專利名稱：基底固定件以及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基底固定件，例如可以用在一種光刻投射裝置，其中包括-一個(gè)輻射系統(tǒng)，用來提供投射輻射光束；-一個(gè)支撐結(jié)構(gòu)，用來支撐構(gòu)圖部件，該構(gòu)圖部件用于根據(jù)所希望的圖案對(duì)投射光束進(jìn)行構(gòu)圖；-一個(gè)基底臺(tái)，用來固定基底；以及-一個(gè)投射系統(tǒng)，用來向基底的靶部投射帶圖案的光束。
以及制造器件的方法。
背景技術(shù)：
這里所采用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)該被更廣義地解釋為一種能夠向一個(gè)入射的輻射光束賦予帶圖案的截面的部件，其中所述圖案相應(yīng)于將要在基底的靶部中形成的圖案；術(shù)語“光閥”也可以在上下文中使用。一般的，所述的圖案相應(yīng)于在靶部中生成的器件中的特定功能層，例如集成電路或其它器件(參見下文)。該構(gòu)圖部件的例子包括-一個(gè)掩模。掩模的概念在光刻印刷技術(shù)中是眾所周知的，它包括掩模類型例如雙重的、交替相移以及衰減相移，還有各種混合掩模類型。輻射光束中這種掩模的布置導(dǎo)致了掩模上的有選擇透射(在可透射掩模的情況下)或者輻射的反射(在反射掩模的情況下)。在存在掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)一般都是掩模臺(tái)，該平臺(tái)可以確保該掩模被固定在輸入的輻射光束中所希望的位置上，并且如果需要的話可以相對(duì)于光束進(jìn)行移動(dòng)。
-一個(gè)可編程鏡象陣列。該裝置的一個(gè)例子就是具有粘彈性控制層和反射表面的矩陣-可尋址表面。該裝置的基本原理就是(例如)反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷涑蔀檠苌涔?，而非尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷涑蔀榉茄苌涔?。假用適當(dāng)?shù)臑V波器，可以將該非衍射光從反射光束中濾掉，而只剩下衍射光；在這種方式中，根據(jù)矩陣-可尋址表面的尋址圖案將該光束組成圖案?？删幊嚏R象陣列的另一個(gè)實(shí)施例采用了小鏡像矩陣排列，其中的每一個(gè)都可以通過采用合適的局部電場或者采用壓電激勵(lì)裝置來沿著軸傾斜。再次，該鏡像為矩陣-可尋址，因此已尋址的鏡像將不同方向的輸入輻射光束反射為不可尋址的鏡像；在這種方式下，根據(jù)矩陣-可尋址鏡像的尋址圖案將反射光束組成圖案。所需的矩陣尋址可以由合適的電場裝置來執(zhí)行。在下面所述的兩種情況下，構(gòu)圖部件可以包括一個(gè)或多個(gè)可編程鏡象陣列。從例如美國申請(qǐng)US5296891、US5523193、以及PCT申請(qǐng)WO98/38597和WO98/33096中可以搜集到更多的關(guān)于鏡像陣列的信息，這些文獻(xiàn)可以在這里用作參考。在可編程鏡象陣列的情況下，所述支撐結(jié)構(gòu)可以具體化為例如一個(gè)框架或者平臺(tái)，它們可以根據(jù)需要是固定的或可移動(dòng)的。
-一個(gè)可編程LCD陣列。在美國申請(qǐng)US5229872中給出了這種結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。同上面一樣，這種情況下的支撐結(jié)構(gòu)可以具體化為例如一個(gè)框架或者平臺(tái)，它們可以根據(jù)需要是固定的或可移動(dòng)的。
為簡便起見，該正文的其它部分在某一位置可以指定其本身包括一個(gè)掩模以及掩模臺(tái)；可是，在該例中討論的一般原則將會(huì)出現(xiàn)在此后構(gòu)圖部件的更廣闊的上下文中。
