電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法及電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】一種電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法及電子設(shè)備，能在支承鏡的支承部上不殘留犧牲層的情況下，高效地形成表面不存在大凹陷的鏡。在電光學(xué)裝置(100)中，扭曲鉸鏈(35)和鏡支承部(38)一體形成在導(dǎo)電部件(31)上，在鏡支承部(38)中，位于基板(1)一側(cè)的第1端部(381)形成為朝向基板(1)開口的開放端。在鏡支承部(38)中，位于鏡(51)一側(cè)的第2端部(382)形成為封閉鏡支承部(38)的開口的平板部(385)，鏡(51)與平板部(385)的與基板(1)相反一側(cè)的表面接觸。用于制造該電光學(xué)裝置(100)的制造的第1犧牲層(21)通過對感光性樹脂的曝光、顯影且在形成硬掩膜的狀態(tài)下的時刻來形成。
【專利說明】
電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法及電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及具備鏡的電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為電子設(shè)備，例如，已知有投影式顯示裝置等，其將從光源射出的光通過被稱為DMD(數(shù)字鏡裝置)的電光學(xué)裝置的多個鏡(微鏡)進(jìn)行調(diào)制后，將調(diào)制光利用投影光學(xué)系統(tǒng)放大投影，從而將圖像顯示在屏幕上。在該電子設(shè)備所用的電光學(xué)裝置中，鏡借助鏡支承部被扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)所支承，并且與扭矩鉸鏈電連接。此外，扭矩鉸鏈借助鉸鏈支承部被形成在基板的基板側(cè)偏壓電極所支承，并且與基板側(cè)偏壓電極電連接。因此，如果從基板側(cè)偏壓電極向鏡施加偏壓，而向?qū)ぶ冯姌O施加驅(qū)動電壓，則能夠通過鏡與尋址電極之間產(chǎn)生的靜電力來驅(qū)動鏡。在這樣結(jié)構(gòu)的電光學(xué)裝置的制造工序中，利用由樹脂材料形成的犧牲層來形成扭矩鉸鏈、鏡等。
[0003]這里，如果鏡支承部在與基底相反一側(cè)朝向凹部，則鏡的表面上會形成大的凹陷，使得在鏡的表面(反射面)上的反射率降低。因此，提出了在鏡支承部和犧牲層等的表面堆積無機(jī)材料后，進(jìn)行拋光，然后形成用于形成鏡的反射膜(參照專利文獻(xiàn)I)。此外，提出了當(dāng)形成鏡支承部時，在殘留在扭矩鉸鏈上的柱狀犧牲層(樹脂層)的表面形成金屬層的結(jié)構(gòu)(參照專利文獻(xiàn)2)。
[0004][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0005][專利文獻(xiàn)I]日本特表2007-510174號公報
[0006][專利文獻(xiàn)2]日本特開平8-227042號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0008]然而，如專利文獻(xiàn)I所記載的結(jié)構(gòu)那樣，對通過堆積無機(jī)材料來填充凹部，需要將無機(jī)材料堆積得相當(dāng)厚，并且在無機(jī)材料的情況下拋光速度慢。因此，存在從犧牲層等的表面拋光除去無機(jī)材料需要較長的處理時間的問題點。
[0009]另外，如參考文獻(xiàn)2所記載的結(jié)構(gòu)那樣，在柱狀樹脂層上層疊金屬層來形成鏡支承部的情況下，當(dāng)由于所照射的光、使驅(qū)動電路工作時基板上的發(fā)熱等，導(dǎo)致電光學(xué)裝置的溫度上升時，可能會從犧牲層產(chǎn)生氣體。當(dāng)這種氣體附著到鏡的表面(反射面)時，鏡的反射率下降，因此并不優(yōu)選。此外，為了形成扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)與鏡支承部，需要形成2層金屬層并且在2層金屬層之間形成絕緣性的中間層，并進(jìn)行圖案形成的工序，電光學(xué)裝置的制造工序變得復(fù)雜。
[0010]鑒于以上問題點，本發(fā)明的目的在于提供一種電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法以及電子設(shè)備，能夠以在支承鏡的支承部上不殘留犧牲層的情況下，高效地形成表面上沒有大的凹陷的鏡。
[0011 ]用于解決技術(shù)問題的手段
