專利名稱：薄膜晶體管液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，以下簡(jiǎn)稱TFT-LCD)的制作方法，特別是涉及一種可避免面繼現(xiàn)象發(fā)生的薄膜晶體管液晶顯示器。
隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，平面顯示器(plate panel display)的應(yīng)用范圍以及市場(chǎng)需求也不斷在擴(kuò)大。而液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)即為平面顯示器中常被廣泛使用的一種，從小型產(chǎn)品，如電子血壓計(jì)，到可攜帶式信息產(chǎn)品，如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、筆記型電腦(notebook)，以至于未來(lái)非常可能商業(yè)化的大畫(huà)面顯示器，均可見(jiàn)到液晶顯示器被應(yīng)用于其上。
目前，液晶顯示器系統(tǒng)大部分都是利用做成矩陣狀排列的薄膜晶體管，并配合以適當(dāng)?shù)碾娙荨⑦B接墊等電子元件，來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶像素，進(jìn)而產(chǎn)生豐富亮麗的圖像。傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶顯示器基本上包含有一透明基板(transparent substrate)，其上具有許多排列成陣列的薄膜晶體管、像素電極(pixel electrode)、互相垂直交錯(cuò)(orthogonal)的掃描線(scan or gate line)以及信號(hào)線(data or signal line)、一濾光板(color filter)、以及填充于透明基板與濾光板之間的液晶材料。由于此結(jié)構(gòu)非常輕薄短小，同時(shí)又具有耗電量少以及無(wú)輻射污染的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用在上述民用及信息產(chǎn)品上，并且在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿Α?br> 請(qǐng)參考

圖1，圖1為現(xiàn)有制作單一TFT LCD 10系統(tǒng)的剖面示意圖?，F(xiàn)有技術(shù)是利用一七次照相與腐蝕工藝(PEP)于透明玻璃基板11上形成TFTLCD系統(tǒng)10，并應(yīng)用在一扭轉(zhuǎn)向列(twist-nematic，TN)式TFT LCD 10系統(tǒng)的制作上。因?yàn)樵趯?shí)際的面板制作時(shí)，面板上包含有多種不同的元件，如薄膜晶體管、像素電極、掃描線、信號(hào)線、電容以及連接墊，并且每個(gè)元件之間，有一定的空間配置關(guān)系，如果全部顯示在同一張剖面圖上，將會(huì)非常復(fù)雜，故于此剖面圖上，只顯示其中薄膜晶體管、像素電極、掃描線、信號(hào)線、連接墊以及掃描線與信號(hào)線交錯(cuò)的部分。
如圖1A所示，玻璃基板11表面包含有至少一晶體管(transistor)區(qū)210用來(lái)形成一薄膜晶體管(TFT)，至少一連接墊(pad)區(qū)220用來(lái)形成一連接墊，以及至少一掃描線(scan line)與信號(hào)線(signal line)的交錯(cuò)(cross over)區(qū)230?，F(xiàn)有制作薄膜晶體管液晶顯示器的方法是先在玻璃基板11的表面上沉積一第一金屬層(未顯示)，接著進(jìn)行一第一照相與腐蝕工藝(PEP-1)，以于玻璃基板11的表面上分別形成一柵極電極12、一用來(lái)當(dāng)作墊電極的連接墊14以及一通過(guò)交錯(cuò)區(qū)230的掃描線16。其中柵極電極12連接于玻璃基板11表面上的另一掃描線(未顯示于圖中)。