例如，光刻投射裝置可以用在集成電路(IC)的制造過程中。在這種情況下，構(gòu)圖部件將會(huì)生成相應(yīng)于IC各層的電路圖案，并且將該圖案成像在基底(硅片)的靶部上(例如包括一個(gè)或多個(gè)模)，其中該基底已經(jīng)被覆蓋上了一層輻射敏感材料(保護(hù)層)。一般的，單晶片會(huì)包括相鄰靶部的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)，其中通過投射系統(tǒng)依次對(duì)該靶部進(jìn)行照射，一次一個(gè)。在該裝置中，通過采用掩模臺(tái)上的掩模來畫圖，可以在兩種不同類型的機(jī)器上出現(xiàn)差異。在一種類型的光刻投射裝置中，通過一次就將整個(gè)掩模圖案暴露在靶部中來對(duì)靶部進(jìn)行照射；在另一裝置中——一般指步進(jìn)掃描裝置——通過在一個(gè)給定的參考方向(“掃描”方向)上用投射光束對(duì)掩模圖案進(jìn)行同步掃描來照射靶部，同時(shí)沿著與該方向平行或不平行的方向掃描基底臺(tái)；一般的，由于該投射系統(tǒng)將會(huì)得到一個(gè)放大因數(shù)(一般小于1)，掃描基底臺(tái)的速度V將會(huì)是掃描掩模臺(tái)的M倍。從例如US6046792中可以搜集到更多的關(guān)于光刻裝置的信息，在這里僅用作參考。
在使用光刻投射裝置的制造過程中，圖案(例如掩模中的)被成像在一個(gè)基底上，該基底至少部分的覆蓋了一層輻射敏感材料(保護(hù)層)。在成像步驟之前，該基底可以經(jīng)過多個(gè)處理過程，例如涂底漆、覆蓋保護(hù)層以及軟焙干。在曝光之后，可以對(duì)該基底進(jìn)行多種處理，例如所呈圖案的后曝光焙干(post-exposure，簡稱PEB)、顯影、硬焙干以及測量/檢查。該系列處理過程是對(duì)一個(gè)器件例如IC的各個(gè)層進(jìn)行成形的基礎(chǔ)。這種形成圖案的層也可以進(jìn)行各種處理例如蝕刻、離子注入(摻雜)、噴涂金屬、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等等，所有的這些都是為了完成一層。如果需要有多層，則需要為每個(gè)新層重復(fù)整個(gè)處理過程或其中的一些變體。最后，在基底(晶片)上將會(huì)有一排器件。接著可以采用例如切割或鋸開來將他們彼此之間分開，由此，各個(gè)器件可以被裝配到一個(gè)載體上、連接至插腳等等。例如可以從由Peter van Zant所著，1997年McGrawHill Publishing Co.出版的第三版“Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Procesing”，ISBN0-07-067250-4，中獲得關(guān)于該處理過程的信息，在這里僅用作參考。
為簡便起見，下文中的投射系統(tǒng)尤指“透鏡”；可是，該術(shù)語應(yīng)該被更廣義的解釋為包括各種類型的投射系統(tǒng)，例如該系統(tǒng)可以包括折射光學(xué)、反射光學(xué)以及反折射的。該輻射系統(tǒng)也可以包括根據(jù)這些指定類型進(jìn)行操組的部件，用來引導(dǎo)、整形以及控制改輻射投射光束，并且這些部件也可以指下面全部或特殊的“透鏡”。進(jìn)一步，該光刻裝置也可以具有兩個(gè)或更多的基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái))。在該“多級(jí)”裝置中，可以并行的使用附加平臺(tái)，或者在一個(gè)或多個(gè)平臺(tái)上進(jìn)行預(yù)備步驟，而同時(shí)一個(gè)或多個(gè)其它平臺(tái)正在被用于曝光。例如，在US5969441以及WO98/40791中就描述了雙級(jí)光刻裝置，在這里僅用作參考。
用于制造半導(dǎo)體器件的硅片具有標(biāo)準(zhǔn)大小-150mm、200mm、300mm(或者用寸來指它們的大小-6”、8”、12”)，并且由于越來越多的器件可以在一個(gè)晶片上制造，因此其中較大的尺寸被更加普遍的使用，降低了晶片交換步驟的數(shù)量并增加了生產(chǎn)量。光刻裝置以及其它的在半導(dǎo)體制造過程中使用的設(shè)備都被指定為與這些標(biāo)準(zhǔn)的晶片大小相配套。一般的，一種光刻裝置只接收一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大小的晶片。盡管一般來說會(huì)優(yōu)先選擇較大的晶片，可以在一些特殊的領(lǐng)域，也需要在一些比上述的標(biāo)準(zhǔn)大小還要小、薄的晶片上進(jìn)行制造?？墒侵圃旎蛘卟捎霉饪萄b置來適應(yīng)這些小、薄的晶片也是很不經(jīng)濟(jì)的。