[0012]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的電光學(xué)裝置的一方式的特征在于，具備:基板，第I支承部(鉸鏈支承部)，在所述基板的一表面?zhèn)瘸蛩龌逋怀?，并且被所述基板支?導(dǎo)電部件，由扭曲鉸鏈(扭矩鉸鏈)和筒狀的第2支承部(鏡支承部)一體形成，所述扭曲鉸鏈借助所述第I支承部被所述基板側(cè)支承，所述第2支承部從所述扭曲鉸鏈向與所述基板相反一側(cè)突出，并且所述第2支承部的位于所述扭曲鉸鏈一側(cè)的第I端部成為朝向所述基板的開放端；以及鏡，與所述第2支承部的與所述基板相反一側(cè)的第2端部相接觸。
[0013]此外，在本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法中，其特征在于，具備:第I犧牲層形成工序，對形成在基板的一表面?zhèn)鹊母泄庑詷渲瑢舆M(jìn)行曝光顯影處理后，進(jìn)行形成由無機(jī)材料構(gòu)成的硬掩膜的狀態(tài)下的蝕刻處理，形成第I犧牲層，所述第I犧牲層具有第I開口部(鉸鏈支承部用開口部)以及向與所述基板相反側(cè)突出的柱狀的凸部;第I導(dǎo)電膜形成工序，在所述第I犧牲層的與所述基板相反一側(cè)及所述第I開口部的內(nèi)側(cè)，形成第I導(dǎo)電膜;第I圖案形成工序，進(jìn)行所述第I導(dǎo)電膜的圖案形成，形成由在所述第I開口部的內(nèi)側(cè)形成的所述第I導(dǎo)電膜構(gòu)成的第I支承部(鉸鏈支承部)、與所述第I支承部一體的扭曲鉸鏈(扭矩鉸鏈)以及從所述扭曲鉸鏈向與所述基板相反一側(cè)突出并與所述扭曲鉸鏈一體的筒狀的第2支承部;第2犧牲層形成工序，在所述扭曲鉸鏈及所述第2支承部的與所述基板相反一側(cè)，形成第2犧牲層;平坦化工序，對所述第2犧牲層從與所述基板相反一側(cè)實施平坦化，使所述第2支承部露出；第2導(dǎo)電膜形成工序，在所述第2犧牲層的與所屬基板相反一側(cè)形成第2導(dǎo)電膜;第2圖案形成工序，通過對所述第2導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案形成來形成鏡；以及犧牲層去除工序，去除所述第I犧牲層及所述第2犧牲層。
[0014]在本發(fā)明中，從扭曲鉸鏈(扭矩鉸鏈)向與基板相反一側(cè)突出的第2支承部(鏡支承部)形成為筒狀，并且位于基板一側(cè)的第I端部形成為開放端。因此，即使在形成第2支承部時在內(nèi)側(cè)存在犧牲層，也能夠去除這樣的犧牲層。因此，在第2支承部的內(nèi)部，不殘留構(gòu)成犧牲層的樹脂，因此即使在所照射的光、驅(qū)動電路工作時的基板的發(fā)熱等導(dǎo)致電光學(xué)裝置的溫度上升的情況下，也不會從犧牲層產(chǎn)生氣體。因此，不會出現(xiàn)由于從犧牲層產(chǎn)生的氣體導(dǎo)致鏡的表面(反射面)上的反射率下降的情況。此外，在第2支承部中第2端部在與基板相反一側(cè)形成為平坦部的狀態(tài)時，與第2支承部分開的鏡能夠與第2支承部相連接。因此，鏡的表面不會產(chǎn)生凹陷。因此，能夠提高光的利用效率，并且能夠抑制由于鏡上散射而引起對比度下降。此外，與利用無機(jī)材料填充凹部的情況不同，由于沒有必要從鏡的表面去除填充凹部的厚的無機(jī)材料，因此能夠有效地形成在鏡的表面不產(chǎn)生凹陷的第2支承部。此外，從扭曲鉸鏈向與基板相反一側(cè)突出的第2支承部形成為筒狀，并且位于基板一側(cè)的第I端部形成為開放端，與扭曲鉸鏈一體形成。因此，能夠抑制在第2支承部和扭曲鉸鏈的交界部產(chǎn)生的強(qiáng)度下降，從而提高電光學(xué)裝置的可靠性。
[0015]另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述第2端部形成為封閉所述第2支承部的開口的平板部。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠使第2支承部與鏡之間可靠地電連接。
[0016]另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述第2支承部與所述扭曲鉸鏈之間成為彎曲的截面形狀。利用這種結(jié)構(gòu)，存在使從鏡經(jīng)由第2支承部施加于扭曲鉸鏈的應(yīng)力難以集中在特定處的優(yōu)點。
[0017]在本發(fā)明中，優(yōu)選的是，所述第2支承部的外周面形成為朝向所述鏡側(cè)的錐面。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠增強(qiáng)第2支承部的強(qiáng)度。
[0018]在本發(fā)明電光學(xué)裝置的制造方法中，也可以是，在所述第I犧牲層形成工序中，對所述感光性樹脂層進(jìn)行所述曝光顯影處理而使所述感光性樹脂層局部性變薄來形成所述凸部后，對所述感光性樹脂層進(jìn)行所述蝕刻處理而形成所述第I開口部。
[0019]在這種情況下，優(yōu)選的是，在所述曝光顯影處理中，使用半色調(diào)掩膜來進(jìn)行曝光。
