專利名稱：有機(jī)el像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)以控制供給至有機(jī)EL組件的驅(qū)動(dòng)電流的有機(jī)EL像素電路。
背景技術(shù)：
將屬于自發(fā)光組件的電致發(fā)光(Electroluminescence；以下稱EL)組件作為發(fā)光組件使用在各像素的EL顯示裝置除具有自發(fā)光型的優(yōu)點(diǎn)外，還具有較薄且消耗電力較小等優(yōu)點(diǎn)，故正作為一種取代液晶顯示裝置(LCD)及CRT等顯示裝置的顯示裝置而受到矚目。
而在將個(gè)別控制EL組件的薄膜晶體管(TFT)等開關(guān)組件設(shè)置在各像素，且依每像素控制EL組件的有源矩陣型(active matrix type)EL顯示裝置中，尤能進(jìn)行高精細(xì)的顯示。
在此有源矩陣型EL顯示裝置中，在基板上向行(row，水平)方向延伸有多條柵極線，并向列(column，垂直)方向延伸有多條數(shù)據(jù)線及電源線，而各像素具備有機(jī)EL組件、選擇TFT、驅(qū)動(dòng)用TFT及保持電容。通過選擇柵極線以使選擇TFT導(dǎo)通(ON)，并將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓(電壓視頻(video)信號(hào))充電至保持電容，且以該電壓使驅(qū)動(dòng)TFT導(dǎo)通以使來自電源線的電力流通于有機(jī)EL組件。
然而，在此種像素電路中，當(dāng)配置成矩陣狀的像素電路的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓(threshold voltage)不均時(shí)，輝度即變成不均，而有顯示品質(zhì)降低的問題。再者，就構(gòu)成整體顯示面板的像素電路的TFT而言，難以使其特性相同，而難以防止其導(dǎo)通截止(ON OFF)的閾值不均的情形。
于是，希望防止在驅(qū)動(dòng)TFT中閾值的不均對(duì)于顯示造成的影響。
在此，在有關(guān)用于防止對(duì)于TFT的閾值電壓的變動(dòng)的影響的電路方面，以往已有各種的提案(例如日本特表2002-514320號(hào)公報(bào))。
然而，在此提案中，必須要有用于補(bǔ)償閾值變動(dòng)的電路。因此，使用此種電路時(shí)，即會(huì)有像素電路的組件數(shù)增加的問題，也有開口率變小的問題。而且，在追加供補(bǔ)償之用的電路時(shí)，也會(huì)有必須變更用于驅(qū)動(dòng)像素電路的周邊電路的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠有效補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變動(dòng)的像素電路。
依據(jù)本發(fā)明，在使選擇晶體管導(dǎo)通的狀態(tài)下，通過使短路晶體管導(dǎo)通，即可將驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端電壓設(shè)定成與數(shù)據(jù)電壓及驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)的電壓。因此，不須驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的變動(dòng)，即可將與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流供給至有機(jī)EL組件。
并且，電位控制晶體管的一端連接在發(fā)光設(shè)定線。由于發(fā)光設(shè)定線被設(shè)定來自預(yù)定電源的電壓，因此該電壓基本上不會(huì)受到流動(dòng)于有機(jī)EL組件的電流等的影響而呈穩(wěn)定。于是，即可正確地設(shè)定驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端電壓。
并且，由于將驅(qū)動(dòng)晶體管設(shè)定成n溝道晶體管，因此晶體管的特性優(yōu)異，而晶體管的有源層也可通過非晶硅予以形成。再者，即使將電容器插入選擇晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端之間，仍可利用與將傳統(tǒng)的選擇晶體管直接連接在p溝道驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端時(shí)相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。


