專利名稱：適用于無機(jī)電致發(fā)光(el)顯示裝置的顯示裝置的驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及一種顯示裝置的驅(qū)動電路。特別是涉及一種無機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示裝置的驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
作為平板型的顯示裝置，公知有無機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示裝置。無機(jī)EL顯示裝置，構(gòu)成為包含顯示面內(nèi)在絕緣性基板上相互平行連接設(shè)置的多行(row)電極線Lrow在行電極線Lrow上面形成的高電介質(zhì)膜；通過高電介質(zhì)膜上設(shè)置的中間層、熒光體層、中間層，在與行電極線Lrow正交的方向上延伸且相互平行地周期性設(shè)置的無機(jī)EL發(fā)光體層；以及，在無機(jī)EL發(fā)光體層上相互平行地設(shè)置的線狀的多列(column)電極線Lcol。行電極線Lrow分別連接在行驅(qū)動器10上，列電極線Lcol分別連接在列驅(qū)動器12上。
無機(jī)EL顯示裝置，可用圖13所示的等價(jià)電路表示。用行驅(qū)動器10在多行電極線Lrow中依次選擇1個(gè)，并對選定的行電極線Lrow施加行電壓Vrow。另外，從外部電路向列驅(qū)動器12輸入與選定的行中包含的各個(gè)像素相對應(yīng)的灰度信息，并根據(jù)此灰度信息，從列驅(qū)動器12向各列電極線Lcol施加給定的調(diào)制電壓Vm。對選定的行電極線Lrow所對應(yīng)各像素的無線EL發(fā)光體層，施加行電壓Vrow和各列電極線Lcol的電位差。從而，選定的行電極線Lrow上的各個(gè)像素的無機(jī)EL發(fā)光體層，輸出發(fā)光強(qiáng)度與該電位差相應(yīng)的光。然后，通過依次選擇無機(jī)EL顯示裝置中包含的各個(gè)行實(shí)施上述控制，能夠掃描無機(jī)EL顯示裝置的顯示畫面來顯示1幀的圖像。
專利文獻(xiàn)1中，公開了無機(jī)EL顯示裝置的各個(gè)像素的驅(qū)動電路。此驅(qū)動電路50，如圖14所示，包含有邏輯電路52、晶體管54～66、電容器68來構(gòu)成。邏輯電路52，接收灰度數(shù)據(jù)70，將灰度數(shù)據(jù)70轉(zhuǎn)換為脈寬編碼(PWM)信號72后輸出。晶體管54，串聯(lián)連接在電容器68和晶體管56上。電容器68上，被施加斜坡電壓VR。晶體管56接受到PWM信號72的脈沖后成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管56的漏極側(cè)的電壓VH保持為閾值電壓VT。另一方面，在沒有輸出PWM信號72的脈沖的情況下，晶體管56成為截止?fàn)顟B(tài)，電壓VH隨著斜坡電壓VR變化。即，PWM信號72的脈寬越大電壓VH越小，PWM信號72的脈寬越小電壓VH越大。晶體管64，構(gòu)成源極跟隨驅(qū)動電路。電壓VPP為正弦波的交流電源，驅(qū)動電路50的輸出電壓VOUT，為電壓VH和電壓VPP相乘的電壓。無機(jī)EL顯示裝置的各個(gè)像素，根據(jù)從行驅(qū)動器10施加給選定的行電極線Lrow的電壓Vrow、和從列驅(qū)動器12施加給列電極線Lcol的輸出電壓VOUT的電位差進(jìn)行發(fā)光。如圖15A以及圖15B所示，在從行驅(qū)動器10施加給選定的行電極線Lrow的電壓Vrow、和從列驅(qū)動器12施加給列電極線Lcol的輸出電壓VOUT的電位差為最大電位差ΔVMAX的情況下亮度最高，為最小電位差ΔVMIN的情況下亮度最低。再有，圖15A中表示的是電壓Vrow和輸出電壓VOUT的極性相反的情況，圖15B中表示的是電壓Vrow和輸出電壓VOUT極性相同的情況。
另外，由于因晶體管58、60導(dǎo)致的壓降，為與晶體管64、66的閾值電壓VT相等的晶體管58、60的閾值電壓VT的和，因此驅(qū)動電路50的輸出沒有“死區(qū)”(dead band)。
