本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED顯示器驅(qū)動(dòng)方法、AMOLED顯示器驅(qū)動(dòng)電路及AMOLED顯示裝置。

背景技術(shù)：

請(qǐng)參閱圖1，所述AMOLED顯示屏中的一個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(Switching TFT)T1、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT)T2及一個(gè)存儲(chǔ)電容C。所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的柵極電連接掃描信號(hào)線，以接收掃描信號(hào)，并在所述掃描信號(hào)的控制下開(kāi)啟或者關(guān)閉。所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的漏極電連接數(shù)據(jù)線，以接收數(shù)據(jù)信號(hào)。當(dāng)所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1在所述掃描信號(hào)的控制下開(kāi)啟時(shí)，所述數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的漏極傳輸至所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的源極。所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極電連接所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的源極，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的漏極電連接至一電源OVdd，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的源極電連接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的正極。所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的負(fù)極接地OVSS。當(dāng)所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1開(kāi)啟時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)，并在所述數(shù)據(jù)信號(hào)的控制下驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED。所述存儲(chǔ)電容C一端電連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極，一端電連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的漏極。所述存儲(chǔ)電容C和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極電連接的節(jié)點(diǎn)命名為P。上述描述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，由于包括兩個(gè)薄膜晶體管及一個(gè)電容，因此，此種結(jié)構(gòu)也稱為2T1C結(jié)構(gòu)。在不同的灰階下，P點(diǎn)的電壓不同，但是P點(diǎn)的電壓大于OVSS的電壓。舉例而言，當(dāng)灰階為255時(shí)，P點(diǎn)的電壓等于GM1，當(dāng)灰階為0時(shí)，P點(diǎn)的電壓等于GM9，GM1大于GM9。請(qǐng)參閱圖2，圖2中左邊的圖中A區(qū)的灰階為255，B區(qū)的灰階為0，那么A區(qū)和B區(qū)中所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極和源極之間的電壓VGS的情況為：VGS_A＞VGS_B。導(dǎo)致A區(qū)的電應(yīng)力(stress)永遠(yuǎn)比B區(qū)的電應(yīng)力大。因此，當(dāng)圖2中左邊的圖中的畫(huà)面顯示一段時(shí)間過(guò)后，再切換到全灰階時(shí)，會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的圖像殘留，如圖2右邊的圖所示。從而導(dǎo)致所述AMOLED顯示屏有較為嚴(yán)重的圖像殘留現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)AMOLED顯示屏，所述AMOLED驅(qū)動(dòng)方法包括：

檢測(cè)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階是否大于預(yù)設(shè)灰階，且檢測(cè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目是否均大于預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目；

當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階大于預(yù)設(shè)灰階，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目均大于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，計(jì)算在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的每顆驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨著時(shí)間變化的情況；

根據(jù)在所述預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間變化的情況對(duì)加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以使加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化等于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化；

將補(bǔ)償后的數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

其中，當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階小于或等于所述預(yù)設(shè)灰階時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，則無(wú)需對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

其中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗鯝MOLED顯示屏中的任意區(qū)域。

本發(fā)明還提供了一種AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)AMOLED顯示屏，所述AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路包括：

檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階是否大于預(yù)設(shè)灰階，且檢測(cè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目是否均大于預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目；

計(jì)算單元，當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階大于預(yù)設(shè)灰階，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目均大于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，計(jì)算在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨著時(shí)間變化的情況；

補(bǔ)償單元，用于根據(jù)在所述預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間變化的情況對(duì)加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以使加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化等于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化；

驅(qū)動(dòng)單元，用于將補(bǔ)償后的數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

其中，所述驅(qū)動(dòng)單元還用于當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰度小于或等于所述預(yù)設(shè)灰階時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，則無(wú)需對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

其中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗鯝MOLED顯示屏中的任意區(qū)域。

本發(fā)明還提供了一種AMOLED顯示裝置，所述AMOLED顯示裝置包括AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路，所述AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路用于驅(qū)動(dòng)AMOLED顯示屏，所述AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路包括：

檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階是否大于預(yù)設(shè)灰階，且檢測(cè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目是否均大于預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目；

計(jì)算單元，當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階大于預(yù)設(shè)灰階，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目均大于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，計(jì)算在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的每顆驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨著時(shí)間變化的情況；

補(bǔ)償單元，用于根據(jù)在所述預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間變化的情況對(duì)加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以使加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化等于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化；

