱除氣方法；真空除氣方法；氮氣起泡方法；膜除氣方法；還原劑添加方法；使用催化樹脂的還原方法；以及其它已知的技術(shù)。
現(xiàn)在，將參考圖2A至2D描述使用圖1所示半導(dǎo)體制造裝置的圖案形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下成分的正性化學(xué)增強抗蝕材料基礎(chǔ)聚合物聚((降冰片烯-5-亞甲基-叔丁基羧酸酯)(50mol％)-(馬來酸酐)(50mol％))...2g酸發(fā)生劑三氟甲磺酸三苯基锍(triphenylsulfonium triflate)...0.06g淬火劑三乙醇胺...0.002g溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯...20g接著，如圖2A所示，上述化學(xué)增強抗蝕材料被涂到襯底20上，從而形成厚度為0.35μm的抗蝕膜21。
然后，如圖2B所示，水液體25設(shè)置在抗蝕膜21與投影透鏡34之間，利用數(shù)值孔徑為0.65NA的ArF準(zhǔn)分子激光器的曝光用光、通過掩模(未示出)照射抗蝕膜21，由此來實施圖案曝光。在這一點，如圖1所示，曝光期間當(dāng)液體25被供給到抗蝕膜21上時，液體25通過除氣部分40的回收路徑42在除氣部分主體41中被除氣，并且通過供給路徑43將所得的除氣液體25恢復(fù)到可移動平臺36上。
在圖案曝光之后，如圖2C所示，用加熱板在100攝氏度的溫度下對抗蝕膜21進行烘焙60秒，并且利用2.38％重量百分比的氫氧化四甲銨顯影劑對所得的抗蝕膜進行顯影。這樣，如圖2D所示，形成抗蝕圖21a，所述抗蝕圖21a由抗蝕膜21的未曝光部分形成并且具有0.09μm的線寬。
這樣，根據(jù)實施例1的圖案形成方法，設(shè)置在抗蝕膜21上的液體25在圖案曝光期間被除去氣體。因此，即使由于可移動平臺36的移動使得液體25中形成了泡沫，也能去除所形成的泡沫。結(jié)果，當(dāng)曝光用光通過液體25時，能夠防止曝光用光35的象差和衍射異常，否則泡沫會引起象差和衍射異常。由此，能夠防止諸如聚焦失敗等曝光異常，從而由抗蝕膜21形成的抗蝕圖案21a能以良好的形狀被形成。
本發(fā)明通過利用激光掃描對液體25進行的測量已經(jīng)證實，如果100ml的液體25中包括大約30個或更少的直徑大約為0.1μm或更大的泡沫，則不會影響光的衍射。由此，在圖2B所示的曝光中，液體25能夠總是被除去氣體或者適當(dāng)?shù)乇怀怏w，從而滿足該條件。
實施例1的變更實施方式現(xiàn)在，參考附圖描述實施例1的變更實施方式。
圖3示意性地示出了用于利用根據(jù)實施例1所述的浸入光刻技術(shù)實現(xiàn)圖案形成方法的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的剖視結(jié)構(gòu)。在圖3中，相同的附圖標(biāo)記用于表示與圖1中所示的相同組件，從而省略對它們的描述。
如圖3所示，在該變更實施方式的半導(dǎo)體制造裝置中，設(shè)置在芯片20上的液體25直接從液體供給部分45被供給，在曝光期間已經(jīng)設(shè)置在芯片20上的液體25通過除氣部分40而被除去氣體。從液體供給部分45供給的液體25可以在先被除去氣體、或者也可以不是在先被除去氣體。并且，不需要總是實施除去氣體過程，可以例如在泡沫形成在液體25中時，適當(dāng)?shù)貙嵤┏龤膺^程。
可選擇地是，在曝光期間已經(jīng)被使用的液體25可以被回收至除氣部分40并在其中被除去氣體，從而被除氣的液體25可以在這之后再次被供給到芯片20上。
這樣，根據(jù)該變更實施方式，設(shè)置在抗蝕膜上的液體25在圖案曝光過程中總是或者適當(dāng)?shù)乇怀怏w(除去泡沫)。因此，即使由于可移動平臺36的移動而使液體25中形成泡沫，也可以去除所形成的泡沫。結(jié)果，能夠在曝光用光通過液體25時防止曝光用光的象差和衍射異常，否則泡沫會引起象差和衍射異常。由此，能防止諸如聚集失敗等曝光異常，從而抗蝕膜制成的抗蝕圖案能以良好的形狀被形成。