圖1為表示實(shí)施例的像素電路的構(gòu)成圖；圖2為說明動(dòng)作的條形圖；圖3為說明放電(discharge)步驟的圖；圖4為說明復(fù)位(reset)步驟的圖；圖5為說明電位固定步驟的圖；圖6為說明發(fā)光步驟的圖；圖7為說明從復(fù)位起在電位固定步驟中的電位變化的狀態(tài)圖；圖8為表示面板的整體構(gòu)成圖；圖9為表示數(shù)據(jù)設(shè)定的時(shí)序例圖；圖10為表示數(shù)據(jù)設(shè)置的另一時(shí)序例圖；圖11為說明變形例1的構(gòu)成圖；
圖12為表示變形例1的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)圖；圖13為說明變形例2的構(gòu)成圖；圖14為表示變形例2的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)圖；圖15為表示變形例2的另一構(gòu)成圖；圖16為表示變形例2的又一構(gòu)成圖；圖17為表示變形例2的再一構(gòu)成圖；圖18為表示實(shí)施例3的構(gòu)成圖；圖19為表示變形例3的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)圖；圖20為表示變形例4的構(gòu)成圖；圖21為表示變形例4的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)圖；圖22為表示實(shí)施例5的像素電路的構(gòu)成圖；圖23為說明變形例5的放電步驟圖；圖24為說明變形例5的復(fù)位步驟圖；圖25為說明變形例5的電位固定步驟圖；圖26為說明變形例5的發(fā)光步驟圖；第27圖為說明變形例6的構(gòu)成圖；圖28為表示變形例7的像素電路的構(gòu)成圖；圖29為說明變形例7的動(dòng)作條圖；圖30為表示變形例8的像素電路的構(gòu)成圖；圖31為說明變形例8的動(dòng)作條圖；圖32為說明變形例8的數(shù)據(jù)的寫入圖；圖33為說明變形例8在發(fā)光時(shí)的圖；圖34為表示變形例8的數(shù)據(jù)設(shè)定的時(shí)序例圖；圖35為表示變形例9的像素電路的構(gòu)成圖。
主要組件符號(hào)說明Cp 寄生電容 Cs電容器CS 控制線、電容設(shè)定線CV 陰極電源(負(fù)電源)DL 數(shù)據(jù)線EL有機(jī)EL組件ENB 使能(enable)信號(hào)
ES 發(fā)光設(shè)定線GL柵極線Gl 柵極長度 Gw柵極寬度HSR 水平開關(guān)電路PVdd 電源線(正電源)、電源電壓、電源電位RST 復(fù)位線T1選擇晶體管T2 電位控制晶體管T3短路晶體管T4 驅(qū)動(dòng)晶體管T5驅(qū)動(dòng)控制晶體管TFT 薄膜晶體管Ve閾值電壓Vg 柵極電壓、柵極電位Vgs 柵極源極間電壓Vn 選擇晶體管T1側(cè)的電壓VSR 垂直開關(guān)電路 Vs源極電位Vsig 數(shù)據(jù)電壓 Vtn 閾值電壓Vtp 閾值電壓 μ載流子遷移率，ε 介電常數(shù)具體實(shí)施方式

以下根據(jù)圖式說明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1為表示實(shí)施例的像素電路的構(gòu)成。數(shù)據(jù)線DL向垂直方向延伸，且將有關(guān)像素的顯示輝度的數(shù)據(jù)信號(hào)(數(shù)據(jù)電壓Vsig)供給至像素電路。數(shù)據(jù)線D1相對(duì)于1列的像素設(shè)置1條，且依序?qū)⒃撓袼氐臄?shù)據(jù)電壓Vsig供給至垂直方向的像素。
在此，數(shù)據(jù)線DL連接有n溝道的選擇晶體管T1的漏極，而該選擇晶體管T1的源極則連接在電容器Cs的一端。選擇晶體管T1的柵極連接在向水平方向延伸的柵極線GL。而在此柵極線GL則連接有水平方向的各像素電路的選擇晶體管T1的柵極。
在此，柵極線GL連接有p溝道的電位控制晶體管T2的柵極。因此，在選擇晶體管T1為導(dǎo)通(ON)時(shí)，電位控制晶體管T2即截止(OFF)，而選擇晶體管T1為截止時(shí)，電位控制晶體管T2即導(dǎo)通。電位控制晶體管T2的源極連接在電源線(正電源)PVdd，而漏極則連接在電容器Cs與選擇晶體管T1的源極。另外，電源線PVdd也向垂直方向延伸，將電源電壓PVdd供給至垂直方向的各像素。
