專利名稱：等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本領(lǐng)域涉及等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器是使用氣體放電產(chǎn)生的等離子體來顯示符號(hào)或圖像的
顯示裝置。在PDP中，多個(gè)單元基本以矩陣形式排列。等離子體顯示器將 一幀分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有相應(yīng)的權(quán)重，并驅(qū)動(dòng)該多個(gè)子場(chǎng)以顯示圖像。
通常，每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位期、尋址期和維持期。在復(fù)位期中，單元被初 始化。在尋址期中，掃描脈沖被順序地施加到多個(gè)掃描電極以選擇發(fā)光的單 元(以下被稱為"導(dǎo)通單元，，)和不發(fā)光的單元(以下^C稱為"截止單元")。 在維持期中，交替地具有高電平電壓和低電平電壓的維持脈沖^皮施加到顯示 電極以在被選為發(fā)光的單元中執(zhí)行維持放電，以顯示圖像。
可以4吏用尋址顯示期分離(Address Display period Separation, ADS )方 法來尋址放電單元和維持放電單元。在ADS方法中，在尋址期中對(duì)所有的 單元執(zhí)行尋址操作后，在維持期中對(duì)所有的單元執(zhí)行維持放電操作。即，尋 址期與維持期是分離的。在ADS方法中，在通過順序施加掃描脈沖到多個(gè) 掃描電極以形成單元來執(zhí)行尋址操作后，執(zhí)行維持放電操作。因此，在掃描 脈沖被施加到所有的掃描電極后，開始被施加了尋址操作的一些掃描電極被 維持放電。這會(huì)導(dǎo)致這些開始被尋址的單元的不穩(wěn)定的維持放電，這是因?yàn)?尋址操作所產(chǎn)生的起動(dòng)(priming)粒子和/或壁電荷會(huì)在產(chǎn)生維持放電之前 減少。
此外，為了簡化等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，在維持期中，交替地具有 高電平電壓和低電平電壓的維持脈沖可以被施加到 一個(gè)放電電極，同時(shí)地電 壓被施加到另一個(gè)放電電極。在這種情況下，地電壓^皮施加到一個(gè)放電電極 以執(zhí)行下一個(gè)操作。但是，由于用于發(fā)送地電壓的開關(guān)被制造成背靠背(back-to-back)晶體管，因而增加了驅(qū)動(dòng)電路的成本。
以上在背景部分公開的信息僅為了增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景知識(shí)的理解，且
因此其可以包括不形成對(duì)本國的本領(lǐng)域技術(shù)人員來說已知的現(xiàn)有技術(shù)的信 臺(tái)
發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)方面是一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，該等離子體顯示器包括多 個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和由第一電極和第二電極形成的多個(gè)單元。該方 法包括將多個(gè)第一電極分成多個(gè)組，包括第一組和第二組，在第一尋址期中 用第一組電極來尋址導(dǎo)通單元和截止單元，在第一維持期中對(duì)第一組的導(dǎo)通 單元進(jìn)行維持放電，其中維持期在第一尋址期之后，且在第二尋址期中用第 二組電極來尋址導(dǎo)通單元和截止單元，其中第二尋址期在第一維持期之后。 維持放電第 一組的導(dǎo)通單元包括在第 一時(shí)間段期間，在將參考電壓施加到多 個(gè)第二電極的同時(shí)，將第一電壓施加到多個(gè)第一電極，第一電壓高于參考電 壓，且在第一時(shí)間段之后的第二時(shí)間段期間，在將參考電壓施加到多個(gè)第二 電極的同時(shí)，將第二電壓施加到多個(gè)第一電極，第二電壓低于參考電壓，在 第二時(shí)間段之后的第三時(shí)間段期間，將多個(gè)第 一電極的電壓從第二電壓增加 到第三電壓，第三電壓高于第二電壓；在第三時(shí)間段后的第四時(shí)間段中，浮 置(floating)多個(gè)第一電極，且在浮置多個(gè)第一電極的同時(shí)將第四電壓施加 到多個(gè)第二電極，第四電壓高于參考電壓，并在第四時(shí)間段之后的第五時(shí)間
段中將多個(gè)第一電極的電壓逐漸降低至第五電壓，第五電壓低于參考電壓。 另一個(gè)方面是一種等離子體顯示器，該等離子體顯示器包括多個(gè)第一電 極、多個(gè)第二電極、在所述多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極附近形成的多個(gè)單 元；第一驅(qū)動(dòng)器，其被配置為在第一時(shí)間段期間將多個(gè)第一電極的電壓從第 一電壓增加到第二電壓，在第一時(shí)間段后的第二時(shí)間段期間浮置多個(gè)第一電 極，并在第二時(shí)間段后的第三時(shí)間段期間將多個(gè)第 一 電極的電壓逐漸降低到 第三電壓；以及第二驅(qū)動(dòng)器，其被配置以在第一時(shí)間段期間將第四電壓施加 到多個(gè)第二電極，在第二時(shí)間段期間將第五電壓施加到多個(gè)第二電極，并在 第三時(shí)間段期間將第六電壓施加到多個(gè)第二電極，第四電壓高于第一電壓， 且第五電壓高于第四電壓。
