專利名稱:電光學裝置、驅(qū)動電路及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及對發(fā)光元件等的電光學元件的光量(灰度)進行控制的技術(shù)。
背景技術(shù):
在排列有多個電光學元件的電光學裝置中,各電光學元件的特性或用 于控制該電光學元件的有源元件的特性的離散偏差(距設(shè)計值的誤差或各 元件間的不同)所引起的光量不均成為問題。于是, 一直以來提出了根據(jù) 各電光學元件的特性對供給電光學元件的驅(qū)動信號進行補正的各種技術(shù)。 例如,專利文獻l中公開了按每個發(fā)光元件配置用于存儲發(fā)光元件的特性 所對應(yīng)的補正數(shù)據(jù)的寄存器、和根據(jù)補正數(shù)據(jù)對驅(qū)動信號的電流值進行設(shè)定的D/A變換器的結(jié)構(gòu)。專利文獻l:特開平8—39862號公報(尤其圖6)但是,在專利文獻l的結(jié)構(gòu)中,由于寄存器和D/A變換器分別針對所 有的發(fā)光元件的每一個進行設(shè)置,所有存在驅(qū)動電路的規(guī)模龐大化而使制 造成本增大的問題。尤其,在要通過擴大補正數(shù)據(jù)的數(shù)值范圍或提高補正 的分辨率來使補正高精度化時,不得不使寄存器或D/A變換器的規(guī)模擴 大,所以上述的問題變得更加深刻。發(fā)明內(nèi)容鑒于這樣的事實,本發(fā)明的目的在于解決將各電光學元件的光量不均 通過小規(guī)模驅(qū)動電路而降低的問題。為了解決上述問題,本發(fā)明涉及的電光學裝置具備多個電光學元件, 其根據(jù)驅(qū)動信號對出射的光量進行控制;多個單位電路,其輸出驅(qū)動信號; 和多個信號生成電路(例如,圖2的電流生成電路22),其分別生成與補
正數(shù)據(jù)對應(yīng)的控制信號。多個單位電路包括多個獨立型單位電路,其生 成與多個信號生成電路中任意的信號生成電路所生成的控制信號和對電 光學元件所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū)動信號;從屬型單位電路,其生成與供給 到多個獨立型單位電路中的第一獨立型單位電路的控制信號、供給到第二 獨立型單位電路的控制信號和對電光學元件所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū)動信號。此外,控制信號也可為電流信號(例如圖2的控制電流Ic)及電壓信號的任一個。同樣,驅(qū)動信號也可為電流信號及電壓信號的任一個。
在以上的結(jié)構(gòu)中,根據(jù)第一獨立型單位電路的控制信號和第二獨立型 單位電路的控制信號來生成從屬型單位電路的驅(qū)動信號(例如根據(jù)各控制 信號而設(shè)定驅(qū)動信號的電流值或電壓值),由此對于從屬型單位電路而言 不需要信號生成電路。因而,與針對所有的單位電路設(shè)置信號生成電路(例如D/A變換器)的結(jié)構(gòu)相比,能夠在利用以小規(guī)模構(gòu)成的簡單的驅(qū)動電路 的同時降低各電光學元件的光量不均。
本發(fā)明的優(yōu)選形態(tài)中,多個電光學元件沿規(guī)定方向排列,第一獨立型 單位電路所驅(qū)動的電光學元件和第二獨立型單位電路所驅(qū)動的電光學元 件,配置在沿規(guī)定方向夾持從屬型單位電路所驅(qū)動的電光學元件的各個位 置。根據(jù)以上的方式,從屬型電路所驅(qū)動的電光學元件的光量可根據(jù)與其 鄰接的電光學元件(獨立型單位電路所驅(qū)動的元件)的補正數(shù)據(jù)來進行補 正,由此相近鄰的電光學元件彼此的特性具有相類似的傾向并實現(xiàn)一致的 高精度的補正。
另一方面,在多個電光學元件排列為包括第一列和第二列的多個列的 結(jié)構(gòu)中,有時電光學元件的特性按各列而不同。于是,在多個電光學元件 排列為多個列的結(jié)構(gòu)中,用于驅(qū)動第一列的電光學元件的從屬型單位電路 (例如圖6的從屬型單位電路Ub—Gl),生成與供給到用于驅(qū)動第一列的 電光學元件的第一及第二獨立型單位電路(例如圖6的獨立型單位電路 Ua—Gl)的各控制信號對應(yīng)的驅(qū)動信號,用于驅(qū)動第二列的電光學元件的 從屬型單位電路(例如圖6的從屬型單位電路Ub一G2),生成與供給到用 于驅(qū)動第二列的電光學元件的第一及第二獨立型單位電路(例如圖6的獨 立型單位電路Ua—G2)的各控制信號對應(yīng)的驅(qū)動信號。根據(jù)以上的方式, 由于可將電光學元件的光量按每列分別進行補正,所以可將電光學元件的 光量的不均更有效地進行抑制。此外,以上的形態(tài)的具體例作為第二實施 方式將后述。在本發(fā)明的優(yōu)選形態(tài)中,多個單位電路包括分別生成與供給到第一獨 立型單位電路的控制信號、供給到第二獨立型單位電路的控制信號和對電 光學元件所指定的灰度所對應(yīng)的驅(qū)動信號的多個從屬型單位電路。在以上 的方式中,根據(jù)第一獨立型單位電路的控制信號和第二獨立型單位電路的 控制信號來控制多個從屬型單位電路的驅(qū)動信號,由此,與根據(jù)各控制信 號來控制一個從屬型單位電路的驅(qū)動信號的結(jié)構(gòu)相比,可更降低信號生成 電路的個數(shù)。因而,將驅(qū)動電路的規(guī)??s小這樣的效果變得更加顯著。此 外,以上的形態(tài)的具體例作為第三實施方式將后述。進一步,在具體的形態(tài)中,多個從屬型單位電路的每一個生成與構(gòu)成 為供給到與位置越接近該從屬型單位電路所驅(qū)動的電光學元件的電光學 元件對應(yīng)的獨立型單位電路而加權(quán)值越大的各控制信號的加權(quán)平均對應(yīng) 的驅(qū)動信號。根據(jù)以上的形態(tài),由多個從屬型單位電路所驅(qū)動的各電光學 元件的光量,按照對與該電光學元件位置接近的電光學元件受到獨立型單 位電路執(zhí)行的補正的影響較大的方式進行補正。因而,不僅減少信號生成 電路的個數(shù),并且可高精度地補正各電光學元件的光量。此外,以上的形 態(tài)的具體例作為第四實施方式將后述。在本發(fā)明的具體形態(tài)中,信號生成電路生成與補正數(shù)據(jù)對應(yīng)的電流值 的控制電流作為控制信號,獨立型單位電路包括控制電流流動的第一晶 體管(例如晶體管Ql)、和與第一晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二晶體管 (例如晶體管Q2),從屬型單位電路包括與第一獨立型單位電路的第 一晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第三晶體管(例如晶體管Rl)、和與第二獨 立型單位電路的第一晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第四晶體管(例如晶體管R2),并且根據(jù)對第三晶體管及第四晶體管中流動的電流進行加法運算,生成驅(qū)動信號。根據(jù)以上的形態(tài),能夠按照第一獨立型單位電路的控制信 號和第二獨立型單位電路的控制信號之間的平均以簡單的結(jié)構(gòu)來生成從 屬型單位電路的驅(qū)動信號。多個單位電路包括分別生成與供給到第一獨立型單位電路的控制信 號、供給到第二獨立型單位電路的控制信號和對電光學元件所指定的灰度