[0020]在本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法中，也可以是，在所述第I犧牲層形成工序中，對所述感光性樹脂層進(jìn)行所述曝光顯影處理來形成所述第I開口部后，對所述感光性樹脂層進(jìn)行所述蝕刻處理，使所述感光性樹脂層局部性變薄來形成所述凸部。
[0021]在本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法中，也可以是，使用正性感光性樹脂層作為所述感光性樹脂層。此外，在本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法中，也可以是，使用負(fù)性感光性樹脂層作為所述感光性樹脂層。
[0022]適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置能用于各種電子設(shè)備，在這種情況下，電子設(shè)備中設(shè)置有向所述鏡發(fā)射光源光的光源部。此外，在作為電子設(shè)備而構(gòu)成投影式顯示裝置、頭戴式顯示裝置的情況下，電子設(shè)備中還設(shè)置有對被所述鏡調(diào)制的光進(jìn)行投影的投影光學(xué)系統(tǒng)。
【附圖說明】
[0023]圖1是示出適用了本發(fā)明的作為電子設(shè)備的投影式顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。
[0024]圖2是示意性示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的基本結(jié)構(gòu)的說明圖。
[0025]圖3是示意性示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的主要部分中A-A’截面的說明圖。
[0026]圖4是示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0027]圖5是示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置制造方法的工序截面圖。
[0028]圖6是示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法的工序截面圖。
[0029]圖7是示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法的工程截面圖。
[0030]圖8是示出在適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造工序中所形成的層的俯視圖。
[0031]圖9是示出在適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法中所用的第I犧牲層的另一制造方法的工序截面圖。
[0032]圖10是示出在圖9所示的方法中形成鉸鏈支承部用開口部(第I開口部)等的情況的俯視圖。
[0033]圖11是示意性示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的第2支承部(鏡支承部)的優(yōu)選方式的說明圖。
[0034][附圖標(biāo)記說明]
[0035]1...基板，10...晶片，11...基板側(cè)偏壓電極，12、13...基板側(cè)尋址電極，14...尋址電路，21...第I犧牲層，22...第2犧牲層，30...第I導(dǎo)電層，31...導(dǎo)電部件，35...扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)，38...鏡支承部(第2支承部)，39...鉸鏈支承部(第I支承部)，50...第2導(dǎo)電膜，51...鏡，71...蝕刻阻擋層，100...電光學(xué)裝置，210...感光性樹脂層，21 Ia...鉸鏈支承部用開口部(第I開口部)，212...凸部，216、217...硬掩膜，381...第I端部，382.?.第2端部，383...外周面，385...平板部，1000...投影式顯示裝置，1002...光源部，1004...投影光學(xué)系統(tǒng)
【具體實施方式】
[0036]參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。此外，在以下的說明中，對作為適用了本發(fā)明的電子設(shè)備的投影式顯示裝置進(jìn)行說明。另外，在以下說明中所參照的附圖中，為了使各層和各部件在附圖上變成能夠識別程度的大小，按照各層、各部件使比例尺不同。此夕卜，在附圖中，減少了鏡等的數(shù)量來示出。
[0037][作為電子設(shè)備的投影式顯示裝置]
