專利名稱：校正電路和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)其中顯示元件排列成矩陣的顯示裝置中發(fā)生的顯示不均一性進(jìn)行 校正的校正電路和顯示裝置。
背景技術(shù)：
在有機(jī)EL顯示裝置中，作為自發(fā)光元件的有機(jī)EL元件被用作像素。排列成矩陣 的每個(gè)有機(jī)EL元件(即，發(fā)光元件)的亮度水平(灰度)可由元件中流動(dòng)的電流來控制。 從而，有機(jī)EL顯示裝置是電流控制裝置(電流驅(qū)動(dòng)方法)，因此與諸如液晶顯示裝置之類的 電壓控制裝置有很大不同。有機(jī)EL顯示裝置采用無(wú)源矩陣方法或有源矩陣方法作為其驅(qū)動(dòng)方法。近年來，采 用有源矩陣方法的有機(jī)EL顯示裝置已被廣泛開發(fā)。在有源矩陣方法中，在每個(gè)像素電路中 的發(fā)光元件中流動(dòng)的電流由設(shè)置在像素電路中的有源元件來控制。薄膜晶體管(TFT)通常 被用作有源元件，并且由于其功能而被稱為驅(qū)動(dòng)晶體管。在其中TFT被布置成矩陣的TFT面板中，輸入信號(hào)的電勢(shì)與每個(gè)像素中的發(fā)光亮 度之間的關(guān)系對(duì)應(yīng)于像素的驅(qū)動(dòng)晶體管中的柵極施加電壓和漏極電流之間的關(guān)系(例如， 參見日本未實(shí)審專利申請(qǐng)公布No. 2006-84899)。驅(qū)動(dòng)晶體管的工作特性由以下式1來表示。Ids = (1/2) μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2. ... (1)在式1中，Ids表示在源極和漏極之間流動(dòng)的漏極電流，即，提供到像素電路中的 發(fā)光元件的輸出電流。Vgs表示以源極為基準(zhǔn)、施加到柵極的柵極電壓，即像素電路中的上 述輸入電勢(shì)。Vth表示晶體管的閾值電壓。μ表示構(gòu)成晶體管的溝道的半導(dǎo)體薄膜中的載 流子的遷移率。W表示溝道寬度，L表示溝道長(zhǎng)度，并且Cox表示電容。在包括多晶硅的半導(dǎo)體薄膜的TFT中，閾值電壓Vth和遷移率μ (V-I特性)通常 具有變動(dòng)(例如，參見日本未實(shí)審專利申請(qǐng)公布No. 2006-84899和2007-18876)。閾值電壓 Vth和遷移率μ的變動(dòng)導(dǎo)致了每個(gè)像素的亮度不均一性，從而導(dǎo)致顏色不均一性和顯示不 均一性。近年來，多晶硅TFT的硅膜通常是通過激光退火方法形成的，在這種方法中， 通過激光來使無(wú)定形硅結(jié)晶。然而，由該方法形成的晶體半導(dǎo)體膜具有包括多個(gè)晶粒 的結(jié)構(gòu)?？刂凭Я５奈恢煤痛笮∈禽^困難的(例如，參見日本未實(shí)審專利申請(qǐng)公布 No. 2008-252101)。晶粒的分布特性影響溝道區(qū)域中的載流子的遷移率和晶體管的閾值電 壓(例如，參見日本未實(shí)審專利申請(qǐng)公布No. 2008-252101和〃 Statistical Analyses of the Influence ofGrain Boundary Variations in Poly-Si TFTs" , Technical Report of IEICE,VLD,VLSI Design Technologies,The Institute of Electronics,Information andCommunication Engineers, Vol. 102(No. 344), pp.25-30 (September 23,2002))。在通過信號(hào)處理來校正亮度不均一性的情況下，校正通常是通過計(jì)算這兩個(gè)值來 執(zhí)行的(參見日本未實(shí)審專利申請(qǐng)公布No. 2006-84899、2004-264793和2007-18876)。圖1圖示了特性曲線，這些特性曲線示出在兩個(gè)像素中的一個(gè)像素中的閾值電壓相對(duì)于另一 像素中的閾值電壓偏移了 Vth'并且一個(gè)像素中的遷移率相對(duì)于另一像素中的遷移率乘以 μ ‘的情況下，輸入信號(hào)電壓和發(fā)光亮度之間的關(guān)系。在圖ι中，水平軸指示輸入信號(hào)電壓 V，垂直軸指示輸出電流ι(對(duì)應(yīng)于輸出亮度)。在圖ι中，特定像素的由虛線繪出的特性曲 線2a是在閾值電壓相對(duì)于相鄰像素的特性曲線1偏移Vth'的情況下的曲線的示例(水平 方向上的箭頭部分)。特性曲線2是在輸出電流I被校正以使得遷移率相對(duì)于特性曲線2a 被乘以μ ‘的情況下的曲線的示例(向上方向上的箭頭部分)。在此情況下，與特性曲線2的在預(yù)定像素的發(fā)光亮度相對(duì)于輸入信號(hào)電壓線性變 化的區(qū)域中(點(diǎn)劃線附近)的部分相對(duì)應(yīng)的輸出電流I被乘以Δ μ，其滿足等式Δμ = l/μ ‘。然后，滿足等式AVth = -Vth'的AVth被加到與特性曲線1的一部分相對(duì)應(yīng)的 輸入信號(hào)電壓V。通過基于式1進(jìn)行此運(yùn)算，可以實(shí)現(xiàn)精確的校正。圖2示出了用于校正閾值電壓和遷移率的框圖。圖2所示的校正電路20基于預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器22a中的遷移率校正數(shù)據(jù)和預(yù)先 存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器25a中的閾值電壓校正數(shù)據(jù)來校正亮度數(shù)據(jù)，以便向顯示面板10(TFT面板) 提供經(jīng)校正的亮度數(shù)據(jù)。顯示面板10具有紅、綠、藍(lán)(RGB)各顏色的像素。