本發(fā)明涉及顯示裝置，具體地涉及包括移位寄存器的顯示裝置，在該移位寄存器中晶體管是n溝道晶體管或p溝道晶體管（僅具有一個導(dǎo)電類型的晶體管）。
背景技術(shù)：
：已知的顯示裝置是有源矩陣顯示裝置，其中設(shè)置在矩陣中的多個像素包括相應(yīng)的開關(guān)。每個像素根據(jù)通過開關(guān)的期望電位（圖像信號）輸入來顯示圖像。有源矩陣顯示裝置需要通過控制掃描線的電位來控制在像素中提供的開關(guān)的開關(guān)的電路（掃描線驅(qū)動器電路）。一般的掃描線驅(qū)動器電路包括組合的n溝道晶體管和p溝道晶體管，但掃描線驅(qū)動器電路還可以使用n溝道晶體管或p溝道晶體管形成。注意前面的掃描線驅(qū)動器電路可以比后面的掃描線驅(qū)動器電路具有更低的功耗。另一方面，后面的掃描線驅(qū)動器電路可以通過比前面的掃描線驅(qū)動器電路更小的數(shù)量的制造步驟形成。當(dāng)掃描線驅(qū)動器電路使用n溝道晶體管或p溝道晶體管形成時，輸出到掃描線的電位從輸出到掃描線驅(qū)動器電路的電力供應(yīng)電位改變。具體地，當(dāng)掃描線驅(qū)動器電路僅使用n溝道晶體管形成時，至少一個n溝道晶體管在掃描線與用于向掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)高電力供應(yīng)電位的接線之間提供。因此，可以輸出到掃描線的高電位從高電力供應(yīng)電位減小了至少一個n溝道晶體管的閾值電壓。采用相似的方式，當(dāng)掃描線驅(qū)動器電路僅使用p溝道晶體管形成時，可以輸出到掃描線的低電位從供應(yīng)給掃描線驅(qū)動器電路的低電力供應(yīng)電位增加。作為對上面的問題的回應(yīng)，已經(jīng)提出提供這樣的掃描線驅(qū)動器電路，其使用n溝道晶體管或p溝道晶體管形成并且可以在不變的情況下向掃描線輸出供應(yīng)給掃描線驅(qū)動器電路的電力供應(yīng)電位。例如，在專利文件1中公開的掃描線驅(qū)動器電路包括n溝道晶體管，其控制掃描線之間的電連接和以恒定頻率在高電力供應(yīng)電位與低電力供應(yīng)電位之間交替的時鐘信號。當(dāng)高電力供應(yīng)電位輸入到n溝道晶體管的漏極時，其柵極的電位可以通過使用其柵極與源極之間的電容性耦合而增加。從而，在專利文件1中公開的掃描線驅(qū)動器電路中，與高電力供應(yīng)電位相同或大致上相同的電位可以從n溝道晶體管的源極輸出到掃描線。在設(shè)置在有源矩陣顯示裝置中的每個像素中提供的開關(guān)的數(shù)量不限于一個。一些顯示裝置在每個像素中包括多個開關(guān)并且單獨控制相應(yīng)開關(guān)來顯示圖像。例如，專利文件2公開了這樣的顯示裝置，其在每個像素中包括兩種晶體管（p溝道晶體管和n溝道晶體管）并且晶體管的開關(guān)單獨地由不同的掃描線控制。為了控制單獨提供的兩種掃描線的電位，進(jìn)一步提供兩種掃描線驅(qū)動器電路（掃描線驅(qū)動器電路a和掃描線驅(qū)動器電路b）。在專利文件2中公開的顯示裝置中，單獨提供的掃描線驅(qū)動器電路將具有大致上相反相位的信號輸出到掃描線。引用列表專利文獻(xiàn)[plt1]日本公布的專利申請?zhí)?008-122939[plt2]日本公布的專利申請?zhí)?006-106786。技術(shù)實現(xiàn)要素：如在專利文件2中公開的，還存在有這樣的顯示裝置，其中掃描線驅(qū)動器電路對兩種掃描線中的一個輸出向兩種掃描線中的另一個所輸出的信號的反轉(zhuǎn)或大致上反轉(zhuǎn)的信號。這樣的掃描線驅(qū)動器電路使用n溝道晶體管或p溝道晶體管形成。例如，在專利文件1中公開的掃描線驅(qū)動器電路（其向掃描線輸出信號）可將這些信號輸出到兩種掃描線中的一個和反相器，并且該反相器可將信號輸出到兩種掃描線中的另一個。注意在反相器使用n溝道晶體管或p溝道晶體管形成的情況下，產(chǎn)生大量的直通電流，其直接導(dǎo)致顯示裝置的高功耗。綜上所述，本發(fā)明的一個實施例的目標(biāo)是在掃描線驅(qū)動器電路（其使用n溝道晶體管或p溝道晶體管形成）對兩種掃描線中的一個輸出向兩種掃描線中的另一個所輸出的信號的反轉(zhuǎn)或大致上反轉(zhuǎn)的信號時使包括該掃描線驅(qū)動器電路的顯示裝置的功耗減少。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的顯示裝置包括：多個脈沖輸出電路，其中的每個將信號輸出到兩種掃描線中的一個；和多個反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路，其中的每個將從脈沖輸出電路中的每個輸出的信號的反轉(zhuǎn)或大致上反轉(zhuǎn)信號輸出到兩種掃描線中的另一個。多個反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中的每個利用用于操作多個脈沖輸出電路的信號來操作。具體地，本發(fā)明的一個實施例是顯示裝置，其包括：設(shè)置在m行和n列（m和n是大于或等于4的自然數(shù)）中的多個像素；第一至第m掃描線，其中的每一個電連接到設(shè)置在第一至第m行中的對應(yīng)一個中的n個像素；第一至第m反轉(zhuǎn)掃描線，其中的每一個電連接到設(shè)置在第一至第m行中的對應(yīng)一個中的n個像素；和移位寄存器，其電連接到該第一至第m掃描線和該第一至第m反轉(zhuǎn)掃描線。設(shè)置在第k行（k是小于或等于m的自然數(shù)）中的像素每個包括通過選擇信號到第k掃描線的輸入而導(dǎo)通的第一開關(guān)，和通過選擇信號到第k反轉(zhuǎn)掃描線的輸入而導(dǎo)通的第二開關(guān)。此外，移位寄存器包括第一至第m脈沖輸出電路和第一至第m反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路。起始脈沖所輸入（僅當(dāng)s是1時）或從第（s-1）脈沖輸出電路輸出的移位脈沖所輸入的第s（s是小于或等于（m-2）的自然數(shù)）脈沖輸出電路（選擇信號從其中輸出到第s掃描線，并且移位脈沖從其中輸出到第（s+1）脈沖輸出電路）包括第一晶體管（其在從起始脈沖或從第（s-1）脈沖輸出電路輸出的移位脈沖的輸入開始直到移位期結(jié)束的第一期間中導(dǎo)通），并且通過在該第一期間中使用該第一晶體管的柵極與源極之間的電容性耦合而從該第一晶體管的源極輸出與輸入該第一晶體管的漏極的第一時鐘信號的電位相同或大致上相同的電位。從第s脈沖輸出電路輸出的移位脈沖所輸入的第（s+1）脈沖輸出電路（選擇信號從其中輸出到第（s+1）掃描線，并且移位脈沖從其中輸出到第（s+2）脈沖輸出電路）包括第二晶體管（其在從第s脈沖輸出電路輸出的移位脈沖的輸入開始直到移位期結(jié)束的第二期間中導(dǎo)通），并且通過在該第二期間中使用該第二晶體管的柵極與源極之間的電容性耦合而從該第二晶體管的源極輸出與輸入該第二晶體管的漏極的第二時鐘信號的電位相同或大致上相同的電位。第s脈沖輸出電路（從第s脈沖輸出電路輸出的移位脈沖被輸入其中、第二時鐘信號被輸入其中并且選擇信號從其中輸出到第s反轉(zhuǎn)掃描線）包括第三晶體管（其在從第s脈沖輸出電路輸出的移位脈沖的輸入開始直到第二時鐘信號的電位改變的第三期間中關(guān)斷），并且在該第三期間后從該第三晶體管的源極輸出選擇信號到第s反轉(zhuǎn)掃描線。本發(fā)明的另一個實施例是顯示裝置，其中輸入第s反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的第二時鐘信號被從上面的顯示裝置中的第（s+1）脈沖輸出電路輸出的移位脈沖所取代。在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的顯示裝置中，反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的操作被至少兩種信號控制。從而，在反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中產(chǎn)生的直通電流可以減少。此外，用于操作多個脈沖輸出電路的信號用作這兩種信號。即，反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路可以在不額外產(chǎn)生信號的情況下操作。附圖說明圖1圖示顯示裝置的配置示例，圖2a圖示掃描線驅(qū)動器電路的配置示例，圖2b圖示各種信號的波形的示例，圖2c圖示脈沖輸出電路的端子，并且圖2d圖示反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的端子，圖3a圖示脈沖輸出電路的配置示例，圖3b圖示其操作示例，圖3c圖示反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的配置示例，并且圖3d圖示其操作示例，圖4a圖示像素的配置示例，并且圖4b圖示其操作示例，圖5圖示掃描線驅(qū)動器電路的變化形式，圖6a圖示掃描線驅(qū)動器電路的變化形式，并且圖6b圖示各種信號的波形的示例，圖7圖示掃描線驅(qū)動器電路的變化形式，圖8a和8b圖示脈沖輸出電路的變化形式，圖9a和9b圖示脈沖輸出電路的變化形式，圖10a至10c圖示反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的變化形式，圖11a至11d是圖示晶體管的特定示例的橫截面圖，圖12a至12d是圖示晶體管的特定示例的橫截面圖，圖13a和13b是圖示晶體管的特定示例的頂視圖，圖14a至14f每個圖示電子器件的示例。具體實施方式在下文中，本發(fā)明的實施例將參照附圖詳細(xì)描述。注意，本發(fā)明不限于下文的描述，并且本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員容易理解可以在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下進(jìn)行多種改變和修改。因此，本發(fā)明不應(yīng)局限于下文的實施例的描述。首先，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的顯示裝置的配置示例參照圖1、圖2a至2d、圖3a至3d以及圖4a和4b描述。顯示裝置的配置示例圖1圖示顯示裝置的配置示例。圖1中的該顯示裝置包括設(shè)置在m行和n列中的多個像素10、掃描線驅(qū)動器電路1、信號線驅(qū)動器電路2、電流源3以及m個掃描線4和m個反轉(zhuǎn)掃描線5（其中的每個電連接到像素10中的任意一行并且其電位由掃描線驅(qū)動器電路1控制）、n個信號線6（其中的每個電連接到像素10的任一列并且其電位由信號線驅(qū)動器電路2控制）和電力供應(yīng)線7，其提供有多個分支線并且電連接到電流源3。掃描線驅(qū)動器電路的配置示例圖2a圖示包括在圖1中的顯示裝置中的掃描線驅(qū)動器電路1的配置示例。圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1包括用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第一至第四時鐘信號（gck1至gck4）的接線、用于供應(yīng)第一至第四脈寬控制信號（pwc1至pwc2）的接線、第一至第m脈沖輸出電路20_1至20_m（其通過掃描線4_1至4_m而電連接到設(shè)置在第一至第m行中的像素10）和第一至第m反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路60_1至60_m，其通過反轉(zhuǎn)掃描線5_1至5_m而電連接到設(shè)置在第一至第m行中的像素10。第一至第m脈沖輸出電路20_1至20_m配置成響應(yīng)于輸入第一脈沖輸出電路20_1內(nèi)的對于掃描線驅(qū)動器電路的起始脈沖（gsp）而每移位期相繼輸出移位脈沖。具體地，在輸入對于掃描線驅(qū)動器電路的起始脈沖（gsp）后，第一脈沖輸出電路20_1在整個移位期中將移位脈沖輸出到第二脈沖輸出電路20_2。接著，在從第一脈沖輸出電路輸出的移位脈沖輸入第二脈沖輸出電路20_2之后，第二脈沖輸出電路20_2在整個移位期中將移位脈沖輸出到第三脈沖輸出電路20_3。這之后，重復(fù)上面的操作直到移位脈沖輸入第m脈沖輸出電路20_m。此外，第一至第m脈沖輸出電路20_1至20_m中的每個具有在輸入移位脈沖時將選擇信號輸出到相應(yīng)的掃描線的功能。注意，選擇信號指用于接通開關(guān)（其的開關(guān)由掃描線的電位控制）的信號。圖2b圖示上文描述的信號的特定波形的示例。具體地，在圖2b中對于掃描線驅(qū)動器電路的第一時鐘信號（gck1）定期在高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））與低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））之間交替，并且具有大約1/4的占空比。對于掃描線驅(qū)動器電路的第二時鐘信號（gck2）具有從掃描線驅(qū)動器電路的第一時鐘信號（gck1）移位1/4周期的相位；對于掃描線驅(qū)動器電路的第三時鐘信號（gck3）具有從掃描線驅(qū)動器電路的第一時鐘信號（gck1）移位1/2周期的相位；并且對于掃描線驅(qū)動器電路的第四時鐘信號（gck4）具有從掃描線驅(qū)動器電路的第一時鐘信號（gck1）移位3/4周期的相位。此外，第一脈寬控制信號（pwc1）的電位在對于掃描線驅(qū)動器電路的第一時鐘信號（gck1）的電位變成高電平電位之前變成高電平電位，并且在對于掃描線驅(qū)動器電路的第一時鐘信號（gck1）的電位是高電平電位時的期間中變成低電平電位，并且第一脈寬控制信號（pwc1）具有小于1/4的占空比。第二脈寬控制信號（pwc2）具有從第一脈寬控制信號（pwc1）移位1/4周期的相位；第三脈寬控制信號（pwc3）具有從第一脈寬控制信號（pwc1）移位1/2周期的相位；并且第四脈寬控制信號（pwc4）具有從第一脈寬控制信號（pwc1）移位3/4周期的相位。在圖2a中的顯示裝置中，相同的配置可以應(yīng)用于第一至第m脈沖輸出電路20_1至20_m。注意，包括在脈沖輸出電路中的多個端子的電連接關(guān)系根據(jù)脈沖輸出電路而不同。特定連接關(guān)系參照圖2a和2c描述。第一至第m脈沖輸出電路20_1至20_m中的每個具有端子21至27。端子21至24以及端子26是輸入端子；端子25和27是輸出端子。首先，描述端子21。第一脈沖輸出電路20_1的端子21電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)起始脈沖（gsp）的接線。第二至第m脈沖輸出電路20_2至20_m的端子21電連接到它們相應(yīng)的前級脈沖輸出電路的相應(yīng)端子27。接著，描述端子22。第（4a-3）脈沖輸出電路（a是小于或等于m/4的自然數(shù)）的端子22電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第一時鐘信號（gck1）的接線。第（4a-2）脈沖輸出電路的端子22電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第二時鐘信號（gck2）的接線。第（4a-1）脈沖輸出電路的端子22電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第三時鐘信號（gck3）的接線。第4a脈沖輸出電路的端子22電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第四時鐘信號（gck4）的接線。然后，描述端子23。第（4a-3）脈沖輸出電路的端子23電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第二時鐘信號（gck2）的接線。第（4a-2）脈沖輸出電路的端子23電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第三時鐘信號（gck3）的接線。第（4a-1）脈沖輸出電路的端子23電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第四時鐘信號（gck4）的接線。第4a脈沖輸出電路的端子23電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第一時鐘信號（gck1）的接線。接著，描述端子24。第（4a-3）脈沖輸出電路的端子24電連接到用于供應(yīng)第一脈寬控制信號（pwc1）的接線。第（4a-2）脈沖輸出電路的端子24電連接到用于供應(yīng)第二脈寬控制信號（pwc2）的接線。第（4a-1）脈沖輸出電路的端子24電連接到用于供應(yīng)第三脈寬控制信號（pwc3）的接線。第4a脈沖輸出電路的端子24電連接到用于供應(yīng)第四脈寬控制信號（pwc4）的接線。接著，描述端子25。第x脈沖輸出電路（x是小于或等于m的自然數(shù)）的端子25電連接到第x行中的掃描線4_x。接著，描述端子26。第y脈沖輸出電路（y是小于或等于（m-1）的自然數(shù)）的端子26電連接到第（y+1）脈沖輸出電路的端子27。第m脈沖輸出電路的端子26電連接到用于對第m脈沖輸出電路供應(yīng)停止信號（stp）的接線。在提供第（m+1）脈沖輸出電路的情況下，對于第m脈沖輸出電路的停止信號（stp）對應(yīng)于從第（m+1）脈沖輸出電路的端子27輸出的信號。具體地，對于第m脈沖輸出電路的停止信號（stp）可以通過提供第（m+1）脈沖輸出電路作為假電路或通過直接從外部輸入該信號而供應(yīng)給第m脈沖輸出電路。脈沖輸出電路中的每個中的端子27的連接關(guān)系已經(jīng)在上文描述。因此，要參考上文的描述。在圖2a中的顯示裝置中，相同的配置可以應(yīng)用于第一至第m反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路60_1至60_m。然而，包括在反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中的多個端子的電連接關(guān)系根據(jù)反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路而不同。特定連接關(guān)系參照圖2a和2d描述。第一至第m反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路60_1至60_m中的每個具有端子61至63。端子61和62是輸入端子；端子63是輸出端子。首先，描述端子61。第（4a-3）反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的端子61電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第二時鐘信號（gck2）的接線。第（4a-2）反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的端子61電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第三時鐘信號（gck3）的接線。第（4a-1）反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的端子61電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第四時鐘信號（gck4）的接線。第4a反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的端子61電連接到用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第一時鐘信號（gck1）的接線。接著，描述端子62。第x反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的端子62電連接到第x個脈沖輸出電路的端子27。然后，描述端子63。第x反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的端子63電連接到第x行中的反轉(zhuǎn)掃描線5_x。脈沖輸出電路的配置示例圖3a圖示在圖2a和2c中圖示的脈沖輸出電路的配置示例。在圖3a中圖示的脈沖輸出電路包括晶體管31至39。晶體管31的源極和漏極中的一個電連接到供應(yīng)高電力供應(yīng)電位（vdd）的接線（在下文也稱為高電力供應(yīng)電位線）；并且晶體管31的柵極電連接到端子21。晶體管32的源極和漏極中的一個電連接到用于供應(yīng)低電力供應(yīng)電位（vss）的接線（在下文也稱為低電力供應(yīng)電位線）；并且晶體管32的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管31的源極和漏極中的另一個。晶體管33的源極和漏極中的一個電連接到端子22；晶體管33的源極和漏極中的另一個電連接到端子27；并且晶體管33的柵極電連接到晶體管31的源極和漏極中的另一個和晶體管32的源極和漏極中的另一個。晶體管34的源極和漏極中的一個電連接到低電力供應(yīng)電位線；晶體管34的源極和漏極中的另一個電連接到端子27；并且晶體管34的柵極電連接到晶體管32的柵極。晶體管35的源極和漏極中的一個電連接到低電力供應(yīng)電位線；晶體管35的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管32的柵極和晶體管34的柵極；并且晶體管35的柵極電連接到端子21。晶體管36的源極和漏極中的一個電連接到高電力供應(yīng)電位線；晶體管36的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管32的柵極、晶體管34的柵極以及晶體管35的源極和漏極中的另一個；并且晶體管36的柵極電連接到端子26。晶體管37的源極和漏極中的一個電連接到高電力供應(yīng)電位線；晶體管37的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管32的柵極、晶體管34的柵極、晶體管35的源極和漏極中的另一個以及晶體管36的源極和漏極中的另一個；并且晶體管37的柵極電連接到端子23。