再一個(gè)方面是一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，該等離子體顯示器包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和在所述多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極附近形 成的多個(gè)單元。該方法包括在第一時(shí)間段期間，在將第三電壓施加到多個(gè)第 二電極的同時(shí)，將多個(gè)第一電極的電壓從第一電壓增加到第二電壓，在第一 時(shí)間段后的第二時(shí)間段期間浮置多個(gè)第 一 電極，在浮置多個(gè)第 一 電極的同時(shí) 將第四電壓施加到多個(gè)第二電極，該第四電壓高于第三電壓，并在第二時(shí)間 段后的第三時(shí)間段期間將多個(gè)第 一電極的電壓逐漸降低到第五電壓。


圖l是根據(jù)實(shí)施例的等離子體顯示器的示意性框圖。 圖2是示出根據(jù)實(shí)施例的等離子體顯示器的示意圖。
圖3是示出根據(jù)實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。 圖4是根據(jù)實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。 圖5是圖3中示出的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖。
圖6到圖8是根據(jù)圖5示出的時(shí)序、示出圖4所示的驅(qū)動(dòng)電路的操作的
具體實(shí)施例方式
在以下具體的說明中，僅通過圖示的方式，示出和描述了本發(fā)明的特定 實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，描述的實(shí)施例可以在不脫離本發(fā)明的精神 或范圍條件下以各種方式被修改。因此，附圖和說明被認(rèn)為實(shí)質(zhì)上是解釋性 而非限制性的。在全篇說明書中，類似的參考標(biāo)號(hào)指示類似的元素。
貫穿說明書及其所附的權(quán)利要求書，當(dāng)描述一個(gè)元件被"耦接"到另一 個(gè)元件時(shí)，該元件可以是"直接耦接"到另一個(gè)元件，或通過第三元件"間 接耦接"到另一個(gè)元件。
而且，在本說明書中描述的"壁電荷"指示在單元的壁(例如，電介質(zhì) 層)上鄰近每個(gè)電極形成的電荷。壁電荷可以不與電極實(shí)際接觸，但是在本 說明書中，壁電荷被描述為"形成"、"積聚"或"堆積"在電極里或電極上， 并且壁電壓指示由壁電荷在單元的壁上形成的電勢(shì)差。
圖l是根據(jù)實(shí)施例的等離子體顯示器的示意性框圖。
參考圖1，等離子體顯示器包括PDP100、控制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器 300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400和維持電極驅(qū)動(dòng)器500。PDP 100包括多個(gè)顯示電極Yt到Y(jié)n和Xt到Xn、多個(gè)尋址電4及(以下 稱為"A電極")Al到Am和多個(gè)單元110。在多個(gè)顯示電極Y,到Y(jié)。和Xi
到Xn中，Y!到Y(jié)n是掃描電極(以下稱為"Y電極")，Xi到Xn是維持電極 (以下稱為"X電極")。Y電極Y！到Y(jié)n和X電極X！到Xn基本上在行方向
上延伸，且基本上形成平行的Y和X電極對(duì)。A電極Al到Am基本上在與 行方向交叉的列方向上延伸，且基本上彼此平行。Y電極Yi到Y(jié)n的每個(gè)都 可以對(duì)應(yīng)于X電極Xi到Xn中的一個(gè)。在一些實(shí)施例中，Y電極到Y(jié)n的 每個(gè)都對(duì)應(yīng)于X電極X!到Xn中的兩個(gè)或多個(gè)。單元110在A電極Al到 Am、 Y電極到Y(jié)n和X電極X,到Xn的交叉處附近的空間形成。以上描 述的PDP 100 <又<義是一個(gè)例子，PDP 100可以具有其它結(jié)構(gòu)。
控制器200接收視頻信號(hào)和用于控制視頻信號(hào)的顯示的輸入控制信號(hào)。 視頻信號(hào)包括單元110中的每個(gè)的亮度信息，且單元110中的每個(gè)的亮度信 息可以被表示為許多灰度級(jí)中的一個(gè)。輸入控制信號(hào)可以包括垂直同步信號(hào) 和水平同步信號(hào)?？刂破?00將一幀分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)都具有權(quán)重?？刂?器200基于多個(gè)子場(chǎng)處理視頻信號(hào)和輸入控制信號(hào)，并產(chǎn)生A電極驅(qū)動(dòng)控制 信號(hào)、Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)和X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。控制器200將A電極 驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出到尋址電極驅(qū)動(dòng)器300,將Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出到掃 描電極驅(qū)動(dòng)器400,并將X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出到維持電極控制器500。
尋址電極驅(qū)動(dòng)器300根據(jù)A電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電壓施加到A電 極Al到Am。
