專(zhuān)利名稱(chēng)：一種薄膜晶體管液晶顯示器面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD)面板的制作方法，特別是涉及一種掃描線(xiàn)及數(shù)據(jù)線(xiàn)以同一光罩定義，使其位于同一平面，以此避免掃描線(xiàn)/數(shù)據(jù)線(xiàn)短路的TFT-LCD面板制作方法。
背景技術(shù)：
隨著電子資訊產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)的應(yīng)用范圍以及市場(chǎng)需求也不斷在擴(kuò)大，從小型產(chǎn)品，如電子血壓計(jì)，到可攜帶式信息產(chǎn)品，如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、筆記型電腦(notebook)，以至于未來(lái)即將商業(yè)化的大畫(huà)面顯示器，均可見(jiàn)到液晶顯示器被廣泛應(yīng)用其上。這是由于液晶顯示器的結(jié)構(gòu)非常輕薄短小，同時(shí)具有無(wú)輻射污染的優(yōu)點(diǎn)。
傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶顯示器基本上包含有一透明基板(transparentsubstrate)，其上具有以陣列排列成的薄膜晶體管、像素電極(pixel electrode)、位于不同平面的掃描線(xiàn)(scan line)與數(shù)據(jù)線(xiàn)(data line)、一彩色濾光板(colorfilter)以及填充于透明基板與濾光板之間的液晶材料，并配合以適當(dāng)?shù)碾娙?、連接墊等電子元件，來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶像素，進(jìn)而產(chǎn)生豐富亮麗的圖像。然而，在制作薄膜晶體管液晶顯示器時(shí)，掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)交錯(cuò)區(qū)域或是薄膜晶體管往往容易發(fā)生無(wú)法預(yù)期的工藝或人為因素而使得液晶顯示器產(chǎn)品最后產(chǎn)生點(diǎn)缺陷或線(xiàn)缺陷。
參考圖1，圖1為傳統(tǒng)TFTLCD的部分布局頂視圖，傳統(tǒng)技術(shù)是利用五道光刻工藝(PEP)在一透明玻璃基板上形成TFTLCD 10。如圖1所示，傳統(tǒng)技術(shù)中TFTLCD的掃描線(xiàn)18以及數(shù)據(jù)線(xiàn)36則是定義于不同平面，且垂直交錯(cuò)于一交錯(cuò)(cross over)區(qū)14。薄膜晶體管源極32是電性連接于數(shù)據(jù)線(xiàn)36，薄膜晶體管源極34需另外透過(guò)一通孔(via hole)41(在傳統(tǒng)的第四道PEP工藝中形成)與像素電極42電連接。
參考圖2A至2E，圖2A至2E為傳統(tǒng)制作TFTLCD的剖面示意圖。如圖2A所示，傳統(tǒng)制作TFTLCD面板的方法是先在玻璃基板11的表面上沉積一第一金屬層，接著進(jìn)行一第一光刻工藝，以在玻璃基板11的表面上分別在晶體管區(qū)12形成一柵極電極16以及一通過(guò)交錯(cuò)區(qū)14的掃描線(xiàn)(scanline)18。如圖2B所示，接著在玻璃基板11上依序沉積一柵極絕緣層(gateinsulator)22、一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)24及一蝕刻停止層26，并進(jìn)行一第二光刻工藝以定義蝕刻停止層26，形成蝕刻停止層26的目的是為保護(hù)半導(dǎo)體層24不被后續(xù)的蝕刻工藝所破壞侵蝕。如圖2C所示，接著在半導(dǎo)體層24與蝕刻停止層26的上方沉積一N+摻雜半導(dǎo)體層28，隨后在摻雜半導(dǎo)體層上方全面沉積一第二金屬層，并進(jìn)行一第三光刻工藝定義出數(shù)據(jù)線(xiàn)(data line)36、漏極32、源極34及有源區(qū)。如圖2D所示，隨后在玻璃基板11上方形成一由氧化硅或氮化硅所構(gòu)成的保護(hù)層(passivation layer)38，并進(jìn)行一第四光刻工藝，去除部分位于源極34上方的保護(hù)層38，以在保護(hù)層38中形成一直達(dá)源極34表面的通孔41，并暴露出部分的源極34。最后，如圖2E所示，在玻璃基板11上方沉積一由氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)或是氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)所構(gòu)成的透明導(dǎo)電層40，并進(jìn)行一第五光刻工藝，以形成一與源極34電性連接的像素電極(pixel electrode)42。