如圖1B所示，在完成該第一照相與腐蝕工藝之后，接著在玻璃基板上依序全面沉積一第一絕緣層(first isolation layer)18、一第二絕緣層(secondisolation layer)22、一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)24與一蝕刻停止(etchingstop)層(未顯示于圖中)。然后再進(jìn)行一第二照相與腐蝕工藝(PEP-2)，以于柵極電極12之上，形成一蝕刻停止圖案26，而其余連接墊14以及掃描線(未顯示)與信號(hào)線(未顯示)的交錯(cuò)區(qū)230的上方，則完全不保留此該蝕刻停止層(未顯示于圖中)。其中，半導(dǎo)體層24可視工藝或顯示面積等條件而定來(lái)選擇多晶硅或非晶硅材料，而該蝕刻停止層則是由氮化硅所構(gòu)成，以避免半導(dǎo)體層24被后續(xù)的蝕刻工藝所侵蝕。
如圖1C所示，在半導(dǎo)體層24與蝕刻停止圖案26的上方全面沉積一摻雜硅導(dǎo)電層28。接著進(jìn)行一第三照相與腐蝕工藝(PEP-3)來(lái)定義摻雜硅導(dǎo)電層28、半導(dǎo)體層24以及第二絕緣層22的圖案，以去除晶體管區(qū)210以及交錯(cuò)區(qū)230以外的摻雜硅導(dǎo)電層28、半導(dǎo)體層24以及第二絕緣層22，并同時(shí)于第二絕緣層22、半導(dǎo)體層24以及摻雜硅導(dǎo)電層28中，形成一信號(hào)線圖案做為后續(xù)信號(hào)線(未顯示于圖中)的底部隔離層。
如圖1D所示，在摻雜硅導(dǎo)電層28以及第一絕緣層18的上方，全面形成一透明導(dǎo)電層(未顯示于圖中)。接著進(jìn)行一第四照相與腐蝕工藝(PEP-4)，以于該信號(hào)線圖案上形成形成一透明導(dǎo)電層32當(dāng)作輔助信號(hào)線，并于該輔助信號(hào)線兩側(cè)的第一絕緣層18的上方各形成一像素電極34。
如圖1E所示，進(jìn)行一第五照相與腐蝕工藝(PEP-5)，以將連接墊14圖案上方的第一絕緣層18蝕刻出一個(gè)開(kāi)口，使得墊電極14暴露于該開(kāi)口中。接著如圖1F所示，于玻璃基板11上方，全面形成一第二金屬層(未顯示于圖中)。接著進(jìn)行一第六照相與腐蝕工藝(PEP-6)，以于該輔助信號(hào)線表面以及連接墊區(qū)220的該開(kāi)口上方分別形成一主信號(hào)線以及一信號(hào)連接墊(padsignal)39，并使第二金屬層38覆蓋于晶體管區(qū)210上方同時(shí)電連接于像素電極34，且于蝕刻停止層圖案26上方的第二金屬層38中形成一開(kāi)口，直至蝕刻停止層圖案26表面。形成薄膜晶體管(TFT)42。
最后如圖1G所示，于玻璃基板11上方全面形成一保護(hù)層，接著進(jìn)行一第七照相與腐蝕工藝(PEP-7)，去除連接墊區(qū)220的該開(kāi)口上方以及像素電極34表面的保護(hù)層44，以暴露部分的信號(hào)連接墊39以及像素電極34。
綜合上述說(shuō)明，現(xiàn)有制做信號(hào)線36的方法，是先提供一玻璃基板11，于其上形成一第一絕緣層18以及一第二絕緣層(未顯示于圖2中)，然后經(jīng)過(guò)一些中間工藝之后，先形成一半導(dǎo)體層24與摻雜硅導(dǎo)電層28，定義其圖案，于半導(dǎo)體層24以及摻雜硅導(dǎo)電層28上形成一信號(hào)線圖案。然后在其上形成一透明導(dǎo)電層32當(dāng)作輔助信號(hào)線，接著再利用一照相與腐蝕工藝，蝕刻定義該透明導(dǎo)電層32的圖案，最后再于透明導(dǎo)電層32上形成一第二金屬層38當(dāng)作主信號(hào)線，以與透明導(dǎo)電層上下重疊構(gòu)成一信號(hào)線36。
然而如圖2所示，半導(dǎo)體層24與摻雜硅導(dǎo)電層28的圖案是由同一光掩模形成，而透明導(dǎo)電層32與第二金屬層38是由另一光掩模形成，因此在每一次的照相與腐蝕工藝來(lái)形成圖案時(shí)，均會(huì)產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)誤差以及蝕刻誤差。尤其在動(dòng)輒百萬(wàn)像素的液晶顯示器面板上，這種對(duì)不準(zhǔn)、蝕刻不凈或過(guò)度蝕刻的現(xiàn)象更是容易發(fā)生。一開(kāi)始時(shí)在布局設(shè)計(jì)時(shí)，信號(hào)線36與兩邊像素電極34的距離設(shè)定為δ0，但是在蝕刻透明導(dǎo)電層32時(shí)，透明導(dǎo)電層32與兩邊像素電極34之間的距離，就可能因?yàn)楣饪坦に嚨亩ㄎ徊粶?zhǔn)而形成為δ1與δ2，而在后續(xù)形成當(dāng)作主信號(hào)線的第二金屬層38時(shí)，信號(hào)線36與兩邊像素電極34之間的距離又可能因?yàn)樵摴饪坦に嚨亩ㄎ徊粶?zhǔn)而變?yōu)棣?與δ4。此種誤差若表現(xiàn)在布局上視圖中，則如圖2所示。