實施例2圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例2的、用于通過利用浸入光刻技術(shù)來實現(xiàn)圖案形成方法的半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的剖視結(jié)構(gòu)。在圖4中，相同的附圖標(biāo)記用于表示圖1中所示的相同組件，從而省略對它們的描述。
如圖4所示，在實施例2的半導(dǎo)體制造裝置中，用于增加曝光用光的數(shù)值孔徑值的液體局部地設(shè)置在芯片20的主表面上，即，設(shè)置成液滴的形式，代替其中芯片20被浸入液體中的變更實施方法以及實施例1的匯聚成池的方法(pooling method)。
在該實施例的滴落方法(droppigg method)中，允許液滴形式的液體25在可移動平臺36移動時以某一流速流動，用于防止空氣被吞入液體25中。具體而言，可移動臺36相對于表面板38的移動速度V1被設(shè)置成大致等于相對于設(shè)置在芯片20(抗蝕膜)與曝光部分34之間的液體25的表面板38的流速V2。這樣，芯片20與液體25之間的相對速度大致為零，因此能防止空氣通過芯片20的邊緣被吞入液體25中。
具體而言，半導(dǎo)體制造裝置包括液體供給部分50，用于通過供給噴嘴51將在先已經(jīng)被除去氣體的液體25供給到芯片20上；液體回收單元53，用于通過回收噴嘴52將已經(jīng)被設(shè)置在芯片20上的液體回收；以及控制部分54，用于控制液體供給部分50、液體回收單元53以及可移動平臺36的操作。
控制部分54控制液體供給部分50和液體回收單元53，從而使芯片20上的液體25的流速V2和流動方向與可移動平臺36的移動速度V1和移動方向同步。例如，通過另外設(shè)置的與供給噴嘴51和回收噴嘴52分離開的供給噴嘴和回收噴嘴，當(dāng)可移動平臺36的移動方向改變時，控制部分54可以選擇多個供給噴嘴和多個回收噴嘴中的任一個，從而使液體25沿著根據(jù)抗蝕膜的被改變的移動方向的方向流動。
這樣，由于在實施例2中，可移動平臺36的移動速度V1和移動方向大致與設(shè)置在芯片20上的液體25的流速V2和流動方向一致，因此能防止空氣通過液體25與抗蝕膜之間的交界面被吞入液體25中。
具體而言，本發(fā)明已經(jīng)證實以下內(nèi)容在可移動平臺36的移動速度V1為100mm/s至1000mm/s的情況下，如果液體流速V2與移動速度V1之間的差為±10％或更少時，包括在100ml液體中的直徑為0.1μm或更大的泡沫的數(shù)量大致為30個或更少。
現(xiàn)在，將參考圖5A至5D描述使用圖4中半導(dǎo)體制造裝置的圖案形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下成分的正性化學(xué)增強抗蝕材料基礎(chǔ)聚合物聚((降冰片烯-5-亞甲基-叔丁基羧酸酯)(50mol％)-(馬來酸酐)(50mol％))...2g酸發(fā)生劑三氟甲磺酸三苯基锍(triphenylsulfonium triflate)...0.06g淬火劑三乙醇胺...0.002g溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯...20g接著，如圖5A所示，上述化學(xué)增強抗蝕材料被涂到襯底20上，從而形成厚度為0.35μm的抗蝕膜21。
然后，如圖5B所示，水液體25以與可移動平臺36的移動速度V1同步的流速V2(兩速度差為±10％或更小)被供給到抗蝕膜21與投影透鏡34之間的部分上并且從該部分處被回收。在這些條件下，利用數(shù)值孔徑為0.65NA的ArF準(zhǔn)分子激光器的曝光用光35、通過掩模(未示出)照射抗蝕膜21，由此來實施圖案曝光。在這一點，如圖4所示，曝光期間當(dāng)液體25被供給到抗蝕膜21上時，液體25總是或者適當(dāng)?shù)卦诔龤獠糠?0中被除氣。
在圖案曝光之后，如圖5C所示，用加熱板在100攝氏度的溫度下對抗蝕膜21進行烘焙60秒，并且利用2.38％重量百分比的氫氧化四甲銨顯影劑對所得的抗蝕膜進行顯影。這樣，如圖5D所示，形成抗蝕圖21a，所述抗蝕圖21a由抗蝕膜21的未曝光部分形成并且具有0.09μm的線寬。