由上可知，傳統(tǒng)TFTLCD面板的制作方法采用數(shù)據(jù)線(xiàn)36與掃描線(xiàn)18上下交錯(cuò)配置于不同平面的架構(gòu)。此外，傳統(tǒng)TFTLCD面板的制作方法因?yàn)樾枰M(jìn)行五次光刻程序，因此薄膜晶體管液晶顯示器非常容易因?yàn)楦鞣N缺陷而影響生產(chǎn)合格率，而且當(dāng)所生產(chǎn)的液晶面板尺寸越來(lái)越大時(shí)，此種問(wèn)題將會(huì)更形嚴(yán)重。尤其是數(shù)據(jù)線(xiàn)與掃描線(xiàn)同時(shí)通過(guò)的交錯(cuò)區(qū)以及薄膜晶體管區(qū)附近，常會(huì)因?yàn)槲挥谙聦拥膾呙杈€(xiàn)或柵極電極的平臺(tái)(taper)形狀不夠良好、掃描線(xiàn)或柵極線(xiàn)條(gate line)的底切(under cut)現(xiàn)象、金屬?lài)姵?metaleruption)現(xiàn)象以及半導(dǎo)體層與柵極絕緣層中存在不預(yù)期的污染微粒(particle)等因素，在沉積第二金屬層之后，產(chǎn)生掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)的短路(gate-signalshort)現(xiàn)象。由上述可知，傳統(tǒng)TFTLCD面板的制作技術(shù)不論在制作步驟、工藝合格率以及產(chǎn)品構(gòu)造上均未臻理想，而猶待進(jìn)一步克服改善。
因此，在TFTLCD面板的設(shè)計(jì)上，如何降低沉積或蝕刻工藝的次數(shù)，以避免上述掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)短路等問(wèn)題，以維持一定的生產(chǎn)合格率，便成為制作TFTLCD面板時(shí)的重要課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種TFTLCD面板的制作方法，該TFTLCD面板的掃描線(xiàn)及數(shù)據(jù)線(xiàn)是定義于同一平面，可避免掃描線(xiàn)/數(shù)據(jù)線(xiàn)交錯(cuò)區(qū)發(fā)生短路現(xiàn)象。此外，本發(fā)明TFTLCD面板的制作方法不需沉積一第二金屬層以及一保護(hù)層，因此可以簡(jiǎn)化工藝步驟，明顯提高工藝效能以及合格率。
依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，先提供一基板，該基板包含有一像素單元(sub-pixel)區(qū)域、一用來(lái)形成一薄膜晶體管(TFT)的晶體管區(qū)以及一掃描線(xiàn)/數(shù)據(jù)線(xiàn)交錯(cuò)區(qū)。首先在該基板的表面上沉積一金屬層，進(jìn)行一第一光刻工藝(photo-etching-process，PEP)，在該基板表面同時(shí)定義一掃描線(xiàn)及一與掃描線(xiàn)不相接觸的不連續(xù)的數(shù)據(jù)線(xiàn)，并于該晶體管區(qū)域內(nèi)形成該薄膜晶體管的柵極(gate)，然后依序沉積一柵極絕緣層(gate insulator)、一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)與一蝕刻停止層(etching stop layer)，接著進(jìn)行一第二光刻工藝，去除晶體管區(qū)及掃描線(xiàn)/數(shù)據(jù)線(xiàn)交錯(cuò)區(qū)以外的蝕刻停止層，然后沉積一重?fù)诫s的半導(dǎo)體層(heavy doped semiconductor layer)，并進(jìn)行一第三光刻工藝，以形成薄膜晶體管的有源區(qū)(active region)，接著進(jìn)行一第四次光刻工藝，在掃描線(xiàn)兩側(cè)的柵極絕緣層中形成接觸孔(contact hole)，曝露出部分掃描線(xiàn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)，再沉積一透明導(dǎo)電層(transparent conducting layer)并填滿(mǎn)該接觸孔以跨接掃描線(xiàn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)，最后進(jìn)行一第五光刻工藝，以形成像素電極(pixel electrode)、源極(source)、漏極(drain)，并連接數(shù)據(jù)線(xiàn)與源極。
由于本發(fā)明的TFTLCD面板制作方法，是將掃描線(xiàn)及數(shù)據(jù)線(xiàn)置于同一平面，亦即在第一光刻工藝時(shí)，即同時(shí)定義出掃描線(xiàn)及與掃描線(xiàn)不相接觸的不連續(xù)的數(shù)據(jù)線(xiàn)，之后再利用透明導(dǎo)電層加以跨接數(shù)據(jù)線(xiàn)。如此不僅可減少一次金屬沉積工藝及一次保護(hù)層沉積工藝，更可避免交錯(cuò)區(qū)域中的短路問(wèn)題，進(jìn)一步提升生產(chǎn)合格率。
為近一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖。然而附圖僅供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
圖1為傳統(tǒng)TFTLCD的布局頂視圖；
