專利名稱：新版光罩的驗證方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種新版光罩的驗證方法，且特別是有關(guān)于一種以舊版光罩在光學檢驗機上驗證新版光罩的方法。
在微影加工中，光罩的正確性是影響整個加工的重要因素。若光罩上的圖案不正確，相對的轉(zhuǎn)移至晶元表面上感光材料的圖案也會是錯誤的，就會造成產(chǎn)品合格率降低。而且，在大量生產(chǎn)相同半導體元件的情況下，需要增加生產(chǎn)線以提高產(chǎn)量，當然就需要依照舊版光罩制作新版光罩，然而所制作的新版光罩的圖案必須與舊版光罩的圖案相同，若兩者的圖案不相同，以新版光罩制造出來的產(chǎn)品就有問題，因此如何驗證新版光罩的正確性是很重要的。
但是，目前業(yè)界并沒有良好的驗證新版光罩的方法，新版光罩在生產(chǎn)線上實際制造產(chǎn)品后，直接在生產(chǎn)線上對比產(chǎn)品是否有問題，才能發(fā)現(xiàn)新版光罩的圖案有無錯誤。而且，在進行產(chǎn)品的對比時，由檢驗一個晶方(Die)的圖案，將此晶方(Die)的圖案與左右相鄰的晶方(Die)的圖案進行對比，而每一個晶方圖案均是由同一個新版光罩進行圖案的轉(zhuǎn)移，若左右相鄰的晶方(Die)圖案皆有問題，則無法檢測出新版光罩上的錯誤。因此，從使用新版光罩制造產(chǎn)品到發(fā)現(xiàn)新版光罩的錯誤，其時間至少需要兩個月以上，不但需要花費大量的時間，而且會有許多設(shè)計上的問題而無法有效的驗證新版光罩的正確性，同時也會造成成本的浪費。而且此種方法只適用同時代光罩間的對比，對于不同時代的新版光罩無法加以對比與驗證。
本發(fā)明的再一目的在提供一種新版光罩的驗證方法，可以用以檢驗不同時代的光罩。
本發(fā)明的又一目的在提供一種新版光罩的驗證方法，可以在使用新版光罩批量生產(chǎn)產(chǎn)品前，即可以檢驗出新版光罩的正確性，以節(jié)省成本。
根據(jù)本發(fā)明的目的而提供一種新版光罩的驗證方法，此方法為提供一晶元，將一新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于晶元上，以在晶元上形成一第一圖案后，再將一舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于晶元上，以于晶元上形成一第二圖案，以及對比第一圖案與第二圖案，以驗證新版光罩的正確性。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的新版光罩與舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于同一晶元上的光阻層上。而且新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于晶元的復數(shù)個第一曝光區(qū)塊上，舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于晶元的復數(shù)個第二曝光區(qū)塊與復數(shù)個第三曝光區(qū)塊上，第一曝光區(qū)塊位于第二曝光區(qū)塊與第三曝光區(qū)塊之間，且第一曝光區(qū)塊、第二曝光區(qū)塊、第三曝光區(qū)塊各成一列。在進行對比時，以第一曝光區(qū)塊的圖案與其左右相鄰的第二曝光區(qū)塊的圖案、第三曝光區(qū)塊的圖案相比較，若沒有不同點，則此新版光罩為正確的。以第一曝光區(qū)塊的圖案與其左右相鄰的第二曝光區(qū)塊的圖案、第三曝光區(qū)塊的圖案相比較，若具有相異點，則必須檢驗相異點，以確定相異點是否為新版光罩圖案上的錯誤所造成。
本發(fā)明將新版光罩與舊版光罩的圖案同時轉(zhuǎn)移于同一個晶元上，再利用光學檢驗機對比晶元上新版光罩的曝光區(qū)塊的圖案與舊版光罩的曝光區(qū)塊的圖案，以舊版光罩(正確光罩)驗證新版光罩，可以有效且快速地檢驗新版光罩的正確性，只需三天即可完成新版光罩的檢驗。因此，可在新版光罩批量生產(chǎn)產(chǎn)品前，即可以檢驗出新版光罩的正確性，以節(jié)省成本。
由于在光學檢驗機中進行對比時，是以曝光區(qū)塊對曝光區(qū)塊相比，可以對比光罩邊緣的測試鍵，驗證整塊新版光罩的正確性。因此，相對于公知以單一晶方進行對比的方式，本發(fā)明的方法較為有效且快速。
