專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)的薄膜晶體管陣列(即數(shù)組)基板及其制造方法，特別是涉及一種將彩色濾光陣列層制作在薄膜晶體管陣列上(Color Filter on Array，COA)的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
背景技術：
液晶顯示器具有高畫質(zhì)、體積小、重量輕、低電壓驅(qū)動、低消耗功率及應用范圍廣等優(yōu)點，因此，已被廣泛的應用在中、小型可攜式電視、行動電話、攝錄放影機、筆記型計算機、桌上型顯示器以及投影電視等消費性電子產(chǎn)品或計算機產(chǎn)品上，并且更逐漸取代陰極射線管(Cathode RayTube，CRT)而成為顯示器的主流。
現(xiàn)今一種將彩色濾光陣列層制作在薄膜晶體管陣列上(Color Filteron Array，COA)的技術，也已廣泛的應用在液晶顯示器上。此種使用COA技術的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，是首先在一透明基板上形成數(shù)個薄膜晶體管，其中每一薄膜晶體管是與對應的掃瞄配線以及資料(即數(shù)據(jù))配線電性連接。接著，在透明基板的上方形成一彩色濾光陣列層，覆蓋住上述的薄膜晶體管。之后，圖案化彩色濾光陣列層，以在彩色濾光陣列層中形成數(shù)個接觸窗開口，暴露出薄膜晶體管的一預定形成接觸窗區(qū)域。之后，再在彩色濾光陣列層上形成畫素電極，其中畫素電極是藉由上述所形成的接觸窗開口而與對應的薄膜晶體管有電性連接的關系。
在上述的薄膜晶體管陣列基板中，用來使畫素電極與薄膜晶體管電性連接的接觸窗開口是形成在彩色濾光陣列層中。然而，由于彩色濾光陣列層的制程分辨率的限制，因此在彩色濾光陣列層中所形成的接觸窗開口的尺寸會相當大。如此一來，將會限制了高畫素密度面板(High Pixel DensityPanel)的發(fā)展。
另外，基于液晶顯示面板高開口率(High Aperture Ratio)設計的考量，通常畫素電極會定義成非?？拷Y料配線，甚至是覆蓋在部分資料配線的上方。然而，一般為了避免資料配線與畫素電極之間產(chǎn)生干擾甚至短路，通常是利用增加彩色濾光陣列層的厚度的方式來達到上述的目的。然而，彩色濾光陣列層厚度的增加卻會影響液晶顯示面板的穿透率(Transmittance)。
由此可見，上述現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法仍存在有缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法的缺陷，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，此顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設計制造多年豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，能夠改進一般現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設計，并經(jīng)反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法存在的缺陷，而提供一種新的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，所要解決的技術問題是使其可以解決現(xiàn)有習知技術在彩色濾光陣列層中所形成的接觸窗開口過大的問題，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明另一目的在于，提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，所要解決的技術問題是使其可以解決現(xiàn)有習知方法中為了避免資料配線與畫素電極之間產(chǎn)生干擾甚至短路而增加彩色濾光陣列層的厚度，會導致液晶顯示面板的穿透率降低的問題，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下的技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板，其包括復數(shù)個薄膜晶體管，配置在一基板上；一彩色濾光陣列層，形成于該些薄膜晶體管上，并且暴露出對應于該些薄膜晶體管的一預定形成接觸窗區(qū)域；一覆蓋層，覆蓋在該彩色濾光陣列層上，并覆蓋住該些薄膜晶體管；復數(shù)個畫素電極，配置于該覆蓋層上，并對應該些薄膜晶體管配置；以及復數(shù)個接觸窗，配置在該預定形成接觸窗區(qū)域的該覆蓋層中，以使該些畫素電極與對應的該些薄膜晶體管電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現(xiàn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的預定形成接觸窗區(qū)域是為對應該些薄膜晶體管的部分區(qū)域。