圖2A至2E為傳統(tǒng)制作TFTLCD的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明TFTLCD的布局頂視圖；圖4A至4E為本發(fā)明制作TFTLCD的剖面示意圖；以及圖5為本發(fā)明與傳統(tǒng)技術(shù)的TFTLCD工藝的流程比較圖。
圖示的符號(hào)說(shuō)明10TFTLCD系統(tǒng) 11玻璃基板12晶體管區(qū) 14交錯(cuò)區(qū)16柵極電極 18掃描線(xiàn)22柵極絕緣層 24半導(dǎo)體層26蝕刻停止層 28重?fù)诫s半導(dǎo)體層32漏極 34源極36數(shù)據(jù)線(xiàn) 38保護(hù)層40透明導(dǎo)電層 41通孔42像素電極 100TFTLCD系統(tǒng)101玻璃基板 102掃描線(xiàn)104數(shù)據(jù)線(xiàn)106柵極電極108源極 110漏極112接觸孔區(qū) 114像素電極116晶體管區(qū) 118交錯(cuò)區(qū)124柵極絕緣層126半導(dǎo)體層128蝕刻停止層130重?fù)诫s半導(dǎo)體層132透明導(dǎo)電層138接觸孔501沉積第一金屬層502第一道光刻工藝503依序沉積柵極絕緣層/半導(dǎo)體層/蝕刻停止層504第二道光刻工藝505沉積重?fù)诫s半導(dǎo)體層506沉積第二金屬層507第三道光刻工藝508沉積保護(hù)層509第四道光刻工藝510沉積透明導(dǎo)電層511第五道光刻工藝521沉積第一金屬層522第一道光刻工藝523依序沉積柵極絕緣層/半導(dǎo)體層/蝕刻停止層
524第二道光刻工藝 525沉積重?fù)诫s半導(dǎo)體層526第三道光刻工藝 527第四道光刻工藝528沉積透明導(dǎo)電層 529第五道光刻工藝具體實(shí)施方式
參考圖3，圖3為本發(fā)明TFTLCD面板的部分布局頂視圖。本發(fā)明是利用五道光刻工藝在一透明玻璃基板(圖3未示出)上形成TFTLCD系統(tǒng)100，其中玻璃基板也可為一石英基板或是一塑膠基板。如圖3所示，本發(fā)明的特色在于TFTLCD的掃描線(xiàn)102及數(shù)據(jù)線(xiàn)104是位于同一平面，兩者垂直配置但在交錯(cuò)區(qū)118內(nèi)不相接觸，而是利用一如圖中的L型透明導(dǎo)電層132透過(guò)接觸孔138加以跨接，L型透明導(dǎo)電層132還電連接至薄膜晶體管的漏極110。像素電極114直接與薄膜晶體管的源極108電連接，不經(jīng)過(guò)任何接觸孔。此處，像素電極114與L型透明導(dǎo)電層132由同一層透明導(dǎo)電材料定義。
參考圖4A至4E，圖4A至4E為依據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的TFTLCD面板工藝的剖面示意圖。首先，如圖4A所示，在玻璃基板101的表面上沉積一金屬層，接著進(jìn)行一第一光刻工藝，在玻璃基板101的表面定義該金屬層，以分別形成多條掃描線(xiàn)102(位于區(qū)域118內(nèi))、多個(gè)與掃描線(xiàn)不相接觸的不連續(xù)的數(shù)據(jù)線(xiàn)段(data line section or data line srtip)104(位于區(qū)域112內(nèi))，以及一柵極電極106(位于區(qū)域116內(nèi))。柵極電極106連接與其相對(duì)應(yīng)的一掃描線(xiàn)。各個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)段104位于兩相鄰的掃描線(xiàn)之間，與同一平面的掃描線(xiàn)正交配置(見(jiàn)圖3)。以下為方便說(shuō)明，將區(qū)域116稱(chēng)為晶體管區(qū)，區(qū)域112稱(chēng)為接觸孔區(qū)，而區(qū)域118稱(chēng)為交錯(cuò)區(qū)。在后續(xù)工藝中，位于一掃描線(xiàn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)段104將利用一通過(guò)交錯(cuò)區(qū)118的透明導(dǎo)電層以及接觸孔互相電連接，以形成掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)陣列。該金屬層可為一單層金屬層或?yàn)橐欢鄬訌?fù)合金屬層。若是前者，則構(gòu)成該金屬層的材料包含有鉻、鉬或鎢鉬合金。若是后者，則構(gòu)成該多層金屬的材料主要為鋁(Al)或以鋁為主要成分的合金，其上層或下層為包含有鈦(Ti)、鉻及鉬的合金，或是鎢鉬合金。
如圖4B所示，接著在玻璃基板101上依序沉積一柵極絕緣層(gateinsulator)124、一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)126以及一蝕刻停止層(etching stop layer)128，并進(jìn)行一第二光刻工藝，去除晶體管區(qū)116區(qū)域及交錯(cuò)區(qū)118以外的蝕刻停止層。其中，柵極絕緣層124可以為一單一(single)介電層或是一復(fù)合(composite)介電層，由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)或是氮氧化硅(SiOxNy)所構(gòu)成。半導(dǎo)體層26亦稱(chēng)有源層(active layer)，是一含氫的非晶硅層，用來(lái)作為當(dāng)薄膜晶體管被開(kāi)啟時(shí)的通道(channel)之用。