[0038]圖1是示出適用了本發(fā)明的作為電子設(shè)備的投影式顯示裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。圖1所示的投影式顯示裝置1000具有光源部1002，將從光源部1002射出的光根據(jù)圖像信息進(jìn)行調(diào)制的電光學(xué)裝置100，以及將通過電光學(xué)裝置100所調(diào)制的光作為投影圖象投影在屏幕等被投影物1100的投影光學(xué)系統(tǒng)1004。光源部1002具備光源1020和濾色器1030。光源1020發(fā)射白光，濾色器1030隨著旋轉(zhuǎn)發(fā)射出各種顏色的光，電光學(xué)裝置100在與濾色器1030的旋轉(zhuǎn)同步的定時調(diào)制所入射的光。此外，也可以使用將從光源1020射出的光轉(zhuǎn)換為各種顏色的光的熒光體基板來代替濾色器1030。此外，也可以按照各種顏色的光來設(shè)置光源部1002及電光學(xué)裝置100。
[0039][電光學(xué)裝置100的基本結(jié)構(gòu)]
[0040]圖2是示意性示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的基本結(jié)構(gòu)的說明圖，圖2的(a)、(b)分別是示出電光學(xué)裝置100的主要部分的說明圖以及電光學(xué)裝置100的主要部分的分解立體圖。圖3是示意性示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的主要部分中的A-A’截面的說明圖，圖3的(a)、(b)分別是示意性示出鏡向一側(cè)傾斜的狀態(tài)的說明圖以及示意性示出鏡向另一側(cè)傾斜的狀態(tài)的說明圖。
[0041]如圖2及圖3所示，在電光學(xué)裝置100中，基板I的一表面Is側(cè)呈矩陣狀配置有多個鏡51，鏡51與基板I隔開距離?；錓例如是硅基板。鏡51是例如具有I個邊長例如為10?30μm的平面尺寸的微鏡。鏡51是例如以從600 X 800到1920 X 1080的陣列配置，I個鏡51對應(yīng)于圖像的I個像素。
[0042]鏡51的表面是由鋁等反射金屬膜所構(gòu)成的反射面。電光學(xué)裝置100具備包括在基板I的一表面Is形成的基板側(cè)偏壓電極11以及基板側(cè)尋址電極12、13等的I層部分100a，包括高架尋址電極32、33以及扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)35的2層部分100b，以及包括鏡51的3層部分100c。在I層部分10a中，地址電路14形成在基板I上。地址電路14具備用于選擇性地控制各鏡51的動作的存儲單元以及字線、位線的配線15等，具有類似于具備CMOS電路16的RAM(Random Access Memory)的電路結(jié)構(gòu)。
[0043]2層部分10b包括高架尋址電極32、33、扭矩鉸鏈35以及鏡支承部(第2支承部)38。高架尋址電極32、33經(jīng)由電極柱321、331與基板側(cè)尋址電極12、13導(dǎo)通，并且被基板側(cè)尋址電極12、13支承。從扭矩鉸鏈35的兩端延伸有鉸鏈臂36、37。鉸鏈臂36、37經(jīng)由鉸鏈支承部(第I支承部)39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，并且被基板側(cè)偏壓電極11支承。鏡51經(jīng)由鏡支承部38與扭矩鉸鏈35導(dǎo)通，并且被扭矩鉸鏈35支承。因此，鏡51經(jīng)由鏡支承部38、扭矩鉸鏈35、鉸鏈臂36、37以及鉸鏈支承部39與基板側(cè)偏壓電極11導(dǎo)通，從基地側(cè)偏壓電極11被施加偏壓。此外，在鉸鏈臂36、37的末端形成止動件361、362、371、372，該止動件361、362、371、372當(dāng)當(dāng)鏡51傾斜時與鏡51抵接，防止鏡51與高架尋址電極32、33接觸。
[0044]基板側(cè)尋址電極12、13及高架尋址電極32、33構(gòu)成驅(qū)動元件，該驅(qū)動元件與鏡51之間產(chǎn)生靜電力來進(jìn)行使鏡51傾斜的驅(qū)動。具體而言，在向基板側(cè)尋址電極12、13及高架尋址電極32、33施加驅(qū)動電壓，如圖3所示那樣鏡51以被基板側(cè)尋址電極12及高架尋址電極32—側(cè)或被基板側(cè)尋址電極12及高架尋址電極33拽拉的方式傾斜時，扭矩鉸鏈35扭曲。然后，在停止向基板側(cè)尋址電極12、13及高架尋址電極32、33施加驅(qū)動電壓而對鏡51的吸引力消失時，發(fā)揮使鏡51回到與基板I平行的姿勢的力。