驅(qū)動(dòng)單元，用于將補(bǔ)償后的數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

其中，當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階小于或等于所述預(yù)設(shè)灰階時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，則無(wú)需對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

其中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗鯝MOLED顯示屏中的任意區(qū)域。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)方法在所述AMOLED顯示屏的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階大于預(yù)設(shè)灰階，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的長(zhǎng)度和寬度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目均大于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，根據(jù)預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化情況對(duì)加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以使加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化等于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化，從而使流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流保持不變，進(jìn)而達(dá)到了減小所述AMOLED顯示屏圖像閃爍的技術(shù)效果。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中AMOLED顯示屏中一個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。

圖2為圖1中的驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用在AMOLED顯示屏中A區(qū)相對(duì)于B區(qū)產(chǎn)生圖像殘留的示意圖。

圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的AMOLED顯示屏中一個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路圖。

圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。

圖5為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路的電路框圖。

圖6為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的AMOLED顯示裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)一并參閱圖3及圖4，圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的AMOLED顯示屏中一個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路圖。圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。所述AMOLED顯示屏中的一個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(Switching TFT)T1、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT)T2及一個(gè)存儲(chǔ)電容C。所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的柵極電連接掃描信號(hào)線，以接收掃描信號(hào)，并在所述掃描信號(hào)的控制下開(kāi)啟或者關(guān)閉。所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的漏極電連接數(shù)據(jù)線，以接收數(shù)據(jù)信號(hào)。當(dāng)所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1在所述掃描信號(hào)的控制下開(kāi)啟時(shí)，所述數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的漏極傳輸至所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的源極。所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極電連接所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1的源極，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的漏極電連接至一電源OVdd，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的源極電連接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的正極。所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的負(fù)極接地OVSS。當(dāng)所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管T1開(kāi)啟時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)，并在所述數(shù)據(jù)信號(hào)的控制下驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED。所述存儲(chǔ)電容C一端電連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極，一端電連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的漏極。上述描述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，由于包括兩個(gè)薄膜晶體管及一個(gè)電容，因此，此種結(jié)構(gòu)也稱為2T1C結(jié)構(gòu)?？梢岳斫獾?，本發(fā)明以2T1C結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行描述，但是本發(fā)明并不局限于2T1C結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路。

所述AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)方法包括但不僅限于以下步驟。

步驟S110，檢測(cè)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階是否大于預(yù)設(shè)灰階，且檢測(cè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目是否均大于預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目。在一實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)灰階可以為：當(dāng)所述AMOLED顯示屏為8bit時(shí)，所述預(yù)設(shè)灰階為160。在一實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目等于15。在一實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗鯝MOLED顯示屏中的任意區(qū)域。

步驟S120，當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階大于預(yù)設(shè)灰階，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目均大于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，計(jì)算在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的每顆驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨著時(shí)間變化的情況。對(duì)于所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的每顆驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2而言，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時(shí)間的變化情況V_th(t)的半經(jīng)驗(yàn)公式如公式(1)所示。

V_th(t)＝V_th，0+ΔV_th(t) (公式1)

而，

ΔV_th(t)＝A·exp(-E_A/kT)·t^β(V_GS-ηV_DS-V_th,0)ⁿ (公式2)

其中，ΔV_th(t)表示所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時(shí)間的變化。由此可見(jiàn)，ΔV_th(t)為V_GS、V_DS和時(shí)間的函數(shù)。

對(duì)于所述AMOLED顯示屏的特定的制程而言，A和β均為常數(shù)，越優(yōu)良的制程，則A越小，β也越小。EA為活化能(Activation Energy)，對(duì)于AMOLED顯示屏的特定的制程而言，EA為常數(shù)。

V_th,0:V_th in t＝0，且η＝V_GS/(V_GS+V_DS)

其中，V_GS為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極和源極之間的電壓；V_DS為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的漏極和源極之間的電壓。流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流I_OLED隨時(shí)間變化的公式如公式(3)所示。

I_OLED(t)＝I_ds,T2＝1/2μ_nCox(W/L)(V_GS-V_th)²＝1/2μ_nCox(W/L)(V_data(t)-V_S-V_th(t))² 公式(3)

其中，I_ds,T2指的是所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的源極和漏極之間的電流；μ_n指的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的溝道層的載流子遷移率；Cox指的是所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2中柵極絕緣層單位面積的電容值；W指的是所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的溝道層的寬度；L指的是所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的溝道層測(cè)長(zhǎng)度；V_data(t)指的是所述數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化情況。