可選地是，已經(jīng)被液體回收單元53回收的液體25被傳遞(循環(huán))至液體供給部分50，從而再次被供給到芯片20上。這樣，浸入液體25能夠反復(fù)地被重復(fù)利用，從而有效地降低成本和廢物。
這樣，在實施例2的圖案形成方法中，在圖案曝光過程中，已經(jīng)在先被除氣且設(shè)置在抗蝕膜21上的液體25的流速V2被設(shè)置成大致與可移動平臺的移動速度V1同步(速度差例如為±10％或更小)，因此，即使在可移動平臺36移動時，泡沫也不會形成在液體25中。結(jié)果，由于可以防止在曝光用光通過液體25時曝光用光35發(fā)生象差和衍射異常(否則就會由泡沫引起象差和衍射異常)，因此能防止諸如聚焦失敗等曝光異常，從而由抗蝕膜21制成的抗蝕圖案21a能以良好的形狀被形成。
盡管在實施例1中水被用作用于增大曝光用光的數(shù)值孔徑值的液體25，但是在實施例1以及實施例2的變更實施方式中，可以使用過氟聚醚代替水。
并且，盡管ArF準(zhǔn)分子激光被用作曝光用光，然而也可以使用KrF準(zhǔn)分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或Xe2激光。
實施例3圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例3的用于利用浸入光刻實現(xiàn)圖案形成方法的曝光系統(tǒng)，即半導(dǎo)體制造裝置的主要部分的剖視結(jié)構(gòu)。
如圖6所示，實施例3的曝光系統(tǒng)包括照明光學(xué)系統(tǒng)130，所述照明光學(xué)系統(tǒng)130設(shè)置在室110中，并且用作使設(shè)計圖案曝光至涂到芯片120上的抗蝕膜(未示出)上的光源；以及液體供給部分140，用于在曝光過程中將用來增大曝光用光的數(shù)值孔徑值的浸入液體121A供給到芯片120的抗蝕膜上。
在照明光學(xué)系統(tǒng)130下面，設(shè)置有投影透鏡131、用于保持芯片120的可移動平臺132以及用于保持芯片平臺132的表面板133，其中所述投影透鏡131用于通過液體121A、將由照明光學(xué)系統(tǒng)130發(fā)出的且通過具有將要被轉(zhuǎn)移到抗蝕膜上的設(shè)計圖案的掩模(標(biāo)線)122而進入的曝光用光投射到抗蝕膜上。在曝光時，投影透鏡131被保持與設(shè)置在芯片120的抗蝕膜上的液體121A的表面接觸。
液體供給部分140包括用于臨時儲存液體121A的容器141、用于將儲存的液體121A供給到芯片120上的供給噴嘴142、用于將待儲存的新鮮液體121A噴射到容器141里的儲存噴霧嘴143。
在實施例3中，液體供給部分140儲存噴射到容器141里的液體121A，其后，儲存的液體121A通過供給噴嘴142被供給到芯片120上。
根據(jù)實施例3，由于液體供給部分140包括用于將液體121A噴射到容器141中以便被儲存的儲存噴霧嘴143，因此在容器141中，形成在設(shè)置于抗蝕膜與投影透鏡131之間的液體121A內(nèi)的泡沫能夠消失。結(jié)果，能防止投影透鏡131的象差和散焦異常，從而以良好的形狀形成由抗蝕膜制成的抗蝕涂案。
實施例3的變更實施方式圖7示意性地示出了根據(jù)實施例3的變更實施方式1的曝光系統(tǒng)的主要部分的剖視結(jié)構(gòu)。在圖7中，相同的附圖標(biāo)記用于表示如圖6所示的相同組件，從而省略對它們的描述。
如圖7所示，在變更實施方式1的曝光系統(tǒng)中，儲存在液體供給部分140中的液體121B通過供給噴嘴142供給到芯片120上，同時，新鮮液體121B被噴射到容器141中以便被儲存。并且，這樣，在容器141中，形成在設(shè)置于抗蝕膜與投影透鏡131之間的液體121B中的泡沫能夠消失，因此，能防止投影透鏡131發(fā)生象差和散焦異常。
實施例3的變更實施方式2圖8示意性地示出了根據(jù)實施例3的變更實施方式2的曝光系統(tǒng)的主要部分的剖視結(jié)構(gòu)。在圖8中，相同的附圖標(biāo)記用于表示如圖6所示的相同組件，從而省略對它們的描述。