作為每個(gè)像素的亮度的電壓信 號(hào)的輸入數(shù)據(jù)(像素?cái)?shù)據(jù)亮度數(shù)據(jù))是為RGB每種顏色單獨(dú)輸入的，從而顯示面板10能 夠控制每種顏色的顯示。這里，顯示區(qū)域中的一點(diǎn)的坐標(biāo)被表示為(X，Y)。R數(shù)據(jù)、G數(shù)據(jù)和B數(shù)據(jù)分別被提供到乘法器21R、乘法器21G和乘法器21Β。用于 校正每個(gè)像素的遷移率的變動(dòng)的校正值Δ μ分別被提供到乘法器21R、21G和21Β。存儲(chǔ)器 讀出單元22基于坐標(biāo)信號(hào)(X坐標(biāo)，Y坐標(biāo))從存儲(chǔ)器22a中讀出校正值。乘法器21R、21G和21B的輸出被提供到確定平方根的平方根運(yùn)算單元23R、23G和 23B。平方根運(yùn)算單元23R、23G和23B的輸出分別被提供到加法器24R、24G和24B。用于校正每個(gè)像素的閾值電壓的變動(dòng)的校正值A(chǔ)Vth分別被從存儲(chǔ)器讀出單元 25提供到加法器24R、24G和24B，其中存儲(chǔ)器讀出單元25基于坐標(biāo)信號(hào)(X坐標(biāo)，Y坐標(biāo)) 從存儲(chǔ)器25a中讀出校正值A(chǔ)Vth。然后，加法器24R、24G和24B的輸出分別被提供到D/A轉(zhuǎn)換器26R、26G和26B，并 且被轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)信號(hào)，以便被提供到顯示面板10中的各個(gè)顏色的輸入端。因此，通過 與針對(duì)每個(gè)像素校正的各個(gè)顏色的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電流，在每個(gè)像素中驅(qū)動(dòng)了有機(jī)EL 元件。如上所述，由于制造中的問題在有機(jī)EL元件中發(fā)生的亮度不均一性可被校正。然 而，如上所述，對(duì)于每個(gè)像素，在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)了遷移率μ和閾值電壓Vth這兩個(gè)校正值， 從而導(dǎo)致取決于像素?cái)?shù)目的數(shù)據(jù)量極大的問題?？紤]到上述情況，日本未實(shí)審專利申請(qǐng)公布No. 2004-264793公開了一種顯示裝 置，其中在具有大量像素的顯示面板中，顯示區(qū)域被劃分成小區(qū)域。在該裝置中，用于校正 整個(gè)顯示區(qū)域的系數(shù)是通過測(cè)量每個(gè)小區(qū)域中的電流并且估計(jì)整個(gè)顯示區(qū)域的趨勢(shì)來計(jì) 算的，或者說校正是在每個(gè)小區(qū)域中執(zhí)行的。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在日本未實(shí)審專利申請(qǐng)公布No. 2004-264793中公開的技術(shù)中，由于將顯示 面板劃分成小區(qū)域并且以小區(qū)域?yàn)閱挝挥?jì)算整個(gè)顯示面板的趨勢(shì)，所以難以針對(duì)每個(gè)像素 精確地執(zhí)行校正。另外，雖然在以小區(qū)域?yàn)閱挝恍Ｕ那闆r下可以使存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量保 持較小，但是仍然很難針對(duì)每個(gè)像素精確地執(zhí)行校正。希望提供一種顯示裝置，其中保持存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量較小，并且能夠針對(duì)每個(gè)像 素校正亮度不均一性。本發(fā)明的申請(qǐng)人測(cè)量了利用日本未實(shí)審專利申請(qǐng)公布No. 2008-252101的技術(shù)形 成的實(shí)際TFT的遷移率和閾值電壓。根據(jù)測(cè)量，本發(fā)明的申請(qǐng)人認(rèn)識(shí)到，遷移率和閾值電 壓的變動(dòng)具有一定程度的相關(guān)性，雖然看起來這是因?yàn)檫w移率和閾值電壓取決于晶粒的分 布。圖3示出了閾值電壓Vth和遷移率μ之間的相關(guān)性的示例。圖3示出了這樣的相關(guān) 性當(dāng)遷移率μ較小時(shí)，閾值電壓Vth較大，而隨著遷移率μ增大，閾值電壓Vth減小。因此，考慮了這樣的情況，即通過使用預(yù)備的相關(guān)性表，在校正電路中，閾值電壓 校正值A(chǔ)Vth不是被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，而是根據(jù)遷移率校正值Δ μ產(chǎn)生的。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的校正電路包括存儲(chǔ)器，被配置為存儲(chǔ)用于針對(duì)每個(gè)像 素校正亮度不均一性的遷移率校正值和閾值電壓校正值之一，所述亮度不均一性是由構(gòu)成 顯示面板的像素的像素電路中包括的驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)域的載流子的遷移率和閾值電 壓的變動(dòng)引起的并且是校正對(duì)象；存儲(chǔ)器讀出單元，被配置為讀出存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的遷移 率校正值和閾值電壓校正值之一；相關(guān)性表，被配置為基于遷移率和閾值電壓之間的相關(guān) 性，根據(jù)由存儲(chǔ)器讀出單元讀出的遷移率校正值和閾值電壓校正值之一產(chǎn)生閾值電壓校正 值和遷移率校正值中的另一個(gè)；遷移率校正單元，用于通過使用從存儲(chǔ)器讀出單元和相關(guān) 性表之一提供來的遷移率校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信號(hào)；以及閾值電壓校正單元， 用于通過使用從存儲(chǔ)器讀出單元和相關(guān)性表之一提供來的閾值電壓校正值來針對(duì)每個(gè)像 素校正在遷移率校正單元處被校正了的輸入信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以針對(duì)每個(gè)像素校正顯示面板的像素中發(fā)生的亮度不均 一性。