步驟S130，根據(jù)在所述預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間變化的情況對(duì)加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以使加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化等于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化。

具體地，根據(jù)在所述預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的每顆驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間變化的情況對(duì)加載在每顆驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以使記載在每顆驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化等于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化。

由公式(3)可見(jiàn)，對(duì)于所述預(yù)設(shè)區(qū)域的每個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管而言，流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流I_OLED(t)和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時(shí)間的變化情況V_th(t)以及所述數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化情況V_data(t)相關(guān)。如果所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時(shí)間的變化情況V_th(t)以及所述數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化情況V_data(t)相等，即，ΔV_th(t)＝ΔV_data(t)，則流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流I_OLED不隨著時(shí)間變化，從而達(dá)到了減小所述AMOLED顯示屏圖像閃爍(Image Sticking)的技術(shù)效果。

步驟S140，將補(bǔ)償后的數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

所述AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)方法還包括如下步驟。

步驟I，當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階小于或等于所述預(yù)設(shè)灰階時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，則無(wú)需對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)方法在所述AMOLED顯示屏的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階大于預(yù)設(shè)灰階，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的長(zhǎng)度和寬度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目均大于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，根據(jù)預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化情況對(duì)加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以使加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化等于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化，從而使流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流保持不變，進(jìn)而達(dá)到了減小所述AMOLED顯示屏圖像閃爍的技術(shù)效果。

下面結(jié)合圖3、圖4及前述對(duì)AMOLED顯示屏中一個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路及AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)方法的描述，對(duì)本發(fā)明的AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行描述。請(qǐng)參閱圖5，圖5為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路的電路框圖。所述AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路100包括檢測(cè)單元110、計(jì)算單元120、補(bǔ)償單元130及驅(qū)動(dòng)單元140。各個(gè)單元的具體功能詳細(xì)介紹如下。

所述檢測(cè)單元110，用于檢測(cè)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階是否大于預(yù)設(shè)灰階，且檢測(cè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目是否均大于預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目。在一實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)灰階可以為：當(dāng)所述AMOLED顯示屏為8bit時(shí)，所述預(yù)設(shè)灰階為160。在一實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目等于15。在一實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗鯝MOLED顯示屏中的任意區(qū)域。

所述計(jì)算單元120，當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階大于預(yù)設(shè)灰階，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目均大于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，計(jì)算在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨著時(shí)間變化的情況。具體地，所述計(jì)算單元120計(jì)算在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化情況請(qǐng)參閱步驟S120中的描述，在此不再贅述。

所述補(bǔ)償單元130，用于根據(jù)在所述預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間變化的情況對(duì)加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以使加載在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化等于所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓隨時(shí)間的變化。具體地，由公式(3)可見(jiàn)，流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流I_OLED(t)和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時(shí)間的變化情況V_th(t)以及所述數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化情況V_data(t)相關(guān)。如果所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的閾值電壓隨時(shí)間的變化情況Vth(t)以及所述數(shù)據(jù)信號(hào)隨時(shí)間的變化情況V_data(t)相等，即，ΔV_th(t)＝ΔV_data(t)，則流經(jīng)所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流I_OLED不隨著時(shí)間變化，從而達(dá)到了減小所述AMOLED顯示屏圖像閃爍(Image Sticking)的技術(shù)效果。所述驅(qū)動(dòng)單元140，用于將補(bǔ)償后的數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

可以理解地，所述檢測(cè)單元110、所述計(jì)算單元120、所述補(bǔ)償單元130及所述驅(qū)動(dòng)單元140都集成在TCON內(nèi)。

在本實(shí)施方式中，所述驅(qū)動(dòng)單元140還用于當(dāng)所述AMOLED顯示屏中的預(yù)設(shè)區(qū)域的灰階小于或等于所述預(yù)設(shè)灰階時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，或者所述預(yù)設(shè)區(qū)域的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)的像素?cái)?shù)目小于或等于所述預(yù)設(shè)像素?cái)?shù)目時(shí)，則無(wú)需對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，將所述數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述AMOLED顯示屏。

請(qǐng)參閱圖6，圖6為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的AMOLED顯示裝置的示意圖。所述AMOLED顯示裝置1包括AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路100，所述AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路100用于驅(qū)動(dòng)AMOLED顯示屏。所述AMOLED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路100如前面所述，在此不再贅述。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。