專利名稱：：顯示面板以及電子裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明有關于一種顯示面板，特別有關于一種具有反牛頓環(huán)(anti-Newtonring)結構的液晶顯示面板(LCDpanel)。
背景技術：
：隨著制造成本的下降與品質上的提升，液晶顯示器已經逐漸地被應用在各式如筆記型計算機、個人數字助理(PDA)、移動電話、鐘表等產品中，而由于液晶顯示器是屬于被動發(fā)光裝置，因此液晶顯示器勢必需要具有一背光源，以便于黑暗處使用。一般而言，液晶顯示裝置可依其顯示方法而大略分為幾種類型，例如反射式液晶顯示裝置系藉由反射環(huán)境中的光線來進行影像顯示，故具有省電與低制造成本的優(yōu)點，而穿透式液晶顯示裝置則系在液晶顯示面板外，另具有一背光模塊(backlightunit)，以提供一光源至液晶顯示面板，故能具有較高的亮度，且較不受外界環(huán)境的限制。請參考圖1，圖1為一現有穿透式液晶顯示裝置100的剖面示意圖。如圖1所示，液晶顯示裝置100包含有一顯示面板120設置于一背光模塊110上。背光模塊110是用來提供一光源至顯示面板120，以供其進行影像顯示。顯示面板120則包含有一下基板130、一上基板150以及一液晶層170設于下基板130與上基板150之間，其中下基板130與上基板150均為透明基板，例如可為玻璃基板。在此所要再次說明的是，圖1為一簡化過的示意圖，為便于說明起見，下基板130與上基板150上的部分組件均予以省略，而未于圖中顯示，以簡化說明。請參考圖2及圖3，圖2為顯示面板120中下基板130上一像素122的示意圖，圖3則為圖2中A-A′向上的剖面示意圖。如圖2及圖3所示，下基板130表面定義有一數組區(qū)域130A與一顯示區(qū)域130B，如圖3所示，顯示面板120包含有一緩沖層132設于下基板130上，接著會于緩沖層132上形成一硅層134，并對硅層134進行圖案化，留下位于數組區(qū)域130A內的部分硅層134，以用來作為一有源區(qū)域(activearea)，其包含有一源極136、一漏極138以及位于源極136與漏極138之間的一溝道區(qū)域137，一般而言，由于硅層134具有高反射率，因此通常會將位于顯示區(qū)域130B內的硅層134完全移除，以提升顯示面板120的亮度。隨后將會于緩沖層132與圖案化的硅層134上形成至少一柵極絕緣層142，而一由導電材料構成的柵極電極144則再形成于柵極絕緣層142上，溝道區(qū)域137的正上方，而柵極電極144、源極136與漏極138則共同組成一晶體管140。接著再于柵極電極144與柵極絕緣層142上，形成一介電層146，并于介電層146上形成一平坦層148。如前所述，為方便說明起見，在圖2與圖3中僅顯示出了顯示面板120上一像素122的示意圖，然而實際上顯示面板120中則包含有多數個矩陣式排列的像素。而在上基板150表面，則會具有一多層堆棧結構，例如可將彩色濾光片(colorfilter)、上電極以及一配向膜(alignmentlayer)依序堆棧于上基板150的下表面，由于顯示面板120的操作原理應已為熟悉該項技術者所熟知，故在此不予贅述。雖然顯示面板120屬于一穿透式顯示面板，然而由外界環(huán)境中進入顯示面板的光線仍會受到部分反射，舉例來說，光線常會被透明基板130或150所反射、設于下基底130表面的介電層146以及鄰近上基板150的各層(例如彩色濾光片)所反射。而一旦發(fā)生光線反射的現象，則會產生干涉現象，而形成多數個具有明顯亮/暗交錯的環(huán)形帶狀圖案，亦即所謂的牛頓環(huán)(Newtonring)現象，而對顯示面板120的顯示品質造成嚴重地影響。因此，我們迫切需要一種新的顯示面板結構，以克服上述問題。
發(fā)明內容本發(fā)明主要提供一顯示面板，在本發(fā)明的一實施例中，顯示面板包含有多數個像素設于一基板上，基板表面并定義有一數組區(qū)域以及一顯示區(qū)域，各像素包含有一緩沖層設于基板表面以及一圖案化層設于緩沖層上，其中圖案化層包含有一第一區(qū)位于數組區(qū)域內，用來作為一有源區(qū)域，以及一第二區(qū)設于顯示區(qū)域內，用來作為一反牛頓環(huán)結構，各像素另包含有至少一柵極絕緣層設于圖案化層與緩沖層上、一柵極電極設于柵極絕緣層上的第一區(qū)內，以及一平坦化層設于柵極電極與柵極絕緣層上。在本發(fā)明的另一實施例中，則揭露了一顯示面板，其包含有一基板，其上定義有一數組區(qū)域以及一顯示區(qū)域、一緩沖層設于基板上、至少一晶體管設于數組區(qū)域內、一圖案化層設于緩沖層上的顯示區(qū)域內，以及至少一介電層設于該圖案化層上。