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的預定形成接觸窗區(qū)域是為對應該些薄膜晶體管所在的區(qū)域。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的覆蓋層的介電常數(shù)比該彩色濾光陣列層的介電常數(shù)低。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的覆蓋層的穿透率比該彩色濾光陣列層的穿透率高。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的覆蓋層的材質(zhì)為一高分子材料，且該覆蓋層的厚度是介于0.2米至10微米。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的覆蓋層的材質(zhì)為為一無機介電材料，且該覆蓋層的厚度是介于0.1米至5微米。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的彩色濾光陣列層的厚度是低于1.5微米。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還采用以下的技術方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其包括以下步驟在一基板上形成復數(shù)個薄膜晶體管；在該些薄膜晶體管上形成一彩色濾光陣列層，其中該彩色濾光陣列層是暴露出對應該些薄膜晶體管的一預定形成接觸窗區(qū)域；在該彩色濾光陣列層上形成一覆蓋層，并覆蓋住該些薄膜晶體管；在該預定形成接觸窗區(qū)域的該覆蓋層中形成復數(shù)個接觸窗開口，暴露出該些薄膜晶體管的部分區(qū)域；以及在該覆蓋層上形成復數(shù)個畫素電極，其中該些畫素電極是藉由該些接觸窗開口而與對應的該些薄膜晶體管電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現(xiàn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中所述的覆蓋層的材質(zhì)包括一高分子材料或是一無機介電材料。
前述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中所述的形成該覆蓋層的方法包括一旋轉(zhuǎn)涂布法。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板，其包括數(shù)個薄膜晶體管、一彩色濾光陣列層、一覆蓋層、數(shù)個畫素電極以及數(shù)個接觸窗。其中，薄膜晶體管是配置在一基板上，而彩色濾光陣列層是形成于薄膜晶體管上，并且暴露出薄膜晶體管的一預定形成接觸窗區(qū)域。另外，覆蓋層是覆蓋在彩色濾光陣列層上，并覆蓋住薄膜晶體管。畫素電極是配置于覆蓋層上，并對應薄膜晶體管配置。另外，接觸窗是配置在預定形成接觸窗區(qū)域的覆蓋層中，以使畫素電極與對應的薄膜晶體管電性連接。
本發(fā)明還提出一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，該方法是首先在一基板上形成數(shù)個薄膜晶體管。接著，在薄膜晶體管上方形成一彩色濾光陣列層，其中該彩色濾光陣列層是暴露出對應薄膜晶體管的一預定形成接觸窗區(qū)域。之后，在彩色濾光陣列層上形成一覆蓋層，并覆蓋住薄膜晶體管。隨后，在預定形成接觸窗區(qū)域的覆蓋層中形成數(shù)個接觸窗開口，暴露出薄膜晶體管的部分區(qū)域。然后，再在覆蓋層上形成數(shù)個畫素電極，其中所形成的畫素電極是藉由上述的接觸窗開口而與對應的薄膜晶體管電性連接。
借由上述技術方案，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點1、在本發(fā)明中，由于用來使薄膜晶體管與畫素電極電性連接的接觸窗開口是形成在覆蓋層中，而并非形成在彩色濾光陣列層中，因此借此能夠使所形成的接觸窗開口尺寸可以縮小。
