本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種轉換電路及其工作方法、補償裝置和顯示設備。

背景技術：

現有的像素電路之中，驅動管TFT(Thin Film Transistor，TFT)由數據電壓驅動打開，產生驅動電流作用于OLED(Organic Light-Emitting Diode，OLED)上，從而驅動OLED發(fā)光。由于工藝過程以及實際生產之中的不可控因素，驅動管TFT的特性不完全相同甚至差異較大，因此同樣的數據電壓作用于不同的驅動管TFT產生的電流也會不同甚至差異較大，從而導致OLED的亮度不均勻。

為解決上述問題，現有技術對驅動數據進行調整，以使得驅動管TFT的驅動電流達到期望值。在補償過程之中，需要將電流信號轉換為電壓信號。然而，轉換精度的損失影響補償效果。

技術實現要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種轉換電路及其工作方法、補償裝置和顯示設備，至少部分解決現有的像素補償過程之中，電流信號轉換為電壓信號時出現轉換精度的損失，從而影響補償效果的問題。

為此，本發(fā)明提供一種轉換電路，包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；

所述形成單元用于根據標準電流和預設電壓形成標準電阻；

所述輸入單元用于根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流；

所述形成單元用于根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。

可選的，所述輸入單元包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管；

所述第一晶體管的柵極與所述輸入端連接，所述第一晶體管的第一極與所述輸入端連接，所述第一晶體管的第二極與所述第二晶體管的第二極連接；

所述第二晶體管的柵極與所述輸入端連接，所述第二晶體管的第一極與所述第三晶體管的第二極連接，所述第二晶體管的第二極接地；

所述第三晶體管的柵極與所述第二晶體管的第一極連接，所述第三晶體管的第一極與所述第四晶體管的第一極連接；

所述第四晶體管的柵極與所述第二晶體管的第一極連接，所述第四晶體管的第二極與輸出端連接。

可選的，所述第一晶體管和所述第二晶體管為N型MOS晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管為P型MOS晶體管。

可選的，所述第一電壓端接地。

可選的，所述輸入單元包括第五晶體管和第六晶體管；

所述第五晶體管的柵極與所述輸入端連接，所述第五晶體管的第一極與所述輸入端連接，所述第五晶體管的第二極與所述第六晶體管的第二極連接；

所述第六晶體管的柵極與所述輸入端連接，所述第六晶體管的第一極與所述輸出端連接，所述第六晶體管的第二極接地。

可選的，所述第五晶體管和所述第六晶體管為N型MOS晶體管。

可選的，所述第一電壓端與高電平連接。

本發(fā)明還提供一種補償裝置，包括補償單元和上述任一轉換電路，所述補償單元的輸入端與所述形成單元的輸出端連接。

本發(fā)明還提供一種顯示設備，包括像素單元與上述補償裝置，所述像素單元的驅動電流輸出端與所述輸入單元的輸入端連接。

本發(fā)明還提供一種轉換電路的工作方法，所述轉換電路包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；

所述轉換電路的工作方法包括：

所述形成單元根據標準電流和預設電壓形成標準電阻；

所述輸入單元根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流；

所述形成單元根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。

本發(fā)明具有下述有益效果：

本發(fā)明提供的轉換電路及其工作方法、補償裝置和顯示設備之中，所述轉換電路包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；所述形成單元用于根據標準電流和預設電壓形成標準電阻；所述輸入單元用于根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流；所述形成單元用于根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。本發(fā)明提供的技術方案根據標準電流和預設電壓形成標準電阻，從而將電阻精度設定在同一值，在此基礎上不同驅動管的驅動電流作用在所述標準電阻上會得到不同的電壓值，上述電壓值的精度也可以反映電流值的精度，從而達到準確提取驅動電流而且將所述驅動電流轉換為電壓信號的目標。另外，本發(fā)明提供的技術方案利用標準電阻將像素驅動電流準確轉換為電壓信號，避免了電阻個體差異帶來的轉換精度的損失。而且，上述電壓信號可以直接應用于后續(xù)的補償電路，以實現對像素的補償，使得不同數據電壓驅動的不同驅動管，產生相同的驅動電流，從而實現亮度的均勻顯示。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種轉換電路的結構示意圖；