本發(fā)明的另一實施例中，則揭露了一電子裝置，其包含有一顯示裝置與一輸入裝置耦接于顯示裝置，而顯示裝置包含有一顯示面板以及一控制器耦接于顯示面板，用以根據來自輸入裝置的輸入訊號來進行影像顯示，而顯示面板則包含有一基板，其上定義有一數組區(qū)域以及一顯示區(qū)域、一緩沖層設于基板上、至少一晶體管設于數組區(qū)域內、一圖案化層設于緩沖層上的顯示區(qū)域內，以及至少一介電層設于該圖案化層上。圖1是顯示一現有穿透式液晶顯示器的剖面示意圖；圖2是顯示圖1中顯示面板內下基板一側上一像素的示意圖；圖3是顯示圖2中A-A′在線的剖面示意圖；圖4是顯示本發(fā)明一實施例中顯示面板內下基板一側上一像素的示意圖；圖5是顯示圖3中B-B′在線的剖面示意圖；圖6是顯示一像素中顯示區(qū)域內的圖案化層的上視圖；圖7是顯示本發(fā)明的另一實施例中一顯示裝置的示意圖；以及圖8是顯示本發(fā)明的另一實施例中一電子裝置的示意圖。符號說明1～顯示面板；2～控制器；3～顯示裝置；4～輸入裝置；5～電子裝置；100～穿透式液晶顯示器；110～背光模塊；120～顯示面板；122～像素；130～下基板；130A～數組區(qū)域；130B～顯示區(qū)域；132～緩沖層；134～半導體層；136～源極；137～溝道區(qū)域；138～漏極；140～MOS晶體管；142～柵極介電層；144～柵極電極；146～介電層；148～平坦層；150～上基板；170～液晶層；220～顯示面板；222～像素；230～下基板；230A～數組區(qū)域；230B～顯示區(qū)域；232～緩沖層；234～第一區(qū)；235～第二區(qū)；236～源極；237～溝道區(qū)域；238～漏極；240～MOS晶體管；242～柵極介電層；244～柵極電極；246～介電層；248～平坦層；具體實施方式為使本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下本發(fā)明主要是藉由設于下基板上方的反牛頓環(huán)結構來抑制常發(fā)生于顯示面板上的牛頓環(huán)現象，因此，在后續(xù)敘述中，將會以一液晶顯示面板為例，來針對顯示面板中的下基板構造進行說明。而由于顯示面板中的其它部分，例如上基板或其它組件，與本案并無直接關聯，且應為熟習該項技術者所熟知，故在此不予贅述。請參考圖4與圖5，圖4為本發(fā)明一實施例中顯示面板220內鄰近下基板230側上一像素222的示意圖，圖5則為圖4中B-B′在線的剖面示意圖。如圖4與圖5所示，下基板230上設有多數個矩陣式排列的像素222，各像素222內的下基板230表面定義有一數組區(qū)域230A與一顯示區(qū)域230B，一般而言，顯示區(qū)域230B的面積大抵占整個像素222面積的10％以上。顯示面板220包含有一緩沖層232設于下基板230上，以及一半導體層設于緩沖層232上。在本發(fā)明的一實施例中，半導體層包含有一硅層，例如可為非晶硅層或多晶硅層。隨后會再藉由黃光與蝕刻制程來將半導體層進一步圖案化，使得所形成的圖案化層包含有一第一區(qū)234與一第二區(qū)235，分別位于數組區(qū)域230A與顯示區(qū)域230B內，其中位于數組區(qū)域230A內的第一區(qū)234是用來作為一有源區(qū)域，而包含有一源極236、一漏極238與一溝道區(qū)域237位于源極236與漏極238之間，而位于顯示區(qū)域230B內的第二區(qū)235則可作為一反牛頓環(huán)結構，以抑制或避免顯示面板220在顯示過程中發(fā)生牛頓環(huán)現象。隨后，會于圖案化層與緩沖層232上形成至少一柵極介電層242，在本發(fā)明的一實施例中，柵極介電層242包含有二氧化硅層或氮化硅層，并以由二氧化硅層與氮化硅層堆棧而成的復合式柵極介電層242較佳。接著，會于柵極介電層242上的溝道區(qū)域237內，形成一由導電材料所構成的柵極電極244，其系與源極236及漏極238共同構成一金屬氧化半導體(MOS)晶體管240。之后會于柵極電極244與柵極介電層242上依序形成一介電層246及一平坦層248，而一下電極則形成于平坦層248上，并電連接到MOS晶體管240。值得注意的是，在本發(fā)明中圖案化層第二區(qū)235的布局圖案可依產品的需求而有各種不同的變化。請參考圖6，圖6是顯示一像素222中顯示區(qū)域230B內的圖案化層(第二區(qū)235)的上視圖，如圖6所示，第二區(qū)235的布局圖案可包含有一個或多個的格狀(grid)圖案、島狀(island)圖案、帶狀(band)圖案或上述圖案的組合。