晶體管38的源極和漏極中的一個電連接到端子24；晶體管38的源極和漏極中的另一個電連接到端子25；并且晶體管38的柵極電連接到晶體管31的源極和漏極中的另一個、晶體管32的源極和漏極中的另一個以及晶體管33的柵極。晶體管39的源極和漏極中的一個電連接到低電力供應(yīng)電位線；晶體管39的源極和漏極中的另一個電連接到端子25；并且晶體管39的柵極電連接到晶體管32的柵極、晶體管34的柵極、晶體管35的源極和漏極中的另一個、晶體管36的源極和漏極中的另一個以及晶體管37的源極和漏極中的另一個。注意在下面的描述中，晶體管31的源極和漏極中的另一個、晶體管32的源極和漏極中的另一個、晶體管33的柵極和晶體管38的柵極電連接所在的節(jié)點稱為節(jié)點a。另外，晶體管32的柵極、晶體管34的柵極、晶體管35的源極和漏極中的另一個、晶體管36的源極和漏極中的另一個、晶體管37的源極和漏極中的另一個以及晶體管39的柵極電連接所在的節(jié)點稱為節(jié)點b。脈沖輸出電路的操作示例上文描述的脈沖輸出電路的操作示例參照圖3b描述。具體地，圖3b圖示在移位脈沖從第一脈沖輸出電路20_1輸入時輸入第二脈沖輸出電路20_2的相應(yīng)端子的信號、從這些相應(yīng)端子輸出的信號的電位以及節(jié)點a和節(jié)點b的電位。此外，還圖示從第三脈沖輸出電路20_3的端子25輸出的信號（gout3）以及從其端子27輸出的信號（srout3，輸入第二脈沖輸出電路20_2的端子26的信號）。注意在圖3b中，gout代表從脈沖輸出電路中的任一個輸出到對應(yīng)掃描線的信號，并且srout代表從脈沖輸出電路中的任一個輸出到后級脈沖輸出電路的信號。首先，參照圖3b，描述移位脈沖從第一脈沖輸出電路20_1輸入第二脈沖輸出電路20_2的情況。在期間t1中，高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））輸入端子21。從而，晶體管31和35導(dǎo)通。因此，節(jié)點a的電位增加到高電平電位（從高電力供應(yīng)電位（vdd）減小了晶體管31的閾值電壓的電位），并且節(jié)點b的電位減小到低電力供應(yīng)電位（vss）。因此，晶體管33和38導(dǎo)通并且晶體管32、34和39關(guān)斷。綜上所述，在期間t1中，從端子27輸出的信號輸入端子22，并且從端子25輸出的信號輸入端子24。在這里在期間t1中，輸入端子22的信號和輸入端子24的信號兩者都處于低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））。因此，在期間t1中，第二脈沖輸出電路20_2將低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））輸出到第三脈沖輸出電路20_3的端子21以及像素部分中的第二行中的掃描線。在期間t2中，輸入端子的信號的水平未從期間t1中的電平改變。因此，從端子25和27輸出的信號的電位也未改變；低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））從其中輸出。在期間t3中，高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））輸入端子24。注意節(jié)點a的電位（晶體管31的源極的電位）增加到期間t1中的高電平電位（從高電力供應(yīng)電位（vdd）減小了晶體管31的閾值電壓的電位）。因此，晶體管31關(guān)斷。這時，到端子24的高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））輸入通過使用晶體管38的柵極與源極之間的電容性耦合而進(jìn)一步使節(jié)點a的電位（晶體管38的柵極的電位）增加（自舉）。由于該自舉，從端子25輸出的信號的電位未從輸入端子24的高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））減少。因此，在期間t3中，第二脈沖輸出電路20_2將高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd）=選擇信號）輸出到像素部分中的第二行中的掃描線。在期間t4中，高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））輸入端子22。因此，因為節(jié)點a的電位已經(jīng)通過自舉而增加，從端子27輸出的信號的電位未從輸入端子22的高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））減小。因此，在期間t4中，端子27輸出高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd）），其被輸入端子22。即，第二脈沖輸出電路20_2向第三脈沖輸出電路20_3的端子21輸出高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd）=移位脈沖）。在期間t4中，輸入端子24的信號的電位保持在高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd）），使得從第二脈沖輸出電路20_2輸出到像素部分中的第二行中的掃描線的信號的電位保持在高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd）=選擇信號）。此外，低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））被輸入端子21來關(guān)斷晶體管35，這不直接影響在期間t4中從第二脈沖輸出電路20_2輸出的信號。在期間t5中，低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））被輸入端子24。在該期間中，晶體管38保持導(dǎo)通。因此，在期間t5中，第一脈沖輸出電路20_1向像素部分中的第二行中的掃描線輸出低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））。在期間t6中，輸入端子的信號的電平未從期間t5中的電平改變。因此，從端子25和27輸出的信號的電位也未改變；低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））從端子25輸出并且高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd）=移位脈沖）從端子27輸出。在期間t7中，高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））被輸入端子23。從而，晶體管37導(dǎo)通。因此，節(jié)點b的電位增加到高電平電位（從高電力供應(yīng)電位（vdd）減小了晶體管37的閾值電壓的電位），使得晶體管32、34和39導(dǎo)通。因此，節(jié)點a的電位減小到低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss）），使得晶體管33和38關(guān)斷。綜上所述，在期間t7中，從端子25和27輸出的信號都處于低電力供應(yīng)電位（vss）。也就是說，在期間t7中，第二脈沖輸出電路20_2向第三脈沖輸出電路20_3的端子21以及像素部分中的第二行中的掃描線輸出低電力供應(yīng)電位（vss）。反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的配置示例圖3c圖示在圖2a和2d中圖示的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的配置示例。圖3c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路包括晶體管71至74。晶體管71的源極和漏極中的一個電連接到高電力供應(yīng)電位線；并且晶體管71的柵極電連接到端子61。晶體管72的源極和漏極中的一個電連接到低電力供應(yīng)電位線；晶體管72的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管71的源極和漏極中的另一個；并且晶體管72的柵極電連接到端子62。晶體管73的源極和漏極中的一個電連接到高電力供應(yīng)電位線；晶體管73的源極和漏極中的另一個電連接到端子63；并且晶體管73的柵極電連接到晶體管71的源極和漏極中的另一個和晶體管72的源極和漏極中的另一個。晶體管74的源極和漏極中的一個電連接到低電力供應(yīng)電位線；晶體管74的源極和漏極中的另一個電連接到端子63；并且晶體管74的柵極電連接到端子62。注意在下面的描述中，晶體管71的源極和漏極中的另一個、晶體管72的源極和漏極中的另一個以及晶體管73的柵極電連接所在的節(jié)點稱為節(jié)點c。反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的操作示例反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的操作示例參照圖3d描述。具體地，圖3d圖示輸入第二反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路20_2的相應(yīng)端子的信號、從其中輸出的信號的電位以及節(jié)點c的電位（在圖3b中在期間t1至t7中）。注意在圖3d中，輸入端子的信號每個在括號中示出。此外，在圖3d中，gbout代表輸出到反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的反轉(zhuǎn)掃描線中的任一個的信號。在期間t1至t3中，低電平電位被輸入端子61和62。從而，晶體管71、72和74關(guān)斷。因此，節(jié)點c的電位保持在高電平電位。因此，晶體管73導(dǎo)通。節(jié)點c的電位通過使用晶體管73的柵極與源極（在期間t1至t3中電連接到端子63的源極和漏極中的另一個）之間的電容性耦合而高于高電力供應(yīng)電位（vdd）與晶體管73的閾值電壓之和（自舉）。綜上所述，在期間t1至t3中，從端子63輸出的信號的電位是高電力供應(yīng)電位（vdd）。即，在期間t1至t3中，第二反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路60_2向像素部分中的第二行中的反轉(zhuǎn)掃描線輸出高電力供應(yīng)電位（vdd）。在期間t4中，高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））被輸入端子62。從而，晶體管72和74導(dǎo)通。因此，節(jié)點c的電位減小到低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss）），使得晶體管73關(guān)斷。綜上所述，在期間t4中，從端子63輸出的信號的電位變成低電力供應(yīng)電位（vss）。