如圖8所示，在變更實施方式2的曝光系統(tǒng)中，除了儲存噴霧嘴143以外，液體供給部分140還設(shè)有儲存噴嘴144，用于允許另一液體流入容器141中。
在變更實施方式2中，第一液體首先通過儲存噴嘴被儲存在容器141中，然后，第二液體通過儲存噴霧嘴143被噴射以與第一液體混合。如上所述，當(dāng)?shù)诙后w被噴射到在先儲存的第一液體中時，由于被噴射的第二液體的液滴具有非常小的直徑，因此第二液體快速地透入第一液體的液體表面，因為液體表面的排斥力小。結(jié)果，少量的泡沫形成在被噴射的第二液體中，并且此外，當(dāng)被噴射的液體碰撞泡沫時，泡沫容易消失。由此，即使液體121C在容器141中被混合，會形成在設(shè)置于抗蝕膜與投影透鏡131之間的液體121C中的泡沫能夠在容器141中被消除，因此，能防止投影透鏡131的象差和散焦異常。
應(yīng)該指出的是，第一液體和第二液體可以具有相同的組成。并且，用于將第一液體引入到容器141中的儲存噴嘴144可以是能夠噴射第一液體的噴霧嘴。
并且，相對于混合第一液體和第二液體的時機，可以在將液體121C供給到芯片120上之前完成混合，或者這些液體可以被混合，同時將液體121C供給到芯片120上。
實施例3的變更實施方式圖9示意性地示出了根據(jù)實施例3的變更實施方式的曝光系統(tǒng)的主要部分的剖視結(jié)構(gòu)。在圖9中，相同的附圖標(biāo)記用于表示如圖6所示的相同組件，從而省略對它們的描述。
如圖9所示，在變更實施方式3的曝光系統(tǒng)中，液體供給部分140設(shè)置在室110的外部。這樣，在將液體121A噴射到容器141中以便被儲存時，能夠防止室110的內(nèi)部被從容器141中散射出的液體121A污染。結(jié)果，能保持曝光環(huán)境的高度清潔。
實施例4現(xiàn)在，將參考圖10A至10D描述作為實施例4的、使用根據(jù)圖6所示實施例3或圖9所示變更實施方式3的曝光系統(tǒng)的圖案形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下成分的正性化學(xué)增強抗蝕材料基礎(chǔ)聚合物聚((降冰片烯-5-亞甲基-叔丁基羧酸酯)(50mol％)-(馬來酸酐)(50mol％))...2g酸發(fā)生劑三氟甲磺酸三苯基锍(triphenylsulfonium triflate)...0.06g溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯...20g接著，如圖10A所示，上述化學(xué)增強抗蝕材料被涂到襯底120上，從而形成厚度為0.35μm的抗蝕膜123。
然后，如圖10B所示，通過設(shè)置在抗蝕膜123與投影透鏡131之間的水液體121A，利用數(shù)值孔徑為0.65NA的ArF準(zhǔn)分子激光器的曝光用光134、通過掩模照射抗蝕膜123，由此來實施圖案曝光。在這一點，如圖6或9所示，已經(jīng)被除去泡沫的液體121A從臨時儲存液體121A的液體供給部分140被供給。
在圖案曝光之后，如圖10C所示，用加熱板在110攝氏度的溫度下對抗蝕膜123進行烘焙60秒，并且利用2.38％重量百分比的氫氧化四甲銨溶液(堿性顯影劑)對所得的抗蝕膜進行顯影。這樣，如圖10D所示，形成抗蝕圖案123a，所述抗蝕圖123a由抗蝕膜123的未曝光部分形成并且具有0.09μm的線寬。
根據(jù)實施例4，由于圖案曝光期間供給到抗蝕膜123上的液體121A不包含泡沫，因此能防止投影透鏡131的象差和散焦異常，因此由抗蝕膜123形成的抗蝕圖案123a能以良好的形狀被形成。
實施例5現(xiàn)在，將參考圖11A至11D描述作為實施例5的、使用根據(jù)圖7所示實施例3的變更實施方式1的曝光系統(tǒng)的圖案形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下成分的正的化學(xué)增強抗蝕材料基礎(chǔ)聚合物聚((降冰片烯-5-亞甲基-叔丁基羧酸酯)(50mol％)-(馬來酸酐)(50mol％))...2g酸發(fā)生劑三氟甲磺酸三苯基锍(triphenylsulfonium triflate)...0.06g溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯...20g接著，如圖11A所示，上述化學(xué)增強抗蝕材料被涂到襯底120上，從而形成厚度為0.35μm的抗蝕膜123。