而且，本發(fā)明的方法可以利用相同時代的光罩相比較，也可以適用于不同時代光罩間的比較，例如以I-線(I-Line)的光罩驗證深紫外光(D-UV)的光罩，或以深紫外光(D-UV)的光罩驗證I-線(I-Line)的光罩，同樣可以得到良好的效果。
根據(jù)本發(fā)明的目的又提供一種新版光罩的驗證方法，此方法提供一晶元，依序于晶元上形成一當層與一第一光阻層后，進行一曝光、顯影步驟，將一新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移至第一光阻層。接著，利用第一光阻層為罩幕進行蝕刻，以在當層形成一第一圖案后，去除第一光阻層。然后于晶元上形成一第二光阻層，再進行一曝光、顯影步驟，將一舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移至第二光阻層，并以第二光阻層為罩幕進行蝕刻，以在當層形成一第二圖案后，去除該第二光阻層。然后，對比第一圖案與該第二圖案，以驗證新版光罩的正確性。
依照本發(fā)明實施例所述，依序?qū)⑿掳婀庹值膱D案與舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于同一個晶元的當層(使用光罩于產(chǎn)品上的一材料層上，此材料層稱為當層)上，再利用光學檢驗機對比形成于當層上新版光罩的圖案與舊版光罩的圖案，以進行新版光罩的驗證?？梢杂行У厍铱焖俚臋z驗新版光罩的正確性，只需三天即可完成新版光罩的檢驗。因此，可在新版光罩量產(chǎn)產(chǎn)品前，即可以檢驗出新版光罩的正確性，以節(jié)省成本。
由于，在光學檢驗機上進行對比時，是以當層上曝光區(qū)塊內(nèi)的新版光罩的圖案與當層上曝光區(qū)塊內(nèi)的舊版光罩的圖案相比，可以對比光罩邊緣的測試鍵，驗證整塊新版光罩的正確性。因此，相對于以往以單一晶方進行對比的方式，本發(fā)明的方法較為有效且快速。
而且，本發(fā)明的方法可以利用相同時代的光罩相比較，也可以適用于不同時代光罩間的比較，例如以I-線(I-Line)的光罩驗證深紫外光(D-UV)的光罩，或以深紫外光(D-UV)的光罩驗證I-線(I-Line)的光罩，同樣可以得到良好的效果。
圖2為本發(fā)明第二實施例的新版光罩的驗證方法示意圖。
圖3A至圖3D為本發(fā)明第二實施例沿圖2II-II’線的制造流程剖面圖。
圖4為本發(fā)明的新版光罩的驗證方法示意圖。
附圖標記說明100、200、400晶元202材料層(當層)204、206光阻層A1、A2、A3、A4、A5、B1、B2、B3、B4、B5、C1、C2、C3、C4、C5、D1、D2、D3、D4、D5、E1、E2、E3、E4、E5、K1、K2、K3、L1、L2、L3、M1、M2、M3曝光區(qū)塊F1、F2、F3、F4、F5、G1、G2、G3、G4、G5、HI、H2、H3、H4、H5、I1、I2、I3、I4、I5、J1、J2、J3、J4、J5圖案區(qū)本發(fā)明的第一實施例為說明相同時代光罩間的驗證。首先，請參照

圖1，在一晶元100上形成一光阻層后，將新版光罩的圖案曝在晶元100的曝光區(qū)塊(Shot)C1至C5中，然后將舊版光罩的圖案曝在晶元100的曝光區(qū)塊(Shot)C1至C5左邊的曝光區(qū)塊A1至A5、曝光區(qū)塊B1至B5以及晶元100的曝光區(qū)塊(Shot)C1至C5右邊的曝光區(qū)塊D1至D5、曝光區(qū)塊E1至E5。然后，將此晶元100置于光學檢驗機中對比晶元上新版光罩的圖案與舊版光罩的圖案，以進行新版光罩的驗證。其中，光學檢驗機例如是科磊光學檢驗機，而曝光區(qū)塊C1至C5是位于在同一列上，曝光區(qū)塊A1至A5、曝光區(qū)塊B1至B5是位于曝光區(qū)塊C1至C5左邊的兩個列上。曝光區(qū)塊D1至D5、曝光區(qū)塊E1至E5是位于曝光區(qū)塊C1至C5右邊的兩個列上。因此，曝光區(qū)塊在晶元100上的位置，由左至右依序為曝光區(qū)塊A1至A5、曝光區(qū)塊B1至B5、曝光區(qū)塊C1至C5、曝光區(qū)塊D1至D5與曝光區(qū)塊E1至E5。