即，在期間t4中，第二反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路60_2向像素部分中的第二行中的反轉(zhuǎn)掃描線輸出低電力供應(yīng)電位（vss）。在期間t5和t6中，輸入端子的信號的電平未從期間t4中的電平改變。因此，從端子63輸出的信號的電位也未改變；輸出電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））。在期間t7中，高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））被輸入端子61并且低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））被輸入端子62。從而，晶體管71導(dǎo)通并且晶體管72和74關(guān)斷。因此，節(jié)點c的電位減小到高電平電位（從高電力供應(yīng)電位（vdd）減小了晶體管71的閾值電壓的電位），使得晶體管73導(dǎo)通。此外，節(jié)點c的電位通過使用晶體管73的柵極與源極之間的電容性耦合而高于高電力供應(yīng)電位（vdd）與晶體管73的閾值電壓之和（自舉）。綜上所述，在期間t7中，從端子63輸出的信號的電位變成高電力供應(yīng)電位（vdd）。即，在期間t7中，第二反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路60_2向像素部分中的第二行中的反轉(zhuǎn)掃描線輸出高電力供應(yīng)電位（vdd）。像素的配置示例圖4a是圖示圖1中的像素10的配置示例的電路圖。圖4a中的像素10包括晶體管11至16、電容器17和元件18，其包括通過一對電極之間的電流激發(fā)而發(fā)射光的有機材料（在下文也稱為有機電致發(fā)光（el）元件）。晶體管11的源極和漏極中的一個電連接到信號線6；并且晶體管11的柵極電連接到掃描線4。晶體管12的源極和漏極中的一個電連接到用于供應(yīng)公共電位的接線；并且晶體管12的柵極電連接到掃描線4。注意公共電位在這里是低于給予電力供應(yīng)線7的電位。晶體管13的柵極電連接到掃描線4。晶體管14的源極和漏極中的一個電連接到電力供應(yīng)線7；晶體管14的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管13的源極和漏極中的一個；并且晶體管14的柵極電連接到反轉(zhuǎn)掃描線5。晶體管15的源極和漏極中的一個電連接到晶體管13的源極和漏極中的一個以及晶體管14的源極和漏極中的另一個；晶體管15的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管11的源極和漏極中的另一個；并且晶體管15的柵極電連接到晶體管13的源極和漏極中的另一個。晶體管16的源極和漏極中的一個電連接到晶體管11的源極和漏極中的另一個以及晶體管15的源極和漏極中的另一個；晶體管16的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管12的源極和漏極中的另一個；并且晶體管16的柵極電連接到反轉(zhuǎn)掃描線5。電容器17的一個電極電連接到晶體管13的源極和漏極中的另一個以及晶體管15的柵極；并且電容器17的另一個電極電連接到晶體管12的源極和漏極中的另一個以及晶體管16的源極和漏極中的另一個。有機el元件18的陽極電連接到晶體管12的源極和漏極中的另一個、晶體管16的源極和漏極中的另一個以及電容器17的另一個電極。有機el元件18的陰極電連接到用于供應(yīng)公共電位的接線。注意給予電連接到晶體管12的源極和漏極中的一個的接線的公共電位可與給予有機el元件18的陰極的公共電位不同。在下文，晶體管13的源極和漏極中的另一個、晶體管15的柵極以及電容器17的該一個電極電連接所在節(jié)點稱為節(jié)點d。晶體管13的源極和漏極中的該一個、晶體管14的源極和漏極中的另一個以及晶體管15的源極和漏極中的該一個電連接所在的節(jié)點稱為節(jié)點e。晶體管11的源極和漏極中的該一個、晶體管15的源極和漏極中的另一個以及晶體管16的源極和漏極中的該一個電連接所在的節(jié)點稱為節(jié)點f。晶體管12的源極和漏極中的另一個、晶體管16的源極和漏極中的另一個、電容器17的另一個電極以及有機el元件18的陽極電連接所在的節(jié)點稱為節(jié)點g。像素的操作示例上面的像素的操作示例參照圖4b描述。具體地，圖4b圖示設(shè)置在像素部分中的第二行中的掃描線4_2和反轉(zhuǎn)掃描線5_2的電位、在圖3b和3d中在期間t1至t7中輸入信號線6的圖像信號。在圖4b中，輸入接線的信號每個在括號中示出。此外，在圖4b中，“data”代表圖像信號。在期間t1和t2中，選擇信號未被輸入掃描線4_2，并且選擇信號被輸入反轉(zhuǎn)掃描線5_2。從而，晶體管11、12和13關(guān)斷，并且晶體管14和16導(dǎo)通。因此，對應(yīng)于晶體管15的柵極的電位（節(jié)點d的電位）的電流從電力供應(yīng)線供應(yīng)給有機el元件18。即，像素10根據(jù)電容器17中持有的圖像信號來顯示圖像。注意在期間t1和t2中，對于在第一行中設(shè)置的像素的圖像信號（data_1）從信號線驅(qū)動器電路2輸入信號線6。在期間t3中，選擇信號被輸入掃描線4_2。從而，晶體管11、12和13導(dǎo)通，從而例如在電容器17的該一個電極與信號線6之間以及電容器17的該一個電極與電力供應(yīng)線7之間導(dǎo)致短路。因此，電容器17中持有的圖像信號丟失（初始化）。在期間t4中，選擇信號未被輸入反轉(zhuǎn)掃描線5_2。從而，晶體管14和16關(guān)斷。此外，對于設(shè)置在第二行中的像素的圖像信號（data_2）被輸入信號線6。因此，節(jié)點f具有對應(yīng)于圖像信號（data_2）的電位。注意在期間t4中，節(jié)點d和e具有成為對應(yīng)于圖像信號（data_2）的電位與晶體管15的閾值電壓之和的電位（在下文稱為數(shù)據(jù)電位）。這是因為當(dāng)節(jié)點d和e具有高于數(shù)據(jù)電位的電位時，晶體管15導(dǎo)通并且節(jié)點d和e的電位減小到數(shù)據(jù)電位。此外，即使在晶體管14和16關(guān)斷并且晶體管15關(guān)斷之后的時候（在節(jié)點d和e具有等于節(jié)點f的電位與晶體管15的閾值電壓之和的電位后），節(jié)點f的電位改變?yōu)閷?yīng)于圖像信號（data_2）的電位，節(jié)點d的電位通過使用節(jié)點d與f之間的電容性耦合而改變。因此，在該情況下，節(jié)點d和e的電位也減小到數(shù)據(jù)電位。在期間t4中，節(jié)點g的電位由于節(jié)點g與用于通過晶體管12而供應(yīng)公共電位的接線之間的短路而變成公共電位。因此，在期間t4中，施加到電容器17的電壓等于數(shù)據(jù)電位（節(jié)點d的電位）與公共電位（節(jié)點g的電位）之間的差。在期間t5和t6中，選擇信號未被輸入掃描線4_2。從而，晶體管11、12和13關(guān)斷。在期間t7中，選擇信號被輸入反轉(zhuǎn)掃描線5_2。從而，晶體管14和16導(dǎo)通。注意，已知在晶體管的飽和區(qū)域中的漏電流與晶體管的閾值電壓和晶體管的柵極與源極之間的電壓之間的電位差的平方成比例。在這里，晶體管15的柵極與源極之間的電壓變成施加到電容器17的電壓（數(shù)據(jù)電位（對應(yīng)于圖像信號（data_2）的電位與晶體管15的閾值電壓之和）與公共電位之和）。因此，晶體管15的飽和區(qū)域中的漏電流與對應(yīng)于圖像信號（data_2）的電位和公共電位之間的差的平方成比例。在該情況下晶體管15的飽和區(qū)域中的漏電流不取決于晶體管15的閾值電壓。注意，節(jié)點g的電位改變使得與在晶體管15中產(chǎn)生的相同的電流流到有機el元件18。在這里，當(dāng)節(jié)點g的電位改變時，節(jié)點d的電位通過使用通過電容器17的電容性耦合而改變。因此，即使當(dāng)節(jié)點g的電位改變時，晶體管15可以向有機el元件18供應(yīng)恒定電流。通過上面的操作，像素10根據(jù)圖像信號（data_2）顯示圖像。在該說明書中公開的顯示裝置在該說明書中公開的顯示裝置中，反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的操作由至少兩種信號控制。從而，在反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中產(chǎn)生的直通電流可以減少。此外，用于操作多個脈沖輸出電路的信號用作這兩種信號。即，反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路可以在不額外產(chǎn)生信號的情況下操作。變化形式上面的顯示裝置是本發(fā)明的一個實施例；本發(fā)明還包括具有與上面的顯示裝置的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)。下面示出本發(fā)明的另一個實施例的示例。注意，本發(fā)明還包括示出為本發(fā)明的另一個實施例的示例的具有下面多個元件中的任一個的顯示裝置。顯示裝置的變化形式作為上文描述的顯示裝置，已經(jīng)例舉在每個像素中包括有機el元件的顯示裝置（在下文也稱為el顯示裝置）；然而，本發(fā)明的顯示裝置不限于el顯示裝置。例如，本發(fā)明的顯示裝置可以是通過控制液晶的排列而顯示圖像的顯示裝置（液晶顯示裝置）。掃描線驅(qū)動器電路的變化形式此外，包括在上文描述的顯示裝置中的掃描線驅(qū)動器電路的配置不限于圖2a中的。例如，使用圖5、圖6a和圖7中的掃描線驅(qū)動器中的任一個作為包括在上面的顯示裝置中的掃描線驅(qū)動器電路，這是可能的。圖5中的掃描線驅(qū)動器電路1與圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1的不同之處在于，第y個反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路60_y（y是小于或等于（m-1）的自然數(shù)）的端子61電連接到第（y+1）脈沖輸出電路的端子27并且第m反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路60_m的端子61電連接到用于對第m脈沖輸出電路供應(yīng)停止信號（stp）的接線。圖5中的掃描線驅(qū)動器電路1還可以向掃描線和反轉(zhuǎn)掃描線輸出與從圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1輸出的那些相似的信號。在圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1中，高電平電位在比圖5中的掃描線驅(qū)動器電路1更短的周期中被輸入反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的端子61。即，包括在反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中的晶體管71在較短的周期中導(dǎo)通（參見圖2a、2b、2d和圖3c）。