另外，在用于每個(gè)像素的像素電路中的校正處理的遷移率校正值和閾值電壓校正值 中，只有一個(gè)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，而校正值中的另一個(gè)則是在校正電路中參考相關(guān)性表來 產(chǎn)生的。因此，存儲(chǔ)器不會(huì)占用更多的存儲(chǔ)容量。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以在保持存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量較小的同時(shí)在每個(gè)像素中校 正亮度不均一性，從而能夠精確地抑制顯示不均一性。


圖1是示出兩個(gè)像素中輸入信號(hào)電壓和發(fā)光亮度之間的關(guān)系的示例的示圖。圖2示出了用于校正閾值電壓和和遷移率的框圖。圖3是示出閾值電壓和遷移率之間的相關(guān)性的示圖。圖4示出了用于校正閾值電壓和遷移率的框圖的實(shí)施例。圖5是用于說明使用多項(xiàng)式近似的插值計(jì)算的示圖。圖6是用于說明一種用于通過線性插值根據(jù)遷移率校正值Δ μ產(chǎn)生閾值電壓校 正值A(chǔ)Vth的方法的示圖。
圖7示出了用于校正閾值電壓和遷移率的框圖的另一實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將按以下順序參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。1.實(shí)施例(相關(guān)性表根據(jù)Δ μ產(chǎn)生AVth的情況的示例)2.另一實(shí)施例(相關(guān)性表根據(jù)AVth產(chǎn)生Δ μ的情況的示例)<1.實(shí)施例 >根據(jù)以上式1，在基于電流驅(qū)動(dòng)方法的有源矩陣TFT面板中，像素電路中的驅(qū)動(dòng)晶 體管的漏極電流(輸出電流I)與遷移率μ成比例，并且與柵極施加電壓Vgs與閾值電壓 Vth之間的差的平方成比例。即，驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電流(輸出電流I)的精確度取決于遷 移率μ的精確度以及柵極施加電壓Vgs與閾值電壓vth之間的差的平方的精確度。鑒于驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出電流的這種特性，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，確定遷移率 μ的校正值和閾值電壓vth的校正值，以利用校正值逆計(jì)算式ι的方式對(duì)輸入信號(hào)執(zhí)行校 正處理，并且將通過校正處理產(chǎn)生的輸出提供到TFT面板的每個(gè)像素。 即，在該實(shí)施例中，基于式1，在輸入信號(hào)電壓相對(duì)于預(yù)定像素的發(fā)光亮度以線性 方式表示的區(qū)域中，輸入信號(hào)電壓被乘以滿足Δ μ = l/μ ‘的Δ μ。另外，輸入信號(hào)區(qū)域 中滿足AVth = -Vth'的AVth被添加，以便精確地校正輸入信號(hào)。這里，遷移率校正值 Δ μ和閾值電壓校正值A(chǔ)Vth之間的相關(guān)性表(LUT 查找表)被預(yù)先提供給校正電路，以 便響應(yīng)于遷移率校正值Δ μ的輸入產(chǎn)生閾值電壓校正值Δ Vth。圖4示出了被應(yīng)用到有機(jī)EL顯示裝置的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示 例。根據(jù)該實(shí)施例的這個(gè)有機(jī)EL顯示裝置包括顯示面板10和校正電路50，并且被配置為 基于預(yù)先存儲(chǔ)的遷移率和閾值電壓的校正數(shù)據(jù)來校正亮度數(shù)據(jù)，以便將經(jīng)校正的亮度數(shù)據(jù) 提供給顯示面板10。顯示面板10具有紅、綠、藍(lán)(RGB)各顏色的像素。作為每個(gè)像素的亮度的電壓信 號(hào)的輸入數(shù)據(jù)(像素?cái)?shù)據(jù)亮度數(shù)據(jù))是為RGB每種顏色單獨(dú)輸入的，從而顯示面板10能 夠控制每種顏色的顯示。R數(shù)據(jù)、G數(shù)據(jù)和B數(shù)據(jù)中的每一個(gè)例如是8比特的亮度數(shù)據(jù)，并 且一個(gè)像素可由RGB三種顏色的點(diǎn)(子像素)構(gòu)成。此外，顯示區(qū)域中的一點(diǎn)的坐標(biāo)被表 示為(X，Y)。校正電路50包括乘法器51R、51G和51B、存儲(chǔ)器讀出單元52、存儲(chǔ)器52a、平方根 運(yùn)算單元53R、53G和53B、加法器54R、54G和54B、相關(guān)性表55R、55G和55B、D/A轉(zhuǎn)換器56R、 56G 和 56B。乘法器51R、5IG和5IB是為RGB各顏色設(shè)置的。輸入的視頻數(shù)據(jù)的R數(shù)據(jù)、G數(shù) 據(jù)和B數(shù)據(jù)分別被提供到乘法器51R、乘法器51G和乘法器51B。用于針對(duì)每個(gè)像素校正驅(qū) 動(dòng)晶體管的遷移率的變動(dòng)的遷移率校正值Δ μ ( = l/μ ‘)分別被從存儲(chǔ)器讀出單元52 提供到乘法器51R、51G和5IB。