然后，如圖11B所示，通過設(shè)置在抗蝕膜123與投影透鏡131之間的水液體121B，利用數(shù)值孔徑為0.65NA的ArF準(zhǔn)分子激光器的曝光用光134、通過掩模照射抗蝕膜123，由此來實施圖案曝光。在這一點，如圖7所示，即使同時被供給到芯片120上，液體121B也被噴射到液體供給部分140的容器141中，以便被儲存在其中。
在圖案曝光之后，如圖11C所示，用加熱板在110攝氏度的溫度下對抗蝕膜123進行烘焙60秒，并且利用2.38％重量百分比的氫氧化四甲銨溶液(堿性顯影劑)對所得的抗蝕膜進行顯影。這樣，如圖11D所示，形成抗蝕圖案123a，所述抗蝕圖123a由抗蝕膜123的未曝光部分形成并且具有0.09μm的線寬。
根據(jù)實施例5，由于圖案曝光期間供給到抗蝕膜123上的液體121B不包含泡沫，因此能防止投影透鏡131的象差和散焦異常，因此由抗蝕膜123形成的抗蝕圖案123a能以良好的形狀被形成。
實施例6現(xiàn)在，將參考圖12A至12D描述作為實施例6的、使用根據(jù)圖8所示實施例3的變更實施方式3的曝光系統(tǒng)的圖案形成方法。
首先，準(zhǔn)備具有以下成分的正性化學(xué)增強抗蝕材料基礎(chǔ)聚合物聚((降冰片烯-5-亞甲基-叔丁基羧酸酯)(50mol％)-(馬來酸酐)(50mol％))...2g酸發(fā)生劑三氟甲磺酸三苯基锍(triphenylsulfonium triflate)...0.06g溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯...20g接著，如圖12A所示，上述化學(xué)增強抗蝕材料被涂到襯底120上，從而形成厚度為0.35μm的抗蝕膜123。
然后，如圖12B所示，通過設(shè)置在抗蝕膜123與投影透鏡131之間的水液體121C，利用數(shù)值孔徑為0.65NA的ArF準(zhǔn)分子激光器的曝光用光134、通過掩模照射抗蝕膜123，由此來實施圖案曝光。在這一點，如圖8所示，液體121C是已經(jīng)分別通過儲存噴嘴144和儲存噴霧嘴143被引入的液體的混合物，該混合物在液體供給部分140的容器141中獲得，而在這種情況下液體121C是水。應(yīng)給指出的是，即使在被供給到芯片120上的同時，液體121C也可以接連被噴射，以被儲存在液體供給部分140的容器141中。
在圖案曝光之后，如圖12C所示，用加熱板在110攝氏度的溫度下對抗蝕膜123進行烘焙60秒，并且利用2.38％重量百分比的氫氧化四甲銨溶液(堿性顯影劑)對所得的抗蝕膜進行顯影。這樣，如圖12D所示，形成抗蝕圖案123a，所述抗蝕圖123a由抗蝕膜123的未曝光部分形成并且具有0.09μm的線寬。
根據(jù)實施例6，由于圖案曝光期間供給到抗蝕膜123上的液體121C不包含泡沫，因此能防止投影透鏡131的象差和散焦異常，因此由抗蝕膜123形成的抗蝕圖案123a能以良好的形狀被形成。
在實施例4至6中的每個實施例中，液體121A、121B或121C優(yōu)選包括防沫劑。這樣，可以通過防沫劑極大地去除形成在液體中的泡沫，因此能夠進一步減少由于曝光時泡沫的影響而產(chǎn)生的圖案損壞。
作為防沫劑，可以使用破泡劑、抑泡劑或者消泡劑。具體而言，可以使用硅油、脂肪酸、磷酸酯、植物油脂、甘油脂肪酸酯、碳酸鈣、碳酸鎂、卵磷脂或聚醚。這種防沫劑的含量大約為幾個ppm.至1％。
盡管ArF準(zhǔn)分子激光被用作曝光用光134，然而可以使用KrF準(zhǔn)分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或Xe2激光。