因此，即使當(dāng)包括在反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中的晶體管73的柵極的電位由于在晶體管72中產(chǎn)生的泄漏電流或類似物而減小時，電位可以再次增加。從而，使反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路向?qū)?yīng)的反轉(zhuǎn)掃描線輸出比高電力供應(yīng)電位（vdd）更低的電位的概率降低，這是可能的。另一方面，在圖5中的掃描線驅(qū)動器電路1中，用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第一至第四時鐘信號（gck1至gck4）的接線的寄生電容可以比圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1中的那些更低。因此，圖5中的掃描線驅(qū)動器電路1可以具有比圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1更低的功耗。圖6a中的掃描線驅(qū)動器電路1與圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1的不同之處在于，它利用對于掃描線驅(qū)動器電路的兩種時鐘信號以及兩種脈寬控制信號來操作。因此，脈沖輸出電路與反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路之間的連接關(guān)系也不同（參見圖6a）。具體地，圖6a中的掃描線驅(qū)動器電路1包括用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第五時鐘信號（gck5）的接線、用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第六時鐘信號（gck6）的接線、用于供應(yīng)第五脈寬控制信號（pwc5）的接線和用于供應(yīng)第六脈寬控制信號（pwc6）的接線。圖6b圖示上文描述的圖6a中的信號的特定波形的示例。在圖6b中對于掃描線驅(qū)動器電路的第五時鐘信號（gck5）定期在高電平電位（高電力供應(yīng)電位（vdd））與低電平電位（低電力供應(yīng)電位（vss））之間交替，并且具有大約1/2的占空比。此外，對于掃描線驅(qū)動器電路的第六時鐘信號（gck6）具有從掃描線驅(qū)動器電路的第五時鐘信號（gck5）移位1/2周期的相位。第五脈寬控制信號（pwc5）的電位在對于掃描線驅(qū)動器電路的第五時鐘信號（gck5）的電位變成高電平電位之前變成高電平電位，并且在對于掃描線驅(qū)動器電路的第五時鐘信號（gck5）的電位是高電平電位時的期間中變成低電平電位，并且第五脈寬控制信號（pwc5）具有小于1/2的占空比。第六脈寬控制信號（pwc6）具有從第五脈寬控制信號（pwc5）移位1/2周期的相位。圖6a中的掃描線驅(qū)動器電路1還可以向掃描線和反轉(zhuǎn)掃描線輸出與從圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1輸出的那些相似的信號。注意，在圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1中，用于對掃描線驅(qū)動器電路供應(yīng)第一至第四時鐘信號（gck1至gck4）的接線的寄生電容可以比圖6a中的掃描線驅(qū)動器電路1中的那些更低。因此，圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1可以具有比圖6a中的掃描線驅(qū)動器電路1更低的功耗。另一方面，在圖6a中的掃描線驅(qū)動器電路1中，操作掃描線驅(qū)動器電路所必需的信號的數(shù)量可以比圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1中的更小。圖7中的掃描線驅(qū)動器電路1與圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1的不同之處在于，它在沒有脈寬控制信號的情況下操作。因此，脈沖輸出電路與反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路之間的連接關(guān)系也不同（參見圖7）。在圖7中的掃描線驅(qū)動器電路1中，從脈沖輸出電路輸出到對應(yīng)掃描線的選擇信號是與輸出到后級脈沖輸出電路的移位脈沖相同的信號。從而，從脈沖輸出電路輸出到掃描線的信號（掃描線的電位）和從反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路輸出到反轉(zhuǎn)掃描線的信號（反轉(zhuǎn)掃描線的電位）具有相反的相位。使用圖7中的掃描線驅(qū)動器電路1作為包括在顯示裝置中的掃描線驅(qū)動器電路，這是可能的。注意，在圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1中，在用于向第y行中的掃描線輸出選擇信號的期間與用于向第（y+1）行中的掃描線輸出選擇信號的期間之間存在比圖7中的掃描線驅(qū)動器電路1中的更寬的間隔。從而，即使當(dāng)對于掃描線驅(qū)動器電路的第一至第四時鐘信號（gck1至gck4）中的任一個被延遲或具有鈍波形時，與圖6a中的掃描線驅(qū)動器電路1相比，圖7中的掃描線驅(qū)動器電路1可以準(zhǔn)確地將圖像信號輸入像素。另一方面，在圖7中的掃描線驅(qū)動器電路1中，操作掃描線驅(qū)動器電路所必需的信號的數(shù)量可以比圖2a中的掃描線驅(qū)動器電路1中的更小。脈沖輸出電路的變化形式包括在上面的掃描線驅(qū)動器電路中的脈沖輸出電路的配置不限于圖3a中的。例如，使用圖8a和8b以及圖9a和圖9b中的脈沖輸出電路中的任一個作為包括在上面的掃描線驅(qū)動器電路中的脈沖輸出電路，這是可能的。此外，圖8a中的脈沖輸出電路具有這樣的配置，其中晶體管50添加到圖3a中的脈沖輸出電路。晶體管50的源極和漏極中的一個電連接到高電力供應(yīng)電位線；晶體管50的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管32的柵極、晶體管34的柵極、晶體管35的源極和漏極中的另一個、晶體管36的源極和漏極中的另一個、晶體管37的源極和漏極中的另一個以及晶體管39的柵極；并且晶體管50的柵極電連接到復(fù)位端子（復(fù)位）。注意，對于該復(fù)位端子，高電平電位可以在顯示裝置的垂直回掃期中被輸入，并且低電平電位可以在除該垂直回掃期以外的期間中被輸入。從而，脈沖輸出電路的每個節(jié)點的電位可以被初始化，使得可以防止故障。圖8b中的脈沖輸出電路具有這樣的配置，其中晶體管51添加到圖3a中的脈沖輸出電路。晶體管51的源極和漏極中的一個電連接到晶體管31的源極和漏極中的另一個以及晶體管32的源極和漏極中的另一個；晶體管51的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管33的柵極和晶體管38的柵極；并且晶體管51的柵極電連接到高電力供應(yīng)電位線。注意，晶體管51在節(jié)點a具有高電平電位時的期間（圖3b中的期間t1至t6）中關(guān)斷。因此，其中添加晶體管51的配置使得在期間t1至t6中中斷晶體管33的柵極與晶體管38的柵極之間以及晶體管31的源極和漏極中另一個與晶體管32的源極和漏極中另一個之間的電連接成為可能。從而，在脈沖輸出電路中的自舉期間的負(fù)載可以在包括在期間t1至t6中的期間中減少。圖9a中的脈沖輸出電路具有這樣的配置，其中晶體管52添加到圖8b中的脈沖輸出電路。晶體管52的源極和漏極中的一個電連接到晶體管33的柵極以及晶體管51的源極和漏極中的另一個；晶體管52的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管38的柵極；并且晶體管52的柵極電連接到高電力供應(yīng)電位線。采用與上面的相似的方式，在脈沖輸出電路中的自舉期間的負(fù)載可以利用晶體管52而減少。圖9b中的脈沖輸出電路具有這樣的配置，其中晶體管51從圖9a中圖示的脈沖輸出電路去除并且晶體管53添加到圖9a中圖示的脈沖輸出電路。晶體管53的源極和漏極中的一個電連接到晶體管31的源極和漏極中的另一個、晶體管32的源極和漏極中的另一個以及晶體管52的源極和漏極中的該一個；晶體管53的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管33的柵極；并且晶體管53的柵極電連接到高電力供應(yīng)電位線。采用與上面的相似的方式，在脈沖輸出電路中的自舉期間的負(fù)載可以利用晶體管53而減少。此外，在晶體管33和38開關(guān)時在脈沖輸出電路中產(chǎn)生的偽脈沖的效應(yīng)可以減少。反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的變化形式包括在上面的掃描線驅(qū)動器電路中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的配置不限于圖3c中的。例如，圖10a至10c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中的任一個可以用作包括在上面的掃描線驅(qū)動器電路中的脈沖輸出電路。圖10a中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路具有這樣的配置，其中電容器80添加到圖3c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路。電容器80的一個電極電連接到晶體管71的源極和漏極中的另一個、晶體管72的源極和漏極中的另一個以及晶體管73的柵極；并且電容器80的另一個電極電連接到端子63。注意，電容器80可以防止晶體管73的柵極的電位變化。另一方面，圖3c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路可以具有比圖10a中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路更小的電路面積。圖10b中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路具有這樣的配置，其中晶體管81添加到圖10a中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路。晶體管81的源極和漏極中的一個電連接到晶體管71的源極和漏極中的另一個以及晶體管72的源極和漏極中的另一個；晶體管81的源極和漏極中的另一個電連接到晶體管73的柵極以及電容器80的該一個電極；并且晶體管81的柵極電連接到高電力供應(yīng)電位線。注意，晶體管81可以防止晶體管71和72擊穿。具體地，在圖3c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中，節(jié)點c的電位由于自舉而明顯改變，使得晶體管71和72的源極與漏極之間（尤其在晶體管72的源極與漏極之間）的電壓明顯改變，這可導(dǎo)致晶體管71和72擊穿。