當(dāng)液晶顯示器面板上所有的信號(hào)線36與兩邊像素電極34之間的距離出現(xiàn)不等距的現(xiàn)象(δ3≠δ4)或不在某個(gè)設(shè)定值之內(nèi)時(shí)，都將可能會(huì)使液晶顯示器面板發(fā)生亮線問(wèn)題，也就是面繼(Mentsuki)現(xiàn)象。因此如何避免上述問(wèn)題的發(fā)生，便成為制作液晶顯示器時(shí)的重要課題。
本發(fā)明的目的是提出一種液晶顯示器的制作方法，以消除液晶顯示器面板發(fā)生亮線的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)的制作方法，該顯示器制作于一基板(substrate)上，且該基板包括至少一晶體管(transistor)區(qū)用來(lái)形成一薄膜晶體管(TFT)，以及至少一掃描線(scan line)與信號(hào)線(siganl line)的交錯(cuò)區(qū)，該制作方法包括下列步驟于該基板的表面上形成一第一金屬層；定義該第一金屬層的圖案(pattern)，以于該晶體管區(qū)內(nèi)形成一柵極電極，并同時(shí)于該基板表面形成一通過(guò)該交錯(cuò)區(qū)的掃描線；于該基板表面依次沉積一第一絕緣層、第二絕緣層、以及一半導(dǎo)體層(semiconductorlayer)，并覆蓋于該柵極電極以及該掃描線表面；于該半導(dǎo)體層表面形成一蝕刻停止層，且該蝕刻停止層位于該柵極電極上方；于該半導(dǎo)體層與該蝕刻停止層的上方全面沉積一摻雜硅(doped silicon)導(dǎo)電層；定義該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層以及該第二絕緣層的圖案，以去除該晶體管區(qū)以及該交錯(cuò)區(qū)以外的該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層以及該第二絕緣層；于該基板表面形成一透明導(dǎo)電層；定義該透明導(dǎo)電層的圖案，以于該基板表面形成至少一輔助信號(hào)線以及至少一像素電極，該輔助信號(hào)線會(huì)通過(guò)該交錯(cuò)區(qū)，且該輔助信號(hào)線與該掃描線之間隔離有該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層、該第二絕緣層以及該第一絕緣層；于該基板表面形成一第二金屬層；定義該第二金屬層的圖案，以于該輔助信號(hào)線表面形成一主信號(hào)線，并使該第二金屬層覆蓋該晶體管區(qū)，同時(shí)電連接于該像素電極，接著于該蝕刻停止層上方的該第二金屬層中形成一開(kāi)口，使該蝕刻停止層暴露出來(lái)，以形成該薄膜晶體管；于該基板表面形成一保護(hù)層；以及定義該保護(hù)層的圖案，去除該像素電極表面的該保護(hù)層，以暴露該像素電極；其中該輔助信號(hào)線與該掃描線同時(shí)通過(guò)的該交錯(cuò)區(qū)上則存在有該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層、該第二絕緣層以及該第一絕緣層隔離在該輔助信號(hào)線與該掃描線之間。
下面結(jié)合附圖來(lái)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。附圖中圖1A至圖1G為現(xiàn)有技術(shù)制作TFT LCD系統(tǒng)的剖面示意圖；圖2為制作圖1的液晶顯示器的信號(hào)線與像素電極的剖面示意圖；圖3為圖1的液晶顯示器的信號(hào)線與像素電極的上視圖；圖4A至4G為本發(fā)明制作TFT LCD系統(tǒng)的剖面示意圖；圖5為圖4的液晶顯示器的信號(hào)線與像素電極完成后的剖面示意圖；以及圖6為圖4的液晶顯示器的信號(hào)線與像素電極的上視圖。附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明10、100液晶顯示器11、101玻璃基板12、102柵極 14、104連接墊