上面討論的硅片類型通常都很薄的(例如100-350μm，例如140μm)并且由于這個(gè)原因使其在保持其自身重量的情況下盡量彎曲。當(dāng)在一個(gè)步進(jìn)器工具上進(jìn)行曝光時(shí)，要求晶片在每個(gè)微米單位之內(nèi)都是平的。進(jìn)一步，晶片的優(yōu)點(diǎn)就是在處理的過程中保持平坦，因此該晶片能夠在緊密的空間內(nèi)移動(dòng)而不會(huì)發(fā)生碰撞。還進(jìn)一步，當(dāng)由自動(dòng)儀器進(jìn)行處理時(shí)，彎曲的晶片會(huì)增加其它的問題，例如由于它們是很脆的，因此當(dāng)晶片彎曲時(shí)就會(huì)很難在真空固定件中有良好的接觸。因此很希望晶片在位于光刻裝置中的任何時(shí)候都保持其平面性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的就是提供一個(gè)轉(zhuǎn)接件，用來支撐相當(dāng)小的基底并允許該晶片成像在具有適于接收較大基底的基底臺(tái)的光刻裝置上和/或在適于更大基底的其它基底處理設(shè)備中進(jìn)行處理。
本發(fā)明的進(jìn)一步的目的就是提供一種用來獲得晶片平面的裝置。
本發(fā)明的固定件可以同基底一塊使用，例如硅片和其它非磁性材料的基底。
根據(jù)本發(fā)明中的基底固定件實(shí)現(xiàn)了這個(gè)以及其它的發(fā)明目的，該基底固定件包括一個(gè)可由光刻裝置接收、具有第一額定大小的板件，以及一個(gè)夾具，用來固定具有第二額定大小的基底，所述第二額定大小小于所述第一額定大小。
最好是該夾具適于固定環(huán)繞在其基本全部外圍的基底。這就在向晶片傳輸真空的板件上設(shè)有孔的情況下，允許晶片保持基本平面性并確保與真空系統(tǒng)的良好接觸。
通過將較小的基底夾緊到較大的板件上，其中較大的板件具有額定大小，從而可以通過光刻裝置或其他基底處理設(shè)備對(duì)較小的基底進(jìn)行處理，而不需要對(duì)其進(jìn)行修改。
該板件最好在平面上大致為圓形并且可具有一個(gè)或多個(gè)平面或槽口。該板件包括具有標(biāo)準(zhǔn)尺寸的硅片，該硅片與夾具附和在一起。另一方面，該板件可以由Zerodur(TM)或者其它的低熱膨脹非磁性材料構(gòu)成。
第一額定大小最好為150mm、200mm、300mm或更大。第二額定大小可以為100mm或更小。該各種情況下的額定大小為板件或基底的額定直徑，而不考慮任何平面以及槽口。該基底以及固定件并不要求是圓的，但可以是另一種形狀例如正方形。在這種情況下，額定大小為最大的尺寸。
該板件最好具有一個(gè)或多個(gè)定位插腳，以便于在所述基底緊靠在一塊時(shí)，該基底位于所述板件的預(yù)定位置和/或方向上。在板件具有一個(gè)或多個(gè)平面或槽口并且固定件與具有一個(gè)或多個(gè)平面或槽口的基底一塊使用時(shí)，最好對(duì)位置插腳進(jìn)行定位，以便于基底的平面或槽口位于預(yù)定的，最好是相應(yīng)的，朝著板件的平面或槽口的方向。
該夾具最好包括一個(gè)磁性材料環(huán)以及多個(gè)固定在板件上的磁體，其中該環(huán)具有類似但小于所述基底外部輪廓的內(nèi)部輪廓。這種設(shè)置可以保證即使是有外力應(yīng)用到基底上，也能保持基底的平面性，同時(shí)使得基底固定件的總厚度也保持很小。
在優(yōu)選實(shí)施例中，板件在所示基底位于的區(qū)域內(nèi)提供了一個(gè)很好的結(jié)點(diǎn)圖案。該結(jié)點(diǎn)圖案可以防止被壓基底中很少范圍重量變化。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一個(gè)裝置制造方法，包括以下步驟-提供一個(gè)基底，該基底至少有一部分被一層輻射敏感材料覆蓋；-使用輻射系統(tǒng)提供投射輻射光束；-使用構(gòu)圖部件向投射光束在截面上賦予圖案；-將帶圖案的輻射光束投射到導(dǎo)輻射敏感材料層的靶部，在所述提供基底的步驟中還包括以下子步驟-將所述基底夾在具有比該基底更大額定大小的板件上；以及-將所述夾有基底的板件載入至所述光刻裝置。