對應(yīng)的驅(qū)動信號的多個從屬型單位電路,多個從屬型單位電路中的與位置 越接近第一獨立型單位電路所驅(qū)動的電光學元件的電光學元件對應(yīng)的從 屬型單位電路,第三晶體管的增益系數(shù)越大,與位置越接近第二獨立型單 位電路所驅(qū)動的電光學元件的電光學元件對應(yīng)的從屬型單位電路,第四晶 體管的增益系數(shù)越大。根據(jù)以上的形態(tài),由該從屬型單位電路生成與構(gòu)成 為供給到與位置越接近從屬型單位電路所驅(qū)動的電光學元件的電光學元 件對應(yīng)的獨立型單位電路而加權(quán)值越大的各控制信號的加權(quán)平均對應(yīng)的 驅(qū)動信號。因而,不僅可降低信號生成電路的個數(shù)并且可對各電光學元件 的光量進行高精度的補正。進一步,由于將各控制信號的加權(quán)值根據(jù)各晶 體管的增益系數(shù)進行設(shè)定,所以也具有不需要用于對各控制信號實施加權(quán) 的特別的要素的優(yōu)點。本發(fā)明的具體形態(tài)中,獨立型單位電路包括配置在流過第二晶體管的 電流的路徑上且在電光學元件的灰度所對應(yīng)的時間長度內(nèi)處于導通狀態(tài) 的驅(qū)動控制晶體管(例如驅(qū)動控制晶體管Qel),從屬型單位電路包括配 置在對流過第三晶體管的電流和流過第四晶體管的電流進行加法運算后 的電流的路徑上且在電光學元件的灰度所對應(yīng)的時間長度內(nèi)處于導通狀 態(tài)的驅(qū)動控制晶體管(例如驅(qū)動控制晶體管Rel)。在以上的形態(tài)中,將 各單位電路的驅(qū)動信號的電流值按照補正數(shù)據(jù)來進行控制,另一方面,根 據(jù)對電光學元件所指定的灰度來控制驅(qū)動信號的脈沖寬度。本發(fā)明的另一形態(tài)涉及的電光學裝置,具備電光學元件,其根據(jù)驅(qū) 動信號對出射的光量進行控制;信號生成電路,其生成與補正數(shù)據(jù)對應(yīng)的 控制信號;和多個單位電路,其分別生成驅(qū)動信號,上述驅(qū)動信號與上述 信號生成電路所生成的控制信號和對電光學元件所指定的灰度對應(yīng)。根據(jù) 該形態(tài),由于一個信號生成電路由多個單位電路共用,所以與對所有的單 位電路設(shè)置信號生成電路的結(jié)構(gòu)相比可使驅(qū)動電路具有小規(guī)模且簡單的 結(jié)構(gòu)。將本發(fā)明涉及的電光學裝置利用在各種電子設(shè)備中。本發(fā)明涉及的電 子設(shè)備的典型例是將以上各形態(tài)涉及的電光學裝置利用在感光體鼓等的 圖像載體的曝光的電子照相方式的圖像形成裝置。該圖像形成裝置包括-通過曝光形成潛像的圖像載體、對圖像載體進行曝光的本發(fā)明的電光學裝 置、對圖像載體的潛像附加顯影劑(例如調(diào)色劑)而形成顯像的顯影器(developer)。不過,本發(fā)明涉及的電光學裝置的用途并不限定于圖像載 體的曝光。例如,在掃描儀等的圖像讀取裝置中,可將本發(fā)明涉及的電光 學裝置利用在原稿的照明上。該圖像讀取裝置具備以上的各形態(tài)涉及的 電光學裝置、將電光學裝置所射出的由讀取對象(原稿)反射的光變換為 電信號的受光裝置(例如CCD (Charge Coupled Device)元件等的受光元 件)。進一步,電光學元件排列成矩陣狀的電光學裝置,也可利用作為個 人計算機或移動電話機等各種電子設(shè)備的顯示裝置。另外,作為對以上的各形態(tài)涉及的電光學裝置進行驅(qū)動的電路,本發(fā) 明也進行了確定。本發(fā)明的一個形態(tài)涉及的驅(qū)動電路,通過驅(qū)動信號的供 給對多個電光學元件分別進行驅(qū)動,驅(qū)動電路具備用于輸出驅(qū)動信號的 多個單位電路;和分別生成與補正數(shù)據(jù)對應(yīng)的控制信號的多個信號生成電 路,多個單位電路包括多個獨立型單位電路,其生成與多個信號生成電 路中任意的信號生成電路所生成的控制信號和對電光學元件所指定的灰 度對應(yīng)的驅(qū)動信號;和從屬型單位電路,其生成與供給到多個獨立型單位 電路中的第一獨立型單位電路的控制信號、供給到第二獨立型單位電路的 控制信號和對電光學元件所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū)動信號。通過以上驅(qū)動電 路,能夠?qū)崿F(xiàn)與本發(fā)明相關(guān)的電光學裝置相同的作用以及效果。
圖l是表示第一實施方式涉及的電光學裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是表示驅(qū)動電路及元件部的具體結(jié)構(gòu)的框圖。圖3是對驅(qū)動信號X[i]的波形進行例示的時序圖。圖4是表示電流生成電路的結(jié)構(gòu)的框圖。圖5是表示第二實施方式涉及的電光學裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖6是表示驅(qū)動電路及元件部的具體結(jié)構(gòu)的框圖。圖7是表示第三實施方式涉及的驅(qū)動電路及元件部的具體結(jié)構(gòu)的框圖。圖8是表示第四實施方式涉及的驅(qū)動電路及元件部的具體結(jié)構(gòu)的框圖。
圖9是表示變形例涉及的驅(qū)動電路及元件部的具體結(jié)構(gòu)的框圖。 圖IO是表示電子設(shè)備的一個形態(tài)(圖像形成裝置)的截面圖。 圖中H—電光學裝置,10—元件部,E—電光學元件,20—驅(qū)動電路,U—單位電路,Ua—獨立型單位電路,Ub—從屬型單位電路,22—電流生成電路,Gl、 G2—元件列。