在進行對比時，以曝光區(qū)塊C1為例作說明，曝光區(qū)塊C1的圖案先與其左右相鄰的曝光區(qū)塊B1的圖案與曝光區(qū)塊D1的圖案相比較，檢測是否有不同點。然后，曝光區(qū)塊B1的圖案與其左右相鄰的曝光區(qū)塊A1的圖案與曝光區(qū)塊C1的圖案相比較，檢測是否有不同點；曝光區(qū)塊D1的圖案與其左右相鄰的曝光區(qū)塊E1的圖案與曝光區(qū)塊C1的圖案相比較，檢測是否有不同點。若都沒有不同點，則此新版光罩為正確的。若具有相異點，則檢驗相異點，以確定相異點是否為新版光罩圖案上的錯誤造成。
因此，在進行新版光罩的圖案與舊版光罩的圖案對比時，是以整個曝光區(qū)塊的圖案作對比，能夠發(fā)現(xiàn)整塊光罩是否有問題。因為利用晶方的圖案與相鄰晶方的圖案進行對比時，只能夠驗證晶方圖案的正確性，對于晶方與晶方間的圖案(例如測試鍵(Test Key)，通常是位于光罩的切割道)并沒有進行對比。所以對于新版光罩的驗證，只能驗證晶方圖案的正確性，無法驗證晶方與晶方間的圖案是否相同。而本發(fā)明使用新版光罩的整個曝光區(qū)塊與舊版光罩的整個曝光區(qū)塊相對比，則可以對比晶方與晶方的間的圖案，驗證整塊新版光罩的正確性。
圖2為依照本發(fā)明第二實施例繪示的一種不同時代光罩間的驗證方法的示意圖。而圖3A至圖3E顯示本發(fā)明第二實施例沿圖2II-II’線的制造流程剖面圖。首先，請參照圖2與圖3A，提供一晶元200，于晶元上形成一材料層202(當層)，此材料層202的材料例如是氧化硅、氮化硅、多晶硅、氮氧化硅等。形成材料層202的方法例如是化學氣相沉積法。然后于材料層202(當層)上形成一層光阻層204。
接著請參照圖2與圖3B，進行一曝光、顯影步驟，將新版光罩(例如是DUV光罩)的圖案轉(zhuǎn)移至光阻層204后，以光阻層204為罩幕進行蝕刻，以在材料層202(當層)形成新版光罩的圖案區(qū)H1至H5。
接著，請參照圖2與圖3C，去除光阻層204，再于晶元200上形成另一層光阻層206，進行一曝光、顯影步驟，將舊版光罩(例如是I-Line光罩)的圖案轉(zhuǎn)移至光阻層206后，以光阻層206為罩幕進行蝕刻，于材料層202中的新版光罩的圖案區(qū)H1至H5左邊形成舊版光罩的圖案區(qū)F1至F5、圖案區(qū)G1至G5以及新版光罩的圖案區(qū)H1至H5右邊形成舊版光罩的圖案區(qū)I1至I5、圖案區(qū)J1至J5。
接著，請參照圖3D，去除光阻層206。然后，將此晶元200置于科磊光學檢驗機中對比晶元上新版光罩的圖案與舊版光罩形成的圖案，以驗證新版光罩的正確性。其中新版光罩的圖案區(qū)H1至H5形成在同一列上，舊版光罩的圖案區(qū)F1至F5、圖案區(qū)G1至G5是形成于新版光罩的圖案區(qū)H1至H5左邊的兩個列上。舊版光罩的圖案區(qū)I1至I5、圖案區(qū)J1至J5是形成于新版光罩的圖案區(qū)H1至H5右邊的兩個列上。因此，圖案區(qū)在晶元200上的位置如圖2所示，由左至右依序為圖案區(qū)F1至F5、圖案區(qū)G1至G5、圖案區(qū)H1至H5、圖案區(qū)I1至I5與圖案區(qū)J1至J5。
上述的圖案區(qū)F1至F5、圖案區(qū)G1至G5、圖案區(qū)H1至H5、圖案區(qū)I1至I5與圖案區(qū)J1至J5的每一個圖案區(qū)是各自形成于晶元上的曝光區(qū)塊中，因此在光學檢測機中進行對比時，也是以曝光區(qū)塊對曝光區(qū)塊相比較。
在科磊光學檢驗機中進行對比時，以新版光罩的圖案區(qū)H1為例作說明，新版光罩的圖案區(qū)H1先與其左右相鄰的舊版光罩的圖案區(qū)G1與圖案區(qū)I1相比較，檢測是否有不同點。然后，舊版光罩的圖案區(qū)G1與其左右相鄰的新版光罩的圖案區(qū)H1、舊版光罩的圖案區(qū)F1相比較，檢測是否有不同點；舊版光罩的圖案區(qū)I1與其左右相鄰的新版光罩的圖案區(qū)H1、舊版光罩的圖案區(qū)J1相比較，檢測是否有不同點。若都沒有不同點，則此新版光罩為正確的。若具有相異點，則檢驗相異點，以確定相異點是否為新版光罩圖案上的錯誤造成。