[0045]在電光學(xué)裝置100中，例如，如圖3的(a)所示，當(dāng)鏡51向基板側(cè)尋址電極12及高架尋址電極32側(cè)傾斜時，成為從光源部1002射出的光被鏡51朝向投影光學(xué)系統(tǒng)1004反射的接通狀態(tài)。與此相對，如圖3的(b)所示，當(dāng)鏡51向基板側(cè)尋址電極13及高架尋址電極33側(cè)傾斜時，成為從光源部1002射出的光被鏡51朝向光吸收裝置1005反射的斷開狀態(tài)，在這種斷開狀態(tài)下，光不會被反射至投影光學(xué)系統(tǒng)1004。這種驅(qū)動在多個鏡51的各自中進(jìn)行的結(jié)果，從光源部1002射出的光被多個鏡51調(diào)制成圖像光而從投影光學(xué)系統(tǒng)1004進(jìn)行投影，并顯示圖像。
[0046]此外，與基板側(cè)尋址電極12、13相對的平板狀的架與扭矩鉸鏈35設(shè)為一體，除了在高架尋址電極32、33與鏡51之間產(chǎn)生的靜電力之外，也會有利用作用于基板側(cè)尋址電極12、13和架之間的靜電力來驅(qū)動鏡51。
[0047][電光學(xué)裝置100的詳細(xì)結(jié)構(gòu)]
[0048]圖4是適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的截面圖。此外，圖4中只示出電光學(xué)裝置100的2層部分10b及3層部分100c，省略了包含基板側(cè)偏壓電極11及基板側(cè)尋址電極12、13等的I層部分10a的圖示。此外，圖4只示出針對多個形成在電光學(xué)裝置100上的鏡51中的I個鏡51的鏡支承部(第2支承部)38及扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)35。
[0049]如圖4所示，電光學(xué)裝置100具有在基底I的一表面Is側(cè)上借助導(dǎo)電性的鉸鏈支承部(第I支承部)39支承在基板I側(cè)的導(dǎo)電性的扭矩鉸鏈35。此外，電光學(xué)裝置100具有:在扭矩鉸鏈35的長度方向的中央部分從扭矩鉸鏈35朝向與基板I側(cè)相反一側(cè)突出的筒狀的鏡支承部38;以及被鏡支承部38支承的鏡51。
[0050]在此，扭矩鉸鏈35和鏡支承部38—體形成。更具體而言，在將扭矩鉸鏈35與鏡支承部38以一體方式具備的導(dǎo)電部件31中，由沿著基板I的一表面Is延伸的部分構(gòu)成扭矩鉸鏈35，由朝向與基板I側(cè)相反一側(cè)突出的部分構(gòu)成鏡支承部38。此外，還在導(dǎo)電部件31—體地形成有鉸鏈支承部39。換言之，在導(dǎo)電部件31中，由從扭矩鉸鏈35朝向基板I突出的部分構(gòu)成鉸鏈支承部39，鉸鏈支承部39支承在基板I上。
[0051]在鏡支承部38中，基板I側(cè)(扭矩鉸鏈35側(cè))的第I端部381成為朝向基板I開口的開放端。在鏡支承部38中，與基板I及扭矩鉸鏈35相反一側(cè)(鏡51側(cè))的第2端部382成為封閉鏡支承部38的開口的平板部385，鏡51接觸于平板部385的與基板I相反一側(cè)的表面。因此，鏡51的表面不存在凹陷。
[0052][電光學(xué)裝置的制造方法]
[0053]參照圖2的(b)及圖5?圖8，以適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的制造工序中形成扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)、鏡支承部(第2支承部)及鏡的工序為中心進(jìn)行說明。圖5、圖6及圖7是示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的制造方法的工序截面圖。圖8是在適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的制造工序中所形成的層的俯視圖。此外，圖5?圖8中僅示出針對電光學(xué)裝置10中形成的多個鏡51中的I個鏡51的鏡支承部38及扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)35。此外，在以下的說明中，適當(dāng)?shù)貙εc參照圖2的(b)來說明的各個部位之間的關(guān)系進(jìn)行說明。
[0054]首先，如圖5的(a)所示，在工序STl中，在由硅基板構(gòu)成的晶片1上，形成參照圖2的(b)所說明的地址電路14、基板側(cè)偏壓電極11以及基板側(cè)尋址電極12、13等。
[0055]接著，在工序ST2中，在晶片10的一表面1s上形成由正性有機(jī)光刻膠等形成的感光性樹脂層210。接著，在圖5的(b)所示的工序ST3(曝光顯影處理)中，對感光性樹脂層210進(jìn)行曝光及顯影，使感光性樹脂層210的局部性變薄，形成向與基板I相反一側(cè)突出的柱狀的凸部212(參照圖8的(a))。感光性樹脂層210的厚度例如為3μπι，凸部212的外徑例如為約