相比之下，在圖10b中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中，當(dāng)晶體管73的柵極的電位通過自舉而增加時，晶體管81關(guān)斷，使得節(jié)點c的電位由于自舉而未明顯改變。因此，使晶體管71和72的源極與漏極之間電壓的變化減少，這是可能的。另一方面，圖3c或圖10a中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路可以具有比圖10b中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路更小的電路面積。圖10c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路可以具有使得電連接到晶體管73的源極和漏極中的一個的接線從高電力供應(yīng)電位線變成用于供應(yīng)圖3c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路的電力供應(yīng)電位（vcc）的接線的這樣的配置。在這里，電力供應(yīng)電位（vcc）高于低電力供應(yīng)電位（vss）并且低于高電力供應(yīng)電位（vdd）。此外，該變化可以使從反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路輸出到對應(yīng)反轉(zhuǎn)掃描線的電位改變的概率降低。此外，它可以防止上面的擊穿。另一方面，在圖3c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中，操作反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路所必需的電力供應(yīng)電位的數(shù)量可以比圖10c中的反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路中的更小。像素的變化形式包括在上面的顯示裝置中的像素的配置不限于圖4a中的。例如，盡管圖4a中的像素僅使用n溝道晶體管形成，本發(fā)明不限于該配置。即，在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的顯示裝置中，像素可以備選地僅使用p溝道晶體管或組合的n溝道晶體管和p溝道晶體管形成。注意當(dāng)在像素中提供的晶體管僅具有一個導(dǎo)電類型時（如在圖4a中圖示的），像素可以高度集成。這是因為在通過將雜質(zhì)注入半導(dǎo)體層而給予晶體管不同的導(dǎo)電類型的情況下，需要在n溝道晶體管與p溝道晶體管之間提供間隙（邊界）。相比之下，間隙在像素使用僅具有一個導(dǎo)電類型的晶體管形成的情況下是不必要的。晶體管的特定示例下面參照圖11a至11d以及圖12a至12d示出在上文描述的掃描線驅(qū)動器電路中包括的晶體管的特定示例。注意，在下文描述的晶體管中的任一個可以包括在掃描線驅(qū)動器電路和像素兩者中。晶體管的溝道形成區(qū)可以使用任何半導(dǎo)體材料形成；例如，可以使用例如硅或硅鍺等包含族14元素的半導(dǎo)體材料、包含金屬氧化物的半導(dǎo)體材料或類似物。此外，半導(dǎo)體材料中的任一個可以是非晶或結(jié)晶的。還可以使用任何氧化物半導(dǎo)體材料，并且優(yōu)選地使用包含從in、ga、sn和zn選擇的至少一個的氧化物半導(dǎo)體。例如，基于in-sn-zn-o的氧化物優(yōu)選地用作氧化物半導(dǎo)體，因為可以獲得具有高場效應(yīng)遷移率和高可靠性的晶體管。該規(guī)則也適用于下面的氧化物：四組分金屬氧化物，例如基于in-sn-ga-zn-o的氧化物；三組分金屬氧化物，例如基于in-ga-zn-o的氧化物（也稱為igzo）、基于in-al-zn-o的氧化物、基于sn-ga-zn-o的氧化物、基于al-ga-zn-o的氧化物、基于sn-al-zn-o的氧化物、基于in-hf-zn-o的氧化物、基于in-la-zn-o的氧化物、基于in-ce-zn-o的氧化物、基于in-pr-zn-o的氧化物、基于in-nd-zn-o的氧化物、基于in-pm-zn-o的氧化物、基于in-sm-zn-o的氧化物、基于in-eu-zn-o的氧化物、基于in-gd-zn-o的氧化物、基于in-tb-zn-o的氧化物、基于in-dy-zn-o的氧化物、基于in-ho-zn-o的氧化物、基于in-er-zn-o的氧化物、基于in-tm-zn-o的氧化物、基于in-yb-zn-o的氧化物或基于in-lu-zn-o的氧化物；雙組分金屬氧化物，例如基于in-zn-o的氧化物、基于sn-zn-o的氧化物、基于al-zn-o的氧化物、基于zn-mg-o的氧化物、基于sn-mg-o的氧化物、基于in-mg-o的氧化物或基于in-ga-o的氧化物；單組分金屬氧化物，例如基于in-o的氧化物、基于sn-o的氧化物或基于zn-o的氧化物；及類似物。圖11a至11d以及圖12a至12d圖示其中在氧化物半導(dǎo)體中形成溝道的晶體管的特定示例。注意，圖11a至11d以及圖12a至12d圖示底柵型晶體管的特定示例，但頂柵型晶體管也可以用作該晶體管。此外，圖11a至11d以及圖12a至12d圖示交錯晶體管的特定示例，但共面晶體管也可以用作該晶體管。圖11a至11d是圖示用于制造晶體管（所謂的溝道蝕刻型晶體管）的步驟的橫截面圖。首先，在襯底400上形成導(dǎo)電膜，該襯底400是具有絕緣表面的襯底，并且然后通過使用光掩模的光刻步驟提供柵電極層401。實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的玻璃襯底特別優(yōu)選地用作襯底400。當(dāng)要在隨后的步驟中進(jìn)行的熱處理的溫度是高的時，應(yīng)變點高于或等于730度的玻璃襯底可用作用于襯底400的玻璃襯底。對于襯底400，例如，使用例如鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃或硼硅酸鋇玻璃等玻璃材料?？稍谝r底400與柵電極層401之間提供充當(dāng)基極層的絕緣層。該基極層具有防止雜質(zhì)元素從襯底400擴散的功能，并且可以使用氮化硅層、氧化硅層、氧化氮化硅層和氧氮化硅層中的一個或多個而以單層或堆疊層結(jié)構(gòu)來形成。氧氮化硅指這樣的硅，其中氧的含量高于氮的；例如，氧氮化硅包含原子百分比在50%至70%的氧、原子百分比在0.5%至15%的氮、原子百分比在25%至35%的硅以及原子百分比0%至10%的氫。另外，氧化氮化硅指這樣的硅，其中氮的含量高于氧的；例如，氧化氮化硅包含原子百分比在5%至30%的氧、原子百分比在20%至55%的氮、原子百分比在25%至35%的硅以及原子百分比在10%至25%的氫。注意，上面的范圍通過盧瑟福背散射能譜法（rbs）或氫前向散射能譜法（hfs）測量。此外，構(gòu)成元素的總百分比不超過原子百分比100%。柵電極層401可使用下面的材料中的至少一個而以單層或堆疊層結(jié)構(gòu)形成：al、ti、cr、co、ni、cu、y、zr、mo、ag、ta和w、其氮化物、其氧化物及其合金。備選地，可使用包含至少in和zn的氧化物或氧氮化物。例如，可使用基于in-ga-zn-o-n的材料。接著，在柵電極層401上形成柵極絕緣層402。在形成柵電極層401后，柵極絕緣層402在不暴露于空氣的情況下通過濺射法、蒸發(fā)法、等離子體化學(xué)氣相沉積（pvcd）法、脈沖激光沉積（pld）法、原子層沉積（ald）法、分子束外延（mbe）法或類似物而形成。柵極絕緣層402優(yōu)選地是通過熱處理而釋放氧的絕緣膜。通過熱處理手段來釋放氧意味著釋放的氧（其轉(zhuǎn)化成氧原子）的量大于或等于1.0*1018個原子/cm3，優(yōu)選地大于或等于3.0*1020個原子/cm3（在熱脫附能譜（tds）分析中）。下面示出這樣的方法，其中釋放的氧的量使用tds分析通過轉(zhuǎn)化成氧原子來測量。tds分析中釋放的氣體的量與能譜的積分值成比例。因此，釋放氣體的量可以從測量的能譜的積分值與標(biāo)準(zhǔn)樣品的參考值之間的比率來計算。標(biāo)準(zhǔn)樣品的參考值指樣本中包含的預(yù)定原子的密度與能譜的積分值的比率。例如，從絕緣膜釋放的氧分子的數(shù)量（no2）可以利用包含處于預(yù)定密度的氫的硅晶圓（其是標(biāo)準(zhǔn)樣品）的tds分析結(jié)果以及絕緣膜的tds分析結(jié)果根據(jù)方程（1）來找出。在這里，具有質(zhì)量數(shù)32的所有能譜（其通過tds分析而獲得）假設(shè)源于氧分子。作為具有質(zhì)量數(shù)32的氣體而給出的ch3oh假設(shè)它可能不存在而未被入考慮。此外，包括具有質(zhì)量數(shù)17或18的氧原子（其是氧原子的同位素）的氧分子也因為這樣的分子在自然界中的比例極小而未被考慮。[數(shù)學(xué)式1]（1）。在方程（1）中，nh2是通過將從標(biāo)準(zhǔn)樣品釋放的氫氣分子的數(shù)量轉(zhuǎn)化成密度而獲得的值。sh2是在標(biāo)準(zhǔn)樣品經(jīng)受tds分析時能譜的積分值。在這里，標(biāo)準(zhǔn)樣品的參考值設(shè)置成nh2/sh2。so2是在絕緣膜經(jīng)受tds分析時能譜的積分值。α是在tds分析中影響能譜強度的系數(shù)。對于方程1的細(xì)節(jié)，參考日本公布的專利申請?zhí)杊06-275697。注意，從上面的絕緣膜釋放的氧的量使用包含1*1016個原子/cm3的氫原子的硅晶圓作為標(biāo)準(zhǔn)樣品利用由escoltd.生產(chǎn)的熱脫附能譜分析儀emd-wa1000s/w來測量。此外，在tds分析中，氧部分檢測為氧原子。氧分子與氧原子之間的比率可以從氧分子的電離率測量。注意，因為上面的α包括氧分子的電離率，釋放的氧原子的數(shù)量還可以通過評估釋放的氧分子的數(shù)量而估計。注意，no2是釋放的氧分子的數(shù)量。釋放的氧的量在轉(zhuǎn)化為氧原子時是釋放的氧分子的數(shù)量的兩倍。在上面的結(jié)構(gòu)中，氧通過熱處理而從其中釋放的膜可以是氧過剩的氧化硅（siox（x>2））。在氧過剩的氧化硅（siox（x>2））中，每單位體積氧原子的數(shù)量是每單位體積硅原子數(shù)量的兩倍多。每單位體積硅原子的數(shù)量和氧原子的數(shù)量通過盧瑟福背散射能譜法來測量。由柵極絕緣層402對氧化物半導(dǎo)體膜的氧供應(yīng)可以使其之間的界面態(tài)密度降低。因此，可以防止在氧化物半導(dǎo)體膜與柵極絕緣層402之間的界面處捕獲載流子，使得晶體管的電特性幾乎沒有下降。此外，在一些情況下，電荷由于氧化物半導(dǎo)體膜中的氧空位而產(chǎn)生。一般，氧化物半導(dǎo)體膜中的氧空位的部分充當(dāng)施主并且引起電子（其是載流子）的釋放。因此，晶體管的閾值電壓在負(fù)方向上移位。為了防止此，由柵極絕緣層402向氧化物半導(dǎo)體膜（其與柵極絕緣層402接觸）供應(yīng)足夠的氧，優(yōu)選地過剩的氧，使得氧化物半導(dǎo)體膜中引起閾值電壓在負(fù)方向上移位的氧空位可以減少。