如圖4C所示，接著沉積一重?fù)诫s半導(dǎo)體層(heavily doped semiconductorlayer)130，提供半導(dǎo)體層126與后續(xù)沉積的透明導(dǎo)電層間的歐姆式接觸(ohmic contact)降低電阻，并進(jìn)行一第三光刻工藝，定義出薄膜晶體管的有源區(qū)。在第三光刻工藝中，除了晶體管區(qū)116以?xún)?nèi)的重?fù)诫s半導(dǎo)體層130保留外，其它區(qū)域的重?fù)诫s半導(dǎo)體層130都被去除。
如圖4D所示，然后進(jìn)行一第四光刻工藝，在掃描線(xiàn)102兩側(cè)的柵極絕緣層124中，數(shù)據(jù)線(xiàn)段104上方，形成接觸孔138，曝露出部分掃描線(xiàn)102兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)段104。
如圖4E所示，最后沉積一透明導(dǎo)電層132，并填入該接觸孔138中以跨接掃描線(xiàn)102兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)段104，再進(jìn)行一第五光刻工藝，定義出直接電連接源極108的像素電極114，以及電連接漏極110和數(shù)據(jù)線(xiàn)段104，且通過(guò)交錯(cuò)區(qū)118的L型透明導(dǎo)電層132。其中透明導(dǎo)電層132可以由氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)或是氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)所構(gòu)成。
為進(jìn)一步了解本發(fā)明與傳統(tǒng)技術(shù)的TFTLCD制作方法的差異，參考圖5。圖5為本發(fā)明的TFTLCD與傳統(tǒng)技術(shù)的TFTLCD工藝的流程比較圖。傳統(tǒng)TFTLCD制作流程說(shuō)明如下；步驟501沉積第一金屬層；步驟502以第一道光刻工藝定義掃描線(xiàn)和柵極；步驟503連續(xù)沉積柵極絕緣層/半導(dǎo)體層/蝕刻停止層；步驟504以第二道光刻工藝定義蝕刻停止層；步驟505沉積重?fù)诫s半導(dǎo)體層；步驟506沉積第二金屬層；步驟507以第三道光刻工藝定義數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極與有源區(qū)；步驟508沉積保護(hù)層；步驟509以第四道光刻工藝定義接觸孔；步驟510沉積透明導(dǎo)電層；
步驟511以第五道光刻工藝定義像素電極；而本發(fā)明TFTLCD制作流程說(shuō)明如下步驟521沉積第一金屬層；步驟522以第一道光刻工藝定義掃描線(xiàn)、柵極及不與掃描線(xiàn)接觸的不連續(xù)的數(shù)據(jù)線(xiàn)；步驟523連續(xù)沉積柵極絕緣層/半導(dǎo)體層/蝕刻停止層；步驟524以第二道光刻工藝定義蝕刻停止層；步驟525沉積重?fù)诫s半導(dǎo)體層；步驟526以第三道光刻工藝定義有源區(qū)；步驟527以第四道光刻工藝定義接觸孔；步驟528沉積透明導(dǎo)電層；步驟529以第五道光刻工藝定義源極、漏極、通道區(qū)域、像素電極，并透過(guò)接觸孔跨接不連續(xù)的數(shù)據(jù)線(xiàn)；與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明在第一光刻工藝時(shí)，同時(shí)定義出掃描線(xiàn)與不連續(xù)的多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)段，即掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)是位同一平面，后續(xù)再于接觸孔區(qū)112內(nèi)的柵極絕緣層124中蝕刻出接觸孔138，并利用一L型透明導(dǎo)電層132跨接掃描線(xiàn)102兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)段104及薄膜晶體管的源極110，如此不僅制作上可簡(jiǎn)化一個(gè)金屬沉積工藝及一個(gè)保護(hù)層沉積工藝，并可避免交錯(cuò)區(qū)域的短路，進(jìn)而提高工藝效能及合格率。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所有對(duì)本發(fā)明權(quán)利要求所做的等效的調(diào)整與變化，皆應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示器面板的制作方法，包含有下列步驟提供一基板，其上沉積有一金屬層，該基板上包括有一晶體管區(qū)、一交錯(cuò)區(qū)，以及一接觸孔區(qū)，其中該晶體管區(qū)形成一薄膜晶體管；進(jìn)行一第一光刻工藝，定義該金屬層，以在該基板上同時(shí)定義出一掃描線(xiàn)、兩分別位于該掃描線(xiàn)兩側(cè)且與該掃描線(xiàn)不相接觸的數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及該薄膜晶體管的柵極；依序沉積一介電層、一半導(dǎo)體層與一蝕刻停止層；進(jìn)行一第二光刻工藝，去除該晶體管區(qū)及該交錯(cuò)區(qū)以外的該蝕刻停止層；沉積一重?fù)诫s半導(dǎo)體層；進(jìn)行一第三光刻工藝，去除該晶體管區(qū)外的該重?fù)诫s半導(dǎo)體層；進(jìn)行一第四光刻工藝，在該介電層中形成接觸孔，曝露出部分該掃描線(xiàn)兩側(cè)的該數(shù)據(jù)線(xiàn)；以及沉積一透明導(dǎo)電層，并填入該接觸孔。