電容器Cs的另一端連接在p溝道的驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極。而驅(qū)動(dòng)晶體管T4的源極則連接在電源線PVdd，漏極則連接在n溝道的驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5的漏極。驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5的源極連接在有機(jī)EL組件EL的陽極，而柵極則連接在向水平方向延伸的發(fā)光設(shè)定線ES。而且，有機(jī)EL組件EL的陰極連接在低電壓的陰極電源(負(fù)電源)CV。
此外，在驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極連接有n溝道的短路晶體管T3的漏極，而該短路晶體管T3的源極連接在驅(qū)動(dòng)晶體管T4，而柵極則連接在柵極線GL。
如此，在本實(shí)施例中，向垂直方向配置有數(shù)據(jù)線DL、電源線PVdd，且向水平方向配置有柵極線GL、發(fā)光設(shè)定線ES。
其次，說明此像素電路的動(dòng)作。
如圖2所示，此像素電路與柵極線GL、發(fā)光設(shè)定線ES的狀態(tài)(高(H)電位、低(L)電位)對(duì)應(yīng)，具有(i)放電(discharge)(GL＝H電位，ES＝H電位)、(ii)復(fù)位(reset)(GL＝H電位，ES＝L電位)、(iii)電位固定(GL＝L電位，ES＝L電位)、(iv)發(fā)光(GL＝L電位，ES＝H電位)等4個(gè)狀態(tài)，且重復(fù)此4個(gè)狀態(tài)。換言之，在使數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)有效的狀態(tài)下，(i)進(jìn)行放電，之后，(ii)通過復(fù)位(reset)，決定電容器Cs的充電電壓，在(iii)將柵極電壓Vg固定，(iv)并以與被固定的柵極電壓對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流使有機(jī)EL組件EL發(fā)光。
并且，數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)如圖所示，在(i)放電步驟之前為有效，在(iii)固定步驟之后為無效。因此，從(i)放電步驟起至(iii)固定步驟為止在數(shù)據(jù)線設(shè)定有效的數(shù)據(jù)。
以下說明個(gè)別的狀態(tài)。另外，在圖3至圖6中以虛線表示截止(OFF)的晶體管。
(i)放電(GL＝H電位，ES＝H電位)首先，在對(duì)于數(shù)據(jù)線DL供給數(shù)據(jù)電壓Vsig的狀態(tài)下，將柵極線GL、發(fā)光設(shè)定線ES兩方設(shè)為H電位(高電位)。藉此，選擇晶體管T1、驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5、短路晶體管T3即導(dǎo)通，而電位控制晶體管T2即截止。因此，如圖3所示，在電容器Cs的選擇晶體管T1側(cè)的電壓Vn＝Vsig的狀態(tài)下，來自電源線PVdd的電流即經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管T4、驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5、有機(jī)EL組件EL流通于陰極電源CV，且由此使保持在驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極的電荷被汲出。藉此，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓Vg即成為預(yù)定的低電壓。
(ii)復(fù)位(GL＝H電位，ES＝L電位)從上述放電的狀態(tài)，將發(fā)光設(shè)定線ES變更為L電位(低電位)。藉此，如圖4所示，驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5即截止，被復(fù)位為驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓Vg＝Vg0＝PVdd-|Vtp|。在此，該Vtp為驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓。即，驅(qū)動(dòng)晶體管T4在源極連接于電源PVdd的狀態(tài)下，通過短路晶體管T3，使柵極漏極間短路，因此該驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓被復(fù)位為比電源PVdd僅低驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓|Vtp|的電壓后被截止。此時(shí)電容器Cs的選擇晶體管T1側(cè)的電位Vn＝Vsig，至于電容器Cs則對(duì)其充電至|Vsig-(PVdd-|Vtp|)|的電壓。