由于在上述的現(xiàn)有的驅(qū)動電路中，輸出電壓VOUT為極性已定的0～80V的電壓，因此施加在各像素的兩端上的電壓Vrow和輸出電壓VOUT的電位差也處于最大電位差ΔVMAX～最小電位差ΔVMIN且極性一直相同。如此，持續(xù)給EL元件施加極性固定的電壓的單側(cè)驅(qū)動方式中，會產(chǎn)生縮短EL元件的壽命的這個(gè)問題。
再有，由于用固定極性的單側(cè)驅(qū)動對輸出電壓VOUT進(jìn)行控制，因此要在輸出電壓VOUT的最大值和最小值之間具備必要的分辨率，控制中就需要花費(fèi)時(shí)間。例如，要將輸出電壓VOUT在0～80V的范圍內(nèi)用256級的分辨率進(jìn)行控制，就必須將作為基準(zhǔn)的PWM信號72的脈寬用256級的分辨率來生成。從而，邏輯電路52中，就必須用計(jì)數(shù)器等對0～256的分辨率進(jìn)行計(jì)數(shù)來生成PWM信號，而由于計(jì)數(shù)中需要花費(fèi)時(shí)間，因此難以實(shí)現(xiàn)高速化控制。
另外，上述現(xiàn)有的驅(qū)動電路50中，在輸出電壓VOUT中加入電涌等任何外來變動的情況下，外來變動的高頻成分會通過晶體管64的源極—柵極間的寄生電容C直接影響到電容器68。從而，存在電容器68的蓄積電壓易受到變動的影響的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為一種顯示裝置的驅(qū)動電路，生成與使發(fā)光元件發(fā)光的灰度對應(yīng)的驅(qū)動電壓，并通過將所述驅(qū)動電壓提供給發(fā)光元件來使發(fā)光元件發(fā)光，其特征在于，包括接收表示使發(fā)光元件發(fā)光的灰度的灰度數(shù)據(jù)，當(dāng)該灰度數(shù)據(jù)表示的灰度為給定的閾值以上時(shí)，產(chǎn)生接地電位以上的輸出電壓，當(dāng)該灰度數(shù)據(jù)表示的灰度比給定的閾值小時(shí)，產(chǎn)生比接地電位低的輸出電壓的電路。


圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的顯示裝置的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2為表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的電平移位電路的結(jié)構(gòu)的圖。
圖3A以及圖3B，為對本發(fā)明的實(shí)施方式中的脈寬調(diào)制進(jìn)行說明的圖。
圖4為表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的電壓移位電路的具體例的圖。
圖5為對本發(fā)明的實(shí)施方式中的斜坡電壓進(jìn)行說明的圖。
圖6為對本發(fā)明的實(shí)施方式中的斜坡電壓進(jìn)行說明的圖。
圖7A以及圖7B，為對本發(fā)明的實(shí)施方式中的脈寬調(diào)制信號和充電電壓的關(guān)系進(jìn)行說明的圖。
圖8為表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的死區(qū)去除電路的具體例的圖。
圖9為對本發(fā)明的實(shí)施方式中的驅(qū)動電壓的生成進(jìn)行說明的圖。
圖10為對本發(fā)明的實(shí)施方式中的發(fā)光元件的兩側(cè)驅(qū)動進(jìn)行說明的圖。
圖11為對本發(fā)明的實(shí)施方式中的發(fā)光元件的兩側(cè)驅(qū)動進(jìn)行說明的圖。
圖12為表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的顯示裝置的驅(qū)動電路的變形例的結(jié)構(gòu)的圖。
圖13為表示以往的顯示裝置的等效電路的圖。
圖14為表示以往的顯示裝置的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的圖。