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該基板包含玻璃基板、石英基板或塑膠基板。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該第一金屬層為一單層金屬結(jié)構(gòu)，且構(gòu)成該第一金屬層的材料包含有鉻(Cr)、鉬(Mo)或鎢鉬合金。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該金屬層為一多層復(fù)合金屬結(jié)構(gòu)，且構(gòu)成該多層金屬結(jié)構(gòu)的材料包含有鋁(Al)或鋁合金、銅(Cu)或銅合金。
5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該介電層作為一柵極絕緣層，包含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)或氮氧化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該半導(dǎo)體層為一非晶硅層、多晶硅層或單晶硅層。
7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該蝕刻停止層由氮化硅所構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該透明導(dǎo)電層由氧化銦錫或氧化銦鋅所構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該數(shù)據(jù)線(xiàn)以及該掃描線(xiàn)位于同一平面。
10.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該數(shù)據(jù)線(xiàn)在該交錯(cuò)區(qū)利用該透明導(dǎo)電層加以跨接。
11.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中在該第二光刻工藝中，可將該交錯(cuò)區(qū)的該蝕刻停止層去除。
12.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中在該第三光刻工藝中，可將該交錯(cuò)區(qū)的該重?fù)诫s半導(dǎo)體層保留。
13.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該數(shù)據(jù)線(xiàn)在該交錯(cuò)區(qū)利用該透明導(dǎo)電層加以跨接。
14.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中沉積該透明導(dǎo)電層中，該制作方法另包含有進(jìn)行一第五光刻工藝，定義出直接電連接該薄膜晶體管的漏極的像素電極，以及電連接該薄膜晶體管的源極和該數(shù)據(jù)線(xiàn)，且通過(guò)該交錯(cuò)區(qū)的一透明導(dǎo)電層。
全文摘要
一種薄膜晶體管液晶顯示器面板的制作方法，可簡(jiǎn)化工藝，可避免短路并提高合格率，其包含提供基板，其上沉積有金屬層，基板上包括晶體管區(qū)、交錯(cuò)區(qū)，及接觸孔區(qū)，其中晶體管區(qū)形成薄膜晶體管；進(jìn)行第一光刻工藝，定義金屬層，以在基板上同時(shí)定義出掃描線(xiàn)、兩分別位于掃描線(xiàn)兩側(cè)且與掃描線(xiàn)不相接觸的數(shù)據(jù)線(xiàn)，及薄膜晶體管的柵極；依序沉積介電層、半導(dǎo)體層與蝕刻停止層；進(jìn)行第二光刻工藝，去除晶體管區(qū)及交錯(cuò)區(qū)以外的蝕刻停止層；沉積重?fù)诫s半導(dǎo)體層；進(jìn)行第三光刻工藝，去除晶體管區(qū)外的重?fù)诫s半導(dǎo)體層；進(jìn)行第四光刻工藝，在介電層中形成接觸孔，曝露出部分掃描線(xiàn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)；及沉積透明導(dǎo)電層，并填入接觸孔。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1532616SQ0312046
公開(kāi)日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2003年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月18日
發(fā)明者郭泰裕 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司