(iii)電位固定(柵極線GL＝L電位，ES＝L電位)然后，將柵極線GL設(shè)為L電位，使選擇晶體管T1、短路晶體管T3截止(off)，且使電位控制晶體管T2導(dǎo)通(on)。藉此，如圖5所示，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極即從漏極被切離。然后，由于電位控制晶體管T2導(dǎo)通，而成為Vn＝PVdd。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電位Vg，與Vn的變化對(duì)應(yīng)而位移。另外，在驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極與源極之間，由于存在有寄生電容Cp，因此柵極電位Vg會(huì)受到該寄生電容Cp的影響。
(iv)發(fā)光(GL＝L電位，ES＝H電位)接著，如圖6所示，通過將發(fā)光設(shè)定線ES設(shè)為H電位，使驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5導(dǎo)通，且由此使來自驅(qū)動(dòng)晶體管T4的驅(qū)動(dòng)電流流通于有機(jī)EL組件EL。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流雖會(huì)成為由驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓所決定的驅(qū)動(dòng)晶體管T4的漏極電流，然而此漏極電流與驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓Vtp將變成無關(guān)，因而可抑制隨閾值電壓的變動(dòng)所產(chǎn)生發(fā)光量的變動(dòng)。
現(xiàn)根據(jù)圖7說明此情況。
如上所述，(ii)復(fù)位后，如圖中○所示，Vn(＝Vsig)為Vsig(max)至Vsig(min)之間的值，Vg是從PVdd僅減去驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓Vtp的電壓Vg0。即，Vg＝Vg0＝PVdd+Vtp(Vtp＜0)、Vn＝Vsig。
再者，進(jìn)入(iii)的電位固定時(shí)，Vn從Vsig變化至PVdd，因此該變化量△Vg考慮Cs、Cp的電容，而表示成△Vg＝PVdd+Cs(PVdd-Vsig)/(Cs+Cp)。
因此，Vn、Vg如圖中●所示，為Vn＝PVdd，Vg＝Vtp+△Vg＝PVdd+Vtp+Cs(PVdd-Vsig)/(Cs+Cp)。
在此，由于Vgs＝Vg-PVdd，因此Vgs＝Vtp+Cs(PVdd-Vsig)/(Cs+Cp)。
另一方面，漏極電流I表示成I＝(1/2)β(Vgs-Vtp)2，將上式代入，漏極電流I即以下式表示。
I＝(1/2)β{Vtp+Cs(PVdd-Vsig)/(Cs+Cp)-Vtp}2＝(1/2)β{Cs(PVdd-Vsig)/(Cs+Cp)}2＝(1/2)βα(Vsig-PVdd)2在此，α＝{Cs/(Cs+Cp)}2，β為驅(qū)動(dòng)晶體管T4放大率，且β＝μεGw/G1，μ為載流子的遷移率，ε為介電常數(shù)，Gw為柵極寬度，G1為柵極長度。
如此，在漏極電流I的式中，不包括Vtp，而與Vsig-PVdd的2次乘方成比例。因此，可排除驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓的不均的影響，而達(dá)成與數(shù)據(jù)電壓Vsig對(duì)應(yīng)的發(fā)光。
在上述說明中，僅說明關(guān)于1個(gè)像素的動(dòng)作。實(shí)際上，顯示面板將像素配置成矩陣狀，且供給數(shù)據(jù)電壓Vsig以使各有機(jī)EL組件發(fā)光，其中該數(shù)據(jù)電壓Vsig與關(guān)于這些各像素對(duì)應(yīng)的輝度信號(hào)對(duì)應(yīng)。即，如圖8所示，顯示面板設(shè)有水平開關(guān)電路HSR與垂直開關(guān)電路VSR，通過這些電路的輸出以控制數(shù)據(jù)線DL、柵極線GL、其它發(fā)光設(shè)定線ES等狀態(tài)。尤其對(duì)于水平方向的各像素，使1條柵極線GL與其對(duì)應(yīng)，而該柵極線GL通過垂直開關(guān)電路VSR而一個(gè)一個(gè)地依序被激活。接著，在1條柵極線GL被激活的1水平期間，通過水平開關(guān)電路HSR而將數(shù)據(jù)電壓依照點(diǎn)順序供給至所有的數(shù)據(jù)線DL，且此為將數(shù)據(jù)寫入1水平線內(nèi)的像素電路。然后，在各像素電路中即會(huì)有與寫入到1垂直期間后的數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的發(fā)光。