此外，若在每一個新版光罩的圖案區(qū)H1至H5中的相同位置出現(xiàn)了重復的信號，就必須對每一個重復的信號進行檢驗，以確認其是否為合理的信號，此種合理的信號例如是由光罩編號造成的。舉例來說，若新版光罩為D-UV光罩，則轉(zhuǎn)移至晶元上的新版光罩的圖案會出現(xiàn)“120”圖樣，而舊版光罩為I-Line光罩，則轉(zhuǎn)移到晶元上的舊版光罩的圖案會出現(xiàn)“320”圖樣。因此，進行新版光罩的驗證時，光學檢測機就會因上述光罩編號圖樣的不相同而指出新版光罩的圖案區(qū)H1至H5對于舊版光罩的圖案區(qū)F1至F5、圖案區(qū)G1至G5、圖案區(qū)I1至I5與圖案區(qū)J1至J5具有相異點，而在每一個圖案區(qū)H1至H5中出現(xiàn)重復的信號，此種重復的信號即為合理的信號。若重復的信號為不合理的信號，則新版光罩為異常。
此外，上述實施例中都是以先于晶元中形成新版光罩的圖案，再于新版光罩的圖案的兩側(cè)形成舊版光罩的圖案。當然也可以先于晶元中形成至少兩舊版光罩的圖案，再于舊版光罩圖案的中央形成新版光罩的圖案。
在上述實施例中，在晶元上的新版光罩的圖案區(qū)的左右兩側(cè)各形成兩列舊版光罩的圖案區(qū)而形成五列的圖案區(qū)，再進行新版光罩的圖案與舊版光罩圖案的對比，當然也可以在晶元上的新版光罩的圖案區(qū)的左右兩側(cè)各形成兩列以上的舊版光罩的圖案區(qū)而形成五列以上的圖案。
以上的實施例是以科磊光學檢驗機進行說明，如果光學檢驗機的功能夠強，只需在晶元上的新版光罩圖案的左右兩側(cè)各形成一列的舊版光罩的圖案而形成三列的圖案，再進行新版光罩的圖案與舊版光罩圖案的對比。或者也可以選取晶元上任意一個新版光罩的圖案區(qū)(曝光區(qū)塊)與任意的舊版光罩的圖案區(qū)(曝光區(qū)塊)，直接進行新版光罩的圖案與舊版光罩圖案的對比，驗證新版光罩的正確性。舉例來說，請參照圖2，直接選取新版光罩的圖案區(qū)H1至H5的其中任一個圖案區(qū)例如是圖案區(qū)H2與舊版光罩的圖案區(qū)F1至F5、圖案區(qū)G1至G5、圖案區(qū)I1至I5與圖案區(qū)J1至J5的其中任兩個以上的圖案區(qū)例如是圖案區(qū)G3與圖案區(qū)F4做對比，檢測是否有不同點。若都沒有不同點，則此新版光罩為正確的。若具有相異點，則檢驗相異點，確定相異點是否為新版光罩圖案上的錯誤造成，以進行新版光罩的驗證。
在本發(fā)明上述實施例中，新版光罩的圖案與舊版光罩的圖案是形成于同一直列的曝光區(qū)塊中，當然如果光學檢驗機的功能夠強，可以如圖4所示，在一晶元400上形成一光阻層后，將新版光罩的圖案曝在晶元400的曝光區(qū)塊(Shot)K1至K3中，然后將舊版光罩的圖案曝在晶元400的曝光區(qū)塊(Shot)K1至K3上方的曝光區(qū)塊L1至L3以及晶元400的曝光區(qū)塊(Shot)K1至K3右邊的曝光區(qū)塊M1至M3。然后，將此晶元400置于光學檢驗機中對比晶元上新版光罩的圖案與舊版光罩的圖案，以進行新版光罩的驗證。其中曝光區(qū)塊K1至K3位于對角線相連的同一列上，曝光區(qū)塊L1至L3位于曝光區(qū)塊K1至K3上方的對角線相連的同一列上。曝光區(qū)塊M1至M3位于曝光區(qū)塊K1至K3下方的對角線相連的同一列上。在進行對比時，以曝光區(qū)塊K2為例作說明，曝光區(qū)塊K2的圖案可以與其上下相鄰的曝光區(qū)塊L2的圖案與曝光區(qū)塊M2的圖案相比較，檢測是否有不同點?；蛘撸毓鈪^(qū)塊K2的圖案與其左右相鄰的曝光區(qū)塊M1的圖案與曝光區(qū)塊L3的圖案相比較，檢測是否有不同點。若都沒有不同點，則此新版光罩為正確的。若具有相異點，則檢驗相異點，以確定相異點是否為新版光罩圖案上的錯誤造成。
依照本發(fā)明實施例所述，利用光學檢驗機以舊版光罩(正確光罩)驗證新版光罩，可以有效且快速地檢驗新版光罩的正確性，只需三天即可完成新版光罩的檢驗。因此，可在新版光罩批量生產(chǎn)產(chǎn)品前，即可以檢驗出新版光罩的正確性，以節(jié)省成本。
而且，將新版光罩的圖案與舊版光罩的圖案同時轉(zhuǎn)移于同一個晶元上，對比晶元上以新版光罩形成的圖案與以舊版光罩形成的圖案，進行新版光罩的驗證。而且，在光學檢驗機中進行對比時，是以曝光區(qū)塊對曝光區(qū)塊相比，可以對比光罩邊緣的測試鍵，驗證整塊新版光罩的正確性。因此，相對于公知以單一晶方進行對比的方式，本發(fā)明的方法較為有效且快速。
此外，本發(fā)明的方法可以利用相同時代的光罩相比較，也可以適用于不同時代光罩間的比較，例如以I-線(I-Line)的光罩驗證深紫外光(D-UV)的光罩，或以深紫外光(D-UV)的光罩驗證I-線(I-Line)的光罩，同樣可以得到良好的效果。