存儲(chǔ)器讀出單元52基于坐標(biāo)信號(hào)(X坐標(biāo)，Y坐標(biāo))從存儲(chǔ)器52a中讀出用于針 對(duì)每個(gè)像素校正遷移率的變動(dòng)的遷移率校正值Δ μ，以便將遷移率校正值Δ μ分別提供 到乘法器51R、51G和51B。另外，存儲(chǔ)器讀出單元52將所讀出的針對(duì)每個(gè)像素的遷移率校 正值Δ μ分別提供給相關(guān)性表55R、55G和55Β。針對(duì)所有像素的遷移率校正值Δ μ可以利用例如位于顯示面板10的左上角的特定像素的像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率作為基 準(zhǔn)來確定。存儲(chǔ)器52a僅占用用于存儲(chǔ)每個(gè)像素的各顏色的遷移率校正值Δ μ的存儲(chǔ)容 量。諸如閃存和EEPROM之類的非易失性存儲(chǔ)器可應(yīng)用來作為存儲(chǔ)器52a。這里，輸入到存儲(chǔ)器讀出單元52中的坐標(biāo)信號(hào)是由坐標(biāo)產(chǎn)生單元(未示出)基于 與垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)和輸入數(shù)據(jù)的像素?cái)?shù)據(jù)同步的時(shí)鐘、與RGB的輸入數(shù)據(jù)(像 素?cái)?shù)據(jù))同步地產(chǎn)生的。然后，如此產(chǎn)生的坐標(biāo)信號(hào)被提供到存儲(chǔ)器讀出單元52。乘法器51R、5IG和5IB將輸入視頻數(shù)據(jù)的R數(shù)據(jù)、G數(shù)據(jù)和B數(shù)據(jù)(輸入信號(hào)電 壓)分別乘以從存儲(chǔ)器讀出單元52提供來的針對(duì)各個(gè)顏色的遷移率校正值△ μ ( = 1/ μ ‘)。然后，乘法結(jié)果分別被作為輸出提供到用于確定平方根的平方根運(yùn)算單元53R、53G 和 53B。在針對(duì)各個(gè)顏色的輸入信號(hào)電壓的平方根在平方根運(yùn)算單元53R、53G和53B中被 計(jì)算出之后，這些平方根分別被作為輸出提供到加法器54R、54G和54B。用于針對(duì)每個(gè)像素 校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變動(dòng)的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth( = -Vth')分別被從相關(guān)性 表55R、55G和55B提供到加法器54R、54G和54B。相關(guān)性表55R、55G和55B使用遷移率μ和閾值電壓Vth之間的相關(guān)性，以便根據(jù) 從存儲(chǔ)器讀出單元52提供來的遷移率校正值Δ μ產(chǎn)生各個(gè)顏色的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth， 并且將這些閾值電壓校正值A(chǔ)Vth分別提供到加法器54R、54G和54B。相關(guān)性表55R、55G 和55B例如可被存儲(chǔ)在顯示裝置中包括的微處理器(未示出)的存儲(chǔ)器中。或者，設(shè)置在 顯示裝置中的任意存儲(chǔ)器可存儲(chǔ)這些表和其他功能。在同時(shí)訪問RGB的情況下，為RGB各顏色獨(dú)立設(shè)置相關(guān)性表55R、55G和55B。然 而，相關(guān)性表55R、55G和55B的數(shù)據(jù)內(nèi)容可能是獨(dú)立的或相同的。稍后將描述要存儲(chǔ)在相 關(guān)性表55R、55G和55B中的數(shù)據(jù)內(nèi)容(校正值)和用于確定校正值的方法。加法器54R、54G和54B把從相關(guān)性表55R、55G和55B提供來的針對(duì)各個(gè)顏色的閾 值電壓校正值A(chǔ)Vth( = -Vth')分別加到從平方根運(yùn)算單元53R、53G和53B提供來的R 數(shù)據(jù)、G數(shù)據(jù)和B數(shù)據(jù)。然后，加法器54R、54G和54B的輸出被提供到D/A轉(zhuǎn)換器56R、56G和56B并被轉(zhuǎn)換 為模擬數(shù)據(jù)信號(hào)，以便被提供到顯示面板10中的用于各個(gè)顏色的輸入端。因此，通過與針 對(duì)每個(gè)像素校正的各個(gè)顏色的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電流，在每個(gè)像素中驅(qū)動(dòng)了有機(jī)EL元件。如上所述，在該實(shí)施例中，可以針對(duì)每個(gè)像素校正由于制造中的問題而在顯示面 板10的有機(jī)EL元件中發(fā)生的亮度不均一性。另外，由于只有用于在每個(gè)像素的像素電路 中執(zhí)行的校正處理的遷移率校正值△ μ被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，而閾值電壓校正值A(chǔ)Vth是在 校正電路中參考相關(guān)性表來產(chǎn)生的，因此存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量可被保持得較小?，F(xiàn)在描述用于確定要存儲(chǔ)在相關(guān)性表55R、55G和55B中的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth 的方法。要存儲(chǔ)在相關(guān)性表中的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth基本上是根據(jù)實(shí)際測(cè)量值確定的。 然而，作為用于形成相關(guān)性表的方法，未繪出的遷移率校正值△ μ被插值，以便確定與所 有遷移率校正值Δ μ的輸入相對(duì)應(yīng)的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth的輸出。作為插值方法，在如 圖5所示的二維示圖上繪出遷移率校正值Δ μ和閾值電壓校正值A(chǔ)Vth，并且執(zhí)行多項(xiàng)式 近似。