其次，根據(jù)圖9說明對(duì)于1水平線內(nèi)的各像素寫入數(shù)據(jù)的順序。
首先，在用于表示1水平期間的開始的使能(enable)信號(hào)ENB的L電位之后，依照點(diǎn)順序?qū)?shù)據(jù)電壓Vsig寫入所有的數(shù)據(jù)線DL。即，數(shù)據(jù)線DL連接有電容等，通過設(shè)定電壓信號(hào)，使該數(shù)據(jù)電壓Vsig保持在數(shù)據(jù)線DL。于是，通過將關(guān)于各行像素的數(shù)據(jù)電壓Vsig設(shè)定在依序?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線DL，而將數(shù)據(jù)電壓Vsig設(shè)定在所有的數(shù)據(jù)線DL。
然后，在該數(shù)據(jù)的設(shè)定結(jié)束的階段，將Hout設(shè)為H電位，并將柵極線GL設(shè)為H電位而使之被激活，且針對(duì)上述1水平方向的各像素進(jìn)行動(dòng)作，以進(jìn)行各像素的數(shù)據(jù)寫入、發(fā)光。
如此，即可依序?qū)⑼ǔ５囊曨l信號(hào)(數(shù)據(jù)電壓Vsig)寫入數(shù)據(jù)線DL，且將該信號(hào)設(shè)定在像素電路而使其發(fā)光。
接著，根據(jù)圖10說明另一方式。在此例中，在使能線ENB為L電位的期間，將發(fā)光設(shè)定線ES設(shè)為L電位，且在使能線ENB升起至H電位時(shí)將柵極線GL設(shè)為H電位(被激活)。在此狀態(tài)下，依序?qū)?shù)據(jù)電壓Vsig設(shè)定在數(shù)據(jù)線DL。然后，在將數(shù)據(jù)電壓Vsig設(shè)定在所有的數(shù)據(jù)線DL時(shí)，將發(fā)光設(shè)定線ES設(shè)為高電位，以進(jìn)行上述的放電，且在之后將發(fā)光設(shè)定線ES恢復(fù)成L電位。柵極線GL與使能線ENB的下降同步恢復(fù)成L電位，而在使能線ENB為L電位時(shí)則將使能線ENB恢復(fù)為H電位。藉此，進(jìn)行與上述示例同樣的動(dòng)作。
接著說明各種變形例。
(A)變形例1圖11為表示變形例1的構(gòu)成。在此變形例1中將選擇晶體管T1、短路晶體管T3設(shè)為p溝道，且將電位控制晶體管T2設(shè)為n溝道。在此種構(gòu)成中，通過將柵極線GL的H電位、L電位設(shè)成與上述實(shí)施例相反，而能夠使其與實(shí)施例同樣的動(dòng)作。
在此變形例1中的柵極線GL、與發(fā)光設(shè)定線ES的控制對(duì)應(yīng)的選擇晶體管T1、驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5的導(dǎo)通與截止(on，off)，如圖12所示，與上述的圖2所示的相同。
(B)變形例2圖13為表示變形例2的構(gòu)成。在此變形例2中，相較于實(shí)施例的像素電路，設(shè)有專用的控制線CS作為控制電位控制晶體管T2之用。因此，可通過控制線CS而獨(dú)立控制電位控制晶體管T2。于是，如圖14所示，可通過控制線CS，在選擇晶體管T1導(dǎo)通之前，使電位控制晶體管T2截止，且在選擇晶體管T1截止之后，與驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5一同使電位控制晶體管T2導(dǎo)通。
依據(jù)此種構(gòu)成，水平方向的線雖將增加，然而可在最適當(dāng)?shù)臅r(shí)序使電位控制晶體管T2導(dǎo)通截止。即，可確實(shí)消除短路晶體管T3與電位控制晶體管T2的同時(shí)導(dǎo)通的期間，且可予以正確的固定柵極電位，而使修正精確度提升。
另外，圖15是相對(duì)于圖13將電位控制晶體管T2設(shè)為n溝道的例子，圖16是將選擇晶體管T1、短路晶體管T3設(shè)為p溝道，將電位控制晶體管T2設(shè)為n溝道的例子，圖17是將選擇晶體管T1、短路晶體管T3、電位控制晶體管T2均設(shè)為p溝道的例子。