掃描電極驅(qū)動(dòng)器400根據(jù)Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電壓施加到Y(jié)電 極到Y(jié)n。
維持電極驅(qū)動(dòng)器500根據(jù)X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)將驅(qū)動(dòng)電壓施加到X電 極到Xn。
圖2是示出根據(jù)實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法的示意圖。 參考圖2， 一幀被分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)SF都具有復(fù)位期、混合尋 址/維持期Tl、亮度補(bǔ)償期T2和公共維持期T3。 Y電極^到Y(jié)n根據(jù)其物 理位置被分為許多組Gl到Gk。例如，Y電極Y!到Y(jié)她形成第一組Gl， Y 電極Y威w到Y(jié)滅形成第二組G2。類似地，Y電極Y^)n/k+!到Y(jié)n形成第k 組Gk?？商鎿Q地，可以將^L其間的給定區(qū)域分離的Y電極分為一組，或者 可以以隨機(jī)方式分組Y電極X到Y(jié)n。
10在復(fù)位期期間，復(fù)位波形被施加到所有組Gl到Gk的Y電極Yi到Y(jié)n 以初始化單元的壁電荷狀態(tài)。混合尋址/維持期Tl包括對(duì)應(yīng)于組Gl到Gk 的多個(gè)尋址期和對(duì)應(yīng)于組G1到Gk的多個(gè)維持期。即，在混合尋址/維持期， 尋址期和維持期被混合。因此，每個(gè)尋址/維持期Tl都具有尋址部分和維持 部分。在每個(gè)尋址部分，從被尋址的組中的單元中選"f奪導(dǎo)通單元和截止單元。 在每個(gè)維持部分，組Gl到Gk的導(dǎo)通單元被維持放電。在亮度補(bǔ)償期T2中， 亮度中的變化在組Gl到Gk的導(dǎo)通單元中被補(bǔ)償。公共維持期T3是將組 Gl到Gk共有的導(dǎo)通單元維持放電一段預(yù)定時(shí)間的時(shí)間段。
在一些實(shí)施例中，在復(fù)位期Rl中組Gl到Gk的單元^:初始化為截止單 元?？商鎿Q地，在復(fù)位期Rl期間組Gl到Gk的單元可以不^皮同時(shí)初始化， 且可以^f吏用對(duì)應(yīng)于組Gl到Gk的多個(gè)復(fù)位期。在這種情況下，可以恰好在 對(duì)應(yīng)組的尋址期之前執(zhí)行每個(gè)復(fù)位期。
在混合尋址/維持期Tl中，在尋址期AG,期間，對(duì)第一組Gl的單元執(zhí) 行尋址操作以選擇導(dǎo)通單元，且隨后在維持期Su中，執(zhí)行維持放電操作以 維持放電第一組Gl的導(dǎo)通單元。接下來，在尋址期AG2中對(duì)第二組G2的 單元執(zhí)行尋址操作以選擇導(dǎo)通單元，其后是維持放電操作，執(zhí)行該維持放電 操作以在維持期S^/S2i期間維持放電第一組Gl和第二組G2的導(dǎo)通單元。 隨后，在尋址期AG3中執(zhí)行尋址操作以選擇第三組G3中的導(dǎo)通單元，然后 再次執(zhí)行維持放電操作以在維持期Su/S22/S^期間維持放電第一組G1、第二 組G2和第三組G3的導(dǎo)通單元。以類似的方式，在尋址期AGk中執(zhí)行尋址
操作以選擇第k組Gk中的導(dǎo)通單元，且在維持期S^S2(kVS,2)/…/S!d期間
執(zhí)行維持放電操作以維持放電組G1到Gk中的導(dǎo)通單元。因此，在尋址/維 持混合期Tl中，組中剛被尋址的導(dǎo)通單元和組中之前凈皮尋址的導(dǎo)通單元被 一起維持放電。
當(dāng)如上所述執(zhí)行混合尋址/維持期Tl的操作時(shí)，用于每組的單元的維持 放電操作的數(shù)量可以變化，這將導(dǎo)致組Gl到Gk的相應(yīng)的亮度變化。為了 補(bǔ)償這種亮度變化，執(zhí)行亮度補(bǔ)償期T2以校正各個(gè)組的亮度差別。在亮度 補(bǔ)償期T2中，執(zhí)行維持放電操作，這樣對(duì)于組Gl到Gk中的每個(gè)組，在導(dǎo) 通單元中產(chǎn)生相同數(shù)量的維持放電。
在亮度補(bǔ)償期T2期間，在維持期S2k/S3(w/…/Sk2期間，執(zhí)行維持放電
操作以維持放電組G2到G4中的導(dǎo)通單元，而組Gl中的導(dǎo)通單元不被維持放電。接下來，在維持期S3k/.../Sk3期間，執(zhí)行維持放電操作以維持放電組
G3到Gk的導(dǎo)通單元，而組G1和G2的導(dǎo)通單元不被維持放電。以類似的 方式，在維持期Skk期間，執(zhí)行維持放電操作以維持放電第k組Gk的導(dǎo)通 單元，而組G1到Gk-l的導(dǎo)通單元不被維持放電。因此，對(duì)于一個(gè)子場(chǎng)中的 每個(gè)組都產(chǎn)生相同數(shù)量的維持放電，從而組Gl到Gk的導(dǎo)通單元在相同的 子場(chǎng)具有相同的亮度。
在公共維持期T3中，維持放電被執(zhí)行一段時(shí)間，以對(duì)所有組Gl到Gk 的導(dǎo)通單元進(jìn)行維持放電。通過控制公共維持期T3的長度來設(shè)置相應(yīng)子場(chǎng) 的權(quán)重。在公共維持期T3結(jié)束后，開始下一子場(chǎng)的復(fù)位期。
參考圖2，在亮度補(bǔ)償期T2之后執(zhí)行公共維持期T3。在一些實(shí)施例中， 可以在混合尋址/維持期Tl和亮度補(bǔ)償期T2之間執(zhí)行公共維持期T3。此外， 在一些實(shí)施例中，當(dāng)在混合尋址/維持期Tl和亮度補(bǔ)償期T2中提供的維持 放電操作滿足相應(yīng)子場(chǎng)的權(quán)重時(shí)，不執(zhí)行公共維持期T3。