0.6μπι。在這種曝光顯影處理中，利用半色調(diào)掩膜來對感光性樹脂層210進(jìn)行曝光。因此，能夠容易地使感光樹脂層210局部性變薄，能使變薄的部分成為適當(dāng)?shù)暮穸取?br>[0056]接著，在蝕刻處理工序中，在圖5的(C)所示的工序ST4(硬掩膜形成工序)中，在感光性樹脂層210的與基板I相反一側(cè)的表面上形成由氧化硅(S12)等無機(jī)材料構(gòu)成的硬掩膜216。更具體而言，利用PEVCD法等形成如氧化硅膜(S12)等無機(jī)膜后，在無機(jī)膜的表面(與晶片10相反一側(cè)的表面)形成抗蝕掩模后的狀態(tài)下，對無機(jī)膜進(jìn)行圖案形成，形成硬掩膜216。接著，在圖5的(c)所示的工序ST5中，在對感光性樹脂層210進(jìn)行蝕刻，在相當(dāng)于硬掩膜216的開口部的位置上形成鉸鏈支承部用開口部(第I開口部)211a后，去除硬掩膜216。此時，如圖8的(b)所示，還形成高架尋址電極32、33的電極柱321、331用的電極柱用開口部211b。鉸鏈支承部用開口部211a的開口直徑例如為約0.6μπι。
[0057]這個工序ST2、ST3、ST4、ST5是通過曝光顯影處理和蝕刻處理，形成具備鉸鏈支承部用開口部211a以及柱狀的凸部212的第I犧牲層21的第I犧牲層形成工序。
[0058]接著，在圖5的(e)所示的工序ST6(第I導(dǎo)電膜形成工序)中，在第I犧牲層21的表面(與晶片10相反一側(cè)的表面)的整個表面上形成第I導(dǎo)電膜30。此時，第I導(dǎo)電膜還形成在鉸鏈支承部用開口部211a的壁表面以及底表面上。第I導(dǎo)電層30例如為鋁層的單體膜或者是鋁層和鈦層的層疊膜，其厚度例如為0.06μπι。
[0059]接著，在工序ST7(第I圖案形成工序)中，在第I導(dǎo)電膜30的表面(與晶片10相反側(cè)的表面)上形成抗蝕掩模的狀態(tài)下對第I導(dǎo)電膜30進(jìn)行圖案形成，形成具備扭矩鉸鏈35的導(dǎo)電部件31。此時，在導(dǎo)電部件31中，利用在鉸鏈支承部用開口部211a上殘留的第I導(dǎo)電膜，鉸鏈支承部39與扭矩鉸鏈35—體形成。此外，在導(dǎo)電部件31中，從扭矩鉸鏈35向與基板I相反一側(cè)突出的筒狀的鉸鏈支承部38與扭矩鉸鏈35形成為一體。此時，如圖8的(c)所示，在導(dǎo)電部件31中形成鉸鏈臂36、37。此外，同時形成高架尋址電極32、33，在電極柱用開口部211b的內(nèi)部形成電極柱321、331。
[0060]接著，在圖6的(a)所示的工序ST8(第2犧牲層形成工序)中，以從與晶片10相反一側(cè)覆蓋扭矩鉸鏈35及鏡支承部38的方式，形成由正性有機(jī)光刻膠等構(gòu)成的感光性樹脂層后，使其固化，形成第2犧牲層22。第2犧牲層22的厚度例如為3μπι。
[0061 ] 接著，在圖6的(b)所示工序ST9 (平坦化工序)中，利用CMP法等，對第2犧牲層22從與晶片10相反一側(cè)進(jìn)行平坦化而使鏡支承部38的第2端部382露出(參照圖8的(d))。在本實施方式中，以使平板部385殘留在鏡支承部38的第2端部382的方式進(jìn)行平坦化。
[0062]接著，在圖6的(C)所示的工序STlO(第2導(dǎo)電膜形成工序)中，在第2犧牲層22的與晶片10相反一側(cè)上形成第2導(dǎo)電膜50。第2導(dǎo)電膜50例如厚度為0.3μπι的鋁層。
[0063]接著，在圖7的(a)所示的工序ST11中，利用PEV⑶法等來形成氧化硅膜(S12)等無機(jī)膜70(參照圖8的(e))。接著，在圖7的(b)所示的工序ST12中，在無機(jī)膜70的表面(與晶片10相反一側(cè)的表面)上形成抗蝕掩模的狀態(tài)下，對無機(jī)膜70進(jìn)行圖案形成，形成具有與鏡51相同的平面形狀的蝕刻阻擋層71(參照圖8的(f))。之后，去除抗蝕掩模。接著，在圖7的(d)所示的工序ST13中，將蝕刻阻擋層71作為掩模，對第2導(dǎo)電膜50進(jìn)行圖案形成，形成鏡51。這個工序ST11、ST12、ST13是第2圖案形成工序。
[0064]接著，將晶片10分割成多個單件尺寸的基板I。
[0065]接著，在圖7的(d)所示的工序ST14(犧牲層去除工序)中，進(jìn)行等離子蝕刻等來去除第I犧牲層21及第2犧牲層22。此時，由于鏡支承部38朝向基板I開口，因此也能夠從鏡支承部38的內(nèi)側(cè)去除第I犧牲層21。此外，在本實施方式中，在去除第I犧牲層21及第2犧牲層22時，去除蝕刻阻擋層71。其結(jié)果，能夠獲得電光學(xué)裝置100。
[0066][本實施方式的主要效果]
[0067]如以上所說明的那樣，在本實施方式中，從扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)35向與基板I相反一側(cè)突出的鏡支承部(第2支承部)38形成為筒狀，并且基板I側(cè)的第I端部381成為開放端。因此，即使在形成鏡支承部38時在內(nèi)側(cè)存在凸部212(第I犧牲層21)，也能夠去除第I犧牲層21。因此，在鏡支承部38的內(nèi)部，沒有殘留構(gòu)成犧牲層的樹脂，因此即使在所照射的光、驅(qū)動電路工作時基板上的發(fā)熱等導(dǎo)致電光學(xué)裝置100的溫度上升的情況下，也不會從犧牲層產(chǎn)生氣體。因此，不會發(fā)生由于從犧牲層產(chǎn)生的氣體導(dǎo)致鏡51的表面(反射面)上的反射率下降的情況。并且，從扭矩鉸鏈35向與基板相反一側(cè)突出的鏡支承部38成為筒狀，并且與扭矩鉸鏈35—體形成。因此，在鏡支承部38和扭矩鉸鏈35的交界部產(chǎn)生的強(qiáng)度不會下降。