2、在本發(fā)明中，由于彩色濾光陣列層上還覆蓋有一層覆蓋層，而該覆蓋層具有較低的介電常數(shù)以及平坦化的功效，因此可以避免畫素電極與資料配線之間產(chǎn)生干擾甚至短路。
3、另外，由于形成在彩色濾光陣列層上的覆蓋層具有較佳的穿透率，因此本發(fā)明的方法可以提高液晶顯示面板的開口率與穿透率。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，可以解決現(xiàn)有習知技術在彩色濾光陣列層中所形成的接觸窗開口過大的問題而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值；另其可解決現(xiàn)有習知方法中為了避免資料配線與畫素電極之間產(chǎn)生干擾甚至短路而增加彩色濾光陣列層的厚度，會導致液晶顯示面板的穿透率降低的問題，從而更加適于實用。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類產(chǎn)品及制造方法中未見有類似的結(jié)構(gòu)設計及方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大的改進，在技術上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。


圖1是依照本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的上視示意圖。
圖2是圖1中I-I’剖面的剖面示意圖。
圖3是依照本發(fā)明另一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的上視示意圖。
圖4是依照本發(fā)明另一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的上視示意圖。
110資料配線 120、130、140；彩色濾光陣列層150接觸窗 160、170、180畫素電極
210覆蓋層 220介電層240薄膜晶體管 290多晶硅層300閘絕緣層 310緩沖層320基板 330閘極340、280接觸窗400、402、404預定形成接觸窗區(qū)域具體實施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法其具體結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
請參閱圖1、圖2所示，圖1是依照本發(fā)明一較佳實施例的薄膜晶體管陣列基板的上視示意圖，圖2是圖1中I-I’剖面的剖面示意圖。請同時參閱圖1與圖2所示，本發(fā)明首先提供一基板320。接著，在基板320上形成數(shù)個薄膜晶體管240。其中，每一薄膜晶體管240更包括與一掃瞄配線(圖中未示)以及一資料配線110電性連接，其中每一資料配線110與每一掃瞄配線是圍出一畫素區(qū)域。
在一較佳實施例中，上述的薄膜晶體管240例如是一閘極在頂部型(topgate)薄膜晶體管。但在本發(fā)明中并不對薄膜晶體管的形式加以限定，因該閘極在底部型(bottom gate)薄膜晶體管或是其它形式的薄膜晶體管都可以應用在本發(fā)明。然而，為了詳細說明本發(fā)明，以下將以閘極在頂部型(topgate)薄膜晶體管為例來說明本發(fā)明。
一般在形成閘極在頂部型薄膜晶體管240之前，會先在基板320的表面形成一緩沖層310，之后，在該緩沖層310上形成一層非晶硅層(圖中未示)，并且利用激光回火制程以使非晶硅層轉(zhuǎn)換成多晶硅層290。之后進行離子植入步驟，以在多晶硅層290中形成源極摻雜區(qū)(圖中未示)與汲極摻雜區(qū)(圖中未示)，而源極摻雜區(qū)以及汲極摻雜區(qū)之間則是通道區(qū)(圖中未示)。而薄膜晶體管240依照其摻雜的型態(tài)可以是N型低溫多晶硅薄膜晶體管、P型低溫多晶硅薄膜晶體管或是互補型低溫多晶硅薄膜晶體管。
接著，形成閘絕緣層300，覆蓋住上述所形成的多晶硅層290。然后，在閘絕緣層300上形成閘極330。之后，形成一介電層220，覆蓋住閘極330以與門絕緣層300。此后，圖案化介電層220，以形成開口(圖中未示)，暴露出源極摻雜區(qū)以及汲極摻雜區(qū)。之后，在介電層220表面上定義出源極金屬層350以及汲極金屬層230，并同時定義出與源極金屬層350電性連接的資料配線110。在此同時，更在上述所形成的開口內(nèi)填入金屬層，而形成接觸窗340、280，使得源極金屬層350以及汲極金屬層230藉由接觸窗340、280而與多晶硅層290中的源極摻雜區(qū)以及汲極摻雜區(qū)電性連接，而構(gòu)成一薄膜晶體管240。