圖2為圖1所示轉換電路的一種具體結構示意圖；

圖3為圖1所示轉換電路的另一種具體結構示意圖；

圖4為圖1所示形成單元的一種具體結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例二提供的一種補償裝置的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例三提供的一種顯示設備的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例四提供的一種轉換電路的工作方法的流程圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖對本發(fā)明提供的轉換電路及其工作方法、補償裝置和顯示設備進行詳細描述。

實施例一

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種轉換電路的結構示意圖。如圖1所示，所述轉換電路包括形成單元101和輸入單元102，所述形成單元101分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元102分別與輸入端和輸出端連接。所述形成單元101用于根據標準電流和預設電壓形成標準電阻，所述輸入單元102用于根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流，所述形成單元101用于根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。本實施例提供的技術方案根據標準電流和預設電壓形成標準電阻，從而將電阻精度設定在同一值，在此基礎上不同驅動管的驅動電流作用在所述標準電阻上會得到不同的電壓值，上述電壓值的精度也可以反映電流值的精度，從而達到準確提取驅動電流而且將所述驅動電流轉換為電壓信號的目標。

圖2為圖1所示轉換電路的一種具體結構示意圖。如圖2所示，所述輸入單元102包括第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3以及第四晶體管M4。所述第一晶體管M1的柵極與所述輸入端連接，所述第一晶體管M1的第一極與所述輸入端連接，所述第一晶體管M1的第二極與所述第二晶體管的第二極連接。所述第二晶體管M2的柵極與所述輸入端連接，所述第二晶體管M2的第一極與所述第三晶體管M3的第二極連接，所述第二晶體管M2的第二極接地。所述第三晶體管M3的柵極與所述第二晶體管M2的第一極連接，所述第三晶體管M3的第一極與所述第四晶體管M4的第一極連接。所述第四晶體管M4的柵極與所述第二晶體管M2的第一極連接，所述第四晶體管M4的第二極與輸出端連接?？蛇x的，所述第一晶體管M1和所述第二晶體管M2為N型MOS晶體管，所述第三晶體管M3和所述第四晶體管M4為P型MOS晶體管，所述第一電壓端接地。

參見圖2，電阻R1為形成單元101根據標準電流和預設電壓形成的標準電阻。具體來說，輸入端輸入標準電流，測量此時輸出端的電壓值，根據測量的電壓值與預設的電壓值不斷修正電阻R1的值，使得測量的電壓值達到預設的電壓值。例如，預設電阻R1的值為1000K ohm，標準電流為1uA，則預設的電壓值應為1V。如果測量獲得的電壓值為1.2V，則說明電阻R1的實際值為1200K ohm左右(包括輸入單元102的匹配誤差)，將電阻R1的值調整到1000K ohm，再次測量輸出端的電壓值。因此，通過上述方式不斷調整電阻R1的值，直到測量的電壓值為1V時，形成標準電阻的目標完成。

圖3為圖1所示轉換電路的另一種具體結構示意圖。如圖3所示，所述輸入單元102包括第五晶體管M5和第六晶體管M6，所述第五晶體管M5的柵極與所述輸入端連接，所述第五晶體管M5的第一極與所述輸入端連接，所述第五晶體管M5的第二極與所述第六晶體管M6的第二極連接，所述第六晶體管M6的柵極與所述輸入端連接，所述第六晶體管M6的第一極與所述輸出端連接，所述第六晶體管M6的第二極接地。可選的，所述第五晶體管M5和所述第六晶體管M6為N型MOS晶體管，所述第一電壓端與高電平VDD連接。

參見圖3，電阻R2為形成單元101根據標準電流和預設電壓形成的標準電阻。具體來說，所述第一電壓端輸入標準高電平，輸入端輸入標準電流，測量此時輸出端的電壓值，根據測量的電壓值與預設的電壓值不斷修正電阻R2的值，使得測量的電壓值達到預設的電壓值。例如，設定高電平VDD為3V，預設電阻R2的值為1000K ohm，標準電流為1uA，則預設的電壓值應為2V。如果測量獲得的電壓值為2.1V，則說明電阻R2的實際值為900K ohm左右(包括輸入單元102的匹配誤差)，將電阻R2的值調整到1000K ohm，再次測量輸出端的電壓值。因此，通過上述方式不斷調整電阻R2的值，直到測量的電壓值為2V時，形成標準電阻的目標完成。