具體實施方式
<A:第一實施方式〉圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式涉及的電光學裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。電光學裝置H是作為對感光體鼓進行曝光的光頭(曝光裝置)利用在電子照相方式的圖像形成裝置中的設(shè)備,如圖1所示,具備元件部10和驅(qū)動電路20。元件部10包括沿X方向(主掃描方向)排列為一列的n個(n為自 然數(shù))電光學元件E。各電光學元件E是在相互對置的陽極和陰極之間夾 設(shè)有有機EL (Electroluminescence)材料的發(fā)光層的有機發(fā)光二極管元件。 將感光體鼓的表面通過來自各電光學元件E的出射光進行曝光。此外,在 以下,當對性質(zhì)或結(jié)構(gòu)共同的多個要素中的特定的一個進行注目時,對該 要素的符號一并記載下標[i] (i為滿足l《i《n的整數(shù))。另一方面,當不 需要對特定的一個分別進行注目時,對各符號的下標[i]作適當省略。驅(qū)動電路20為通過輸出與來自外部的指示對應(yīng)的驅(qū)動信號X[l] X[n〗 而對各電光學元件E進行驅(qū)動的電路。驅(qū)動電路20也可由一個或多個IC 芯片構(gòu)成,也可由各電光學元件E連同在基板的表面形成的多個有源元件 (例如半導體層由低溫多晶硅形成的薄膜晶體管)構(gòu)成。圖2是表示元件部10及驅(qū)動電路20的具體結(jié)構(gòu)的框圖。如圖l及圖 2所示,驅(qū)動電路20具備各自與每一個的電光學元件E對應(yīng)的n個單 位電路U (Ua, Ub)、和n/2個電流生成電路22。此外,圖1中省略了 電流生成電路22的圖示。第一級的單位電路U通過驅(qū)動信號X[i]的生成 及輸出而對第一級的電光學元件E的光量(灰度)進行控制。圖3是表示驅(qū)動信號X[i] (X[l] X[n])的波形的時序圖。如圖3所 示,驅(qū)動信號X[i]在規(guī)定的單位期間(例如水平掃描期間)T中的與對第
一級的電光學元件E所指定的灰度對應(yīng)的時間長度內(nèi)成為驅(qū)動電流IoR[i], 而在該單位期間T的剩余的期間內(nèi)為電流值為零的電流信號。將各電光學 元件E的光量根據(jù)驅(qū)動信號X[l] X[n]的每一個而分別進行控制,從而可 將期望的圖像所對應(yīng)的潛像形成在感光體鼓的表面。如圖2所示,用于構(gòu)成驅(qū)動電路20的n個單位電路U被區(qū)分為獨立 型單位電路Ua和從屬型單位電路Ub。在本實施方式中,例示了以奇數(shù)級 的單位電路U為獨立型單位電路Ua而以偶數(shù)級的單位電路U為從屬型單 位電路Ub的情況。n/2個電流生成電路22分別按照與一個獨立型單位電 路Ua對應(yīng)的方式配置且與該獨立型單位電路Ua電連接。另一方面,電流 生成電路22與從屬型單位電路Ub不連接。這樣,本實施方式中,并非對 所有的單位電路U設(shè)置電流生成電路22,而僅對獨立型單位電路Ua設(shè)置 電流生成電路22。此外,以下有時將獨立型單位電路Ua所驅(qū)動的電光學 元件E (也就是奇數(shù)級的電光學元件E)表記為"電光學元件Ea",而將 從屬型單位電路Ub所驅(qū)動的電光學元件E (也就是偶數(shù)級的電光學元件 E)表記為"電光學元件Eb",由此將兩者在形式上進行區(qū)別。由圖2可 清楚,各電光學元件Ea配置在沿X方向夾持電光學元件Eb的各個位置。圖2的電流生成電路22生成在獨立型單位電路Ua中作為驅(qū)動信號 X[i]的驅(qū)動電流IDR [i]所使用的控制電流Ic [i]。圖4是表示電流生成電路 22的具體結(jié)構(gòu)的電路圖。在該圖中,僅圖示了與第一級的獨立型單位電路 Ua對應(yīng)的一個電流生成電路22,所有的電流生成電路22為相同的結(jié)構(gòu)。 電流生成電路22包括基準電流源221和存儲部223和D/A變換器225?;鶞孰娏髟?21是生成與施加在柵極的基準電壓VREn對應(yīng)的基準電流lREF的n溝道型晶體管。存儲部223是存儲補正數(shù)據(jù)D [i]的機構(gòu)。補正數(shù)據(jù)D [i]是用于對獨立 型單位電路Ua生成的驅(qū)動信號X[i]的驅(qū)動電流IDR [i]指定補正量的4比特 (比特dl d4)的數(shù)字數(shù)據(jù)。存儲部223也可為對電光學裝置H在制造 時所收容的補正數(shù)據(jù)D [i]非易失性地存儲的存儲器,也可為對從外部所供 給的補正數(shù)據(jù)D [i]在每次電光學裝置H的電源投入時易失性地進行存儲 的存儲器。D/A變換器225是生成與存儲部223存儲的補正數(shù)據(jù)D [i]對應(yīng)的補正
電流Ix的機構(gòu),包括與補正數(shù)據(jù)D [i]的比特數(shù)相當?shù)?個n溝道型晶 體管Ta (Tal Ta4)、各自的源極與晶體管Ta的漏極連接的4個n溝道 型晶體管Tb (Tbl Tb4)。各晶體管Ta的源極同基準電流源221的源極 一起與節(jié)點N連接,各晶體管Tb的漏極同基準電流源221的漏極一起被 接地。晶體管Tbl Tb4的每一個作為生成與施加到柵極的基準電壓V,對 應(yīng)的電流的電流源并移動收容。晶體管Tbl Tb4的特性(例如增益系數(shù)) 被選定為通過基準電壓V,對柵極的施加而使其中分別流過的電流c1 c4的電流值的相對比成為2的冪乘(cl : c2 : c3 : c4=l : 2 : 4 : 8)。另 一方面,晶體管Tal Ta4分別根據(jù)存儲部223所存儲的補正數(shù)據(jù)D [i]的 各比特(dl d4)而選擇性地處于導通狀態(tài)。因而,在從節(jié)點N至D/A 變換器225的路徑上流動著與補正數(shù)據(jù)D [i]對應(yīng)的電流值的補正電流Ix。 根據(jù)以上的結(jié)構(gòu),基準電流lREF和補正電流Ix相加后的控制電流Ic[i]流過 節(jié)點N。接著,參照圖2對各單位電路的具體結(jié)構(gòu)進行說明。如圖2所示,各 獨立型單位電路Ua包括晶體管Q1及Q2及驅(qū)動控制晶體管qel。晶體 管Ql及Q2的各自的源極與高電位側(cè)的電源連接。晶體管Ql的漏極與電 流生成電路22的節(jié)點N和自身的柵極連接。