圖15A及圖15B，為對以往的方式中的發(fā)光元件的單側(cè)驅(qū)動進(jìn)行說明的圖。
圖中10-行驅(qū)動器，12-列驅(qū)動器，20-電平移位電路，20a-邏輯電路，20b-電壓移位電路，22-死區(qū)去除電路，24～41-晶體管，50-驅(qū)動電路，52-邏輯電路，54～66-晶體管，68-電容器，70-灰度數(shù)據(jù)，72-PWM信號，100-驅(qū)動電路。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施方式中的顯示裝置的驅(qū)動電路100，如圖1所示，包含電平移位電路20、死區(qū)去除電路22、晶體管24～29以及電容器C1來構(gòu)成。
現(xiàn)有的顯示裝置的驅(qū)動電路，例如用0～80V這種相對接地電位處于單側(cè)的電壓來驅(qū)動發(fā)光元件。本實(shí)施方式中的驅(qū)動電路100，使用例如-40V～40V這種相對接地電位處于正負(fù)兩側(cè)的電壓來驅(qū)動發(fā)光元件。
電平移位電路20，如圖2所示，包含邏輯電路20a以及電壓移位電路20b來構(gòu)成。此電平移位電路20相當(dāng)于脈沖發(fā)生電路。另外，電壓移位電路20b中，被從外部供給有高壓電源偏壓AVDD、AVSS、低壓電源偏壓DVDD、DVSS、柵極偏壓Vp、Vn。
邏輯電路20a中，輸入表示EL元件的發(fā)光強(qiáng)度的數(shù)字的灰度數(shù)據(jù)。邏輯電路20a，接收灰度數(shù)據(jù)后，生成作為具有與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的脈寬的脈寬編碼(PWM)信號的N溝道信號或P溝道信號。N溝道信號或者P溝道信號，為EL元件的發(fā)光強(qiáng)度的灰度越大、具有越寬的脈寬的信號。此時(shí)，在表示灰度數(shù)據(jù)的灰度為給定的閾值以上的情況下，生成具有從表示灰度數(shù)據(jù)的灰度中減去閾值后的值所對應(yīng)的脈寬的P溝道信號，并在表示灰度數(shù)據(jù)的灰度比閾值小的情況下，生成具有表示灰度數(shù)據(jù)的灰度所對應(yīng)的脈寬的N溝道信號。本實(shí)施方式中，將閾值設(shè)定為整體灰度的1/2，在灰度數(shù)據(jù)比整體灰度的1/2小的情況下生成N溝道信號，在灰度數(shù)據(jù)為整體灰度1/2以上的情況下生成P溝道信號。即，邏輯電路20a，根據(jù)灰度數(shù)據(jù)切換輸出N溝道信號和P溝道信號。
例如，在整體灰度用0～225灰度表示的情況下，如圖3A所示，若灰度數(shù)據(jù)為127灰度以下，生成具有與灰度數(shù)據(jù)成比例的脈寬的N溝道信號。N溝道信號，作為與基準(zhǔn)電位(本實(shí)施方式中為接地電位)相比負(fù)側(cè)上具有脈沖的信號被生成。另一方面如圖3B所示，若PWM信號為128灰度以上的脈寬，則生成具有與從灰度數(shù)據(jù)中減去127后的值成比例的脈寬的P溝道信號。P溝道信號，作為與基準(zhǔn)電位(本實(shí)施方式中為接地電位)相比正側(cè)上具有脈沖的信號被生成。此時(shí)，N溝道信號和P溝道信號的脈寬，被設(shè)定為等于最大脈寬(相當(dāng)于127灰度的脈寬)。
邏輯電路20a，根據(jù)灰度數(shù)據(jù)，生成N溝道信號及P溝道信號的任意一方之后，分別輸出給電壓移位電路20b的N溝道輸入端子及P溝道輸入端子。
電壓移位電路20b，將從邏輯電路20a輸出的P溝道信號以及N溝道信號升至高壓。由于到邏輯電路20a為止由邏輯電路構(gòu)成，因此從邏輯電路20a輸出的P溝道信號以及N溝道信號，為低電壓(例如，0～3.3V或±3.3V)的脈沖信號。因此，在電壓移位電路20b中，為了對后段的高壓電路進(jìn)行驅(qū)動，將低電壓的P溝道信號以及N溝道信號轉(zhuǎn)換為高電壓(例如±40V)。