[0068]此外，在鏡支承部38中第2端部382在與基板I相反一側(cè)形成為平坦部的狀態(tài)時，能夠與鏡支承部38分開的鏡51連接于鏡支承部38。因此，鏡51的表面不會產(chǎn)生凹陷。因此，能夠提高光的利用效率，并且能夠抑制由于鏡51上的散射而引起對比度下降。
[0069]此外，與利用無機(jī)材料填充凹部的情況不同，由于沒有必要從鏡51的表面去除填充凹部的厚的無機(jī)材料，因此能夠有效地形成鏡51的表面上不產(chǎn)生凹陷的鏡支承部38。
[0070][第I犧牲膜21的另一制造方法]
[0071]圖9是示出在適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的制造方法中所用的第I犧牲層的另一制造方法的工序截面圖。圖10是示出在圖9所示的方法中形成鉸鏈支承部用開口部(第I開口部)211a等的情況的俯視圖。
[0072]在本實施方式中，在第I犧牲層工序中，首先，如圖9的(a)所示，在工序STlOl中，在由硅基板構(gòu)成的晶片1上形成參照圖2的(b)所說明的地址電路14、基板側(cè)偏壓電極11以及基板側(cè)尋址電極12、13等。
[0073]接著，在工序STlOl中，在晶片10的一表面1s上形成由正性有機(jī)光刻膠等構(gòu)成的感光性樹脂層210。接著，在圖9的(b)所示的工序ST103(曝光顯影處理)中，對感光性樹脂層210進(jìn)行曝光及顯影，形成鉸鏈支承部用開口部(第I開口部)及電極柱用開口部211(參照圖10的(a))。
[0074]接著，在蝕刻處理工序中，在圖9的(c)所示的工序ST104(硬掩膜形成工序)中，在感光性樹脂層210的與基板I相反一側(cè)的表面上形成由氧化娃(Si02)等無機(jī)材料構(gòu)成的硬掩膜217。更具體而言，利用PEVCD法等形成氧化硅膜(S12)等無機(jī)膜后，在無機(jī)膜的表面(與晶片10相反一側(cè)的表面)形成抗蝕掩模的狀態(tài)下，對無機(jī)膜進(jìn)行圖案形成，形成硬掩膜217。接著，在圖9的(d)所示的工序ST105中，對感光性樹脂層210進(jìn)行半蝕刻，使感光性樹脂層210局部性變薄，形成向與基板I相反一側(cè)突出的柱狀的凸部212(參照圖10的(b))。
[0075]這個工序ST102、ST103、ST104、ST105是通過曝光顯影處理和蝕刻處理，形成具備鉸鏈支承部用開口部(第I開口部)211a以及柱狀的凸部212的第I犧牲層21的第I犧牲層形成工序。
[0076]之后，如果進(jìn)行參照圖5的(e)、圖6以及圖7所說明的工序，就能獲得電光學(xué)裝置10。
[0077][鏡支承部(第2支承部)38的改進(jìn)例]
[0078]圖11是示意性示出適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100的鏡支承部(第2支承部)38的優(yōu)選方式的說明圖。在制造適用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置100時，在形成第I犧牲層21時采用了正性感光性樹脂層，但也可以使用負(fù)性感光性樹脂層。在使用這樣的負(fù)性感光性樹脂層的情況下，在感光性樹脂層內(nèi)的光的散射等影響下，在如圖5的(b)所示那樣形成凸部212時，凸部212的外周面容易形成為朝向鏡51側(cè)(與晶片10相反側(cè))的錐面。其結(jié)果，鏡支承部38的外周面383成為朝向鏡51側(cè)(與晶片10相反側(cè))的錐面。因此，由于鏡支承部38的扭矩鉸鏈(扭曲鉸鏈)35—側(cè)的直徑大于反射鏡51—側(cè)的直徑，因此能夠增大鏡支承部38的強(qiáng)度。
[0079]此外，無論是正性還是負(fù)性，在使用感光性樹脂層的情況下，凸部212的根部容易形成為彎曲的形狀。尤其是在圖9的(c)、(d)所示的工序ST104、ST105中進(jìn)行了蝕刻時，凸部212的根部212c容易形成為彎曲的形狀。其結(jié)果，鏡支承部38與扭矩鉸鏈35之間成為彎曲的截面形狀。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，存在從鏡51經(jīng)由鏡支承部38施加于扭矩鉸鏈35的應(yīng)力不容易集中在特定處的優(yōu)點。
[0080][其他實施方式]