晶體管Ql及Q2通過各自的 柵極相互連接而構(gòu)成電流鏡電路。在以上的結(jié)構(gòu)中,當電流生成電路22生成的控制電流Ic[i]在晶體管 Ql的源極一漏極間流動時,在第一級的獨立型單位電路Ua中的晶體管 Q2的源極一漏極間產(chǎn)生與控制電流Ic[i]對應(yīng)的驅(qū)動電流Iim[i]。對本實施 方式的晶體管Q2而言,按照增益系數(shù)P與晶體管Q1相等(|3=1)的方式 選定尺寸大小(溝道寬度或溝道長度)。因而,獨立型單位電路Ua中的 驅(qū)動電流IoR[i怖電流值與控制電流Ic[i]相等。也就是,獨立型單位電路 Ua的驅(qū)動電流lDR[i]成為根據(jù)補正數(shù)據(jù)D[i]所補正后的電流值。補正數(shù)據(jù) D [i]根據(jù)各電光學元件Ea的特性而預(yù)先進行設(shè)定,以使當驅(qū)動電流IDR[i] 供給電光學元件Ea時的光量調(diào)整為期望值(也就是使各電光學元件Ea所 射出的光量均一化)。驅(qū)動控制晶體管Qel是在晶體管Q2生成的驅(qū)動電流lDR[i]的路徑上配
置的p溝道型晶體管,在與對電光學元件E所指定的灰度對應(yīng)的時間長度內(nèi)(與灰度對應(yīng)的時間密度內(nèi))選擇性地成為導通狀態(tài)。在驅(qū)動控制晶體管QEL處于導通狀態(tài)下,晶體管Q2生成的驅(qū)動電流lDR[i]被供給電光學元件Ea,在驅(qū)動控制晶體管Q^處于截止的狀態(tài)下,停止驅(qū)動電流IoR[i]對 電光學元件Ea的供給。因而,獨立型單位電路Ua生成的驅(qū)動信號X[i], 在電光學元件Ea的灰度對應(yīng)的脈沖寬度內(nèi)成為與補正數(shù)據(jù)D [i]對應(yīng)的驅(qū) 動電流Ion[i]。另一方面,如圖2所示,從屬型單位電路Ub包括晶體管R1及R2 及驅(qū)動控制晶體管REL。晶體管R1及R2的各自的源極與高電位側(cè)的電源連接,各自的漏極與驅(qū)動控制晶體管REL的源極連接。如圖2所示,第i級的從屬型單位電路Ub中的晶體管Rl的柵極與在X方向的負側(cè)鄰接的 第(i-l)級的獨立型單位電路Ua (換言之,相對該從屬型單位電路Ub 所驅(qū)動的電光學元件Eb,在X方向的負側(cè)鄰接的用于驅(qū)動電光學元件Ea 的獨立型單位電路Ua)中的晶體管Q1及Q2的柵極連接。另外,第i級 的從屬型單位電路Ub中的晶體管R2的柵極與在X方向的正側(cè)鄰接的第 (i+l)級的獨立型單位電路Ua (換言之,相對該從屬型單位電路Ub所 驅(qū)動的電光學元件Eb,在X方向的正側(cè)鄰接的用于驅(qū)動電光學元件Ea的 獨立型單位電路Ua)中的晶體管Q1及Q2的柵極連接。如上述,第i級 的從屬型單位電路Ub的晶體管Rl和第(i-l)級的獨立型單位電路Ua(相 當于本發(fā)明中的"第一獨立型單位電路")的晶體管Ql及Q2構(gòu)成電流 鏡電路,該從屬型單位電路Ub的晶體管R2和第(i+l)級的獨立型單位 電路Ua (相當于本發(fā)明中的"第二獨立型單位電路")的晶體管Ql及 Q2構(gòu)成電流鏡電路。如圖2所示,對各從屬型單位電路Ub的晶體管R1而言,按照增益 系數(shù)P成為獨立型單位電路Ub的晶體管Ql的一半(P二0.5)的方式,對 其尺寸(溝道寬度或溝道長度)進行選定。因而,在第i級的從屬型單位 電路Ub的晶體管Rl中流動著在第(i-l)級獨立型單位電路Ua所使用的 控制電流Ic[i-l]的一半的電流(Ic[i-l]/2)。同樣,由于晶體管R2的增益 系數(shù)形成為晶體管Q2的一半((3=0.5),所以在第i級的從屬型單位電路 Ub的晶體管R2中流動著在第(i+l)級的獨立型單位電路Ua所使用的控
制電流Ic[i+l]的一半的電流(Ic[i+l]/2)。在第i級的從屬型單位電路Ub 中,將流過晶體管R1的電流和流過晶體管R2的電流相加后的電流使用為 驅(qū)動電流I^[i]。因而,第i級的從屬型單位電路Ub中的驅(qū)動電流IoR[i], 成為相當于將供給到第(i-l)級的獨立型單位電路Ua的控制電流Ic[i-l] 和供給到第(i+l)級的獨立型單位電路Ua的控制電流Ic[i+l]進行相加平 均(或驅(qū)動電流Iim[i-l]及1oR[i+l]的相加平均)的電流值。例如,從圖2 的左方起在第2級的從屬型單位電路Ub中所使用的驅(qū)動電流Irm[2]為控 制電流Ic[l]和Ic[3]的相加平均。驅(qū)動控制晶體管Rel是在駆幼電流Iim[i]的路徑上配置的p溝道型晶體 管。當驅(qū)動控制晶體管REL處于導通狀態(tài)下,將驅(qū)動電流Iim[i]供給電光學 元件Eb,當驅(qū)動控制晶體管R^處于截止狀態(tài)下,停止驅(qū)動電流Iim[i]對 電光學元件Eb的供給。也就是,第i級的從屬型單位電路Ub所生成的驅(qū) 動信號X[i],在與第i級的電光學元件Eb的灰度對應(yīng)的脈沖寬度內(nèi),成 為與供給到第(i-l)級的獨立型單位電路Ua的控制電流Ic[i-l]和供給到 第(i+l)級的獨立型單位電路Ua的控制電流Ic[i+l]對應(yīng)的(也就是與補 正數(shù)據(jù)D [i-l]和補正數(shù)據(jù)D [i+l]相對應(yīng))的驅(qū)動電流IDR[i〗。如上述說明那樣,在本實施方式中,由于對從屬型單位電路Ub沒有 設(shè)置電流生成電路22,所以與對所有的單位電路U設(shè)置了電流生成電路 22的專利文獻1的結(jié)構(gòu)相比,可削減搭載在驅(qū)動電路20的電流生成電路 22的個數(shù)。因而,不僅可縮小驅(qū)動電路20的規(guī)模并且可降低制造成本。 換言之,如果與例如對所有的單位電路U設(shè)置電流生成電路22的專利文 獻1的結(jié)構(gòu)等同的規(guī)模在驅(qū)動電路20中被允許,則與專利文獻1的結(jié)構(gòu) 相比,可使驅(qū)動電流I皿的補正的分辨率提高(使補正數(shù)據(jù)D的比特數(shù)增 加)。此外,如上述說明那樣,從屬型單位電路Ub中的驅(qū)動電流lDK[i],根 據(jù)與補正數(shù)據(jù)D [i-l]對應(yīng)的控制電流Ic[i-l]和與補正數(shù)據(jù)D [i+l]對應(yīng)的控 制電流Ic[i+1]而從屬性地進行設(shè)定。但是,在用于構(gòu)成元件部10的各電 光學元件E或驅(qū)動電路20的各有源元件中,存在相近接的元件彼此其特 性近似的傾向。因而,根據(jù)將在X方向鄰接的2個獨立型單位電路Ua的 各控制電流Ic的相加平均構(gòu)成從屬型單位電路Ub的驅(qū)動電流Iim的本實