之后，請繼續(xù)參閱圖1以及圖2所示，在基板320的上方形成彩色濾光陣列層120、130、140，其例如是由紅色彩色濾光層、綠色彩色濾光層與藍色彩色濾光層(R、G、B)所構(gòu)成，且R、G、B的排列可以是馬賽克型、三角形、條紋型或四畫素RGGB配置型等等。而彩色濾光陣列層120、130、140的厚度例如是低于1.5微米。另外，在R、G、B之間如網(wǎng)狀的空隙(Space)上是更包括形成有一黑矩陣層(Black Matrix，BM)(圖中未示)。特別是，本發(fā)明所形成的彩色濾光陣列層120、130、140是暴露出對應薄膜晶體管240的一預定形成接觸窗區(qū)域400。在一較佳實施例中，預定形成接觸窗區(qū)域400是為對應薄膜晶體管240的汲極金屬層230所在的區(qū)域。在本發(fā)明另一較佳實施例中，預定形成接觸窗區(qū)域還可以是對應整個薄膜晶體管所在的區(qū)域402，如圖3所示，甚至是如圖4所示的區(qū)域404。
換言之，彩色濾光陣列層120、130、140有數(shù)種配置方式，例如是如圖3與圖4所示，彩色濾光陣列層120、130、140是將整個薄膜晶體管240暴露出來，而覆蓋住畫素區(qū)域中除了薄膜晶體管240以外的區(qū)域。除此之外，彩色濾光陣列層120、130、140的配置方式還可以是如圖1與圖2所示，其僅將薄膜晶體管240的汲極金屬層230暴露出來，而覆蓋住畫素區(qū)域中除了汲極金屬層230以外的區(qū)域。
接著，請繼續(xù)參閱圖2所示，在基板320的上方形成一覆蓋層210，覆蓋住彩色濾光陣列層120、130、140以及薄膜晶體管240。其中，該覆蓋層210的材質(zhì)可以是一高分子材料或是一無機介電材料，而形成覆蓋層210的方法例如是旋轉(zhuǎn)涂布法或是其它任何適用的方式。特別值得一提的是，若使用高分子材料作為覆蓋層210的材質(zhì)，則其較佳厚度為0.2微米至10微米。若使用無機介電材料作為覆蓋層210的材質(zhì)，則其較佳厚度為0.1微米至5微米。在此所使用的覆蓋層210，其介電常數(shù)比彩色濾光陣列層120、130、140的介電常數(shù)低，且其穿透率較彩色濾光陣列層120、130、140高。
之后，在覆蓋層210中形成接觸窗開口150，暴露出薄膜晶體管240的汲極金屬層230。續(xù)之，在覆蓋層210上形成畫素電極160、170、180，其中畫素電極160、170、180是藉由接觸窗開口150而與對應的薄膜晶體管240的汲極金屬層230電性連接。而畫素電極160、170、180的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(ITO)。
本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板，包括數(shù)個薄膜晶體管240、一彩色濾光陣列層120、130、140、一覆蓋層210、數(shù)個畫素電極160、170、180以及數(shù)個接觸窗150。其中，薄膜晶體管240是配置在一基板320上，且每一薄膜晶體管240是與對應的掃瞄配線以及資料配線110電性連接。在一較佳實施例中，薄膜晶體管240例如是一閘極在頂部型薄膜晶體管或是一閘極在底部型薄膜晶體管。
該彩色濾光陣列層120、130、140，是形成于薄膜晶體管240上，并且暴露出對應薄膜晶體管240的一預定形成接觸窗區(qū)域400或402或404。其中，彩色濾光陣列層120、130、140的組成以及其配置方式在先前制作方法中已有描述，在此不再贅述。另外，覆蓋層210是覆蓋在彩色濾光陣列層120、130、140上，并覆蓋住薄膜晶體管240。畫素電極160、170、180是配置于覆蓋層210上，并對應薄膜晶體管240配置。另外，接觸窗150是配置在預定形成接觸窗區(qū)域400或402或404的覆蓋層210中，以使畫素電極160、170、180與對應的薄膜晶體管240(汲極金屬層230)電性連接。
本發(fā)明在彩色濾光陣列層120、130、140上所形成的覆蓋層210，具有平坦化彩色濾光陣列層120、130、140的功效，而且由于覆蓋層210的介電常數(shù)較彩色濾光陣列層120、130、140低，因此形成在覆蓋層210與彩色濾光陣列層120、130、140的上層的畫素電極160、170、180與下層的資料配線110之間較不會彼此產(chǎn)生干擾甚至短路。另外，由于覆蓋層210的穿透率較彩色濾光陣列層120、130、140高，因此本發(fā)明的方法可提升液晶顯示面板的開口率與穿透率。