另外，參考圖6描述用于確定要存儲(chǔ)在相關(guān)性表55R、55G和55B中的閾值電壓校 正值A(chǔ)Vth的另一種方法。不希望為所有遷移率校正值Δ μ的輸入提供相關(guān)性表，因?yàn)榇鎯?chǔ)器的存儲(chǔ)容量 會(huì)增大。作為另一種方法，將遷移率校正值△ μ和與遷移率校正值△ μ相對(duì)應(yīng)的閾值電 壓校正值A(chǔ)Vth的數(shù)據(jù)離散地存儲(chǔ)在相關(guān)性表的存儲(chǔ)器中，并且在運(yùn)算電路中基于以下運(yùn) 算式2來執(zhí)行線性插值。在圖6中，向相關(guān)性表登記的離散遷移率校正值的示例由細(xì)箭頭 線表示，在離散遷移率校正值之間輸入的遷移率校正值△ μ由粗箭頭線表示。這里，運(yùn)算 電路分別設(shè)置在圖4中的相關(guān)性表55R、55G和55B和加法器54R、54G和54B之間。S卩，基于從存儲(chǔ)器讀出單元52輸出的遷移率校正值Δ μ，對(duì)應(yīng)于與遷移率校正值 Δ μ相鄰的兩個(gè)點(diǎn)的遷移率校正值的閾值電壓校正值Δ Vth (AVth η和AVth η+1)被從 離散地存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器(相關(guān)性表)中的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth的數(shù)據(jù)中讀出，如圖6所示。 然后，通過利用以下運(yùn)算式2來執(zhí)行線性插值，以計(jì)算閾值電壓校正值A(chǔ)Vth OUt0Δ Vth out = (Δ Vth η+1-Δ Vth η) * ( Δ μ diff/ Δ μ size) + AVth η· · · · (2)這 里，Δ μ diff表示作為向相關(guān)性表登記的、與遷移率校正值Δ μ相鄰的兩個(gè)遷移率校正 值之中較小的值的遷移率校正值與遷移率校正值Δ μ之間的差，并且Δ μ size表示向相 關(guān)性表登記的、在與遷移率校正值△ μ相鄰的兩個(gè)點(diǎn)處的遷移率校正值之間的差。S卩，獲取如圖6所示與遷移率校正值Δ μ介于其間的兩個(gè)遷移率校正值相對(duì)應(yīng)的 兩個(gè)閾值電壓校正值A(chǔ)Vth η和AVth η+1。然后，通過使用所獲取的兩個(gè)遷移率校正值 和與這兩個(gè)遷移率校正值相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)閾值電壓校正值Δ Vth來執(zhí)行線性插值，以便確定 在這些離散值之間并且對(duì)應(yīng)于所輸入的遷移率校正值Δ μ的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth out. 然后，加法器54R、54G和54B把從相關(guān)性表55R、55G和55B提供來的針對(duì)各個(gè)顏色的閾值 電壓校正值A(chǔ)Vth out加到從平方根運(yùn)算單元53R、53G和53B提供來的R數(shù)據(jù)、G數(shù)據(jù)和B 數(shù)據(jù)。這里，要存儲(chǔ)在相關(guān)性表中的校正值取決于TFT制造過程。因此，要存儲(chǔ)在相關(guān)性 表中的校正值不是針對(duì)每個(gè)顯示面板確定的，而是針對(duì)每個(gè)TFT制造過程確定的，從而能 夠簡(jiǎn)化校正值的確定。<2.另一實(shí)施例>在另一實(shí)施例中，將閾值電壓校正值A(chǔ)Vth存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，并且通過使用相關(guān) 性表響應(yīng)于閾值電壓校正值A(chǔ)Vth的輸入來產(chǎn)生遷移率校正值Δ μ。圖7示出了根據(jù)另一實(shí)施例用于校正閾值電壓和遷移率的框圖。在圖7中，對(duì)與圖4中的元件相對(duì)應(yīng)的元件賦予了相同的標(biāo)號(hào)。下面的描述集中 于與圖4中的元件不同的元件，跳過對(duì)與圖4中的元件相對(duì)應(yīng)的元件的詳細(xì)描述。參考圖7，有機(jī)EL顯示裝置包括顯示面板10和校正電路50Α。校正電路50Α包括 乘法器51R、51G和51B、存儲(chǔ)器讀出單元65、存儲(chǔ)器65a、平方根運(yùn)算單元53R、53G和53B、 加法器54R、54G和54B、相關(guān)性表62R、62G和62B、以及D/A轉(zhuǎn)換器56R、56G和56B。輸入的視頻數(shù)據(jù)的R數(shù)據(jù)、G數(shù)據(jù)和B數(shù)據(jù)分別被提供到乘法器51R、乘法器51G和 乘法器51B。用于針對(duì)每個(gè)像素校正驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率的變動(dòng)的遷移率校正值Δ μ (= 1/μ ‘)分別被從相關(guān)性表62R、62G和62B提供到乘法器51R、51G和5IB。相關(guān)性表62R、62G和62B使用遷移率μ和閾值電壓Vth之間的相關(guān)性，以便根據(jù)從存儲(chǔ)器讀出單元65提供來的閾值電壓校正值Δ Vth產(chǎn)生各個(gè)顏色的遷移率校正值Δ μ， 并且將這些遷移率校正值Δ μ分別提供到乘法器51R、51G和51Β。與圖4的情況一樣，相 關(guān)性表62R、62G和62B例如可被存儲(chǔ)在顯示裝置中包括的微處理器(未示出)的存儲(chǔ)器中。 或者，設(shè)置在顯示裝置中的任意存儲(chǔ)器可存儲(chǔ)這些表和其他功能。