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一種納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽及其制備方法與流程

文檔序號(hào):12368411閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽,其特征在于,所述納米顆粒雙層防偽標(biāo)簽從上至下依次包括標(biāo)簽面層、揭開(kāi)層和標(biāo)簽底層,揭開(kāi)層涂覆于標(biāo)簽面層背面,并通過(guò)帶膠粘附于標(biāo)簽底層正面,所述標(biāo)簽面層正面設(shè)有防偽圖文、第一彩色可變二維碼和納米顆粒,揭開(kāi)層的背面設(shè)有圖文、第二彩色可變二維碼和納米顆粒,所述第一彩色可變二維碼和第二彩色可變二維碼相同,所述納米顆粒表面有防偽信息;

所述揭開(kāi)層為透明的上光油涂層。

2.如權(quán)利要求1所述的納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽,其特征在于,所述標(biāo)簽面層材質(zhì)為銅塑紙或PET。

3.如權(quán)利要求1所述的納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽,其特征在于,所述標(biāo)簽底層材質(zhì)為格拉辛底紙。

4.如權(quán)利要求1所述的納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽,其特征在于,所述防偽圖文為紐索團(tuán)花、冷燙團(tuán)花、浮雕和圖文中的至少一種。

5.制備權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽的方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:

(1) 在涂布機(jī)上對(duì)標(biāo)簽面層正面進(jìn)行涂布處理,再于羅鐵機(jī)上印刷防偽圖文,數(shù)碼機(jī)上打印第一彩色可變二維碼;

(2) 采用上光機(jī)在標(biāo)簽面層背面上光油,再采用涂布機(jī)進(jìn)行涂布處理,數(shù)碼機(jī)打印圖文和第二彩色可變二維碼,形成揭開(kāi)層;

(3) 將直徑為0.3-0.5毫米的納米顆粒與膠水按1:2000的重量比混合均勻,并加入帶膠機(jī)中,通過(guò)帶膠機(jī)將揭開(kāi)層與標(biāo)簽底層復(fù)合;

(4) 將直徑為0.2-0.3毫米的納米顆粒與水晶光油按1:288的重量比混合均勻,并加入絲網(wǎng)印刷機(jī)中,于標(biāo)簽面層正面特定部位進(jìn)行絲網(wǎng)印刷,從而使得該部位附著納米顆粒;

(5) 模切成型,并在標(biāo)簽面層正面進(jìn)行防揭刀花處理,再經(jīng)成品檢驗(yàn),包裝即可。

6.如權(quán)利要求5所述納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽的制備方法,其特征在于,步驟(2)中所述上光油時(shí)的溫度為120℃,上光機(jī)的轉(zhuǎn)速為21米/分鐘。

7.如權(quán)利要求5所述納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽的制備方法,其特征在于,步驟(1)和步驟(2)中所述的涂布溫度依次為60℃、70℃、100℃、100℃、70℃和60℃,涂布速度為22米/分鐘。

8.如權(quán)利要求5所述納米顆粒揭開(kāi)留底防偽標(biāo)簽的制備方法,其特征在于,步驟(3)中所述帶膠機(jī)采用四組烘干,烘干溫度依次為60℃、100℃、100℃和60℃,涂膠厚度為0.03毫米。

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