圖3是示出根據(jù)實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖。為方便 圖3中的描述，示出了 Y電極Yi到Y(jié)j皮分為兩組Gl和G2，且第一組G1 的Y電極被表示為Ygl，第二組G2的Y電極凈皮表示為Yg2。此外，沒有在 圖3中示出施加到A電極的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖3，在復(fù)位期Rl期間，第一組Gl和第二組G2的Y電極Ygl 和Yg2的電壓被逐漸從電壓(VscH-VscL)增加到電壓[Vs+( VscH-VscL)]，其 中電壓(VscH-VscL)是電壓VscH和電壓VscL之差，電壓[Vs+( VscH-VscL)] 是電壓Vs和電壓(VscH-VscL)之和。可替換地，Y電極的電壓可以被逐漸從 不同于電壓(VscH-VscL)的電壓增加到不同于電壓[Vs+( VscH-VscL)]的電 壓。當(dāng)Y電極Ygl和Yg2的電壓凈皮逐漸增加時(shí)，在第一和第二組Gl和G2 的單元中產(chǎn)生弱復(fù)位放電，這樣在第一和第二組Gl和G2的單元上形成壁 電荷。隨后，當(dāng)電壓Ve被施加到X電極時(shí)，Y電極Ygl和Yg2的電壓逐漸 從電壓(VscH-VscL)降低到電壓Vnf?？商鎿Q地，Y電極的電壓可以逐漸從不 同于電壓(VscH-VscL)的電壓P爭(zhēng)低。當(dāng)Y電極的電壓逐漸降低時(shí)，在第一和 第二組Gl和G2的單元中產(chǎn)生弱復(fù)位放電，這樣，在第一和第二組Gl和 G2的單元上形成的壁電荷被擦除。結(jié)果，第一和第二組G1和G2的單元被 初始化為截止單元。在這種情況下，電壓(Vnf-Ve)與Y電極和X電極之 間的放電點(diǎn)火電壓(discharge firing voltage )類似。Y電極和X電極之間的
12壁電壓近似為0V，這樣可以防止截止單元在維持期祐j文電。
在混合尋址/維持期Tl的尋址期AG1中，具有電壓VscL的掃描脈沖被 順序地施加到第 一組Gl的Y電極Ygl ，同時(shí)電壓Ve被施加到X電極，并 且高于電壓VscL的電壓VscH^皮施加到第二組G2的Y電才及Yg2。電壓VscL 可以等于或低于電壓Vnf。具有正電壓的尋址脈沖(未示出)被施加到單元 的A電極，在由接收掃描脈沖的Y電極形成的第一組Gl的單元中，該單元 被設(shè)置為導(dǎo)通單元。然后，在接收掃描脈沖和尋址脈沖的第一組G1的單元 中產(chǎn)生尋址放電。結(jié)果，在Y電極上形成正壁電荷，在X和A電極上形成 負(fù)壁電荷，從而設(shè)置了導(dǎo)通單元。相反地，電壓VscH被施加到不接收掃描 脈沖的Y電極，而參考電壓被施加到不接收尋址脈沖的A電極。
在維持期Su中，交替地具有電壓Vs和電壓-Vs的維持脈沖被施加到第 一組Gl和第二組G2的Y電極Ygl和Yg2，參考電壓被施加到X電極。電 壓-Vs可以等于電壓VscL。如圖3所示，維持脈沖被施加到Y(jié)電極Ygl和 Yg2 —次，即，電壓Vs和-Vs的每個(gè)被施力口到Y(jié)電極一次。在第一組Gl 的導(dǎo)通單元中，產(chǎn)生維持放電兩次。結(jié)果，通過根據(jù)電壓Vs的維持放電， 在第一組G1的導(dǎo)通單元的Y電極上形成負(fù)壁電荷，在第一組G1的導(dǎo)通單 元的X電極上形成正壁電荷。隨后，通過根據(jù)電壓-Vs維持放電，第一組 Gl的導(dǎo)通單元Y電極上形成正壁電荷，在第一組Gl的導(dǎo)通單元的X電極 上形成負(fù)壁電荷。在第二組G2的單元中不產(chǎn)生維持放電。
在這種情況下，第二組G2中的單元的壁電荷狀態(tài)與通過在第一組Gl 的導(dǎo)通單元中產(chǎn)生的維持放電在復(fù)位期Rl中設(shè)置的壁電荷狀態(tài)不一樣。為 了補(bǔ)償?shù)诙MG2的壁電荷狀態(tài)，在維持期Sll的維持放電后，Y電極的電 壓逐漸降低到電壓Vnf。在第二組G2的單元中產(chǎn)生弱放電，這樣第二組G2 的單元被再次初始化。
隨后，在尋址期AG2中，具有電壓VscL的掃描脈沖被順序地施加到第 二組G2的Y電極Yg2，同時(shí)電壓Ve 一皮施加到第一組Gl的X電極并且電 壓VscH被施加到第一組Gl的Y電極。具有正電壓的尋址脈沖被施加到單 元的A電極，該單元將被設(shè)置為由接收掃描脈沖的Y電極組成的第二組G2 的單元中的導(dǎo)通單元。然后，在接收掃描脈沖和尋址脈沖的第二組G2的單 元中產(chǎn)生尋址放電。結(jié)果，在Y電極上形成正壁電荷，在X和A電極上形 成負(fù)壁電荷，這樣在第二組G2中設(shè)置了導(dǎo)通單元。在維持期S12/S21中，交替地具有電壓Vs和電壓-Vs的維持脈沖^皮施加
到第一組Gl和第二組G2的Y電極Ygl和Yg2，同時(shí)參考電壓被施加到X 電極。由于當(dāng)電壓Vs被施加到Y(jié)電極Ygl和Yg2時(shí)在第一組Gl的導(dǎo)通單 元以及第二組G2的導(dǎo)通單元中的Y電極上形成正壁電荷和在X電極上形成 負(fù)壁電荷，因此在第一組Gl和第二組G2的導(dǎo)通單元中產(chǎn)生維持放電。結(jié) 果，在第一組G1和第二組G2的導(dǎo)通單元中，在Y電極上形成負(fù)壁電荷， 在X電極上形成正壁電荷。接下來，通過根據(jù)電壓-Vs維持放電，在Y電極 上形成正壁電荷，在X電極上形成負(fù)壁電荷。因此，在第二組G2的導(dǎo)通單 元中維持放電的數(shù)量是"2"，但在第一組G1的導(dǎo)通單元中維持放電的數(shù)量 是"4"。