另外，與圖4的情況一樣，在同時(shí)訪問RGB的情況下，為RGB各顏色獨(dú)立設(shè)置相關(guān) 性表62R、62G和62B。然而，相關(guān)性表62R、62G和62B的數(shù)據(jù)內(nèi)容可能是獨(dú)立的或相同的。 要存儲(chǔ)在相關(guān)性表62R、62G和62B中的數(shù)據(jù)內(nèi)容(校正值)和用于確定校正值的方法與先 前實(shí)施例的相同。存儲(chǔ)器讀出單元65基于坐標(biāo)信號(hào)(X坐標(biāo)，Y坐標(biāo))從存儲(chǔ)器65a中讀出用于針對(duì) 每個(gè)像素校正閾值電壓的變動(dòng)的閾值電壓校正值Δ Vth，以便將閾值電壓校正值Δ Vth分 別提供到相關(guān)性表62R、62G和62B。另外，存儲(chǔ)器讀出單元65將所讀出的針對(duì)每個(gè)像素的 閾值電壓校正值Δ Vth( = -Vth')分別提供給加法器54R、54G和54B。存儲(chǔ)器65a僅占 用用于存儲(chǔ)每個(gè)像素的各顏色的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth的存儲(chǔ)容量。諸如閃存和EEPROM 之類的非易失性存儲(chǔ)器可應(yīng)用來作為存儲(chǔ)器65a。這里，輸入到存儲(chǔ)器讀出單元65中的坐標(biāo)信號(hào)是由坐標(biāo)產(chǎn)生單元(未示出)以與 圖4相同的方式與RGB的輸入數(shù)據(jù)(像素?cái)?shù)據(jù))同步地產(chǎn)生的。乘法器51R、51G和51B將輸入視頻數(shù)據(jù)的R數(shù)據(jù)、G數(shù)據(jù)和B數(shù)據(jù)(輸入信號(hào)電 壓)分別乘以從相關(guān)性表62R、62G和62B提供來的針對(duì)各個(gè)顏色的遷移率校正值△ μ。然 后，乘法結(jié)果分別被作為輸出提供到用于確定平方根的平方根運(yùn)算單元53R、53G和53B。在針對(duì)各個(gè)顏色的輸入信號(hào)電壓的平方根在平方根運(yùn)算單元53R、53G和53B中被 計(jì)算出之后，這些平方根被作為輸出提供到加法器54R、54G和54B。用于針對(duì)每個(gè)像素校正 驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變動(dòng)的閾值電壓校正值A(chǔ)Vth分別被從存儲(chǔ)器讀出單元65提供 到加法器54R、54G和54B。加法器54R、54G和54B把從存儲(chǔ)器讀出單元65提供來的針對(duì)各個(gè)顏色的閾值電壓 校正值Δ Vth分別加到從平方根運(yùn)算單元53R、53G和53B提供來的R數(shù)據(jù)、G數(shù)據(jù)和B數(shù)據(jù)。然后，加法器54R、54G和54B的輸出被提供到D/A轉(zhuǎn)換器56R、56G和56B并被轉(zhuǎn)換 為模擬數(shù)據(jù)信號(hào)，以便被提供到顯示面板10中的用于各個(gè)顏色的輸入端。因此，通過與針 對(duì)每個(gè)像素校正的各個(gè)顏色的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電流，在每個(gè)像素中驅(qū)動(dòng)了有機(jī)EL元件。如上所述，在該實(shí)施例中，可以通過與先前實(shí)施例相同的方式針對(duì)每個(gè)像素校正 由于制造中的問題而在顯示面板10的有機(jī)EL元件中發(fā)生的亮度不均一性。另外，由于只有 用于在每個(gè)像素的像素電路中執(zhí)行的校正處理的遷移率校正值Δ μ被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中， 而閾值電壓校正值A(chǔ)Vth是在校正電路中參考相關(guān)性表來產(chǎn)生的，因此存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量 可被保持得較小。應(yīng)當(dāng)注意，上述實(shí)施例是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的具體示例，因此包括技術(shù)上優(yōu)選 的各種限制。然而，本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例，除非給出了限制本發(fā)明的具體描述。因此， 應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，而可以發(fā)生各種修改和更改，因?yàn)樗鼈冊(cè)诒景l(fā)明的范 圍內(nèi)。例如，雖然上述實(shí)施例的顯示裝置被應(yīng)用到有機(jī)EL顯示裝置，但是該顯示裝置也 可應(yīng)用到任何顯示裝置，只要該顯示裝置包括基于電流驅(qū)動(dòng)方法的有源矩陣TFT面板即可。例如，上述的電路結(jié)構(gòu)和一系列處理可以通過硬件或軟件來實(shí)現(xiàn)。另外，當(dāng)然，執(zhí) 行該系列處理的功能可以通過硬件和軟件的組合來實(shí)現(xiàn)。本申請(qǐng)包含與2009年8月5日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP 2009-182819中公開的主題相關(guān)的主題，這里通過引用將該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容并入。