雖然本發(fā)明已以一實施例說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)的人，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求書為準。
權(quán)利要求
1.一種新版光罩的驗證方法，其特征為該方法包括提供一晶元；將一新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元上，以在該晶元上形成一第一圖案；將一舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元上，以于該晶元上形成一第二圖案；以及對比該第一圖案與該第二圖案，以驗證該新版光罩的正確性。
2.如權(quán)利要求1所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元上的一光阻層上，且該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的該光阻層上。
3.如權(quán)利要求1所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的一第一曝光區(qū)塊上，該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的一第二曝光區(qū)塊上。
4.如權(quán)利要求1所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的一第一曝光區(qū)塊上，該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的二第二曝光區(qū)塊上，該第一曝光區(qū)塊是位于該些第二曝光區(qū)塊之間。
5.如權(quán)利要求1所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的復數(shù)個第一曝光區(qū)塊上，該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的復數(shù)個第二曝光區(qū)塊與復數(shù)個第三曝光區(qū)塊上，該些第一曝光區(qū)塊位于該些第二曝光區(qū)塊與該些第三曝光區(qū)塊之間，且該些第一曝光區(qū)塊、該些第二曝光區(qū)塊、該些第三曝光區(qū)塊各成一列。
6.如權(quán)利要求1所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩與該舊版光罩屬于相同時代的光罩。
7.如權(quán)利要求1所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩與該舊版光罩屬于不同時代的光罩。
8.一種新版光罩的驗證方法，其特征為該方法包括提供一晶元；于該晶元上形成一當層；于該當層上形成一第一光阻層；進行一曝光、顯影步驟，將一新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移至該第一光阻層；以該第一光阻層為罩幕進行蝕刻，以在該當層形成一第一圖案；去除該第一光阻層；于該晶元上形成一第二光阻層；進行一曝光、顯影步驟，將一舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移至該第二光阻層；以該第二光阻層為罩幕進行蝕刻，以在該當層形成一第二圖案；去除該第二光阻層；以及對比該第一圖案與該第二圖案，以驗證該新版光罩的正確性。
9.如權(quán)利要求8所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩與該舊版光罩屬于不同時代的光罩。
10.如權(quán)利要求8所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩與該舊版光罩屬于相同時代的光罩。
11.如權(quán)利要求8所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該當層的一第一曝光區(qū)塊上，該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該當層的一第二曝光區(qū)塊上。