(C)變形例3圖18為另一變形示例，將選擇晶體管T1、電位控制晶體管T2連接于柵極線GL，且設(shè)置專用的設(shè)定線RST，并將此設(shè)定線RST連接于短路晶體管T3。在此構(gòu)成中，如圖19所示，可通過設(shè)定線RST，在選擇晶體管T1的截止及驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5的導(dǎo)通之前，先使短路晶體管T3截止。
因此，可與變形例2同樣，消除電位控制晶體管T2、短路晶體管T3的同時(shí)導(dǎo)通期間。通過此種構(gòu)成，配置在柵極線GL附近的晶體管，只要選擇晶體管T1、電位控制晶體管T2兩個(gè)即可，而晶體管在像素電路中的布局(layout)即變得容易。然而，此時(shí)選擇晶體管T1、短路晶體管T3的截止時(shí)序?qū)⑵?，而有可能于此時(shí)在Vg產(chǎn)生噪聲。
(D)變形例4圖20為又一變形示例。在此例中，將選擇晶體管T1、電位控制晶體管T2連接在柵極線GL，且將短路晶體管T3、驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5連接在發(fā)光設(shè)定線ES。在此例中，如圖21所示，從發(fā)光狀態(tài)起，柵極線GL成為H電位，電位控制晶體管T2成為截止，選擇晶體管T1成為導(dǎo)通，而將數(shù)據(jù)電壓Vsig供給至電容器Cs的一端。此時(shí)短路晶體管T3即截止，而驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5成呈導(dǎo)通。接下來，發(fā)光設(shè)定線ES成為L電位，短路晶體管T3成為導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5成為截止。直到之前瞬間電流均流動(dòng)于有機(jī)EL組件EL，而驅(qū)動(dòng)晶體管T4的漏極成為較低的電壓，通過短路晶體管T3導(dǎo)通，而進(jìn)行在Vg設(shè)定成PVdd+Vtp的值的復(fù)位。之后，發(fā)光設(shè)定線ES即成為H電位，而在短路晶體管T3截止，驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5導(dǎo)通的階段，柵極線GL即成為H電位，進(jìn)行電位的固定及發(fā)光。
依據(jù)此變形例4，通過在柵極線GL的附近配置選擇晶體管T1、電位控制晶體管T2，且于發(fā)光設(shè)定線ES的附近配置短路晶體管T3、驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5，配線的布線即變得非常容易。因此，像素電路的布局即變得容易。然而，由于選擇晶體管T1與短路晶體管T3的時(shí)序偏移，因此也有噪聲容易隨之產(chǎn)生的缺點(diǎn)。再者，由于無法設(shè)置如其它構(gòu)成例的放電步驟，因此也會(huì)有無法充分進(jìn)行關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極的電荷的釋放。
(E)變形例5圖22為又一變形例。在此例中，將電位控制晶體管T2連接在發(fā)光設(shè)定線ES而非電源PVdd。即，在上述實(shí)施例中，雖通過電位控制晶體管T2將電容Cs的選擇晶體管T1側(cè)與電源PVdd作連接，然而在此例中則是將電容Cs的選擇晶體管T1側(cè)連接在發(fā)光設(shè)定線ES。此發(fā)光設(shè)定線ES在L電位時(shí)設(shè)定為VVBB，且在H電位時(shí)設(shè)定為PVdd。于是，在此電路中，也可獲得與上述電路同樣的動(dòng)作。另外，為了達(dá)成上述的動(dòng)作，由電位控制晶體管T2所連接的電容Cs的選擇晶體管T1側(cè)的對(duì)象，并不以電源PVdd為限。即，針對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管T4，只要可獲得適當(dāng)?shù)奈灰屏?，也可為其它電壓的電源?br> 以下說明此變形例5的各狀態(tài)。