雖然可以在使用根據(jù)本發(fā)明制造IC的裝置時(shí)在該文中產(chǎn)生特定的基準(zhǔn)，可以很容易理解的是該裝置也可以有許多其它的應(yīng)用。例如，它可以用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)，用于磁疇存儲(chǔ)器的制導(dǎo)及監(jiān)測模式，液晶顯示控制板，薄膜磁頭等等。技術(shù)人員可以理解的是，在各個(gè)應(yīng)用的上下文中，本文中的“刻度片”、“晶片”或“?！睉?yīng)該被視為分別由更常用的述語“掩?！?、“基底”以及“靶部”所代替。
該文中，術(shù)語“輻射”以及“光束”通常包括所有的電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，其波長為365、248、193、157或126nm)以及EUV(遠(yuǎn)紫外輻射，例如其波長范圍為5-20nm)，還有粒子束流，例如離子束或電子束。


下面參照附圖通過幾個(gè)例子對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在附圖中圖1為其中采用了本發(fā)明實(shí)施例的光刻投射裝置；圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基底固定件與基底一塊的分解圖；圖3為圖2中夾有基底的基底固定件的部分截面圖；圖4為基底平面圖，其中示出了當(dāng)基底被固定在圖2中的基底固定件上時(shí)能夠被成像以及測量的部分；圖5為用于將基底安裝到圖2中的基底固定件上去的工具的透視圖；以及圖6為從下面看到的晶片處理工具的透視圖。
在圖中，相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部分。
具體實(shí)施例方式
光刻裝置圖1簡要的說明了其中采用了本發(fā)明實(shí)施例的典型光刻投射裝置。該裝置包括·一個(gè)輻射系統(tǒng)Ex，IL，用來提供輻射透影光束PB(例如DUV輻射)，其中在這種特別情況下還包括一個(gè)輻射源LA；·一第一目標(biāo)臺(tái)(掩模臺(tái))MT，其具有用于固持一個(gè)掩模MA(例如，刻度片)的掩模支持座，并且連接到用于相對(duì)結(jié)構(gòu)PL準(zhǔn)確地定位掩模的第一定位裝置；·一第二目標(biāo)臺(tái)(基底臺(tái))WT，其中包括用于固定基底W(例如，保護(hù)涂層硅片)的基底固定件，并且與用來精確的為基底以及部件進(jìn)行定位的第二定位裝置相連；·一個(gè)投射系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如折射透鏡系統(tǒng))，用于在基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)模)上對(duì)掩模MA的受輻照部分進(jìn)行成像。
正如這里所述，該裝置為透射型的(例如具有一個(gè)透射掩模)。但是，一般的，它也可以是反射型的(例如具有一個(gè)反射掩模)。另一方面，該裝置也可以采用另一種類型的構(gòu)圖部件，例如上面所指出的可編程鏡像陣列。
該源LA(例如一個(gè)受激準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生一個(gè)輻射光束。該光束直接或者在經(jīng)過調(diào)節(jié)部件例如光束擴(kuò)展器Ex之后被輸入到一個(gè)照明系統(tǒng)(照明器)IL中。該照明器IL可以包括調(diào)整部件AM，用來在該光束中設(shè)置亮度分布的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別指外σ以及內(nèi)σ)。另外，它一般還包括各種其它部件，例如積分器IN以及電容器CO。通過這種方式，在掩模MA上反射回來的光束PB在它的截面上具有預(yù)期的均勻以及亮度分布。
關(guān)于圖1需要指出的是源LA可以位于光刻投射裝置的外殼中(例如，經(jīng)常是源LA為水銀燈的情況)，但是它也可以遠(yuǎn)離光刻投射裝置，其中所生成的輻射光束被導(dǎo)入到該裝置中(例如，在適當(dāng)定向鏡像的幫助下)；后者經(jīng)常為源LA為受激準(zhǔn)分子激光器的情況。