圖4中，表示電壓移位電路20b的一例。晶體管30～33，構(gòu)成P溝道信號的升壓電路。晶體管31的漏極，通過晶體管30的漏極—源極間連接在正的高壓電源偏壓AVDD上(例如，+40V)，晶體管31的源極，連接在低壓電源偏壓DVSS(例如，接地電位)上。P溝道型的晶體管30的柵極上，被施加正的柵極偏壓Vp來發(fā)揮作為電流源的功能。N溝道型的晶體管31的柵極上，被輸入P溝道信號。晶體管31，在P溝道信號的脈沖上升的期間處于導(dǎo)通狀態(tài)，在脈沖沒有上升的期間處于截至狀態(tài)。因此，晶體管31的漏極端子的電壓，在P溝道信號的脈沖上升的期間基本維持為負(fù)的低壓電源偏壓DVSS，在脈沖沒有上升的期間基本維持為正的高壓電源偏壓AVDD。
晶體管32的源極連接在正的高壓電源偏壓AVDD上，晶體管32的漏極通過晶體管33的漏極—源極間連接在負(fù)的高壓電源偏壓AVSS(例如，-40V)上。N溝道型的晶體管33的柵極上，被施加負(fù)的柵極偏壓Vn來發(fā)揮作為電流源的功能。P溝道型的晶體管32的柵極上，連接晶體管31的漏極，漏極端子的電壓變化作為P溝道高壓信號輸出。即，通過晶體管30～33的升壓電路，3.3V等級的P溝道信號被變換為±40V等級的脈沖信號后輸出。
晶體管34～37，構(gòu)成N溝道信號的升壓電路。晶體管34的漏極，通過晶體管35的漏極—源極間連接在負(fù)的高壓電源偏壓AVDD上(例如，-40V)，晶體管34的源極，連接在正的低壓電源偏壓DVDD(例如，+3.3V)上。N溝道型的晶體管35的柵極上，被施加負(fù)的柵極偏壓Vn來發(fā)揮作為電流源的功能。P溝道型的晶體管34的柵極上，被輸入N溝道信號。晶體管34，在N溝道信號的脈沖上升的期間處于截止?fàn)顟B(tài)，在脈沖沒有上升的期間處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，晶體管34的漏極端子的電壓，在N溝道信號的脈沖下降的期間大致維持為正的低電源偏壓DVDD，在脈沖沒有下降的期間大致維持為負(fù)的高壓電源偏壓AVSS。
晶體管37的源極連接在負(fù)的高壓電源偏壓AVSS上，晶體管37的漏極通過晶體管36的漏極—源極間連接在正的高壓電源偏壓AVDD上。P溝道型的晶體管36的柵極上，被施加正的柵極偏壓Vp來發(fā)揮作為電流源的功能。N溝道型的晶體管37的柵極上，連接晶體管34的漏極，源極端子的電壓變化被作為N溝道高壓信號輸出。即，通過晶體管34～37的升壓電路，+3.3V等級的N溝道信號被變換為±40V等級的脈沖信號后輸出。
即，在灰度數(shù)據(jù)比閾值小(本實(shí)施方式中，為比全部256灰度的1/2(128灰度)小)的情況下，振幅為±40V的脈沖被以對應(yīng)N溝道信號的脈寬作為N溝道高壓信號輸出；在灰度數(shù)據(jù)為閾值以上(本實(shí)施方式中，為全部256灰度的1/2(128灰度)以上)的情況下，振幅為±40V的脈沖被以對應(yīng)P溝道信號的脈寬作為P溝道高壓信號輸出。
從電平移位電路20輸出的P溝道高壓信號以及N溝道高壓信號，分別輸入到晶體管24以及26的柵極中。晶體管24的源極連接在斜坡電壓VR(+)上，晶體管26的源極連接在斜坡電壓VR(-)上。另外，連接晶體管24的漏極和晶體管26的漏極，并且連接點(diǎn)A通過電容器C1接地。
斜坡電壓VR(+)，如圖5所示，被同步于往電平移位電路20輸入PWM信號的時(shí)刻、從基準(zhǔn)電位(例如，接地電位GND)起開始升壓，以用相當(dāng)于P溝道信號(P溝道高壓信號)的最大脈寬的時(shí)間達(dá)到最大斜坡電壓VRMAX(例如，+40V)的方式，來以固定速度升壓。另外，斜坡電壓VR(-)，如圖6所示，被同步于往電平移位電路20輸入PWM信號的時(shí)刻、從基準(zhǔn)電位(例如，接地電位GND)起開始降壓，以用相當(dāng)于N溝道信號(N溝道高壓信號)的最大脈寬的時(shí)間達(dá)到最小斜坡電壓VRMIN(例如，-40V)的方式，來以固定速度降壓。