施方式,即使說從屬型單位電路Ub的驅(qū)動電流IoR從其他的單位電路U 的驅(qū)動電流Idr獨立而沒有被樸正,也可使各電光學元件E的光量不均有 效地均一化。<B:第二實施方式〉接著,對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。此外,在以下示例的各形 態(tài)中,對與第一實施方式共同的要素賦予與以上相同的符號,并且對各自的詳細說明進行適當?shù)氖÷?。圖5是表示電光學裝置H的結(jié)構(gòu)的框圖。圖6是表示元件部10及驅(qū) 動電路20的具體結(jié)構(gòu)的框圖。如圖5所示,用于構(gòu)成本實施方式的元件 部10的n個電光學元件E沿X方向排列成2列(元件列G1、 G2)。屬 于元件列Gl的各電光學元件E和屬于元件列G2的各電光學元件E在X 方向的位置不同。也就是,將n個電光學元件E排列成鋸齒狀。根據(jù)以上 的排列,與多個電光學元件E排列成1列的結(jié)構(gòu)相比,由于將各電光學元 件E在X方向的間距縮小,所以可在感光體鼓的表面形成高精細的潛像。在圖5的結(jié)構(gòu)中,元件列Gl的各電光學元件E和元件列G2的各電 光學元件E中布局(layout)(尤其各電光學元件E與其他要素之間的關(guān) 系)不同。例如,在屬于元件列G1的各電光學元件E的間隙中存在用于 連結(jié)元件列G2的各電光學元件E和驅(qū)動電路20的布線,相對于此,在屬 于元件列G2的各電光學元件E的間隙中不存在布線?;谶@樣的不同, 存在元件列Gl的各電光學元件E和元件列G2的各電光學元件E其特性 不同這樣的傾向。另一方面,在元件列G1內(nèi)相鄰接的電光學元件E彼此 以及元件列G2內(nèi)相鄰接的電光學元件E彼此,與第一實施方式同樣,其 特性類似。于是,本實施方式中,在元件列G1和G2中分別對驅(qū)動電流lDK進行補正。如圖6所示,用于構(gòu)成驅(qū)動電路20的n個單位電路U被區(qū)分為用于 驅(qū)動元件列G1的各電光學元件E的獨立型單位電路Ua—Gl及從屬型單位 電路Ub一Gl、和用于驅(qū)動元件列G2的各電光學元件E的獨立型單位電路 Ua一G2及從屬型單位電路Ul^G2。從各自的電流生成電路22向各獨立型 單位電路Ua—Gl及各獨立型單位電路Ua_G2供給控制電流Ic。各從屬型單位電路Ub一GK例如從圖6的左方起第3級的單位電路U)
的晶體管R1的柵極,與在X方向的負側(cè)最靠近該從屬型單位電路Ub一Gl 的獨立型單位電路Ua—Gl (例如從圖6的左方起第1級的單位電路U)的 晶體管Ql及Q2的柵極連接。例如,各從屬型單位電路Ub_Gl的晶體管 R2與在X方向的正側(cè)最靠近該從屬型單位電路Ub—Gl的獨立型單位電路 Ua—Gl (例如圖6的左方起第5級的單位電路U)的晶體管Ql及Q2的柵 極連接。因而,第i級的從屬型單位電路U^Gl的驅(qū)動電流IoR[i]成為與 供給到第(i-2)級的獨立型單位電路Ua—Gl的控制電流Ic[i-2]和供給第 (i+2)級的獨立型單位電路U^G1的控制電流Ic[i+2]對應(yīng)的電流值。例 如,圖6中的驅(qū)動電流IDK[3]成為控制電流Ic[l]和控制電流Ic[5]的相加平 均(也就是與補正數(shù)據(jù)D[1]和D[5]對應(yīng)的電流值)。關(guān)于用于驅(qū)動元件列G2的各電光學元件E的單位電路U (Ua_G2, Ub—G2)是同樣的。也就是,第i級的從屬型單位電路Ut^G2的驅(qū)動電流 lDn[i]成為與供給到第(i-2)級的獨立型單位電路Ua_G2的控制電流Ic[i-2] 和供給到第(i+2)級的獨立型單位電路Ua一G2的控制電流Ic[i+2]對應(yīng)的 電流值。例如,從圖6左方起第4級的從屬型單位電路Ub—G2的驅(qū)動電 流1im[4]成為與控制電流Ic[2]和Ic[6]的對應(yīng)的電流值。如上述說明那樣,本實施方式中對從屬型單位電路Ub (Ub_Gl, Ub_G2)也省略了電流生成電路22,所以可起到與第一實施方式相同的作 用及效果。進一步,根據(jù)本實施方式,由于將驅(qū)動電流Iim的電流值在元 件列Gl及G2中分別進行設(shè)定,所以即使在電光學元件E的特性按每元件 列不同的情況下,也可使各電光學元件E的光量有效地均一化。此外,排 列多個電光學元件的列數(shù)并非限定于以上的示例。例如,也可采用將多個 電光學元件排列成3列以上的結(jié)構(gòu)。<C:第三實施方式>在以上的各方式中,示例了對n個的單位電路U中的n/2個的獨立型 單位電路Ua設(shè)置電流生成電路22結(jié)構(gòu),但電流生成電路22的個數(shù)(獨 立型單位電路Ua和從屬型單位電路Ub之比率)可作任意的變更。以下, 示例將n個單位電路U中的n/3個作為獨立型單位電路Ua的方式。此外, 以下,如第一實施方式那樣假設(shè)將n個電光學元件E排列成1列的情況, 但在電光學元件E排列成多列的第二實施方式的結(jié)構(gòu)中也可應(yīng)用與本實
施方式相同的結(jié)構(gòu)。圖7是表示本實施方式中的元件部10及驅(qū)動電路20的具體結(jié)構(gòu)的框 圖。如圖7所示,將用于構(gòu)成驅(qū)動電路20的n個單位電路U中的、沿X 方向每隔2個所選擇的n/3個單位電路U構(gòu)成獨立型單位電路Ua。也就 是,在X方向相鄰接的各獨立型單位電路Ua之間夾設(shè)有2個從屬型單位 電路Ub。如圖7所示,在第i級(例如從圖7的左方起第2級)及第(i+l)級 的各從屬型單位電路Ub中,晶體管Rl的柵極與在X方向的負側(cè)位于最 靠近的第(i-l)級的獨立型單位電路Ua的晶體管Ql及Q2共同連接,晶 體管R2的柵極與在X方向的正側(cè)位于最靠近的第(i+2)級的獨立型單位 電路Ua的晶體管Ql及Q2共同連接。因而,各從屬型單位電路Ub中的 驅(qū)動電流IoR[i]及Ijm[i+1]成為控制電流Ic[i-l]和Ic[i+2]的相加平均。如上述說明那樣,根據(jù)本實施方式,與對所有的單位電路U設(shè)置電流 生成電路22的結(jié)構(gòu)相比,將搭載于驅(qū)動電路20的電流生成電路22的個 數(shù)削減至1/3。因而,將驅(qū)動電路20的規(guī)模縮小這樣的效果、或維持驅(qū)動 電路20的規(guī)模的同時提高補正的分辨率(使補正數(shù)據(jù)D的比特數(shù)增加) 這樣的效果,與第一實施方式或第二實施方式相比,變得更加顯著。