該光束PB接著會(huì)遮斷被固定在掩模臺(tái)MT上的掩模MA。在經(jīng)過了掩模MA之后，該光束PB通過將其聚焦到基底W靶部C的透鏡PL。在第二定位裝置(以及干涉測量裝置IF)的幫助下，能夠精確的對(duì)基底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)，例如以便于在光束PB的路徑上定位不同的靶部C。類似的，第一定位裝置可以被用來根據(jù)光束PB的路徑對(duì)掩模MA進(jìn)行精確定位，例如在掩模庫中機(jī)械取回掩模MA之后，或者在掃描期間。一般的，目標(biāo)臺(tái)MT、WT的移動(dòng)都是在長沖程模塊(粗略定位)以及短沖程模塊(精確定位)的協(xié)助下完成的，這并沒有在圖1中詳細(xì)解釋?？墒牵诰竭M(jìn)器的情況下(與步進(jìn)-掃描裝置相反)，該掩模臺(tái)MT可以只與一個(gè)短沖程傳動(dòng)裝置相連，或者被固定。
上述的裝置可以用在兩種不同的模式1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT基本上保持靜止，并且一口氣(也就是一“閃”)就將一個(gè)完整的掩模圖像投射在靶部C上。該基底臺(tái)WT沿著x和/或y的方向移動(dòng)，因此光束PB會(huì)照射到不同的靶部；2.在掃描模式中，除了給定的靶部C在某一“閃”沒有曝光之外，基本上采用了相同的情況。取代它的是，該掩模臺(tái)MT可以在一個(gè)給定的方向上(被稱為“掃描方向”，例如y方向)以速度v移動(dòng)，因此終止該投射光束PB來掃描掩模圖像；同時(shí)，該基底臺(tái)WT也一塊沿著相同或相反的方向以速度V＝Mv移動(dòng)，其中M為透鏡PL的焦距(一般的，M＝1/4或1/5)。通過這種方式，可以曝光相當(dāng)大的靶部C，而不必?fù)p害分辨率。
這種光刻裝置適用于具有特定大小，例如額定直徑150mm、200mm或300mm，以及例如具有一個(gè)或兩個(gè)平板或槽口的圓周形狀的基底(晶片)。尤其是，該基底臺(tái)適于接收這種晶片并具有合適大小以及形狀的結(jié)點(diǎn)圖案，并使得插腳適于預(yù)定的基底的平面或槽口。其中很普通的是，基底被真空的固定在基底臺(tái)上，該真空管口將覆蓋基底的整個(gè)區(qū)域，以確保有一個(gè)均勻的夾力來避免基底變形。還有，該投射系統(tǒng)的焦點(diǎn)平面以及各種傳感器例如校準(zhǔn)和水平傳感器都被設(shè)定為一個(gè)特定水平，并且被限制于在與基底垂直的平面內(nèi)移動(dòng)的基底臺(tái)適于對(duì)某一特定水平給定厚度的基底上表面進(jìn)行定位。如果使用太薄或是太厚的基底時(shí)，該基底臺(tái)就無法有效的調(diào)整其位置，以便于將該基底的上表面位于投射系統(tǒng)以及各種傳感器的焦點(diǎn)上。
基底固定件圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基底固定件與基底一塊的分解圖。該基底固定件10包括一個(gè)板件11，它將定位插腳12、13以及永久磁鐵14固定在一起，其中定位插腳12、13以及永久磁鐵14，再加上夾具環(huán)15就構(gòu)成了一個(gè)穩(wěn)固的將基底W固定的夾具。還提供了一個(gè)結(jié)點(diǎn)圖案來支撐該基底W。
舉一個(gè)例子進(jìn)行說明，該基底固定件10就是要保證額定直徑100mm(4”)并且厚140μm的基底能夠在一個(gè)光刻投射裝置或是其它基底處理裝置中對(duì)其進(jìn)行處理，其中其它的基底處理裝置適于處理額定直徑150mm(6”)并且厚500μm的基底。在使其規(guī)格適合光刻投射裝置的基底臺(tái)WT的同時(shí)還使得該基底具有一個(gè)合適的高度，這樣該基底固定件10就可以確保該由于其自身過薄而相當(dāng)易彎并高度彎曲的基底W在曝光時(shí)保持平面。這可以通過基底W被全部或基本上全部環(huán)繞在其外圍的夾具環(huán)15以及很好地足以防止了短范圍高度變化的結(jié)點(diǎn)圖案所夾持來實(shí)現(xiàn)。該夾具環(huán)可以防止基底在處理晶片步進(jìn)器中的基底固定件時(shí)移動(dòng)基底W。在曝光卡盤上，該真空系統(tǒng)可以被用作同時(shí)夾持基底固定件10以及基底W。這可以通過使用穿過板件11底部的孔來實(shí)現(xiàn)，其中該板件11將基底固定件10中的真空傳送到基底W的下面。