圖4為圖1所示形成單元的一種具體結構示意圖。如圖4所示，輸入端D0為符號位，輸入端D1～D5為數據位，輸入端D0～D5可以默認設定為0，此時晶體管S0～S4導通，晶體管S5～S9斷開。此時，電阻Rbase以及晶體管S5～S9對應的電阻接入電阻串，從而可以形成電阻值為1000K ohm的標準電阻。需要增加電阻值時，將輸入端D0設置為1，輸入端D1～D5之中選取對應的數據位設置為1即可。需要減少電阻值時，保持輸入端D0為0，在輸入端D1～D5之中選取對應的數據位設置為1即可。若設定R＝20K ohm，則形成的標準電阻的電阻值可變范圍為845K ohm～1155K ohm，最小精度為5K ohm，百分比為0.5％；若設定R＝10K ohm，則形成的標準電阻的電阻值可變范圍為922.5K ohm～1077.5K ohm，最小精度為2.5K ohm，百分比為0.25％；若設定R＝2K ohm，則形成的標準電阻的電阻值可變范圍為984.5K ohm～1015.5K ohm，最小精度為0.5K ohm，百分比為0.05％。本實施例利用形成單元形成標準電阻將像素驅動電流準確轉換為電壓信號，避免了電阻個體差異帶來的轉換精度的損失。而且，上述電壓信號可以直接應用于后續(xù)的補償電路，以實現對像素的補償，使得不同數據電壓驅動的不同驅動管，產生相同的驅動電流，從而實現亮度的均勻顯示。

本實施例中，如果需要擴大形成的標準電阻的電阻值的可變范圍，可以增加對應的邏輯元件、晶體管以及電阻，例如，增加數據位D6、D7以及對應的電阻，上述對應的電阻的阻值為8R和16R，則整個形成單元101形成標準電阻的阻值可變范圍變?yōu)?36.5K ohm～1063.5K ohm，即可以覆蓋芯片內部電阻±6.35％的漂移。當然，還可以繼續(xù)擴大形成的標準電阻的電阻值的可變范圍，例如，增加數據位D6、D7、D8、D9、D10以及對應的電阻，上述對應的電阻的阻值為8R、16R、32R、64R、128R，則整個形成單元101形成標準電阻的阻值可變范圍變?yōu)?88.5K ohm～1511.5K ohm，即可以覆蓋芯片內部電阻±51.15％的漂移，而且精度為0.05％。

本實施例提供的轉換電路包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；所述形成單元用于根據標準電流和預設電壓形成標準電阻；所述輸入單元用于根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流；所述形成單元用于根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。本實施例提供的技術方案根據標準電流和預設電壓形成標準電阻，從而將電阻精度設定在同一值，在此基礎上不同驅動管的驅動電流作用在所述標準電阻上會得到不同的電壓值，上述電壓值的精度也可以反映電流值的精度，從而達到準確提取驅動電流而且將所述驅動電流轉換為電壓信號的目標。另外，本實施例提供的技術方案利用標準電阻將像素驅動電流準確轉換為電壓信號，避免了電阻個體差異帶來的轉換精度的損失。而且，上述電壓信號可以直接應用于后續(xù)的補償電路，以實現對像素的補償，使得不同數據電壓驅動的不同驅動管，產生相同的驅動電流，從而實現亮度的均勻顯示。

實施例二

圖5為本發(fā)明實施例二提供的一種補償裝置的結構示意圖。如圖5所示，所述補償裝置包括補償單元103和實施例一提供的轉換電路，所述轉換電路包括形成單元101和輸入單元102，所述形成單元101分別與補償單元103和第一電壓端連接，所述輸入單元102分別與輸入端和補償單元103連接。關于轉換電路的具體內容可參照實施例一的描述，此處不再贅述。