隨后，執(zhí)行亮度補(bǔ)償期T2以將第一組Gl中的維持放電的數(shù)量設(shè)為等 于第二組G2中的維持放電的數(shù)量。在亮度補(bǔ)償期T2中，電壓-Vs被施加到 第一組Gl的Y電極Ygl并且電壓Vs被施加到第二組G2的Y電極Yg2， 同時(shí)參考電壓-皮施加到X電極。然后，在第二組G2的導(dǎo)通單元中產(chǎn)生維持 ;故電，這樣在第二組G2的Y電極和X電極上分別形成負(fù)壁電荷和正壁電荷。 相反地，由于施加到Y(jié)電極的電壓-Vs低于施加到X電極的參考電壓，因而 在第一組G1的導(dǎo)通單元中沒有產(chǎn)生維持放電。結(jié)果，Y電極上的正壁電荷 和X電極上的負(fù)壁電荷維持在第一組G1中。隨后，電壓Vs被施加到第二 組G2的Y電極Yg2，同時(shí)參考電壓和電壓Vs被分別施加到第一組Gl的X 電極和Y電極。然后，在第二組G2的導(dǎo)通單元中產(chǎn)生維持放電，這樣在第 二組G2的Y電極和X電極上分別形成正壁電荷和負(fù)壁電荷。但是，由于施 加到Y(jié)電極的電壓-Vs低于施加到X電極的參考電壓，因而在第一組Gl的 導(dǎo)通單元中沒有產(chǎn)生維持放電。結(jié)果，Y電極上的正壁電荷和X電極上的負(fù) 壁電荷維持在第一組G1中。因此，在亮度補(bǔ)償期T2中，在第二組G2的導(dǎo) 通單元中產(chǎn)生維持放電兩次，從而第一組G1中的維持放電的數(shù)量變得等于 第二組G2中的維持放電的數(shù)量。
可替換地，當(dāng)電壓-Vs ^皮施加到第二組G2的Y電極Yg2時(shí)，通過將電 壓Vs施加到第一組Gl的Y電極Ygl，可以執(zhí)行亮度補(bǔ)償期T2。
在公共維持期T3,電壓Vs和電壓-Vs又被施加到Y(jié)電極Ygl和Yg2， 同時(shí)參考電壓被施加到X電極。第一組Gl和第二組G2的導(dǎo)通單元被額外 地維持》文電。如上所述，可以略去公共維持期T3。根據(jù)實(shí)施例，多個(gè)Y電極Y!到Y(jié)n被分為組Gl到Gk，且維持期的操 作在兩個(gè)相鄰的尋址期之間被執(zhí)行。結(jié)果，在尋址期和維持放電之間提供的 時(shí)間被減少以產(chǎn)生穩(wěn)定的維持放電。此外，在維持期Su中執(zhí)行維持放電后， Y電極的電壓逐漸降低到電壓Vnf,這樣第二組G2的充電狀態(tài)可以被補(bǔ)償。 結(jié)果，可以在尋址期A(j2穩(wěn)定地產(chǎn)生用于第二組G2的尋址放電。
將參考圖4描述圖3示出的產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)波形的驅(qū)動(dòng)電路。圖4是根據(jù)實(shí)施 例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。在圖4中，開關(guān)是n溝道場(chǎng)效應(yīng) 晶體管，且每個(gè)n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管都可以具有這樣的體二極管，其具有連 接到源極的陽極和連接到漏極的陰極?？商鎿Q地，其它類型的晶體管可以被 用作開關(guān)。此外，每個(gè)晶體管在圖3中被示為一個(gè)晶體管，但是每個(gè)晶體管 都可以由多個(gè)并行連接的晶體管組成。而且，在圖3中示出了 X電極&到 Xn中的一個(gè)和Y電極Y,到Y(jié)n中的一個(gè)，且由X電極和Y電極組成的電容 元4牛凈皮示為平4亍一反電容器(panel capacitor )。
參考圖4，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400的驅(qū)動(dòng)電路包括電感器L、晶體管Yr、 Yf、 Ysl、 Ys2和YscL、齊納二極管ZD、電容器CscH、 二極管DscH和掃 描電^各410。
掃描電路400具有兩個(gè)輸入和一個(gè)輸出端，并且包括晶體管Sch和Scl。 對(duì)應(yīng)于多個(gè)Y電極Y！到Y(jié)n的多個(gè)掃描電路410被形成，但是圖3中示出了 對(duì)應(yīng)于一個(gè)Y電^l的一個(gè)掃描電^各410。此外，多個(gè)掃描電^各41(^皮形成為 一個(gè)集成電^各。
晶體管Sch的源極和晶體管Scl的漏極與掃描電路410的輸出端耦接， 輸出端耦接到Y(jié)電極。晶體管Scl的源極耦接到掃描電路410的一個(gè)輸入端， 掃描電路410耦接到電容器CscH的一端。晶體管Sch的漏極耦接到掃描電 路410的另一個(gè)輸入端，掃描電路410耦接到電容器CscH的一端。晶體管 YscL的源極耦接到用于提供電壓VscL的電源，晶體管YscL的漏極經(jīng)由掃 描電路40的一個(gè)輸入端耦接到Y(jié)電極。用于提供電壓VscH的電源經(jīng)由二 極管DscH耦接到電容器CscH的另一端。當(dāng)晶體管YscL導(dǎo)通時(shí)，電壓 (VscH-VscL)可以被充到電容器CscH。在尋址期，晶體管YscL導(dǎo)通，掃描 電路410的晶體管Sch和Scl中的一個(gè)導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Sch導(dǎo)通時(shí)，通過電 容器CscH和電源VscL，電壓VscH被施加到Y(jié)電極?？商鎿Q地，通過電壓 VscH,電壓VscH可以被施力口到Y(jié)電極。即，電源VscH或電容器CscH和電源VscL的組合中的其中一個(gè)用作電源以將電壓VscH提供給Y電極。此 外，當(dāng)晶體管Scl導(dǎo)通時(shí)，電壓VscL 一皮施加到Y(jié)電極。
電感器L的一端耦接到電源以提供參考電壓，例如，接地端，電感器L 的另一端經(jīng)由晶體管Yr和Yf和掃描電路410的一個(gè)輸入端耦接到Y(jié)電極。 晶體管Yr的漏極耦接到電感器L的一端，晶體管Yr的源極耦接到晶體管 Yf的源極。晶體管Yf的漏極經(jīng)由掃描電路410的一個(gè)輸入端耦接到Y(jié)電極。