<D:第四實施方式>在圖7的結(jié)構(gòu)中,相鄰接的從屬型單位電路Ub中的驅(qū)動電流Iim的 電流值相等。因而,由相鄰接的從屬型單位電路Ub驅(qū)動的各電光學元件 Eb的光量的補正量相等。但是,由于相鄰接的電光學元件Eb各自的特性 可能不同,所以即使對各電光學元件Eb的光量補正相同量,有時對元件 部10中的光量不均也不能充分進行抑制。于是,本實施方式中,采用結(jié) 構(gòu)為利用與第三實施方式相同數(shù)目的電流生成電路22,并且可對相鄰接的各從屬型單位電路Ub的驅(qū)動電流lDK分別進行設(shè)定。圖8是表示元件部10及驅(qū)動電路20的結(jié)構(gòu)的框圖。如該圖所示,本 實施方式中的驅(qū)動電路20的結(jié)構(gòu)(尤其各要素的電氣關(guān)聯(lián))與第三實施 方式相同,但晶體管Rl及R2的增益系數(shù)p在相鄰接的從屬型單位電路 Ub中不同。電光學元件E或有源元件的特性中存在沿各自的排列而階段性變化
的傾向。因而,特性與一個電光學元件Ea越接近的電光學元件Eb,就越 接近該電光學元件Ea。考慮到這樣的傾向,本實施方式中,按照相鄰接的 從屬型單位電路Ub所驅(qū)動的多個電光學元件Eb中的與一個電光學元件 Ea越接近的電光學元件Eb的驅(qū)動電流lDR,受到相對該電光學元件Ea的 光量的補正的影響越大的方式,按每從屬型單位電路Ub分別選定晶體管 R1及R2的特性。進一步祥述的話,如圖8所示,各從屬型單位電路Ub中的與一個獨 立型單位電路Ua連接的晶體管(Rl, R2),與該獨立型單位電路Ua越 接近的從屬型單位電路Ub (用于驅(qū)動與該獨立型單位電路Ua對應(yīng)的電光 學元件Ea接近的電光學元件Eb的從屬型單位電路Ub)所包含的晶體管, 其增益系數(shù)P越大。例如,從圖8的左方起第2級的從屬型單位電路Ub, 與第3級的從屬型單位電路Ub相比,由于與第1級的獨立型單位電路Ua 接近,所以第2級的從屬型單位電路Ub中的晶體管Rl的增益系數(shù)卩設(shè) 定為比第3級的從屬型單位電路Ub中的晶體管R1的增益系數(shù)p(=0.23) 大的"0.67"。同樣,圖8中的第3級的從屬型單位電路Ub,與第2級的 從屬型單位電路Ub相比,由于與第4級的獨立型單位電路Ua接近,所 以第3級的從屬型單位電路Ub中的晶體管R2的增益系數(shù)p設(shè)定為比第2 級的從屬型單位電路Ub中的晶體管R2的增益系數(shù)(3(二0.33)大的"0.67"。由圖8可清楚,通過如上述那樣選定各晶體管的特性(例如溝道寬度 或溝道長度),而使驅(qū)動電流Iim[2]及l(fā)DR[3]成為以下的電流值。I DR[2] = (2/3) X I DR[l] + (1/3) X I DR[4〕=(2/3) X IC[1] + (1/3)X I C[4] I DR[3] = (1/3) X I DR[l] + (2/3) X I DR[4]=(1/3) X I C[l] + (2/3〉 X I C[4〕也就是,由一個從屬型單位電路Ub所生成的驅(qū)動電流lDR成為供給到與該從屬型單位電路Ub越接近的獨立型單位電路Ua的控制電流Ic而 加權(quán)值越大的各控制電流Ic的加權(quán)平均。如以上的說明那樣,在本實施方式中,多個電光學元件Eb中的與一 個電光學元件Ea越接近的電光學元件Eb,受到對該電光學元件Ea的光 量的補正的影響越大。因而,通過在各獨立型單位電路Ua之間夾該多個
從屬型單位電路Ub而使驅(qū)動電路20的規(guī)模重復(fù)縮小,并且也可對各從屬 型單位電路Ub所驅(qū)動的電光學元件Eb間的光量的不均進行有效的補正。 而且,本實施方式中,將從屬型單位電路Ub的驅(qū)動電流lDK的電流值根 據(jù)晶體管Rl及R2的增益系數(shù)進行設(shè)定,從而不需要用于調(diào)整從屬型單位 電路Ub的驅(qū)動電流I^的特別要素。因而,具有不僅將驅(qū)動電路20維持 與第三實施方式相同的規(guī)模并且可對光量的不均進行高精度的抑制的優(yōu) 點。<變形例〉對以上的各實施方式可附加各種各樣的變形。如果對具體的變形方式 進行例示則如下。此外,也可以將以下的各方式進行適當?shù)慕M合。(1) 變形例1在以上的各方式中,例示了根據(jù)2個獨立型單位電路Ua中的控制信號Ic來設(shè)定一個從屬型單位電路Ub的驅(qū)動電流lDK的結(jié)構(gòu),但如圖9所示,也可以采用根據(jù)一個獨立型單位電路Ua中的控制信號Ic來設(shè)定從屬 型單位電路Ub的驅(qū)動電流lDR的結(jié)構(gòu)。如圖9所示,第i級的從屬型單位 電路Ub包括與第(i-l)級的獨立型單位電路Ua的晶體管Ql及Q2構(gòu)成 電流鏡電路的晶體管R3。晶體管R3的增益系數(shù)(3與晶體管Ql或Q2相 等(P二l)。因而,第i級的從屬型單位電路Ub的驅(qū)動電流I皿[i]被設(shè)定 為與第(i_i)級的獨立型單位電路Ua的控制電流Ic[i]相同的電流值。另外,也采用根據(jù)3個以上的獨立型單位電路Ua中的控制信號Ic來 設(shè)定一個從屬型單位電路Ub的驅(qū)動電流lDK的結(jié)構(gòu)。例如,也可為一個 從屬型單位電路Ub的驅(qū)動電流lDR被設(shè)定為沿X方向夾持該從屬型單位 電路Ub的4個獨立型單位電路Ua的各自中的控制信號Ic的平均(相加平均或加權(quán)平均)的結(jié)構(gòu)。如上述,本發(fā)明優(yōu)選的方式中,采用一個電流 生成電路22由多個單位電路U共用的結(jié)構(gòu)。(2) 變形例2在以上的各方式中,例示了根據(jù)補正數(shù)據(jù)D對驅(qū)動電流lDK進行補正的結(jié)構(gòu),但對與圖像數(shù)據(jù)D對應(yīng)的補正的對象可進行適當?shù)淖兏@纾?也可在利用了通過施加電壓而灰度產(chǎn)生變化的電光學元件(例如^晶元 件)的電光學裝置中,將驅(qū)動信號X設(shè)為電壓信號,由此可根據(jù)補正數(shù)據(jù)