本實施例提供的補償裝置之中，所述轉換電路包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；所述形成單元用于根據標準電流和預設電壓形成標準電阻；所述輸入單元用于根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流；所述形成單元用于根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。本實施例提供的技術方案根據標準電流和預設電壓形成標準電阻，從而將電阻精度設定在同一值，在此基礎上不同驅動管的驅動電流作用在所述標準電阻上會得到不同的電壓值，上述電壓值的精度也可以反映電流值的精度，從而達到準確提取驅動電流而且將所述驅動電流轉換為電壓信號的目標。另外，本實施例提供的技術方案利用標準電阻將像素驅動電流準確轉換為電壓信號，避免了電阻個體差異帶來的轉換精度的損失。而且，上述電壓信號可以直接應用于后續(xù)的補償電路，以實現對像素的補償，使得不同數據電壓驅動的不同驅動管，產生相同的驅動電流，從而實現亮度的均勻顯示。

實施例三

圖6為本發(fā)明實施例三提供的一種顯示設備的結構示意圖。如圖6所示，所述顯示設備包括像素單元104與實施例二提供的補償裝置，所述補償裝置包括補償單元103、形成單元101和輸入單元102，所述形成單元101分別與補償單元103和第一電壓端連接，所述輸入單元102分別與像素單元104和補償單元103連接。關于補償裝置的具體內容可參照實施例二的描述，此處不再贅述。

本實施例提供的顯示設備之中，所述轉換電路包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；所述形成單元用于根據標準電流和預設電壓形成標準電阻；所述輸入單元用于根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流；所述形成單元用于根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。本實施例提供的技術方案根據標準電流和預設電壓形成標準電阻，從而將電阻精度設定在同一值，在此基礎上不同驅動管的驅動電流作用在所述標準電阻上會得到不同的電壓值，上述電壓值的精度也可以反映電流值的精度，從而達到準確提取驅動電流而且將所述驅動電流轉換為電壓信號的目標。另外，本實施例提供的技術方案利用標準電阻將像素驅動電流準確轉換為電壓信號，避免了電阻個體差異帶來的轉換精度的損失。而且，上述電壓信號可以直接應用于后續(xù)的補償電路，以實現對像素的補償，使得不同數據電壓驅動的不同驅動管，產生相同的驅動電流，從而實現亮度的均勻顯示。

實施例四

圖7為本發(fā)明實施例四提供的一種轉換電路的工作方法的流程圖。如圖7所示，所述轉換電路包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接。所述轉換電路的工作方法包括：

步驟1001、所述形成單元根據標準電流和預設電壓形成標準電阻。

步驟1002、所述輸入單元根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流。

步驟1003、所述形成單元根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。

本實施例根據標準電流和預設電壓形成標準電阻。具體來說，輸入端輸入標準電流，測量此時輸出端的電壓值，根據測量的電壓值與預設的電壓值不斷修正電阻值，使得測量的電壓值達到預設的電壓值。此時形成的電阻值即為標準電阻值，從而將電阻精度設定在同一值，在此基礎上不同驅動管的驅動電流作用在所述標準電阻上會得到不同的電壓值，上述電壓值的精度也可以反映電流值的精度，從而達到準確提取驅動電流而且將所述驅動電流轉換為電壓信號的目標。

本實施例提供的轉換電路的工作方法之中，所述轉換電路包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；所述形成單元用于根據標準電流和預設電壓形成標準電阻；所述輸入單元用于根據所述輸入端輸入的驅動電流向所述標準電阻輸出所述驅動電流；所述形成單元用于根據所述第一電壓端的輸入信號和所述驅動電流形成電壓信號。本實施例提供的技術方案根據標準電流和預設電壓形成標準電阻，從而將電阻精度設定在同一值，在此基礎上不同驅動管的驅動電流作用在所述標準電阻上會得到不同的電壓值，上述電壓值的精度也可以反映電流值的精度，從而達到準確提取驅動電流而且將所述驅動電流轉換為電壓信號的目標。另外，本實施例提供的技術方案利用標準電阻將像素驅動電流準確轉換為電壓信號，避免了電阻個體差異帶來的轉換精度的損失。而且，上述電壓信號可以直接應用于后續(xù)的補償電路，以實現對像素的補償，使得不同數據電壓驅動的不同驅動管，產生相同的驅動電流，從而實現亮度的均勻顯示。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。