柵極絕緣層402優(yōu)選地足夠平坦使得氧化物半導(dǎo)體膜的晶體生長可是容易的。柵極絕緣層402可以使用下面的材料中的至少一個而以單層或堆疊層結(jié)構(gòu)來形成：氧化硅、氧氮化硅、氧化氮化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鉿、氧化鋯、氧化釔、氧化鑭、氧化銫、氧化鉭和氧化鎂。柵極絕緣層402優(yōu)選地在高于或等于室溫并且低于或等于200度（優(yōu)選地高于或等于50度并且低于或等于150度）的襯底加熱溫度在氧氣氣氛中通過濺射法而形成。注意，稀有氣體可添加到氧氣；在該情況下，氧氣的百分比是30vol.%或更高，優(yōu)選地50vol.%或更高，更優(yōu)選地80vol.%或更高。柵極絕緣層402的厚度在100nm至1000nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選地200nm至700nm。在膜形成時較低的襯底加熱溫度、在膜形成氣氛中較高的氧氣百分比或較大的柵極絕緣層402厚度導(dǎo)致在柵極絕緣層402上進(jìn)行熱處理時釋放更大量的氧。膜中氫的濃度通過濺射法可以比通過pcvd法減少得更多。注意，柵極絕緣層402可具有大于1000nm的厚度，但具有使得生產(chǎn)率不降低的厚度。然后，在柵極絕緣層402上通過濺射法、蒸發(fā)法、pcvd法、pld法、ald法、mbe法或類似物而形成氧化物半導(dǎo)體膜403。圖11a是上面的步驟后的橫截面圖。氧化物半導(dǎo)體膜403具有在1nm至40nm范圍內(nèi)的厚度，優(yōu)選地3nm至20nm。特別地，在晶體管具有30nm或更少的溝道長度并且氧化物半導(dǎo)體膜403具有近似5nm厚度的情況下，短溝道效應(yīng)可以受到抑制并且可以獲得穩(wěn)定的電特性。特別地，其中基于in-sn-zn-o的材料用于氧化物半導(dǎo)體膜403的晶體管可以具有高的場效應(yīng)遷移率。其中溝道在包含in、sn和zn作為主要組分的氧化物半導(dǎo)體膜中形成的晶體管可以通過在加熱襯底時形成氧化物半導(dǎo)體膜或通過在形成氧化物半導(dǎo)體膜后進(jìn)行熱處理而可以具有有利的特性。注意，主要組分指在組成中包含原子百分比為5%或以上的元素。通過在形成包含in、sn和zn作為主要組分的氧化物半導(dǎo)體膜后有意加熱襯底，晶體管的場效應(yīng)遷移率可以提高。此外，晶體管的閾值電壓可以正移來使晶體管常斷。氧化物半導(dǎo)體膜403使用具有2.5ev或以上（優(yōu)選地2.8ev或以上，更優(yōu)選地3.0ev或以上）帶隙的材料而形成，以便使晶體管的關(guān)斷態(tài)電流減少。借助于對于氧化物半導(dǎo)體膜403具有在上面的范圍中的帶隙的材料，晶體管的關(guān)斷態(tài)電流可以減少。在氧化物半導(dǎo)體膜403中，氫、堿金屬、堿土金屬及類似物被減少使得雜質(zhì)的濃度極其低，這是優(yōu)選的。這是因為上面的包含在氧化物半導(dǎo)體膜403中的雜質(zhì)形成的能級促使在帶隙中復(fù)合從而而導(dǎo)致晶體管的關(guān)斷態(tài)電流增加。氧化物半導(dǎo)體膜403中氫的濃度（其通過二次離子質(zhì)譜法（sims）而測量）低于5*1019cm-3，優(yōu)選地低于或等于5*1018cm-3，更優(yōu)選地低于或等于1*1018cm-3，再更優(yōu)選地低于或等于5*1017cm-3。此外，通過sims測量的氧化物半導(dǎo)體膜403中堿金屬的濃度如下。鈉的濃度低于或等于5*1016cm-3，優(yōu)選地低于或等于1*1016cm-3，更優(yōu)選地低于或等于1*1015cm-3。相似地，鋰的濃度低于或等于5*1015cm-3，優(yōu)選地低于或等于1*1015cm-3。相似地，鉀的濃度低于或等于5*1015cm-3，優(yōu)選地低于或等于1*1015cm-3。包括沿c軸對齊并且在從a-b平面、頂表面或界面的方向看時具有三角形或六邊形原子排列的晶體（也稱為c軸對齊的晶體（caac））的氧化物半導(dǎo)體膜（也稱為c軸對齊的結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體膜（caac-os膜））可用作氧化物半導(dǎo)體膜403。在該晶體中，金屬原子采用分層方式沿c軸排列，或金屬原子和氧原子采用分層的方式沿c軸排列，并且a軸或b軸的方向在a-b平面中變化（晶體繞c軸扭轉(zhuǎn)）。在廣泛的意義上，caac意指非單晶體，其包括這樣的相，當(dāng)從垂直于a-b平面的方向看時具有三角形、六邊形、正三角形、正六邊形原子排列并且其中當(dāng)從垂直于c軸的方向看時金屬原子以分層的方式排列或金屬原子和氧原子以分層的方式排列。caac-os膜不是單晶體，但這不意味著caac-os膜僅由非晶組分組成。盡管caac-os膜包括結(jié)晶的部分（結(jié)晶部分），一個結(jié)晶部分與另一個結(jié)晶部分之間的邊界在一些情況下是不清楚的。包括在caac-os膜中的結(jié)晶部分的c軸可在一個方向（例如，垂直于形成caac-os膜所在的襯底表面或caac-os膜的頂表面的方向）上對齊。備選地，包括在caac-os膜中的個體結(jié)晶部分的a-b平面的法線可在某一方向（例如，例如，垂直于形成caac-os膜所在的襯底表面或caac-os膜的表面的方向）上對齊。作為這樣的caac-os膜的示例，存在形成為膜形狀并且在從垂直于膜的表面或形成caac-os膜所在的襯底表面的方向看時具有三角形或六邊形原子排列并且其中當(dāng)觀看膜的橫截面時金屬原子以分層的方式排列或金屬原子和氧原子（或氮原子）以分層的方式排列的氧化膜。氧化物半導(dǎo)體膜403優(yōu)選地在100度至600度（優(yōu)選地150度至550度，更優(yōu)選地200度至500度）的襯底加熱溫度在氧氣氣氛中通過濺射法而形成。氧化物半導(dǎo)體膜403的厚度是從1nm至40nm，優(yōu)選地從3nm至20nm。在形成膜時襯底加熱溫度越高，獲得的氧化物半導(dǎo)體膜403中的雜質(zhì)濃度越低。此外，氧化物半導(dǎo)體膜403中的原子排列是有序的，其密度增加，使得容易形成晶體或caac。此外，因為采用氧氣氣氛用于膜形成，例如稀有氣體原子等不必要的原子未包含在氧化物半導(dǎo)體膜403中，使得容易形成晶體或caac。注意，可使用包括氧氣和稀有氣體的混合氣體氣氛。在該情況下，氧氣的百分比是30vol.%或更高，優(yōu)選地50vol.%或更高，更優(yōu)選地80vol.%或更高。氧化物半導(dǎo)體膜403越薄，晶體管的短溝道效應(yīng)越低。然而，當(dāng)氧化物半導(dǎo)體膜403太薄時，氧化物半導(dǎo)體膜403明顯受到界面散射的影響；從而，場效應(yīng)遷移率可減小。在基于in-sn-zn-o的材料通過濺射法而形成為氧化物半導(dǎo)體膜403的情況下，優(yōu)選地使用具有原子比為in:sn:zn=2:1:3、1:2:2、1:1:1或20:45:35的in-sn-zn-o靶材。當(dāng)氧化物半導(dǎo)體膜403使用具有前面提到的組成比的in-sn-zn-o靶材而形成時，容易形成晶體或caac。接著，進(jìn)行第一熱處理。在減壓氣氛、惰性氣氛或氧化氣氛中進(jìn)行該第一熱處理。通過該第一熱處理，氧化物半導(dǎo)體膜403中的雜質(zhì)濃度可以減少。圖11b是上面步驟后的橫截面圖。第一熱處理優(yōu)選地采用在減壓氣氛或惰性氣氛中完成熱處理并且然后氣氛改變?yōu)檠趸瘹夥胀瑫r溫度保持并且進(jìn)一步進(jìn)行熱處理這樣的方式進(jìn)行。通過在減壓氣氛或惰性氣氛中進(jìn)行熱處理，氧化物半導(dǎo)體膜403中的雜質(zhì)濃度可以有效減少；同時，產(chǎn)生氧空位。因此，進(jìn)行在氧化氣氛中的熱處理以便使產(chǎn)生的氧空位減少。通過除在氧化物半導(dǎo)體膜403上形成膜時加熱襯底外還進(jìn)行第一熱處理，膜中的雜質(zhì)能級的數(shù)量可以明顯減少。因此，晶體管的場效應(yīng)遷移率可以增加到接近隨后描述的理想的場效應(yīng)遷移率。注意，氧離子可注入氧化物半導(dǎo)體膜403并且例如氫等雜質(zhì)可通過熱處理而從氧化物半導(dǎo)體膜403釋放使得氧化物半導(dǎo)體膜403可以在與熱處理相同的時間結(jié)晶或通過隨后進(jìn)行的熱處理而結(jié)晶。氧化物半導(dǎo)體膜403可通過激光束照射而不是第一熱處理來選擇性地結(jié)晶。備選地，可在進(jìn)行第一熱處理時進(jìn)行激光束照射使得氧化物半導(dǎo)體膜403可以選擇性地結(jié)晶。激光束照射在惰性氣氛、氧化氣氛或減壓氣氛中進(jìn)行。連續(xù)波激光束（在下文稱為cw激光束）或脈沖波激光束（在下文稱為脈沖激光束）可以在激光束照射情況下使用。例如，使用下列是可能的：例如ar激光束、kr激光束或準(zhǔn)分子激光束等氣體激光束；使用單晶體或多晶yag、yvo4、鎂橄欖石（mg2sio4）、yalo3或gdvo4（以作為摻雜劑的nd、yb、cr、ti、ho、er、tm和ta中的一個或多個來摻雜）作為介質(zhì)而發(fā)射的激光束；例如玻璃激光束、紅寶石激光束、變石激光束或ti:藍(lán)寶石激光束等固態(tài)激光束；或使用銅蒸氣和金蒸氣中的一個或兩個而發(fā)射的蒸氣激光束。通過利用這樣的激光束的一次諧波或激光束的一次諧波的第二諧波至第五諧波中的任一個來照射，氧化物半導(dǎo)體膜403可以結(jié)晶。注意，用于照射的激光束優(yōu)選地具有比氧化物半導(dǎo)體膜403的帶隙更大的能量。例如，可使用從krf、arf、xecl或xef準(zhǔn)分子激光器發(fā)射的激光束。注意，激光束可以是線性激光束。注意，激光束照射可在不同的條件下多次進(jìn)行。例如，在稀有氣體氣氛或減壓氣氛中進(jìn)行第一激光束照射并且在氧化氣氛中進(jìn)行第二激光束照射，這是優(yōu)選的，因為在該情況下，在氧化物半導(dǎo)體膜403中的氧空位減少時可以獲得高結(jié)晶度。接著，氧化物半導(dǎo)體膜403通過光刻步驟或類似物而加工成島狀來形成氧化物半導(dǎo)體膜404。接著，導(dǎo)電膜在柵極絕緣層402和氧化物半導(dǎo)體膜404上形成，并且然后進(jìn)行光刻步驟或類似物來形成源電極405a和漏電極405b。該導(dǎo)電膜可通過濺射法、蒸發(fā)法、pcvd法、pld法、ald法、mbe法或類似物而形成。與柵極電極層401類似，源電極405a和漏電極405b可使用下面的材料中的至少一個而形成為單層或堆疊層結(jié)構(gòu)：al、ti、cr、co、ni、cu、y、zr、mo、ag、ta和w、其氮化物、其氧化物及其合金。接著，充當(dāng)頂部絕緣膜的絕緣膜406通過濺射法、蒸發(fā)法、pcvd法、pld法、ald法、mbe法或類似物而形成。圖11c是上面步驟后的橫截面圖。絕緣膜406可通過與形成柵極絕緣層402的相似的方法而形成?？尚纬杀Ｗo(hù)絕緣膜（未示出）來堆疊在絕緣膜406上。