D對驅(qū)動信號X的電壓值進行補正。即,將用于生成與補正數(shù)據(jù)D對應(yīng) 的控制電壓Vc的電壓生成電路設(shè)置在各獨立型單位電路Ua中代替圖1 的電流生成電路22,并且將獨立型單位電路Ua所生成的驅(qū)動信號X設(shè)定 為與控制電壓Vc對應(yīng)的電壓值。另外,從屬型單位電路Ub所生成的驅(qū)動 信號X被設(shè)定為與該從屬型單位電路Ub接近的一個或多個的獨立型單位 電路Ua的控制電壓Vc對應(yīng)的電壓值。根據(jù)以上的結(jié)構(gòu),也可獲得與各實施方式相同的效果。 (3)變形例3有機發(fā)光二極管元件只是電光學元件的示例。關(guān)于本發(fā)明適用的電光 學元件,自身進行發(fā)光的自發(fā)光型和使外部光的透過率變化的非發(fā)光型 (例如液晶元件)之間的區(qū)別、或通過供給電流而驅(qū)動的電流驅(qū)動型和通 過施加電壓而驅(qū)動的電壓驅(qū)動型之間的區(qū)別均置之不問。例如,本發(fā)明中 可利用無機EL元件、場致發(fā)射(FE)元件、表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射元件(SE: Surface-conduction Electron-emitter)元件、彈道電子發(fā)射(BS: Ballistic electron Surface emitting)元件、LED (Light Emitting Diode)元件、液晶 元件、電泳動元件、電致發(fā)光元件等各種各樣的電光學元件。- <F:應(yīng)用例>對利用了本發(fā)明涉及的電光學裝置的電子設(shè)備(圖像形成裝置)的具 體方式進行說明。圖IO是表示采用了以上的實施方式的電光學裝置H的圖像形成裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖像形成裝置是串聯(lián)型的彩色圖像形成裝置,具備以上的方式涉及的4個電光學裝置H (HK, HC, HM, HY)、和與各電光 學裝置H對應(yīng)的4個感光體鼓70 (70K, 70C, 70M, 70Y)。 一個電光 學裝置H按照與其所對應(yīng)的感光體鼓70的像形成面(外周面)對置的方 式配置。此外,各符號的添附的K、 C、 M、 Y意味著利用于黑(K)、藍 綠色(C)、品紅(M)、黃色(Y)的各顯像的形成。如圖10所示,在驅(qū)動輥711和從動輥712之間纏繞有無端的中間復(fù) 制帶(belt) 72。 4個感光體鼓70相互隔開規(guī)定的間隔而配置在中間復(fù)制 帶72的周圍。各感光體鼓70與中間復(fù)制帶72的驅(qū)動同步地旋轉(zhuǎn)。在各感光體鼓70的周圍,除電光學裝置H外配置有電暈帶電器73-1(731K、 731C、 731M、 731Y)和顯像器732 (732K、 732C、 732M、 732Y)。 電暈帶電器731使所對應(yīng)的感光體鼓70的像形成面均勻地帶電。通過各 電光學裝置H對該帶電的像形成面進行曝光而形成靜電潛像。各顯像器 732通過使顯影劑(調(diào)色劑,toner)付著在靜電潛像而在感光體鼓70形成 顯像(可視像)。如上所述,通過形成在感光體鼓70的各種顏色(黑色、藍綠色、品 紅、黃色)的顯像在中間復(fù)制帶72的表面被依次復(fù)制(一次復(fù)制),從 而形成彩色顯像。在中間復(fù)制帶72的內(nèi)側(cè)配置有四個一次復(fù)制電暈管(復(fù) 制器)74 ( 74K, 74C, 74M, 74Y)。各一次復(fù)制電暈管74,通過從與其 對應(yīng)的感光體鼓70靜電地吸引顯像,從而在通過感光體鼓70和一次復(fù)制 電暈管74之間的間隙的中間復(fù)制帶72復(fù)制顯像。片材(記錄材料)75通過撿拾輥761從給紙盒762 —張一張地被進給, 發(fā)送到中間復(fù)制帶72和二次復(fù)制輥77之間的輥隙中。中間復(fù)制帶72的 表面所形成的彩色顯像通過二次復(fù)制輥77被復(fù)制(二次復(fù)制)在片材75 的一面上,通過定影輥對78被定影在片材75上。之后,排紙輥對79將 經(jīng)過以上的工序而使顯像定影后的片材75排出。以上例示的圖像形成裝置將有機發(fā)光二極管元件利用為光源(曝光機 構(gòu)),由此裝置比利用激光掃描光學系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)要小型化。此外,在以上 例示之外的結(jié)構(gòu)的圖像形成裝置中也可適用電光學裝置H。例如,旋轉(zhuǎn)顯 像型圖像形成裝置、或不使用中間復(fù)制帶從感光體鼓對片材直接復(fù)制顯像 類型的圖像形成裝置、或在用于形成黑白圖像的圖像形成裝置中也可利用 電光學裝置H。此外,電光學裝置H的用途并非限定于圖像載體的曝光。例如,可將 電光學裝置H作為用于對原稿等的讀取對象照射光的照明裝置而采用在 圖像讀取裝置。作為該種圖像讀取裝置,具有掃描儀、復(fù)印機或傳真機 的讀取部分、條形碼讀出器、或用于讀出QR碼(注冊商標)那樣的二維 圖像碼的二維圖像碼讀出器。另外,電光學元件排列成矩陣狀的電光學裝置,也可利用為各種電子 設(shè)備的顯示裝置。作為本發(fā)明適用的電子設(shè)備,具有例如可移動型個人 計算機、移動電話機、移動信息終端(PDA: Personal Digital Assistants)、
數(shù)碼照相機、電視機、攝像機、汽車導航裝置、尋呼機、電子記事本、電 子紙、電子計算器、文字處理器、工作站、電視電話、POS終端、打印機、 掃描儀、復(fù)印機、視頻播放器、具備觸摸屏等的設(shè)備。
權(quán)利要求
1、 一種電光學裝置,具備多個電光學元件,其根據(jù)驅(qū)動信號對出射的光量進行控制; 多個單位電路,其輸出驅(qū)動信號;禾口多個信號生成電路,其分別生成與補正數(shù)據(jù)對應(yīng)的控制信號, 上述多個單位電路包括多個獨立型單位電路,其生成與上述多個信號生成電路中任意的信號 生成電路所生成的控制信號和對上述電光學元件所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū) 動信號;從屬型單位電路,其生成與供給到上述多個獨立型單位電路中的第一 獨立型單位電路的控制信號、供給到第二獨立型單位電路的控制信號和對 上述電光學元件所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū)動信號。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電光學裝置,其特征在于, 上述多個電光學元件沿規(guī)定方向排列,上述第一獨立型單位電路所驅(qū)動的電光學元件和上述第二獨立型單 位電路所驅(qū)動的電光學元件,配置在沿上述規(guī)定方向夾持上述從屬型單位 電路所驅(qū)動的電光學元件的各個位置。