從圖4中可以更清楚地看到，該基底W具有一個(gè)第一平面F1，也可以具有第二平面F2。該定位插腳12(實(shí)際上有兩個(gè)插腳)被固定為平面F1緊靠著它們以便于將基底W正確地固定在基底固定件10上，其中該固定件10依次具有一個(gè)用于將基底固定件10固定在基底臺(tái)WT上的平面17。該定位插腳13緊靠著另一個(gè)平面F2晶片邊沿上的一個(gè)點(diǎn)，以便于實(shí)現(xiàn)正確的定位。該夾具環(huán)15可以在其底面具有凹槽，以便于適用于定位插腳12、13和/或磁體14。
可以理解的是，該定位插腳12、13以及平面F1、F2、17并不需要保證將該基底定位在將要被執(zhí)行的光刻處理的覆蓋條件之內(nèi)，而是只需要將在其上面具有校準(zhǔn)標(biāo)的基底W定位在光刻裝置校準(zhǔn)系統(tǒng)的捕獲范圍之內(nèi)。在其它的實(shí)施例中，該基底W可以具有不同數(shù)量和/或排列的平板和/或槽口，同時(shí)，該光刻裝置也可以適用于接收有不同數(shù)量和/或排列的平板和/或槽口的基底。在這種情況下，基底固定件上的定位插腳12、13也應(yīng)該這樣定位以便于為了正確的對(duì)基底進(jìn)行定位而與基底固定件上的任何平板和/或槽口相互嚙合，同時(shí)，該板件11也應(yīng)該具有與光刻投射裝置的基底臺(tái)的任何定位裝置都能相互嚙合的平板和/或槽口。該定位插腳12、13使晶片W定位在板件11的平面中，同時(shí)該結(jié)點(diǎn)圖案也使其定位在平面方向之外。
在該實(shí)施例中，板件11包括一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的150mm(6”)硅片，定位插腳12、13是鐵氧體不銹鋼的并通過環(huán)氧樹脂被粘貼到板件11上。該磁體14為鍍有NiP的永久磁體NdFeB，并且該夾具環(huán)由兩層鐵氧體不銹鋼構(gòu)成。兩層鐵氧體不銹鋼的使用可以保證凹槽能夠接收很容易提供的磁體和/或定位插腳。在該環(huán)上生成的通孔或切口只構(gòu)成了較低的層；這比在一個(gè)薄環(huán)上形成遮蔽孔容易多了。還有，某一層可以由根據(jù)其磁性選擇的鋼制成，而其它的層可以由根據(jù)其力量選擇的鋼制成。當(dāng)然，也可以采用一層來做夾具，這樣就可以保證夾具的最小重量。
從圖3中可以看出，如果嘗試著在夾具環(huán)內(nèi)部圓周的距離d1內(nèi)投射一個(gè)圖像，則夾具環(huán)15的高度T將會(huì)阻礙該投射光束PB。距離S1的精確值取決于厚度T以及投射透鏡PL的數(shù)值孔徑(NA)，而這就確定了投射光束的最外側(cè)光線的角度。無法成像的環(huán)面寬度等于S1和夾具環(huán)15與晶片W之間的重疊部分的最大寬度Omax的總和。通過選擇合適的T和Omax，基底無法成像部分的寬度，這也可被視為夾具環(huán)的陰影，可以同一般的3mm邊緣墊片相比較。在具有軸上水平測量的光刻裝置中，該水平測量傳感器(leveling sensor)光束LS-B具有比投射光束更薄的傾斜角度。這就意味著從夾具環(huán)到水平測量傳感器光束LS-B之間的陰影SLB會(huì)更寬并且無法測量晶片表面較大部分的垂直位置。這一問題可以通過從在基底W的內(nèi)部部分生成的水平測量中進(jìn)行外推而得以避免。在圖4中，成像區(qū)用交叉的平行線畫出的陰影示出并且水平測量傳感器光束的陰影邊界也由虛線示出。