晶體管24，僅在P溝道高壓信號的脈沖輸出的期間處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，晶體管26，僅在N溝道高壓信號的脈沖輸出的期間處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在輸出P溝道高壓信號的脈沖的情況下，如圖7A所示，電容器C1被斜坡電壓VR(+)充電相當(dāng)于P溝道高壓信號的脈寬的時(shí)間，其充電電壓Vc為對應(yīng)脈寬的值。另一方面，在輸出N溝道高壓信號的脈沖的情況下，如圖7B所示，電容器C1被斜坡電壓VR(-)充電相當(dāng)于N溝道高壓信號的脈寬的時(shí)間，其充電電壓Vc為對應(yīng)脈寬的值。
例如，在P溝道信號(P溝道高壓信號)以及N溝道信號(N溝道高壓信號)分別以128灰度(0～127)的脈寬輸出的情況下，充電電壓Vc，為與用128灰度的分辨率分別表示0～40V或0～-40V的范圍的脈寬相對應(yīng)的電壓值。
死區(qū)去除電路22，將電容器C1的充電電壓Vc作為輸出電壓接收，實(shí)施死區(qū)的去除。圖8中，表示死區(qū)去除電路22的示例。
晶體管38的漏極連接在正的高壓電源偏壓AVDD上，晶體管38的源極，通過晶體管39的漏極-源極連接在負(fù)的高壓電源偏壓AVSS上。晶體管38的柵極上被輸入電容器的充電電壓Vc。另外，N溝道型的晶體管39的柵極上，被施加負(fù)的柵極偏壓Vn來發(fā)揮作為電流源的功能。
晶體管41的漏極，連接在負(fù)的高壓電源偏壓AVSS上，晶體管41的源極，通過晶體管40的漏極-源極連接在正的高壓電源偏壓AVDD上。晶體管41的柵極上被輸入電容器的充電電壓Vc。另外，P溝道型的晶體管40的柵極上，被施加正的柵極偏壓Vp來發(fā)揮作為電流源的功能。
若充電電位Vc為正電位，則在構(gòu)成源極跟隨電路的晶體管41的作用下，跟隨著充電電壓Vc的變化，充電電壓Vc+閾值電壓Vt被作為N溝道去除信號從晶體管41的源極輸出。另一方面，若充電電位Vc為負(fù)電位，則在構(gòu)成源極跟隨電路的晶體管38的作用下，跟隨著充電電壓Vc的變化，充電電壓Vc-閾值電壓Vt被作為P溝道去除信號從晶體管38的源極輸出。
N溝道去除信號被輸入到晶體管28的柵極中，P溝道去除信號被輸入到晶體管29的柵極中。晶體管28的漏極連接在正的交流(正弦波)電源Vsin(+)上，晶體管29的漏極連接在負(fù)的交流(正弦波)電源Vsin(-)上。晶體管28的源極與晶體管29的源極連接，從該連接點(diǎn)輸出EL元件的驅(qū)動電壓VDRV。
這里，令正的交流(正弦波)電源Vsin(+)，如圖9所示，為以基準(zhǔn)電位(例如，接地電位GND)為最小峰值電壓、以正的高壓電源偏壓AVDD(例如，+40V)為最大峰值電壓的正弦波交流。另外，令負(fù)的交流(正弦波)電源Vsin(-)，如圖9所示，為以基準(zhǔn)電位(例如，接地電位GND)為最大峰值電壓、以負(fù)的高壓電源偏壓AVSS(例如，-40V)為最小峰值電壓的正弦波交流。
晶體管29，根據(jù)P溝道去除信號的變化，輸出與P溝道去除信號+閾值電壓Vt、即充電電壓Vc相對應(yīng)的驅(qū)動電壓VDRV。另一方面，晶體管28，根據(jù)N溝道去除信號的變化，輸出與N溝道去除信號—閾值電壓Vt、即充電電壓Vc相對應(yīng)的驅(qū)動電壓VDRV。
這里，由于因晶體管28造成的壓降由晶體管41的閾值電壓VT補(bǔ)償，因晶體管29造成的壓降由晶體管38的閾值電壓VT補(bǔ)償，因此，驅(qū)動電路100的輸出不存在“死區(qū)”。
從而，如圖10所示，施加給行電極線Lrow的電壓Vrow、和相對基準(zhǔn)電位(接地電位)在正負(fù)兩極上振蕩的驅(qū)動電壓VDRV的電位差，以ΔVMIN至ΔVMAX的范圍，施加在被選定的連接在行電極線Lrow上的EL元件上。通過此電位差，發(fā)光元件以對應(yīng)于灰度數(shù)據(jù)的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光。另一方面，如圖11所示，與相對基準(zhǔn)電位(接地電位)在正負(fù)兩極上振蕩的驅(qū)動電壓VDRV的電位差，被施加在沒有被選擇的連接在行電極線Lrow上的EL元件上。從而，能夠使得EL元件的壽命與以往相比能夠明顯延長。