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學裝置,其特征在于, 上述多個電光學元件排列為包括第一列和第二列的多個列, 用于驅(qū)動上述第一列的電光學元件的從屬型單位電路,生成與供給到用于驅(qū)動上述第一列的電光學元件的第一及第二獨立型單位電路的各控 制信號對應(yīng)的驅(qū)動信號,用于驅(qū)動上述第二列的電光學元件的從屬型單位電路,生成與供給到 用于驅(qū)動上述第二列的電光學元件的第一及第二獨立型單位電路的各控 制信號對應(yīng)的驅(qū)動信號。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的電光學裝置,其特征在于,上述多個單位電路包括分別生成與供給到上述第一獨立型單位電路 的控制信號、供給到上述第二獨立型單位電路的控制信號和對上述電光學元件所指定的灰度所對應(yīng)的驅(qū)動信號的多個從屬型單位電路。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光學裝置,其特征在于, 上述多個從屬型單位電路的每一個生成與構(gòu)成為供給到與位置越接近上述從屬型單位電路所驅(qū)動的電光學元件的電光學元件對應(yīng)的獨立型 單位電路而加權(quán)值越大的各控制信號的加權(quán)平均對應(yīng)的驅(qū)動信號。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項所述的電光學裝置,其特征在于,上述信號生成電路生成與補正數(shù)據(jù)對應(yīng)的電流值的控制電流作為控 制信號,上述獨立型單位電路包括上述控制電流流動的第一晶體管、和與上 述第一晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二晶體管,上述從屬型單位電路包括與上述第一獨立型單位電路的上述第一晶 體管構(gòu)成電流鏡電路的第三晶體管、和與上述第二獨立型單位電路的上述 第一晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第四晶體管,并且根據(jù)對上述第三晶體管及上述第四晶體管中流動的電流進行加法運算,生成驅(qū)動信號。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光學裝置,其特征在于,上述多個單位電路包括分別生成與供給到上述第一獨立型單位電路 的控制信號、供給到上述第二獨立型單位電路的控制信號和對上述電光學 元件所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū)動信號的多個從屬型單位電路,上述多個從屬型單位電路中的與位置越接近上述第一獨立型單位電 路所驅(qū)動的電光學元件的電光學元件對應(yīng)的從屬型單位電路,上述第三晶 體管的增益系數(shù)越大,與位置越接近上述第二獨立型單位電路所驅(qū)動的電 光學元件的電光學元件對應(yīng)的從屬型單位電路,上述第四晶體管的增益系數(shù)越大。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電光學裝置,其特征在于, 上述獨立型單位電路包括配置在流過上述第二晶體管的電流的路徑上且在上述電光學元件的灰度所對應(yīng)的時間長度內(nèi)處于導通狀態(tài)的驅(qū)動 控制晶體管,上述從屬型單位電路包括配置在對流過上述第三晶體管的電流和流 過上述第四晶體管的電流進行加法運算后的電流的路徑上且在上述電光 學元件的灰度所對應(yīng)的時間長度內(nèi)處于導通狀態(tài)的驅(qū)動控制晶體管。
9、 一種電光學裝置,具備電光學元件,其根據(jù)驅(qū)動信號對出射的光量進行控制; 信號生成電路,其生成與補正數(shù)據(jù)對應(yīng)的控制信號;和 多個單位電路,其分別生成驅(qū)動信號,上述驅(qū)動信號與上述信號生成 電路所生成的控制信號和對上述電光學元件所指定的灰度對應(yīng)。
10、 一種電子設(shè)備,具備權(quán)利要求1至權(quán)利要求9中任一項所述的電 光學裝置。
11、 一種驅(qū)動電路,通過驅(qū)動信號的供給對多個電光學元件分別進行 驅(qū)動,上述驅(qū)動電路具備用于輸出驅(qū)動信號的多個單位電路;和分別生成與補正數(shù)據(jù)對應(yīng)的控制信號的多個信號生成電路,上述多個單位電路包括多個獨立型單位電路,其生成與上述多個信號生成電路中任意的信號 生成電路所生成的控制信號和對上述電光學元件所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū) 動信號;和從屬型單位電路,其生成與供給到上述多個獨立型單位電路中的第一 獨立型單位電路的控制信號、供給到第二獨立型單位電路的控制信號和對上述電光學元件所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū)動信號。
全文摘要
本發(fā)明的電光學裝置(H)具備根據(jù)驅(qū)動信號(X)對所出射的光量進行控制的多個電光學元件(E)、用于輸出驅(qū)動信號(X)的多個單位電路(U)、和分別生成與補正數(shù)據(jù)(D)對應(yīng)的控制電流(I<sub>C</sub>)的多個電流生成電路(22)。多個單位電路(U)包括用于生成與電流生成電路(22)所生成的控制電流(I<sub>C</sub>)和對電光學元件(E)所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū)動信號(X)的多個獨立型單位電路(Ua)、和用于生成與供給到一個獨立型單位電路(Ua)的控制電流(I<sub>C</sub>)和供給到其他的獨立型單位電路(Ua)的控制電流(I<sub>C</sub>)和對電光學元件(E)所指定的灰度對應(yīng)的驅(qū)動信號(X)的從屬型單位電路(Ub)。從而通過小規(guī)模且簡單的驅(qū)動電路而使各電光學元件的光量不均降低。
文檔編號G09F9/30GK101123839SQ20071014114
公開日2008年2月13日 申請日期2007年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月8日
發(fā)明者河西利幸 申請人:精工愛普生株式會社