并且，當(dāng)曝光用光是諸如F2激光等真空紫外線時，浸入液體可以是過氟聚醚。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體制造裝置，包括平臺，所述平臺具有其上形成抗蝕膜的襯底；液體供給部分，用于將液體供至所述平臺上；曝光部分，所述曝光部分利用設(shè)置在所述抗蝕膜上的所述液體、利用通過掩模的曝光用光來照射所述抗蝕膜；以及去除單元，用于去除包括在所述液體中的氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述去除單元除去供給到所述抗蝕膜上的所述液體中的氣體，并且設(shè)置在所述液體供給部分與所述曝光部分之間或者設(shè)置在所述液體供給部分中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述液體供給部分包括噴射所述液體的單元。
4.一種半導(dǎo)體制造裝置，包括平臺，所述平臺具有其上形成抗蝕膜的襯底；液體供給部分，用于將液體供至所述平臺上；曝光部分，所述曝光部分利用設(shè)置在所述抗蝕膜上的所述液體、利用通過掩模的曝光用光來照射所述抗蝕膜；以及除氣部分，用于去除包括在所述液體中的氣體，其中，所述除氣部分包括用于從已經(jīng)由所述液體供給部分供給的所述液體中去除氣體的去除部分；用于將已經(jīng)被去除了所述氣體的所述液體供至所述抗蝕膜上的第一供給路徑；以及用于將已經(jīng)供至所述抗蝕膜上的所述液體提供到去除部分的第二供給路徑。
5.一種半導(dǎo)體制造裝置，包括曝光部分，所述曝光部分利用設(shè)置在所述抗蝕膜上的液體、利用通過掩模的曝光用光照射抗蝕膜；供給部分，所述供給部分將所述液體供至所述抗蝕膜與所述曝光部分之間；收集部分，用于收集已經(jīng)被供至所述抗蝕膜上的所述液體；以及控制部分，用于控制所述供給部分的液體供給操作、所述液體收集部分的液體收集操作以及具有所述襯底的平臺的操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述控制部分以這樣的方式控制液體供給操作和液體收集操作、并且調(diào)節(jié)所述平臺的操作即，通過液體供給操作和液體收集操作在所述抗蝕膜上引起的所述液體的流速和流動方向大致與所述平臺的移動速度和移動方向一致。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，通過所述收集路徑收集到所述去除部分的所述液體在所述去除部分中被除氣，并通過所述供給路徑供至所述抗蝕膜上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述收集部分和所述供給部分相互連接，并且已經(jīng)通過所述收集部分收集的所述液體流入所述供給部分中。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述液體包括水或者過氟聚醚。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述曝光用光是KrF準(zhǔn)分子激光、ArF準(zhǔn)分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或者Xe2激光。
11.一種半導(dǎo)體制造裝置，包括平臺，所述平臺具有其上形成抗蝕膜的襯底；供給部分，所述供給部分將液體供至所述平臺上；以及曝光部分，所述曝光部分利用設(shè)置在所述抗蝕膜上的所述液體、利用通過掩模的曝光用光照射所述抗蝕膜；其中，所述供給部分包括儲存所述液體的室以及用于將所述液體供入所述室的噴霧嘴。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述曝光部分和所述供給部分設(shè)置在一個室中。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述曝光部分設(shè)置在室中，而且所述供給部分設(shè)置在所述室的外部。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述液體包括水或者過氟聚醚。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述液體包括防沫劑。
