1.一種光學(xué)防偽元件的制備方法，該方法包括：
在基材的同一表面上形成具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的起伏結(jié)構(gòu)層，其中所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積小于所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積；
在所述起伏結(jié)構(gòu)層上形成鍍層；
在所述鍍層上形成保護(hù)層，且所述保護(hù)層在所述第一區(qū)域中的最小厚度大于所述保護(hù)層在所述第二區(qū)域中的最小厚度；以及
將所述光學(xué)防偽元件置于能與所述鍍層反應(yīng)的氛圍中，直到所述第二區(qū)域中的鍍層被完全或者部分腐蝕但所述第一區(qū)域中的鍍層得以保留為止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積小于0.2μm3/μm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積小于0.1μm3/μm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一區(qū)域中同時(shí)含有深寬比大于0.3和小于0.3的起伏結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積大于0.2μm3/μm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積大于0.5μm3/μm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)的 周期大于1μm、小于20μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)的深度大于0.3μm、小于10μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的方法，其中，所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)和所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)的截面為余弦結(jié)構(gòu)、鋸齒形結(jié)構(gòu)、柱面結(jié)構(gòu)、球面結(jié)構(gòu)、棱錐結(jié)構(gòu)、方波型結(jié)構(gòu)或它們的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的方法，其中，所述保護(hù)層的比體積大于所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積而小于所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述保護(hù)層的比體積大于0.1μm3/μm2、小于1μm3/μm2。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述保護(hù)層的比體積大于0.2μm3/μm2、小于0.5μm3/μm2。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過(guò)在所述鍍層上涂布保護(hù)膠來(lái)形成保護(hù)層，所述保護(hù)膠的粘度小于100cP。
14.一種光學(xué)防偽元件，該光學(xué)防偽元件至少包括：
基材；
位于所述基材的同一表面上的具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的起伏結(jié)構(gòu)層，其中所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積小于所述第二區(qū)域中的起伏 結(jié)構(gòu)表面的比體積；
僅位于所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)層上的鍍層；以及
位于所述鍍層上的保護(hù)層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)防偽元件，其中，所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積小于0.2μm3/μm2。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)防偽元件，其中，所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積小于0.1μm3/μm2。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)防偽元件，其中，所述第一區(qū)域中同時(shí)含有深寬比大于0.3和小于0.3的起伏結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)防偽元件，其中，所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積大于0.2μm3/μm2。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光學(xué)防偽元件，其中，所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)表面的比體積大于0.5μm3/μm2。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)防偽元件，其中，所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)的周期大于1μm、小于20μm。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)防偽元件，其中，所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)的深度大于0.3μm、小于10μm。
22.根據(jù)權(quán)利要求14至21中任一權(quán)利要求所述的光學(xué)防偽元件，其中， 所述第一區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)和所述第二區(qū)域中的起伏結(jié)構(gòu)的截面為余弦結(jié)構(gòu)、鋸齒形結(jié)構(gòu)、柱面結(jié)構(gòu)、球面結(jié)構(gòu)、棱錐結(jié)構(gòu)、方波型結(jié)構(gòu)或它們的組合。