晶體管Ysl的漏極耦接到電源用于提供電壓Vs，且晶體管Ysl的源極 經(jīng)由掃描電路410的輸入端耦接到Y(jié)電極。晶體管Ys2的源極耦接到電源 以提供電壓-Vs，且晶體管Ys2的漏極經(jīng)由掃描電路410的一個(gè)輸入端耦接 到Y(jié)電極。晶體管Ysl被導(dǎo)通以將電壓Vs施加到Y(jié)電極，且晶體管Ys2 4皮導(dǎo)通以將電壓-Vs施力口到Y(jié)電極。
晶體管Yfr的源極耦接到電壓以提供電壓VscL,晶體管Yfr的漏極耦接 到齊納二極管Zd的陽極，齊納二極管ZD的陰極經(jīng)由掃描電路410的一個(gè) 輸入端耦接到Y(jié)電極。可替換地，齊納二極管ZD可以耦接在晶體管Yfr的 源極和電源之間。操作晶體管Yfr以逐漸降低Y電極的電壓。齊納二極管的 擊穿電壓是電壓Vnf和電壓VscL之間的差?？商鎿Q地，晶體管Yfr可以在 沒有齊納二極管ZD的條件下耦接在提供電壓Vnf的電源和Y電極之間。在 電壓-Vs低于電壓VscL/Vnf的情況下，當(dāng)晶體管Ys2導(dǎo)通時(shí)，可以形成包 括電源VscL、晶體管Yfr/YscL的體二極管、晶體管Ys2和電源-Vs的電流 路徑。為了防止該電流路徑，可以在電流路徑中布置二才及管或晶體管。
在一些實(shí)施例中，當(dāng)電壓VscL等于電壓-Vs時(shí)，可以略去晶體管YscL。 維持電極驅(qū)動(dòng)器500的驅(qū)動(dòng)電路包括晶體管Xe和Xg。
晶體管Xe的漏極耦接到電源Ve的電源，且晶體管Xe的源極耦接到X 電極。晶體管Xg的源極耦接到用于提供參考電壓的電源，例如，接地端， 且晶體管Xg的漏極耦接到X電極。晶體管Xe導(dǎo)通以將電壓Ve提供到X 電極，且晶體管Xg導(dǎo)通以將參考電壓提供給X電極。
在一些實(shí)施例中，為了在亮度補(bǔ)償期T1中在施加電源Vs到第二組G2 的Y電極Yg2時(shí)將電壓-Vs施加到第一組Gl的Y電極Ygl,晶體管Ysl和 Ys2可以被耦接到用于第二組G2的Y電極Yg2的掃描電路410的一個(gè)輸入 端。在這種情況下，用于施加電源Vs和-Vs的額外晶體管可以;陂耦^:到用 于第一組G1的Y電4及Ygl的掃描電這各410的一個(gè)輸入端。以下將參考圖5至圖8、使用圖4的驅(qū)動(dòng)電路描述圖3中示出的產(chǎn)生驅(qū) 動(dòng)波形的方法。具體來說，將描述施加到維持期Sn的驅(qū)動(dòng)波形。由于在維 持期Su中，相同的驅(qū)動(dòng)波形被施加到第一組Gl和第二組G2的Y電極Ygl 和Yg2,所以將描述施加到 一個(gè)Y電極的驅(qū)動(dòng)波形。
圖5是圖3中示出的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖，圖6到圖8是^f艮據(jù)圖5的時(shí)序、 示出在圖4中所示的驅(qū)動(dòng)電路的操作的圖。
首先，恰好在維持期Su前，晶體管Sch被導(dǎo)通，以使得Y電極被維持 在電壓VscH。
在時(shí)間段TA1中，晶體管Xe和Sch被截止，且晶體管Yr、 Scl和Xg 被導(dǎo)通。因此，參考電壓被施加到X電極。此外，如圖6所示，在電感器L 和電流路徑P1中的平行板電容器之間產(chǎn)生諧振，該電流路徑P1包括電感器 L、晶體管Yf、晶體管Yfr的體二極管、晶體管Scl的體二極管和平行板電 容器的Y電極。由于諧振，Y電極的電壓從電壓VscH增加到接近電壓Vs。
在時(shí)間段TA2中，晶體管Ysl被導(dǎo)通，晶體管Yr被截止。因此，如圖 6所示，形成了包括電源Vs、晶體管Ysl、晶體管Sd和平行板電容器的Y 電極的電流路徑P2 。通過電流路徑P2,電壓Vs被施加到Y(jié)電極。
在時(shí)間段TA3中，晶體管Ysl被截止，晶體管Yf導(dǎo)通。因此，如圖7 所示出，在電感器L和電流路徑P3的平行板電容器之間產(chǎn)生諧振，該電流 路徑P3包括平行板電容器的Y電極、晶體管Scl、晶體管Yf、晶體管Yr、 電感器L和接地端。由于諧振，Y電極的電壓從電壓Vs降低到接近電壓-Vs。
在時(shí)間段TA4中，晶體管Ys2導(dǎo)通，晶體管Yr被截止。因此，如圖7 所示，形成電流路徑P4，其包括平行板電容器的Y電極、晶體管Scl、晶體 管Ys2和電源-Vs。電壓-Vs通過電流路徑P4被施加到Y(jié)電極。
在時(shí)間段TA5中，Y電極的電壓從電壓-Vs增加到電壓VI ，同時(shí)參考 電壓被施加到X電極。電壓VI可以等于電壓VscH，從而不使用提供到電 壓VI的額外電源和用于傳輸電壓VI的額外晶體管。具體地，在時(shí)間段TA5 期間，晶體管YscL和Sch被導(dǎo)通，晶體管Scl和Ys2被截止。這樣，如圖 8所示。形成了電流路徑P5，其包括電壓VscL、晶體管YscL、電容器CscH、 晶體管Sch和Y電極。Y電極的電壓經(jīng)由電流路徑P5增加到電壓VscH。
在時(shí)間段TA6中，Y電極被浮置，且高于參考電壓的電壓V2被施加到 X電極。電壓V2可以j氐于電壓Vs以防止導(dǎo)通單元凈皮;改電。具體來說，電壓V2的電壓可以等于電壓Ve，以l更不^f吏用用于4是供電壓V2的額外電源和 用于傳輸電壓V2的額外晶體管。
具體地，在時(shí)間段TA6期間，晶體管YscL被截止，掃描電路410浮置 Y電極。掃描電路410的晶體管Sch和Scl二者都被截止。當(dāng)Y電極被浮置 時(shí)，晶體管Xe被導(dǎo)通。然后，X電極的電壓通過電流路徑P6從參考電壓增 加到電壓Ve，該電流路徑P6包括電源Ve、晶體管Xe和X電極。此外，在 浮置的Y電極處的電壓也通過X電極處的電壓的增加而增加。即，當(dāng)Y電 極浮置時(shí)，Y電極處的電壓增加至接近參考電壓的電壓。
結(jié)果，在不使用用于傳輸參考電壓的晶體管的條件下，Y電極處的電壓 接近參考電壓。
在時(shí)間段TA7中，晶體管Scl和Yfr被導(dǎo)通。因此，如圖8所示，形成 了電流路徑P7，其包括平行板電容器的Y電極、晶體管Scl、齊納二極管 ZD、晶體管Yfr和電源VscL。 Y電極處的電壓通過電流路徑P7逐漸降低到 電壓Vnf。