圖5中示出了將晶片W加載到基底固定件10中去的加載工具20。該加載工具含有一個(gè)平臺(tái)21，在該平臺(tái)上放置著板件11，例如可以通過晶片處理自動(dòng)機(jī)(圖5中未示出)或手工來進(jìn)行。該平臺(tái)21具有一個(gè)定位棒22，其中該定位棒22嚙合于板件11的平面17以確保正確的定位。一旦該板件11定位正確，則該晶片W被放置到結(jié)點(diǎn)圖案并緊靠位置插腳。這個(gè)也可以由晶片處理自動(dòng)儀器或手工進(jìn)行。該晶片W因此被真空夾持，以便于將其固定住。期間，該夾具環(huán)15被真空固定在環(huán)形真空卡盤23上。該環(huán)形卡盤23在凸出上具有定位孔24，其中當(dāng)環(huán)形真空卡盤23被倒轉(zhuǎn)并降低至平臺(tái)21上時(shí)，該定位孔與平臺(tái)定位插腳25相互嚙合，因此，該夾具環(huán)被正確地定位在基底W上。接著釋放真空并移除環(huán)形卡盤，使得夾具環(huán)由磁體14固定到板件11。該基底固定件11以及固定好的基底W可以通過例如晶片處理自動(dòng)儀器被傳送至光刻裝置中去。
晶片處理自動(dòng)儀器上面指出的晶片處理自動(dòng)儀器(就是眾所周知的晶片處理工具)可以用來將板件11正確的定位在平臺(tái)21上，也可以用來將基底W正確的定位在板件11上。由于人工處理會(huì)導(dǎo)致晶片W的污染并且會(huì)導(dǎo)致不如使用自動(dòng)儀器那么精確定位，因此晶片處理自動(dòng)儀器會(huì)優(yōu)于人工處理。
圖6為從下面看到的晶片處理工具30實(shí)施例的透視圖。該工具包括中央平坦凹槽區(qū)31以及從中央平坦凹槽區(qū)31延伸出來的外圍區(qū)域32。該實(shí)施例中的外圍區(qū)域32被分成三個(gè)部分A、B、C，并且能夠使晶片的邊緣呈現(xiàn)真空。在該實(shí)施例中，使用在外圍區(qū)域32中形成的圓周開槽33來呈現(xiàn)真空。外圍區(qū)域32的部分A、B小于部分C。在該實(shí)施例中，每個(gè)部分A、B都橫跨大約30°的圓周范圍，而部分C橫跨大約160°的圓周范圍。
圖6中所示出的三個(gè)外部區(qū)域A、B、C都可以通過工具側(cè)面的孔與真空設(shè)備接頭34相連，該接頭依次與真空汞系統(tǒng)等相連。
最好對(duì)外部區(qū)域32中的真空溝槽(或者更一般的為空腔)33進(jìn)行定位，這樣就能夠保證只有晶片的外沿能夠同工具相接觸。該凹進(jìn)去的中央?yún)^(qū)域31可以防止晶片同工具的任何其它部分相接觸。從圖6中可以看出，在工具的圓周的某一位置有兩個(gè)缺口35、36并且這就允許該晶片能夠被壓靠在晶片固定件表面的固定點(diǎn)上。例如，對(duì)于具有平面F1和F2的晶片，該工具30能夠在缺口36中暴露出來的平面F1與一個(gè)缺口35中暴露出來的平面F2之間夾住該晶片，并且這也能夠幫助將晶片設(shè)置為緊貼在板件11之上。該缺口35和36也能夠在視覺上確定該晶片緊靠者基準(zhǔn)插腳12、13。
該工具最好由塑料材料制成，因?yàn)檫@種材料比較容易制造并確不會(huì)傷害晶片表面。Polycetal例如聚氧甲烯(polyoxymethylene，簡稱POM)就非常合適。
該工具的優(yōu)點(diǎn)就是它允許晶片從頂部而不是底部進(jìn)行處理。這就可以通過使用外部真空腔來實(shí)現(xiàn)不與晶片可用中央部分相接觸。該工具可以在各種無法或不希望從下面處理晶片的情況下使用。例如-一個(gè)晶片需要被定位在一個(gè)用于一后面工具的空間的表面上；-必須將晶片從它所粘住或者其上沒有用于標(biāo)準(zhǔn)工具的空間的表面上移除；-在晶片的后面存在器件或其它敏感部件。
指定給該工具的外部真空腔允許以可靠的方式來處理非常脆、薄的晶片。進(jìn)一步，還發(fā)現(xiàn)工具本身也能夠幫助整平彎曲的晶片，這就使得后面的晶片定位非常簡單并且更可靠。
雖然上面對(duì)本發(fā)明的特定實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是可以理解的是本發(fā)明也可以由除上述以外的其它方式實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明并不僅限于說明書。
權(quán)利要求