[0081]在上述本實施方式中，在參照圖6的(b)所說明的平坦化工序(工序ST9)中，以使平板部385殘留在鏡支承部38的第2端部382的方式進(jìn)行平坦化，但也可以將平坦化進(jìn)行至平板部385消失。在這種情況下，在形成用于形成鏡51的第2導(dǎo)電膜50時，鏡支承部38的端部通過第I犧牲層21的凸部212而形成為平坦部。因此，鏡51的表面不產(chǎn)生凹陷。
【主權(quán)項】
1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具備: 基板， 第I支承部，在所述基板的一表面?zhèn)瘸蛩龌逋怀?，并且被所述基板支承?導(dǎo)電部件，由扭曲鉸鏈和筒狀的第2支承部一體形成，所述扭曲鉸鏈借助所述第I支承部被所述基板側(cè)支承，所述第2支承部從所述扭曲鉸鏈向與所述基板相反一側(cè)突出，并且所述第2支承部的位于所述扭曲鉸鏈一側(cè)的第I端部成為朝向所述基板的開放端；以及鏡，與所述第2支承部的與所述基板相反一側(cè)的第2端部相接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第2端部形成為封閉所述第2支承部的開口的平板部。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第2支承部與所述扭曲鉸鏈之間成為彎曲的截面形狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述第2支承部的外周面形成為朝向所述鏡側(cè)的錐面。5.一種電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，具備: 第I犧牲層形成工序，對形成在基板的一表面?zhèn)鹊母泄庑詷渲瑢舆M(jìn)行曝光顯影處理后，進(jìn)行形成由無機(jī)材料構(gòu)成的硬掩膜的狀態(tài)下的蝕刻處理，形成第I犧牲層，所述第I犧牲層具有第I開口部以及向與所述基板相反側(cè)突出的柱狀的凸部； 第I導(dǎo)電膜形成工序，在所述第I犧牲層的與所述基板相反一側(cè)及所述第I開口部的內(nèi)偵U，形成第I導(dǎo)電膜； 第I圖案形成工序，進(jìn)行所述第I導(dǎo)電膜的圖案形成，形成由在所述第I開口部的內(nèi)側(cè)形成的所述第I導(dǎo)電膜構(gòu)成的第I支承部、與所述第I支承部一體的扭曲鉸鏈以及從所述扭曲鉸鏈向與所述基板相反一側(cè)突出并與所述扭曲鉸鏈一體的筒狀的第2支承部； 第2犧牲層形成工序，在所述扭曲鉸鏈及所述第2支承部的與所述基板相反一側(cè)，形成第2犧牲層；平坦化工序，對所述第2犧牲層從與所述基板相反一側(cè)實施平坦化，使所述第2支承部露出； 第2導(dǎo)電膜形成工序，在所述第2犧牲層的與所屬基板相反一側(cè)形成第2導(dǎo)電膜； 第2圖案形成工序，通過對所述第2導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案形成來形成鏡；以及 犧牲層去除工序，去除所述第I犧牲層及所述第2犧牲層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第I犧牲層形成工序中，對所述感光性樹脂層進(jìn)行所述曝光顯影處理而使所述感光性樹脂層局部性變薄來形成所述凸部后，對所述感光性樹脂層進(jìn)行所述蝕刻處理而形成所述第I開口部。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 在所述曝光顯影處理中，使用半色調(diào)掩膜來進(jìn)行曝光。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第I犧牲層形成工序中，對所述感光性樹脂層進(jìn)行所述曝光顯影處理來形成所述第I開口部后，對所述感光性樹脂層進(jìn)行所述蝕刻處理，使所述感光性樹脂層局部性變薄來形成所述凸部。9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，使用正性感光性樹脂層作為所述感光性樹脂層。10.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，使用負(fù)性感光性樹脂層作為所述感光性樹脂層。11.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1至4中任一項所述的電光學(xué)裝置，并具有向所述鏡照射光源光的光源部。
【文檔編號】H01L33/00GK106058004SQ201610118328
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年3月2日 公開號201610118328.2, CN 106058004 A, CN 106058004A, CN 201610118328, CN-A-106058004, CN106058004 A, CN106058004A, CN201610118328, CN201610118328.2
【發(fā)明人】伊藤智
【申請人】精工愛普生株式會社