如上所示，根據(jù)實(shí)施例，在維持期S11中，在將維持脈沖施加到第一組 Gl和第二組G2的Y電極后，Y電極處的電壓逐漸從電壓Vnf降低到接近 參考電壓的電壓。因此，盡管由于第一組的維持放電，第二組G2的導(dǎo)通單 元的壁電荷變得不穩(wěn)定，但是其可以被補(bǔ)償。結(jié)果，可以在尋址期AG2中 穩(wěn)定地產(chǎn)生用于第二組G2的尋址放電。此外，在一些實(shí)施例中，可以略去 用于將參考電壓傳送到Y(jié)電極的晶體管。
盡管已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前被認(rèn)為是可行的實(shí)施例描述了給定的發(fā)明方面時(shí)，但 是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是相反地，旨在涵蓋各種修 改和等效設(shè)置。
18
權(quán)利要求
1、一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，該等離子體顯示器包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和多個(gè)由所述第一電極和所述第二電極形成的單元，該方法包括將所述多個(gè)第一電極分為包括第一組和第二組的多個(gè)組；在第一尋址期中，用第一組電極尋址導(dǎo)通單元和截止單元；在第一維持期中，維持放電第一組的導(dǎo)通單元，其中維持期是在所述第一尋址期之后；在第二尋址期中，用第二組電極尋址導(dǎo)通單元和截止單元，其中第二尋址期在第一維持期之后；其中維持放電第一組的導(dǎo)通單元包括在第一時(shí)間段期間，在施加參考電壓到多個(gè)第二電極的同時(shí)，施加第一電壓到多個(gè)第一電極，該第一電壓高于參考電壓；在第一時(shí)間段之后的第二時(shí)間段期間，在施加參考電壓到多個(gè)第二電極的同時(shí)，施加第二電壓到多個(gè)第一電極，該第二電壓低于參考電壓；在第二時(shí)間段之后的第三時(shí)間段期間，將多個(gè)第一電極的電壓從第二電壓增加到第三電壓，該第三電壓高于第二電壓；在第三時(shí)間段之后的第四時(shí)間段期間，浮置多個(gè)第一電極；在浮置多個(gè)第一電極的同時(shí)，將第四電壓施加到多個(gè)第二電極，該第四電壓高于參考電壓；以及在第四時(shí)間段之后的第五時(shí)間段期間，逐漸將多個(gè)第一電極的電壓降低到第五電壓，該第五電壓低于參考電壓。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，當(dāng)?shù)谒碾妷罕皇┘拥蕉鄠€(gè)第二電 極時(shí)，多個(gè)第一電極的電壓增加。
3、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，尋址第一組的導(dǎo)通單元和截止單 元包括將第六電壓施加到多個(gè)第二電極；以及在將第六電壓施加到多個(gè)第二電極的同時(shí)，順序地將第七電壓施加到 第一組的第一電極，其中，所述第四電壓等于該第六電壓。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在第一尋址期之前的復(fù)位期中， 將多個(gè)第一電極的電壓從第六電壓降低到第七電壓，其中，所述第五電壓等于該第七電壓。
5、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，尋址第一組的導(dǎo)通單元和截止單 元包括順序地將第六電壓施加到第一組的第一電極；以及 將第七電壓施加到?jīng)]有施加第六電壓的第一電才及，該第七電壓高于第 六電壓，其中，所述第三電壓等于該第七電壓。
6、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，在第一維持期中，在第一電壓和 第二電壓被施加到多個(gè)第一電極的同時(shí)，第二組的單元不被維持》文電。
7、 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括在第二尋址期之后的第二維持 期中，維持放電第二組的導(dǎo)通單元。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，還包括在第二維持期中，在維持放電 第二組的導(dǎo)通單元的同時(shí)，維持;^文電第一組的導(dǎo)通單元。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在第二維持期之后的第三維持 期中，維持放電第二組的導(dǎo)通單元而不維持放電第一組的導(dǎo)通單元。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，還包括在第四維持期中維持^C電第 一組和第二組的導(dǎo)通單元，其中，第四維持期是在第三維持期之后或者是在第二維持期和第三維持期之間。
11、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在第三維持期中維持放電第二 組的導(dǎo)通單元包括在將參考電壓施加到多個(gè)第二電極的同時(shí)，將第一電壓施加到第二組 的第一電極；在將參考電壓施加到多個(gè)第二電極的同時(shí)，將第二電壓施加到第二組的多個(gè)第一電極；以及在第三維持期中，在將第一電壓和第二電壓施加到第二組的第一電極的同時(shí)，將第一電壓和第二電壓中的一個(gè)施加到第一組的第一電極。
12、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，單個(gè)子場(chǎng)包括第一尋址期、第一維持期和第二尋址期。