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，取決于設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、組 合、子組合和變更，只要它們處于所附權(quán)利要求或其等同物的范圍之內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種校正電路，包括存儲(chǔ)器，被配置為存儲(chǔ)用于針對(duì)每個(gè)像素校正亮度不均一性的遷移率校正值和閾值電 壓校正值之一，所述亮度不均一性是由構(gòu)成顯示面板的像素的像素電路中包括的驅(qū)動(dòng)晶體 管的溝道區(qū)域的載流子的遷移率和閾值電壓的變動(dòng)引起的并且是校正對(duì)象；存儲(chǔ)器讀出單元，被配置為讀出存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的遷移率校正值和閾值電壓校正 值之一；相關(guān)性表，被配置為基于遷移率和閾值電壓之間的相關(guān)性，根據(jù)由所述存儲(chǔ)器讀出單 元讀出的遷移率校正值和閾值電壓校正值之一產(chǎn)生閾值電壓校正值和遷移率校正值中的 另一個(gè)；遷移率校正裝置，用于通過使用從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān)性表之一提供來的 遷移率校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信號(hào)；以及閾值電壓校正裝置，用于通過使用從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān)性表之一提供來 的閾值電壓校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正在所述遷移率校正裝置處被校正了的輸入信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正電路，還包括D/A轉(zhuǎn)換器，被配置為把在所述閾值電壓校正裝置的加法器處校正了的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換 成模擬信號(hào)并將所述模擬信號(hào)輸出到所述顯示面板；其中 所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)遷移率校正值；所述存儲(chǔ)器讀出單元讀出存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的遷移率校正值；所述相關(guān)性表根據(jù)由所述存儲(chǔ)器讀出單元讀出的遷移率校正值來產(chǎn)生閾值電壓校正值；所述遷移率校正裝置包括乘法器，該乘法器將數(shù)字輸入信號(hào)乘以從所述存儲(chǔ)器讀出單 元和所述相關(guān)性表之一提供來的遷移率校正值以針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信號(hào)；并且所述閾值電壓校正裝置包括平方根運(yùn)算單元和加法器，該平方根運(yùn)算單元對(duì)在所述乘 法器處校正了的輸入信號(hào)執(zhí)行平方根運(yùn)算，該加法器把從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān) 性表之一提供來的閾值電壓校正值加到從所述平方根運(yùn)算單元輸出的輸入信號(hào)，以便針對(duì) 每個(gè)像素校正輸入信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正電路，D/A轉(zhuǎn)換器，被配置為把在所述閾值電壓校正裝置的加法器處校正了的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換 成模擬信號(hào)并將所述模擬信號(hào)輸出到所述顯示面板；其中 所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)閾值電壓校正值；所述存儲(chǔ)器讀出單元讀出存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的閾值電壓校正值；所述相關(guān)性表根據(jù)由所述存儲(chǔ)器讀出單元讀出的閾值電壓校正值來產(chǎn)生遷移率校正值；所述遷移率校正裝置包括乘法器，該乘法器將數(shù)字輸入信號(hào)乘以從所述相關(guān)性表提供 來的遷移率校正值以針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信號(hào)；并且所述閾值電壓校正裝置包括平方根運(yùn)算單元和加法器，該平方根運(yùn)算單元對(duì)在所述乘 法器處校正了的輸入信號(hào)執(zhí)行平方根運(yùn)算，該加法器把從所述存儲(chǔ)器讀出單元提供來的閾 值電壓校正值加到從所述平方根運(yùn)算單元輸出的輸入信號(hào)，以便針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信 號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2和權(quán)利要求3之一所述的校正電路，其中，所述相關(guān)性表存儲(chǔ)遷移率 校正值和閾值電壓校正值之間的多項(xiàng)式近似曲線，并且基于所述多項(xiàng)式近似曲線，根據(jù)一 個(gè)校正值產(chǎn)生另一校正值。
5.根據(jù)權(quán)利要求2和權(quán)利要求3之一所述的校正電路，其中，所述相關(guān)性表離散地存儲(chǔ) 遷移率校正值和閾值電壓校正值之間的相關(guān)性的信息，并且存儲(chǔ)在所述相關(guān)性表中的遷移 率校正值之間的遷移率校正值和存儲(chǔ)在所述相關(guān)性表中的閾值電壓校正值之間的閾值電 壓校正值是通過線性插值產(chǎn)生的。