16、106掃描線18、108第一絕緣層22、112第二絕緣層24、114半導(dǎo)體層26、116蝕刻停止圖案28、118摻雜硅導(dǎo)電層 32、124透明導(dǎo)電層34、126像素電極 36、128信號(hào)線38第二金屬層 39、129信號(hào)連接墊42、122 TFT 44、134保護(hù)層125a、125b輔助信號(hào)線 132a、132b主信號(hào)線133a 源極 133b 漏極210、310晶體管區(qū) 220、320連接墊區(qū)230、330交錯(cuò)區(qū)請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明制作一液晶顯示器(TFT LCD)100的剖面示意圖。本發(fā)明技術(shù)可應(yīng)用在一扭轉(zhuǎn)向列(twist-nematic，TN)式液晶顯示器的制作上。圖中只顯示其中薄膜晶體管、像素電極、掃描線、信號(hào)線、連接墊以及掃描線與信號(hào)線交錯(cuò)的部分。
如圖4A所示，玻璃基板101表面包含有至少一晶體管(transistor)區(qū)310用來(lái)形成一薄膜晶體管(TFT)，至少一連接墊(pad)區(qū)320用來(lái)形成一連接墊，以及至少一掃描線(scan line)與信號(hào)線(signal line)的交錯(cuò)(cross over)區(qū)330。本發(fā)明方法是先在玻璃基板101的表面上沉積一第一金屬層(未顯示)，接著定義該第一金屬層的圖案，于玻璃基板的表面上的晶體管區(qū)310、連接墊區(qū)320、交錯(cuò)區(qū)330內(nèi)分別形成一柵極電極102、一用來(lái)當(dāng)作墊電極的連接墊104以及一通過(guò)交錯(cuò)區(qū)330的掃描線106。其中柵極電極102與掃描線106電連接。
如圖4B所示，接著在玻璃基板上101依次全面沉積一第一絕緣層108、一第二絕緣層112、與一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)114，然后在柵極電極102上方，形成一蝕刻停止層116。其中，半導(dǎo)體層114可視工藝或顯示面積等條件而定來(lái)選擇多晶硅或非晶硅材料，該蝕刻停止層可由氮化硅所構(gòu)成，以避免半導(dǎo)體層114被后續(xù)的蝕刻工藝所侵蝕，而第一絕緣層108以及第二絕緣層112則可由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNy)構(gòu)成。
如圖4C所示，接著在半導(dǎo)體層114與蝕刻停止層116上方全面沉積一摻雜硅導(dǎo)電層118。然后同時(shí)定義摻雜硅導(dǎo)電層118、半導(dǎo)體層114以及第二絕緣層112的圖案，此時(shí)，去除晶體管區(qū)310以及交錯(cuò)區(qū)330以外的摻雜硅導(dǎo)電層118、半導(dǎo)體層114以及第二絕緣層112。也就是，在玻璃基板101表面預(yù)定形成一信號(hào)線(未顯示于圖中)的位置上，不留下半導(dǎo)體層114、摻雜硅導(dǎo)電層118以及第二絕緣層112，同時(shí)連接墊104上方也不保留任何第二絕緣層112、半導(dǎo)體層114以及摻雜硅導(dǎo)電層118。
隨后如圖4D所示，在摻雜硅導(dǎo)電層118以及第一絕緣層108的上方形成一透明導(dǎo)電層124。接著定義該透明導(dǎo)電層124的圖案，使其存留在預(yù)定形成信號(hào)線處，用來(lái)當(dāng)作一輔助信號(hào)線125a，并同時(shí)于玻璃基板101表面預(yù)定形成該信號(hào)線兩側(cè)，分別形成一像素電極126。其中該輔助信號(hào)線125b亦會(huì)形成于交錯(cuò)區(qū)330的摻雜硅導(dǎo)電層118之上。