13、 一種等離子體顯示器，包括多個(gè)第一電極； 多個(gè)第二電極；在所述多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極附近形成的多個(gè)單元； 第一驅(qū)動(dòng)器，其被配置為在第一時(shí)間段期間，將多個(gè)第一電極的電壓從第一電壓增加到第 二電壓；在第 一 時(shí)間段之后的第二時(shí)間段期間，浮置多個(gè)第 一 電極；在第二時(shí)間段之后的第三時(shí)間段期間，逐漸將多個(gè)第 一 電極處的電壓降低到第三電壓；以及第二驅(qū)動(dòng)器，其被配置為在第一時(shí)間段期間，將第四電壓施加到多個(gè)第二電極； 在第二時(shí)間段期間，將第五電壓施加到多個(gè)第二電極；以及 在第三時(shí)間段期間，將第六電壓施加到多個(gè)第二電極，第四電壓 高于第一電壓，且第五電壓高于第四電壓。
14、 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器，其中，所述第五電壓等于 第六電壓。
15、 如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示器，其中，所述第一驅(qū)動(dòng)器包括分別耦接到多個(gè)第一電極的多個(gè)掃描電路，每個(gè)掃描電路具有第一輸 入端、第二輸入端和耦接到多個(gè)第一電極中的相應(yīng)一個(gè)的輸出端；第一開關(guān)，耦接在用于提供第 入端之間；第二開關(guān)，耦接在用于提供第 入端之間；第三開關(guān)，耦接在用于提供第 入端之間，且被搡作以逐漸降低多個(gè)第 一電極的電壓，并且其中，所述第二驅(qū)動(dòng)器包括第四開關(guān)，耦接在提供第四電壓的第四電源和多個(gè)第二電極之間；以一電壓的第 一 電源和掃描電3各的第二輸 二電壓的第二電源和掃描電3各的第 一 輸 三電壓的第三電源和掃描電^各的第二輸?shù)谖彘_關(guān)，耦接在提供第五電壓的第五電源和多個(gè)第二電極之間。
16、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中在第 一時(shí)間段期間，第 一開關(guān)被斷開且第二開關(guān)和第四開關(guān)被接通， 在第二時(shí)間段期間，掃描電路被操作以浮置多個(gè)第一電極，且第五開關(guān)祐」接通，以及 在第三時(shí)間段期間，第三開關(guān)被接通且第五開關(guān)祐:接通。
17、 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器，其中，在第二驅(qū)動(dòng)器將第 四電壓施加到多個(gè)第二電極的同時(shí)，第一驅(qū)動(dòng)器被配置為交替地將第七電 壓和第五電壓施加到多個(gè)第一電極以維持;^文電至少一個(gè)單元，該第七電壓 高于第四電壓。
18、 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器，其中，所述第一驅(qū)動(dòng)器被 配置為將具有第七電壓的掃描脈沖施加到至少一個(gè)第一電極以選擇多個(gè)單 元中的至少一個(gè)導(dǎo)通單元，并將第二電壓施加到?jīng)]有^f皮施加掃描脈沖的第 一電極，該第七電壓低于第二電壓。
19、 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器，其中多個(gè)第一電極被分為 包括第一組和第二組的多個(gè)組，其中第一驅(qū)動(dòng)器被配置為在第一尋址期中，利用第一組電極來尋址導(dǎo)通單元和截止單元； 在第一維持期中，維持放電第一組的導(dǎo)通單元，其中該維持期在第一 尋址期之后；在第二尋址期中，利用第二組電極尋址導(dǎo)通單元和截止單元，其中第 二尋址期在第一維持期之后；以及在第二尋址期之后的第二維持期中，維持放電第 一組和第二組中的導(dǎo) 通單元。
20、 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器，其中第一時(shí)間段是在第一 維持期中維持放電第 一組的導(dǎo)通單元之后。
21、 一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，該等離子體顯示器包括多個(gè)第 一電極、多個(gè)第二電極和在所述多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極附近形成的 多個(gè)單元，該方法包括在第一時(shí)間段期間，在將第三電壓施加到多個(gè)第二電極的同時(shí)，將多 個(gè)第一電極的電壓從第一電壓增加到第二電壓；在第 一 時(shí)間段之后的第二時(shí)間段期間，浮置多個(gè)第 一 電極；在浮置多個(gè)第一電極的同時(shí)，將第四電壓施加到多個(gè)第二電極，該第四電壓高于第三電壓；以及在第二時(shí)間段之后的第三時(shí)間段期間，將多個(gè)第 一 電極的電壓逐漸降低到第五電壓。
全文摘要
公開了一種等離子體顯示器和驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法。該方法包括將單元分為多個(gè)組，分別尋址驅(qū)動(dòng)每個(gè)組，且一起維持放電驅(qū)動(dòng)所有之前被尋址的組。
文檔編號(hào)G09G3/296GK101609640SQ20091014593
公開日2009年12月23日 申請(qǐng)日期2009年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月17日
發(fā)明者安正洙, 韓相哲 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社