6.一種顯示裝置，包括 校正電路，該校正電路包括顯示面板，被配置為具有多個(gè)像素，其中每個(gè)像素具有基于電流驅(qū)動(dòng)方法的像素電路， 存儲(chǔ)器，被配置為存儲(chǔ)用于針對(duì)每個(gè)像素校正亮度不均一性的遷移率校正值和閾值電 壓校正值之一，所述亮度不均一性是由構(gòu)成所述顯示面板的像素的像素電路中包括的驅(qū)動(dòng) 晶體管的溝道區(qū)域的載流子的遷移率和閾值電壓的變動(dòng)引起的，存儲(chǔ)器讀出單元，被配置為讀出存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的遷移率校正值和閾值電壓校正 值之一，相關(guān)性表，被配置為基于遷移率和閾值電壓之間的相關(guān)性，根據(jù)由所述存儲(chǔ)器讀出單 元讀出的遷移率校正值和閾值電壓校正值之一產(chǎn)生閾值電壓校正值和遷移率校正值中的 另一個(gè)，遷移率校正裝置，用于通過使用從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān)性表之一提供來的 遷移率校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信號(hào)，以及閾值電壓校正裝置，用于通過使用從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān)性表之一提供來 的閾值電壓校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正在所述遷移率校正裝置處被校正了的輸入信號(hào)。
7.一種校正電路，包括存儲(chǔ)器，被配置為存儲(chǔ)用于針對(duì)每個(gè)像素校正亮度不均一性的遷移率校正值和閾值電 壓校正值之一，所述亮度不均一性是由構(gòu)成顯示面板的像素的像素電路中包括的驅(qū)動(dòng)晶體 管的溝道區(qū)域的載流子的遷移率和閾值電壓的變動(dòng)引起的并且是校正對(duì)象；存儲(chǔ)器讀出單元，被配置為讀出存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的遷移率校正值和閾值電壓校正 值之一；相關(guān)性表，被配置為基于遷移率和閾值電壓之間的相關(guān)性，根據(jù)由所述存儲(chǔ)器讀出單 元讀出的遷移率校正值和閾值電壓校正值之一產(chǎn)生閾值電壓校正值和遷移率校正值中的 另一個(gè)；遷移率校正單元，被配置為通過使用從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān)性表之一提供 來的遷移率校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信號(hào)；以及閾值電壓校正單元，被配置為通過使用從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān)性表之一提 供來的閾值電壓校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正在所述遷移率校正單元處被校正了的輸入信號(hào)。
8.一種顯示裝置，包括 校正電路，該校正電路包括顯示面板，被配置為具有多個(gè)像素，其中每個(gè)像素具有基于電流驅(qū)動(dòng)方法的像素電路，存儲(chǔ)器，被配置為存儲(chǔ)用于針對(duì)每個(gè)像素校正亮度不均一性的遷移率校正值和閾值電 壓校正值之一，所述亮度不均一性是由構(gòu)成所述顯示面板的像素的像素電路中包括的驅(qū)動(dòng) 晶體管的溝道區(qū)域的載流子的遷移率和閾值電壓的變動(dòng)引起的，存儲(chǔ)器讀出單元，被配置為讀出存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的遷移率校正值和閾值電壓校正 值之一，相關(guān)性表，被配置為基于遷移率和閾值電壓之間的相關(guān)性，根據(jù)由所述存儲(chǔ)器讀出單 元讀出的遷移率校正值和閾值電壓校正值之一產(chǎn)生閾值電壓校正值和遷移率校正值中的 另一個(gè)，遷移率校正單元，被配置為通過使用從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān)性表之一提供 來的遷移率校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信號(hào)，以及閾值電壓校正單元，被配置為通過使用從所述存儲(chǔ)器讀出單元和所述相關(guān)性表之一提 供來的閾值電壓校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正在所述遷移率校正單元處被校正了的輸入信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明提供了校正電路和顯示裝置。校正電路包括存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)用于針對(duì)每個(gè)像素校正亮度不均一性的遷移率校正值或閾值電壓校正值；存儲(chǔ)器讀出單元，從存儲(chǔ)器讀出遷移率校正值或閾值電壓校正值；相關(guān)性表，基于遷移率和閾值電壓之間的相關(guān)性，根據(jù)遷移率校正值和閾值電壓校正值之一產(chǎn)生閾值電壓校正值或遷移率校正值中的另一個(gè)；遷移率校正單元，通過使用從存儲(chǔ)器讀出單元或相關(guān)性表提供來的遷移率校正值來針對(duì)每個(gè)像素校正輸入信號(hào)；以及閾值電壓校正單元，通過使用從存儲(chǔ)器讀出單元或相關(guān)性表提供來的閾值電壓校正值來校正在遷移率校正單元處被校正了的輸入信號(hào)。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101996551SQ20101024382
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月5日
發(fā)明者家富邦彥 申請(qǐng)人:索尼公司