如圖4E所示，接著將連接墊104上方的第一絕緣層108蝕刻出一個(gè)開(kāi)口，使墊電極104暴露于該開(kāi)口中。然后如圖4F所示，于玻璃基板101上方，全面形成一第二金屬層132并定義其圖形。此時(shí)，于輔助信號(hào)線125a、125b上方以及連接墊區(qū)320的該開(kāi)口上方分別形成主信號(hào)線132a、132b以及一信號(hào)連接墊129，并使第二金屬層132覆蓋于晶體管區(qū)310上方且電連接像素電極126，接著在蝕刻停止層116上方的第二金屬層132中形成一開(kāi)口，使蝕刻停止層116表面暴露出來(lái)，以形成一源極133a與漏極133b，并完成一薄膜晶體管(TFT)122。其中主信號(hào)線132a與輔助信號(hào)線125a是上下重疊并構(gòu)成一信號(hào)線128。
最后如圖4G所示，于玻璃基板101上方，全面形成一保護(hù)層134。接著，去除連接墊區(qū)320的開(kāi)口上方以及像素電極126表面的保護(hù)層134，以暴露部分的信號(hào)連接墊129以及像素電極126，且使信號(hào)線128、薄膜晶體管122、第二金屬層132連接至像素電極126的部分以及整個(gè)交錯(cuò)區(qū)330，均被保護(hù)層134所覆蓋。
相比于現(xiàn)有技術(shù)制作信號(hào)線34的方法，本發(fā)明在定義摻雜硅導(dǎo)電層118、半導(dǎo)體層114以及第二絕緣層112圖形時(shí)，便先去除了信號(hào)線128底部的摻雜硅導(dǎo)電層118、半導(dǎo)體層114以及第二絕緣層112。因此在后續(xù)的制作過(guò)程中，在信號(hào)線的預(yù)定位置，用來(lái)當(dāng)作輔助信號(hào)線的透明導(dǎo)電層125便直接形成于包含一第一絕緣層108的玻璃基板101上。也就是說(shuō)，信號(hào)線128只包含一輔助信號(hào)線125與一主信號(hào)線132，如圖4所示。
由于沒(méi)有摻雜硅導(dǎo)電層118與半導(dǎo)體層114形成在信號(hào)線128下方，因此在整個(gè)工藝中所產(chǎn)生的對(duì)準(zhǔn)誤差以及蝕刻誤差較容易被控制。如圖6所示，圖6為本發(fā)明中信號(hào)線128與像素電極126的上視圖，圖中信號(hào)線128與兩邊像素電極126之間的距離分別為δ1′，δ2′，此時(shí)δ1′≈δ2′，因此可有效解決現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示器面板所發(fā)生的面繼(Mentsuki)的問(wèn)題，以避免產(chǎn)生不必要的亮線缺陷。但是在交錯(cuò)區(qū)330中則保留第二絕緣層112、半導(dǎo)體層114以及摻雜硅導(dǎo)電層118，以避免掃描線106與輔助信號(hào)線125或主信號(hào)線132發(fā)生短路。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等效變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)的制作方法，該顯示器制作于一基板(substrate)上，且該基板包括至少一晶體管(transistor)區(qū)用來(lái)形成一薄膜晶體管(TFT)，以及至少一掃描線(scan line)與信號(hào)線(siganl line)的交錯(cuò)區(qū)，該制作方法包括下列步驟于該基板的表面上形成一第一金屬層；定義該第一金屬層的圖案(pattern)，以于該晶體管區(qū)內(nèi)形成一柵極電極，并同時(shí)于該基板表面形成一通過(guò)該交錯(cuò)區(qū)的掃描線；于該基板表面依次沉積一第一絕緣層、第二絕緣層、以及一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)，并覆蓋于該柵極電極以及該掃描線表面；于該半導(dǎo)體層表面形成一蝕刻停止層，且該蝕刻停止層位于該柵極電極上方；于該半導(dǎo)體層與該蝕刻停止層的上方全面沉積一摻雜硅(doped