另外，本發(fā)明用來使畫素電極160、170、180與汲極金屬層230電性連接的接觸窗開口150是形成在覆蓋層210中，而并非形成在彩色濾光陣列層120、130、140中。由于在覆蓋層210中形成開口的制程分辨率較現(xiàn)有習知在彩色濾光陣列層120、130、140中形成開口的制程分辨率高，因此在覆蓋層210中所形成的接觸窗開口150的尺寸可以縮小，如此將有利于高畫素密度面板的發(fā)展。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的方法及技術內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其包括復數(shù)個薄膜晶體管，配置在一基板上；一彩色濾光陣列層，形成于該些薄膜晶體管上，并且暴露出對應于該些薄膜晶體管的一預定形成接觸窗區(qū)域；一覆蓋層，覆蓋在該彩色濾光陣列層上，并覆蓋住該些薄膜晶體管；復數(shù)個畫素電極，配置于該覆蓋層上，并對應該些薄膜晶體管配置；以及復數(shù)個接觸窗，配置在該預定形成接觸窗區(qū)域的該覆蓋層中，以使該些畫素電極與對應的該些薄膜晶體管電性連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的預定形成接觸窗區(qū)域是為對應該些薄膜晶體管的部分區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的預定形成接觸窗區(qū)域是為對應該些薄膜晶體管所在的區(qū)域。
4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的覆蓋層的介電常數(shù)比該彩色濾光陣列層的介電常數(shù)低。
5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的覆蓋層的穿透率比該彩色濾光陣列層的穿透率高。
6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的覆蓋層的材質(zhì)為一高分子材料，且該覆蓋層的厚度是介于0.2米至10微米。
7.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的覆蓋層的材質(zhì)為一無機介電材料，且該覆蓋層的厚度是介于0.1米至5微米。
8.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的彩色濾光陣列層的厚度是低于1.5微米。
9.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于其包括以下步驟在一基板上形成復數(shù)個薄膜晶體管；在該些薄膜晶體管上形成一彩色濾光陣列層，其中該彩色濾光陣列層是暴露出對應該些薄膜晶體管的一預定形成接觸窗區(qū)域；在該彩色濾光陣列層上形成一覆蓋層，并覆蓋住該些薄膜晶體管；在該預定形成接觸窗區(qū)域的該覆蓋層中形成復數(shù)個接觸窗開口，暴露出該些薄膜晶體管的部分區(qū)域；以及在該覆蓋層上形成復數(shù)個畫素電極，其中該些畫素電極是藉由該些接觸窗開口而與對應的該些薄膜晶體管電性連接。
10.根據(jù)權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于其中所述的覆蓋層的材質(zhì)包括一高分子材料或是一無機介電材料。
11.根據(jù)權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于其中所述的形成該覆蓋層的方法包括一旋轉(zhuǎn)涂布法。
全文摘要
本發(fā)明是關于一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，該薄膜晶體管陣列基板，包括數(shù)個薄膜晶體管，配置在一基板上；一彩色濾光陣列層，形成于薄膜晶體管上，并且暴露出對應薄膜晶體管的一預定形成接觸窗區(qū)域；一覆蓋層，覆蓋在彩色濾光陣列層上，并覆蓋住薄膜晶體管；數(shù)個畫素電極，配置于覆蓋層上，并對應薄膜晶體管配置；以及數(shù)個接觸窗，配置在預定形成接觸窗區(qū)域的覆蓋層中，以使畫素電極與對應的薄膜晶體管電性連接。由于接觸窗是形成在覆蓋層中，而并非形成在彩色濾光陣列層中，因此可使得所形成的接觸窗尺寸縮小。
文檔編號G02F1/13GK1609686SQ200310101840
公開日2005年4月27日 申請日期2003年10月20日 優(yōu)先權日2003年10月20日
發(fā)明者張世昌, 林國隆, 郭光埌 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司