1.一種基底固定件，包括一個(gè)可由光刻裝置接收、具有第一額定大小的板件，以及一個(gè)用于固定具有第二額定大小的基底的夾具。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的基底固定件，其特征在于所述的夾具適于將具有第二額定大小的所述基底基本上固定在它的外圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的基底固定件，其特征在于第二基底的無法成像部分在使用中為大約3mm寬的外圍部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的基底固定件，其特征在于所述板件包括一個(gè)具有標(biāo)準(zhǔn)額定尺寸的硅片，夾具同該硅片相連在一起。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的基底固定件，其特征在于所述板件基本上在平面上是圓形的并且任選地具有一個(gè)或多個(gè)平板或槽口；
6.根據(jù)權(quán)利要求5的基底固定件，其特征在于所述第一額定大小為150mm、200mm或300mm或更大，并且所述第二額定大小為100mm或更小。
7.根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求之一的基底固定，其特征在于所述板件具有一個(gè)或多個(gè)定位插腳，固定為當(dāng)所述基底反面相接時(shí)，該基底就被定位在所述板件的一個(gè)預(yù)定位置和/或方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的基底固定件，為了使用具有一個(gè)或多個(gè)的平板或槽口基底，其特征在于所述板件具有一個(gè)或多個(gè)平板或槽口，并且所述定位插腳被定位使得該基底的平板或槽口位于相對(duì)于板件平板或槽口的預(yù)定、最好是相應(yīng)的方向。
9.根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求之一的基底固定件，其特征在于所述夾具包括一個(gè)磁性材料環(huán)，該磁性材料的內(nèi)部周線類似并小于所述基底的外部周線，并且有多個(gè)磁體被固定在板件上。
10.根據(jù)前面任何一個(gè)權(quán)利要求之一的基底固定件，其特征在于所述板件在放置所述基底的區(qū)域內(nèi)具有精密結(jié)點(diǎn)圖案。
11.一種操作根據(jù)權(quán)利要求1-10中任何一個(gè)基底固定件的方法，該方法包括-在一個(gè)平臺(tái)上定位所述板件；-將基底放置在所述板件的正確方向上；-在卡盤上定位所述夾具；-降低所述卡盤至所述平臺(tái)以便于將所述夾具正確的定位在所述基底上，并因此所述基底夾持在所述板件上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述降低步驟包括-在所述平臺(tái)上具有插腳的所述卡盤中定位多個(gè)孔，以便于對(duì)準(zhǔn)所述夾具、基底以及板件。
13.一種器件制造方法，包括步驟-提供一個(gè)基底，該基底至少有一部分被一層輻射敏感材料覆蓋；-使用輻射系統(tǒng)提供投射輻射光束；-使用構(gòu)圖部件向投射光束在截面中賦予圖案；-將帶圖案的輻射光束投射到輻射敏感材料層的靶部，其特征在于在所述提供基底的步驟中還包括以下子步驟-將所述基底夾持在具有比該基底更大額定大小的板件上；以及-所述具有基底的板件載入至所述光刻裝置。
14.一種根據(jù)權(quán)利要求13的器件制造方法，其特征在于所述夾持步驟包括將所述基底夾持在其基本上全部外圍。
全文摘要
一種將小晶片裝配到適于接收較大晶片的光刻裝置上去的基底固定件，包括一個(gè)具有結(jié)點(diǎn)圖案的較大硅片，其中在該圖案上放置小晶片，用來對(duì)小晶片進(jìn)行定位的定位插腳，以及由夾具環(huán)以及磁體構(gòu)成的夾具，其中該磁體同較大晶片相連在一起。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1487365SQ0315551
公開日2004年4月7日 申請(qǐng)日期2003年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月11日
發(fā)明者J·W·M·克里克哈爾, H·J·M·范貝斯特維爾德特, A·W·E·明奈爾特, M·A·J·托伊文, J·洛夫, E 明奈爾特, J W M 克里克哈爾, J 托伊文, M 范貝斯特維爾德特 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司