請參考圖7，圖7為本發(fā)明的另一實施例中一顯示裝置3的示意圖。如圖7所示，顯示裝置3除了包含有與前述顯示面板220相同構造的一顯示面板1以外，更包含有一控制器2耦接于顯示面板1，以根據一輸入訊號來控制顯示面板1進行影像顯示。如前所述，顯示面板1與顯示面板220具有相同的構造，而可為一液晶顯示面板，顯示裝置3則可為一液晶顯示裝置。請參考圖8，圖8為本發(fā)明的另一實施例中一電子裝置5的示意圖。如圖8所示，電子裝置5除了包含有前述的顯示裝置3外，更包含有一輸入裝置4耦接于顯示裝置3內的控制器2，以用來提供一輸入訊號至控制器2，再藉由控制器2來控制顯示裝置3進行影像顯示。輸入裝置4可為一處理器或具有類似功能，可將訊號輸入至控制器2的其它裝置，電子裝置5可為一可攜式電子裝置，例如個人數字助理、筆記型計算機、平板計算機(tabletcomputer)、移動電話、監(jiān)視顯示器，或可為非便攜式裝置，例如一桌上型計算機。相較于現有技術，本發(fā)明則提供了一具有由圖案畫半導體層所構成的反牛頓環(huán)結構的顯示面板，。根據發(fā)明人的測試結果，在顯示區(qū)域內的圖案化半導體層雖會對顯示面板的顯示亮度造成影響，但是在抑制牛頓環(huán)現象上卻有極佳的效果，而其產生的功效更遠超過其帶來的亮度降低，故能有效提升顯示面板的顯示品質。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限制本發(fā)明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可做更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當以后附的申請專利范圍所界定者為準。權利要求1.一顯示面板，其包含有多數個像素設于一基板上，該基板表面并定義有一數組區(qū)域以及一顯示區(qū)域，各像素包含有一緩沖層設于該基板上；一圖案化層包含有一第一區(qū)以及一第二區(qū)，該第一區(qū)是設于該數組區(qū)域內，以作為一有源區(qū)域，并包含有一源極與一漏極，而該第二區(qū)是設于該顯示區(qū)域內；至少一柵極絕緣層設于該圖案化層與該緩沖層上；一柵極電極設于該柵極絕緣層上，并位于該圖案化層中第一區(qū)的上方；以及一平坦化層設于該柵極電極與該柵極絕緣層上。2.根據權利要求1所述的顯示面板，其中該圖案化層包含有一非晶硅層或一多晶硅層。3.根據權利要求1所述的顯示面板，其中該圖案化層的該第二區(qū)至少包含有一格狀或一帶狀結構或島狀結構。4.根據權利要求1所述的顯示面板，其中該顯示區(qū)域的面積大于該像素面積的10％。5.根據權利要求1所述的顯示面板，其中該圖案化層包含有一反牛頓環(huán)結構。6.一顯示面板包含有一基板，其上定義有一數組區(qū)域以及一顯示區(qū)域；一緩沖層設于該基板上；至少一晶體管設于該數組區(qū)域內；一圖案化層設于該緩沖層上的該顯示區(qū)域內；以及至少一介電層設于該圖案化層上。7.根據權利要求6所述的顯示面板，其中該圖案化層包含有一非晶硅層或多晶硅層。8.根據權利要求6所述的顯示面板，其中該圖案化層包含有一具有格狀或帶狀或島狀圖案的硅層。9.根據權利要求6所述的顯示面板，其中該圖案化層包含有一反牛頓環(huán)結構。10.一電子裝置，其包含有一顯示裝置，其包含有一顯示面板，其包含有一基板，其上定義有一數組區(qū)域以及一顯示區(qū)域；一緩沖層設于該基板上；至少一晶體管設于該數組區(qū)域內；一圖案化層設于該緩沖層上的該顯示區(qū)域內；以及至少一介電層設于該圖案化層上；以及一控制器耦接于該顯示面板，以根據一輸入訊號來進行影像顯示；以及一輸入裝置耦接于該顯示裝置的該控制器，以控制該顯示裝置進行影像顯示。全文摘要一顯示面板包含有一基板，其上定義有一數組區(qū)域以及一顯示區(qū)域、一緩沖層設于基板上以及一圖案化層設于緩沖層上，其中圖案化層包含有一第一區(qū)以及一第二區(qū)，分別位于數組區(qū)域與顯示區(qū)域內，此外，顯示面板另包含有至少一柵極絕緣層設于圖案化層與緩沖層上、一柵極電極設于柵極絕緣層上的第一區(qū)內，以及一平坦化層設于柵極電極與柵極絕緣層上。文檔編號G09F9/00GK1776486SQ200510064619公開日2006年5月24日申請日期2005年4月15日優(yōu)先權日2004年11月19日發(fā)明者孫嘉鴻,蔡耀銘,張世昌,李光振申請人:統寶光電股份有限公司