16.一種圖案形成方法，包括步驟在襯底上形成抗蝕膜；利用設(shè)置在所述抗蝕膜上的液體、通過曝光用光有選擇地照射所述抗蝕膜；并且在圖案曝光之后，通過對所述抗蝕膜進行顯影來形成抗蝕圖案，其中，實施圖案曝光的所述步驟包括去除設(shè)置在所述抗蝕膜上的所述液體中所包含的氣體的子步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其中所述液體包括水或者過氟聚醚。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其中所述液體包括防沫劑。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其中所述曝光用光是KrF準(zhǔn)分子激光、ArF準(zhǔn)分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或者Xe2激光。
20.一種圖案形成方法，包括步驟在襯底上形成抗蝕膜；利用設(shè)置在所述抗蝕膜上的液體、利用曝光用光有選擇地照射所述抗蝕膜；以及在圖案曝光之后，通過顯影所述抗蝕膜來形成抗蝕圖案，其中，所述實施圖案曝光的步驟包括以這樣的方式將所述液體供至所述抗蝕膜上、并且從上述抗蝕膜上收集所述液體的子步驟即在所述抗蝕膜上的所述液體的流速和流動方向大致與所述平臺的移動速率和移動方向一致。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的圖案形成方法，進一步包括如下步驟即從已經(jīng)從所述抗蝕膜上收集的所述液體中去除氣體，并且將所述氣體已經(jīng)被去除的所述液體供給到所述抗蝕膜上。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的圖案形成方法，其中所述曝光用光是KrF準(zhǔn)分子激光、ArF準(zhǔn)分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或者Xe2激光。
23.一種圖案形成方法，包括步驟在襯底上形成抗蝕膜；噴射液體以便被儲存在室中；利用設(shè)置在所述抗蝕膜上的所述被儲存液體、利用曝光用光有選擇地照射所述抗蝕膜；以及在照射之后，通過顯影所述抗蝕膜來形成抗蝕圖案。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的圖案形成方法，其中在噴射液體的步驟中，通過將所述液體噴射到另一在先被儲存在所述室中的液體上來儲存所述液體。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的圖案形成方法，其中并行地實施噴射液體的步驟和照射的步驟。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的圖案形成方法，其中所述曝光用光是KrF準(zhǔn)分子激光、ArF準(zhǔn)分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或者Xe2激光。
全文摘要
一種半導(dǎo)體制造裝置包括液體供給部分，用于將液體供至所述平臺上，所述平臺用于保持芯片，抗蝕膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用設(shè)置在所述抗蝕膜上的所述液體、利用通過掩模的曝光用光來照射所述抗蝕膜；以及去除部分，用于從液體中去除包括在所述液體中的氣體。這樣，已經(jīng)將氣體去除的液體被設(shè)置在抗蝕膜上，因此包括在液體中的泡沫或者在曝光期間形成的泡沫能被去除。由此，諸如衍射異常等曝光異常能被防止，從而形成形狀良好的抗蝕圖案。
文檔編號G03F7/20GK1617306SQ20041009238
公開日2005年5月18日 申請日期2004年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月13日
發(fā)明者遠藤政孝, 笹子勝 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社