另外，由于用具有正負(fù)兩種極性的兩側(cè)驅(qū)動來控制驅(qū)動電壓VDRV，因此正負(fù)各自中只需具備比整體灰度小的分辨率即可。例如，將閾值設(shè)定為整體灰度的1/2的情況下，各極性中只需具備1/2的分辨率即可。如本發(fā)明的實(shí)施方式這樣整體灰度為256灰度、閾值為其一半的128的情況下，只要正側(cè)具有128灰度的分辨率、負(fù)側(cè)具有128灰度的分辨率即可。因此，在邏輯電路20a中，用計(jì)數(shù)器等計(jì)數(shù)0～127的分辨率來生成N溝道信號以及P溝道信號即可，與以往相比能夠縮短計(jì)數(shù)中花費(fèi)的時(shí)間。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)控制的高速化。
再有，在驅(qū)動電壓VDRV上施加了電涌等任何外來變動的情況下，即使通過晶體管28、29的寄生電容傳遞外來變動，也能通過死區(qū)去除電路22的晶體管38、41，將外來變動對電容器C1造成的影響以及程度縮小。
另外，驅(qū)動電路100，如圖12所示，可包含用于將EL元件中蓄積的能量回收到電源中的電能回收用的二極管D1、D2。這樣，如圖9所示，在接著EL元件的驅(qū)動期間TDRV的回收期間TRCV中，能夠?qū)L元件中蓄積的能量回收到交流電源Vsin(+)或Vsin(-)中。此時(shí)，優(yōu)選驅(qū)動電路100，具備用于高效回收電能的電能回收用的二極管D3～D6。例如，在EL元件的電容中蓄積了正的電壓(電荷)情況下，在電能回收時(shí)，該電荷通過二極管D1流入交流電源Vsin(+)。此時(shí)，雖然電容C1中存儲的電荷也同樣流入交流電源Vsin(+)，但電容C1的端子電壓Vc，是比交流電源Vsin(+)高出二極管D3、D4的端子間電壓的電壓。從而，P溝道的晶體管29為截止?fàn)顟B(tài)，能夠高效回收電能。同樣，在EL元件的電容中蓄積有負(fù)的電壓(電荷)的情況下，因二極管D5、D6的作用，晶體管28為截止?fàn)顟B(tài)，電能被高效地回收到交流電源Vsin(-)中。
再有，本實(shí)施方式中，雖然以無機(jī)EL顯示裝置為例對顯示裝置進(jìn)行了說明，但并不限定于此。只要是利用通過兩極性的施加電壓可以發(fā)光的元件的顯示裝置，都在本發(fā)明的適用對象范圍之內(nèi)。其中，在無機(jī)EL顯示裝置這種施加電壓的范圍處于數(shù)十V左右的顯示裝置中，通過實(shí)施正負(fù)的兩側(cè)驅(qū)動，在延長發(fā)光元件的壽命、抑制驅(qū)動電路中包含的元件的必要耐壓等上的效果顯著。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過用具有正負(fù)兩極的驅(qū)動電壓對發(fā)光元件進(jìn)行兩側(cè)驅(qū)動，能夠延長發(fā)光元件的壽命。另外，通過采用使用兩極性的兩側(cè)驅(qū)動方式，能夠?qū)崿F(xiàn)控制的高速化。再有，能夠縮小驅(qū)動電壓的外來變動造成的影響。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的驅(qū)動電路，生成與使發(fā)光元件發(fā)光的灰度對應(yīng)的驅(qū)動電壓，并通過將所述驅(qū)動電壓提供給發(fā)光元件來使發(fā)光元件發(fā)光，其特征在于，包括下述電路接收表示使發(fā)光元件發(fā)光的灰度的灰度數(shù)據(jù)，當(dāng)該灰度數(shù)據(jù)表示的灰度為給定的閾值以上時(shí)，產(chǎn)生接地電位以上的輸出電壓，當(dāng)該灰度數(shù)據(jù)表示的灰度比所述閾值小時(shí)，產(chǎn)生比接地電位低的輸出電壓的電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的驅(qū)動電路，其特征在于所述發(fā)光元件，是以對應(yīng)施加于行電極線和列電極線上的電壓的電位差的發(fā)光強(qiáng)度發(fā)光的元件，在使發(fā)光元件發(fā)光時(shí)，對行電極線施加了與接地電位不同的電壓的發(fā)光元件的列電極線，施加與所述輸出電壓對應(yīng)的驅(qū)動電