silicon)導(dǎo)電層；定義該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層以及該第二絕緣層的圖案，以去除該晶體管區(qū)以及該交錯(cuò)區(qū)以外的該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層以及該第二絕緣層；于該基板表面形成一透明導(dǎo)電層；定義該透明導(dǎo)電層的圖案，以于該基板表面形成至少一輔助信號(hào)線以及至少一像素電極，該輔助信號(hào)線會(huì)通過(guò)該交錯(cuò)區(qū)，且該輔助信號(hào)線與該掃描線之間隔離有該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層、該第二絕緣層以及該第一絕緣層；于該基板表面形成一第二金屬層；定義該第二金屬層的圖案，以于該輔助信號(hào)線表面形成一主信號(hào)線，并使該第二金屬層覆蓋該晶體管區(qū)，同時(shí)電連接于該像素電極，接著于該蝕刻停止層上方的該第二金屬層中形成一開(kāi)口，使該蝕刻停止層暴露出來(lái)，以形成該薄膜晶體管；于該基板表面形成一保護(hù)層；以及定義該保護(hù)層的圖案，去除該像素電極表面的該保護(hù)層，以暴露該像素電極；其中該輔助信號(hào)線與該掃描線同時(shí)通過(guò)的該交錯(cuò)區(qū)上則存在有該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層、該第二絕緣層以及該第一絕緣層隔離在該輔助信號(hào)線與該掃描線之間。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該主信號(hào)線與該輔助信號(hào)線是用來(lái)上下重疊以構(gòu)成一信號(hào)線，且在該交錯(cuò)區(qū)之外的該輔助信號(hào)線下方不保留任何該半導(dǎo)體層、該摻雜硅導(dǎo)電層以及該第二絕緣層，可使該信號(hào)線與兩側(cè)的該像素電極間的距離較易被控制，而不至于產(chǎn)生亮線缺陷。
3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其中設(shè)于該交錯(cuò)區(qū)中的該摻雜硅導(dǎo)電層、該半導(dǎo)體層、該第二絕緣層以及該第一絕緣層是用來(lái)避免該掃描線與該信號(hào)線發(fā)生短路。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該柵極電極電連接于該掃描線。
5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該第一絕緣層以及該第二絕緣層是由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNy)所構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該半導(dǎo)體層為一多晶硅層或非晶硅層。
7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該蝕刻停止層是由氮化硅所構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該透明導(dǎo)電層是由氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)所構(gòu)成。
全文摘要
一種TFT－LCD的制作方法,于基板表面上形成柵極電極與掃描線,柵極電極形成于晶體管區(qū)內(nèi),掃描線會(huì)通過(guò)交錯(cuò)區(qū)。形成第一、第二絕緣層以及半導(dǎo)體層,形成位于柵極電極上方的蝕刻停止層。形成摻雜硅導(dǎo)電層,去除晶體管區(qū)以外及交錯(cuò)區(qū)以外的摻雜硅導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層與第二絕緣層。形成透明導(dǎo)電層圖案,形成輔助信號(hào)線以及像素電極,該輔助信號(hào)線會(huì)通過(guò)交錯(cuò)區(qū)。形成第二金屬層覆蓋該晶體管區(qū),且于輔助信號(hào)線表面形成主信號(hào)線。在蝕刻停止層上方的第二金屬層形成一開(kāi)口,使蝕刻停止層暴露出來(lái)。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1389756SQ0112130
公開(kāi)日2003年1月8日 申請(qǐng)日期2001年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月4日
發(fā)明者吳孟岳 申請(qǐng)人:達(dá)碁科技股份有限公司