該保護(hù)絕緣膜優(yōu)選地具有甚至在例如250度至450度或優(yōu)選地150度至800度進(jìn)行一小時熱處理時防止氧通過其中的性質(zhì)。在絕緣膜406的外圍中提供具有這樣的性質(zhì)的保護(hù)絕緣膜的情況下，通過熱處理而從絕緣膜406釋放的氧可以被禁止朝晶體管外部擴散。因為采用該方式使氧保持在絕緣膜406中，可以防止晶體管的場效應(yīng)遷移率減小，閾值電壓中的變化可以減少并且可靠性可以提高。保護(hù)絕緣膜可使用下面的材料中的至少一個而形成為單層或堆疊層結(jié)構(gòu)：氧化氮化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鉿、氧化鋯、氧化釔、氧化鑭、氧化銫、氧化鉭和氧化鎂。在形成絕緣膜406后，進(jìn)行第二熱處理。圖11d是上面步驟后的橫截面圖。在150度至550度（優(yōu)選地250度至400度）在減壓氣氛、惰性氣氛或氧化氣氛中進(jìn)行該第二熱處理。該第二熱處理可以使氧從柵極絕緣層402和絕緣膜406釋放，并且使氧化物半導(dǎo)體膜404中的氧空位減少。此外，柵極絕緣層402與氧化物半導(dǎo)體膜404之間以及氧化物半導(dǎo)體膜404與絕緣膜406之間的界面態(tài)密度可以降低，從而導(dǎo)致晶體管的閾值電壓的變化減小以及晶體管的可靠性提高。包括經(jīng)受第一和第二熱處理的氧化物半導(dǎo)體膜404的晶體管具有高的場效應(yīng)遷移率以及低的關(guān)斷態(tài)電流。具體地，每微米溝道寬度的關(guān)斷態(tài)電流可以是1*10-18a或更低、1*10-21a或更低或1*10-24a或更低。氧化物半導(dǎo)體膜404優(yōu)選地是非單晶體。這是因為在晶體管的操作或來自外部的光或熱在氧化物半導(dǎo)體膜404（其完全是單晶體）中產(chǎn)生氧空位的情況下，由于該氧空位造成的載流子在氧化物半導(dǎo)體膜404中產(chǎn)生（由于在修復(fù)氧空位的晶格之間沒有氧）；因此，晶體管的閾值電壓可在負(fù)方向上移位。氧化物半導(dǎo)體膜404優(yōu)選地具有結(jié)晶度。例如，優(yōu)選地使用多晶氧化物半導(dǎo)體膜或caac-os膜作為氧化物半導(dǎo)體膜403。通過上文描述的步驟，可以制造在圖11d中圖示的晶體管。具有與上面的晶體管的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的晶體管參照圖12a至12d描述。注意，圖12a至12d是圖示制造所謂的蝕刻停止晶體管（也稱為溝道停止晶體管和溝道保護(hù)晶體管）的步驟的橫截面圖。圖12a至12d中圖示的晶體管與圖11a至11d中圖示的晶體管的不同之處在于提供充當(dāng)蝕刻停止膜的絕緣膜408。因此，在下文省略與圖11a至11d的相同的描述，并且要參考上文的描述。通過上文描述的步驟，可以獲得在圖12a和12b中的橫截面圖中圖示的結(jié)構(gòu)。圖12c中的絕緣膜408可以采用與形成柵極絕緣層402和絕緣膜406的相似的方式形成。即，通過熱處理而從其中釋放氧的絕緣膜優(yōu)選地用作絕緣膜408。充當(dāng)蝕刻停止膜的絕緣膜408可以防止氧化物半導(dǎo)體膜404在光刻步驟或類似物中被蝕刻用于形成源電極405a和漏電極405b。在形成圖12d中的絕緣膜406后，進(jìn)行第二熱處理使得氧從絕緣膜408以及從絕緣膜406釋放。從而，使氧化物半導(dǎo)體膜404中的氧空位減少的效應(yīng)可以進(jìn)一步提高。此外，柵極絕緣層402與氧化物半導(dǎo)體膜404之間以及氧化物半導(dǎo)體膜404與絕緣膜408之間的界面態(tài)密度可以降低，從而導(dǎo)致晶體管的閾值電壓的變化減少并且晶體管可靠性增加。通過上文描述的步驟，可以制造在圖12d中圖示的晶體管。掃描線驅(qū)動器電路和像素可以包括在圖11d和圖12d中圖示的晶體管中的任一個。例如，參照圖13a和13b描述其中晶體管用作圖4a中的晶體管11的配置。具體地，圖13a是在圖11d中圖示的晶體管用作晶體管11的情況下的頂視圖，并且圖13b是在圖12d中圖示的晶體管用作晶體管11的情況下的頂視圖。注意，在圖13a中沿線c1-c2的橫截面是圖11d，并且在圖13b中沿線c1-c2的橫截面是圖12d。在圖13a和13b中圖示的晶體管中的每個中，充當(dāng)圖4a中的信號線6的接線的部分用作晶體管11的源極和漏極中的該一個，并且充當(dāng)掃描線4的接線的部分用作晶體管11的柵極。采用該方式，在顯示裝置中提供的接線的部分可以用作晶體管的端子。包括液晶顯示裝置的各種電子器件參照圖14a至14f，下面示出電子器件的示例，其每個包括在該說明書中公開的液晶顯示裝置。圖14a圖示膝上型計算機，其包括主體2201、外殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204及類似物。圖14b圖示個人數(shù)字助理（pda），其包括主體2211，該主體2211具有顯示部分2213、外部接口2215、操作按鈕2214及類似物。用于操作的觸控筆作為附件而包括在其中。圖14c圖示作為電子紙的示例的電子書閱讀器2220。該電子書閱讀器2220包括兩個外殼，外殼2221和外殼2223。這些外殼2221和2223通過軸部分2237（電子書閱讀器2220可以沿其打開和關(guān)閉）而彼此綁定。利用這樣的結(jié)構(gòu)，電子書閱讀器2220可以如紙質(zhì)書來使用。顯示部分2225包含在外殼2221中，并且顯示部分2227包含在外殼2223中。顯示部分2225和顯示部分2227可顯示一個圖像或不同的圖像。在顯示部分顯示彼此不同的圖像的結(jié)構(gòu)中，例如，右顯示部分（圖14c中的顯示部分2225）可以顯示文本并且左顯示部分（圖14c中的顯示部分2227）可以顯示圖像。此外，在圖14c中，外殼2221提供有操作部分及類似物。例如，外殼2221提供有電力供應(yīng)2231、操作鍵2233、揚聲器2235及類似物。利用操作鍵2233，可以翻頁。注意，鍵盤、指點裝置或類似物還可在外殼的表面（在其上提供顯示部分）上提供。此外，外部連接端子（耳機端子、usb端子、可以連接到例如ac適配器和usb電纜等各種電纜的端子，或類似物）、記錄介質(zhì)插入部分及類似物可在外殼的背表面或側(cè)表面上提供。此外，電子書閱讀器2220可具有電子字典的功能。電子書閱讀器2220可配置成無線傳送和接收數(shù)據(jù)。通過無線通信，可以從電子書服務(wù)器購買并且下載期望的書本數(shù)據(jù)。注意，電子紙可以在多種領(lǐng)域中應(yīng)用于裝置，只要它們顯示信息即可。除電子書閱讀器外，例如，電子紙可以用于例如列車等車輛中的海報、廣告、例如信用卡等多種卡中的顯示器及類似物。圖14d圖示移動電話。該移動電話包括兩個外殼：外殼2240和2241。該外殼2241提供有顯示面板2242、揚聲器2243、麥克風(fēng)2244、指點裝置2246、拍攝裝置鏡頭2247、外部連接端子2248及類似物。外殼2240提供有用于對移動電話充電的太陽能電池2249、外部存儲器插槽2250及類似物。天線包含在外殼2241中。顯示面板2242具有觸摸面板功能。顯示為圖像的多個操作鍵2245在圖14d中由虛線圖示。注意，移動電話包括升壓電路，用于將從太陽能電池2249輸出的電壓提高到每個電路所需要的電壓。此外，除上面的結(jié)構(gòu)外，移動電話還可以包括非接觸式ic芯片、小型記錄裝置或類似物。顯示面板2242的顯示取向視情況根據(jù)應(yīng)用模式而改變。此外，拍攝裝置鏡頭2247在與顯示面板2242相同的表面上提供，并且從而它可以用作視頻電話。揚聲器2243和麥克風(fēng)2244可以用于視頻電話通話、記錄并且播放聲音等，以及語音通話。此外，處于它們?nèi)缭趫D14d中圖示的那樣打開的狀態(tài)的外殼2240和2241可以滑動使得一個疊在另一個上；因此，便攜式電話可以縮小，這使得便攜式電話適合于攜帶。外部連接端子2248可以連接到ac適配器或多種電纜，例如usb電纜，其實現(xiàn)移動電話的充電以及數(shù)據(jù)通信。此外，大量的數(shù)據(jù)可以通過將記錄介質(zhì)插入外部存儲器插槽2250而保存和移動。此外，除上面的功能外，還可提供紅外通信功能、電視接收功能或類似物。圖14e圖示數(shù)字拍攝裝置，其包括主體2261、顯示部分（a）2267、目鏡2263、操作開關(guān)2264、顯示部分（b）2265、電池2266及類似物。圖14f圖示電視機。在電視機2270中，顯示部分2273包含在外殼2271中。顯示部分2273可以顯示圖像。在這里，外殼2271由座2275支撐。電視機2270可以通過外殼2271的操作開關(guān)或單獨遠(yuǎn)程控制器2280來操作?？梢岳眠h(yuǎn)程控制器2280的操作鍵2279來控制頻道和音量使得可以控制在顯示部分2273上顯示的圖像。此外，遠(yuǎn)程控制器2280可具有顯示部分2277，其中顯示從遠(yuǎn)程控制器2280傳出的信息。注意，電視機2270優(yōu)選地提供有接收器、調(diào)制解調(diào)器及類似物。一般的電視廣播可以利用該接收器而被接收。此外，當(dāng)電視機經(jīng)由調(diào)制解調(diào)器而有線或無線連接到通信網(wǎng)絡(luò)時，可以進(jìn)行單向（從發(fā)送器到接收器）或雙向（在發(fā)送器與接收器之間或在接收器之間）數(shù)據(jù)通信。標(biāo)號說明1掃描線驅(qū)動器電路2信號線驅(qū)動器電路3電流源4掃描線5反轉(zhuǎn)掃描線6信號線7電力供應(yīng)線10像素11晶體管12晶體管13晶體管14晶體管15晶體管16晶體管17電容器18有機el元件20脈沖輸出電路21端子22端子23端子24端子25端子26端子27端子31晶體管32晶體管33晶體管34晶體管35晶體管36晶體管37晶體管38晶體管39晶體管50晶體管51晶體管52晶體管53晶體管60反轉(zhuǎn)脈沖輸出電路61端子62端子63端子71晶體管72晶體管73晶體管74晶體管80電容器81晶體管400襯底401柵極電極層402柵極絕緣層403氧化物半導(dǎo)體膜404氧化物半導(dǎo)體膜405a源電極405b漏電極406絕緣膜408絕緣膜2201主體2202外殼2203顯示部分2204鍵盤2211主體2212觸控筆2213顯示部分2214操作按鈕2215外部接口2220電子書閱讀器2221外殼2223外殼2225顯示部分2227顯示部分2231電力供應(yīng)2233操作鍵2235揚聲器2237軸部分2240外殼2241外殼2242顯示面板2243揚聲器2244麥克風(fēng)2245操作鍵2246指點裝置2247拍攝裝置透鏡2248外部連接端子2249太陽能電池2250外部存儲器插槽2261主體2263目鏡2264操作開關(guān)2265顯示部分（b）2266電池2267顯示部分（a）2270電視機2271外殼2273顯示部分2275座2277顯示部分2279操作鍵2280遠(yuǎn)程控制器該申請基于在2011年5月13日向日本專利局提交的日本專利申請序列號2011-108318，其的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。當(dāng)前第1頁12