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置的驅(qū)動電路，其特征在于所述發(fā)光元件，為無機(jī)電致發(fā)光(EL)元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的驅(qū)動電路，其特征在于具備脈沖發(fā)生電路，當(dāng)所述灰度數(shù)據(jù)表示的灰度為所述閾值以上時(shí)，生成具有與從所述灰度數(shù)據(jù)表示的灰度中減去所述閾值后的值相對應(yīng)的脈寬的第1信號；當(dāng)該灰度數(shù)據(jù)表示的灰度比所述閾值小時(shí)，生成具有與所述灰度數(shù)據(jù)表示的灰度相對應(yīng)的脈寬的第2信號，并產(chǎn)生比與用所述脈沖發(fā)生電路生成的第1信號的脈寬相對應(yīng)的接地電位以上的輸出電壓、或者與用所述脈沖發(fā)生電路生成的第2信號的脈寬相對應(yīng)的接地電位低的輸出電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置的驅(qū)動電路，其特征在于具備第1晶體管，柵極上被輸入所述第1信號，源極上被施加隨時(shí)間從接地電位升壓到最大斜坡電壓的正的斜坡電壓；第2晶體管，柵極上被輸入所述第2信號，源極上被施加隨時(shí)間從接地電位降壓到最小斜坡電壓的負(fù)的斜坡電壓，并包含所述第1晶體管的漏極和所述第2晶體管的漏極相連接、該連接點(diǎn)連接在電容器的一端上、該電容器的另一端上被施加接地電位的電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置的驅(qū)動電路，其特征在于所述第1晶體管，只在對應(yīng)所述第1信號的脈寬的時(shí)間處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述第2晶體管，只在對應(yīng)所述第2信號的脈寬的時(shí)間處于導(dǎo)通狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的驅(qū)動電路，其特征在于具備死區(qū)去除電路，其去除所述輸出電壓的死區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置的驅(qū)動電路，其特征在于所述死區(qū)去除電路，具備N溝道型的晶體管，柵極上被施加所述輸出電壓，漏極上被施加比接地電位高的第1電源電壓，源極上被施加比接地電位低的第2電源電壓，P溝道型的晶體管，柵極上被施加所述輸出電壓，漏極上被施加所述第2電源電壓，源極上被施加所述第1電源電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置的驅(qū)動電路，其特征在于具備脈沖發(fā)生電路，當(dāng)所述灰度數(shù)據(jù)表示的灰度為給定閾值以上時(shí)，生成具有與從所述灰度數(shù)據(jù)表示的灰度中減去所述閾值后的值相對應(yīng)的脈寬的第1信號；當(dāng)該灰度數(shù)據(jù)表示的灰度比所述閾值小時(shí)，生成具有與所述灰度數(shù)據(jù)表示的灰度相對應(yīng)的脈寬的第2信號，并產(chǎn)生比與用所述脈沖發(fā)生電路生成的第1信號的脈寬相對應(yīng)的基準(zhǔn)電位以上的輸出電壓、或者與用所述脈沖發(fā)生電路生成的第2信號的脈寬相對應(yīng)的基準(zhǔn)電位低的輸出電壓。
全文摘要
通過具備接收表示使發(fā)光元件發(fā)光的灰度的灰度數(shù)據(jù)，當(dāng)灰度數(shù)據(jù)表示的灰度為給定閾值以上時(shí)，產(chǎn)生基準(zhǔn)電位(接地電位)以上的驅(qū)動電壓(V
文檔編號G09G3/20GK1746955SQ200510092798
公開日2006年3月15日 申請日期2005年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月6日
發(fā)明者鈴木達(dá)也, 金田宏弘 申請人:三洋電機(jī)株式會社