12.如權(quán)利要求8所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該當層的的一第一曝光區(qū)塊上，該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該當層的二第二曝光區(qū)塊上，該第一曝光區(qū)塊位于該些第二曝光區(qū)塊之間。
13.如權(quán)利要求8所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該當層的的復數(shù)個第一曝光區(qū)塊上，該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該當層的的復數(shù)個第二曝光區(qū)塊與復數(shù)個第三曝光區(qū)塊上，該些第一曝光區(qū)塊位于該些第二曝光區(qū)塊與該些第三曝光區(qū)塊之間，且該些第一曝光區(qū)塊、該些第二曝光區(qū)塊、該些第三曝光區(qū)塊各成一列。
14.一種新版光罩的驗證方法，其特征為該方法包括提供一晶元，具有復數(shù)個第一曝光區(qū)塊、復數(shù)個第二曝光區(qū)塊、以及復數(shù)個第三曝光區(qū)塊，且該些第一曝光區(qū)塊、該些第二曝光區(qū)塊、該些第三曝光區(qū)塊各成一列；將一新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的該些第一曝光區(qū)塊中，以在該晶元上形成復數(shù)個第一圖案；將一舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的該些第二曝光區(qū)塊與該些第三曝光區(qū)塊中，以于該晶元上形成復數(shù)個第二圖案；以及對比該些第一圖案與該些第二圖案，以驗證該新版光罩的正確性。
15.如權(quán)利要求14所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩與該舊版光罩屬于不同時代的光罩。
16.如權(quán)利要求14所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩與該舊版光罩屬于相同時代的光罩。
17.如權(quán)利要求15所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元上的一當層上，且該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的該當層上。
18.如權(quán)利要求16所述的新版光罩的驗證方法，其特征為該新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元上的一光阻層上，且該舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于該晶元的該光阻層上。
19.如權(quán)利要求14所述的新版光罩的驗證方法，其特征為對比該些第一圖案與該些第二圖案的步驟中是以該些第一曝光區(qū)塊與該些第二曝光區(qū)塊、該些第三曝光區(qū)塊相對比。
20.如權(quán)利要求14所述的新版光罩的驗證方法，其特征為對比該些第一圖案與該些第二圖案的步驟中選取該些第一曝光區(qū)塊的其中一個該第一圖案與該些第二曝光區(qū)塊的其中一個該第二圖案、該些第三曝光區(qū)塊的其中一個該第二圖案相對比。
全文摘要
一種新版光罩的驗證方法，此方法是提供一晶元，將一新版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于晶元上，以在晶元上形成一第一圖案后，再將一舊版光罩的圖案轉(zhuǎn)移于晶元上，以在晶元上形成一第二圖案，然后，利用光學檢驗機對比晶元上的第一圖案與第二圖案，以驗證新版光罩的正確性。
文檔編號G03F1/84GK1414428SQ0113669
公開日2003年4月30日 申請日期2001年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月26日
發(fā)明者林明裕, 陳威銘, 周宗賢, 吳滿堂 申請人:旺宏電子股份有限公司