(i)放電(GL＝H，ES＝H)首先，在對(duì)于數(shù)據(jù)線DL供給數(shù)據(jù)電壓Vsig的狀態(tài)下，將柵極線GL、發(fā)光設(shè)定線ES兩方設(shè)為H電位(高電位)。藉此，選擇晶體管T1、驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5、短路晶體管T3即導(dǎo)通，而電位控制晶體管T2即截止。因此，如圖23所示，在電容器Cs的選擇晶體管T1側(cè)的電壓Vn＝Vsig的狀態(tài)下，來自電源線PVdd的電流即經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管T4、驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5、有機(jī)EL組件EL流通至陰極電源CV，且由此使保持在驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極的電荷被汲出。藉此，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓Vg即成為預(yù)定的低電壓。
(ii)復(fù)位(reset)(GL＝H，ES＝L)從上述放電的狀態(tài)，將發(fā)光設(shè)定線ES變更為L電位(低電位)。藉此，如圖24所示，驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5即截止，被復(fù)位為驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓Vg＝Vg0＝PVdd-|Vtp|。在此，該Vtp為驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓。即，驅(qū)動(dòng)晶體管T4在源極連接在電源PVdd的狀態(tài)下，通過短路晶體管T3，使柵極漏極間短路，因此該驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓被復(fù)位為比電源PVdd僅低驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓|Vtp|的電壓后被截止。此時(shí)電容器Cs的選擇晶體管T1側(cè)的電位Vn＝Vsig，至于電容器Cs則對(duì)其充電至|Vsig-(PVdd-|Vtp|)|的電壓。
(iii)電位固定(GL＝L，ES＝L)其次，將柵極線GL設(shè)為L電位，使選擇晶體管T1、短路晶體管T3截止(不導(dǎo)通)，且使電位控制晶體管T2導(dǎo)通。此時(shí)，發(fā)光設(shè)定線ES的電壓為L電位，被設(shè)定成與柵極線GL的L電位的電壓VVBB相同的電壓。因此，Vsig＞Vn＞VVBB，如果選擇晶體管T1未成為截止(不導(dǎo)通)，則電位控制晶體管T2不會(huì)導(dǎo)通。如此，在選擇晶體管T1截止至后，由于電位控制晶體管T2導(dǎo)通，因此充電至電容器Cs的電壓即被維持，而數(shù)據(jù)電壓不會(huì)被破壞。
然后，通過選擇晶體管T1截止，電位控制晶體管T2導(dǎo)通，如圖25所示，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極即從漏極被切離，且通過一方電位控制晶體管T2導(dǎo)通，Vn即成為發(fā)光設(shè)定線ES＝VVBB+|VtpT2|。
(iv)發(fā)光(GL＝L，ES＝H)其次，如圖26所示，通過將發(fā)光設(shè)定線ES設(shè)為H電位，使驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5導(dǎo)通。而且，通過將發(fā)光設(shè)定線ES的電位設(shè)定為PVdd，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電位即僅位移PVdd-VVBB+|VtpT2|。另外，此時(shí)的電壓位移量會(huì)受到驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電容Cp的影響。
如此，電壓即位移，且由于驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5導(dǎo)通而使來自驅(qū)動(dòng)晶體管T4的驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)于有機(jī)EL組件EL。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流雖會(huì)成為由驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓所決定的驅(qū)動(dòng)晶體管T4的漏極電流，然而此漏極電流與驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓Vtp將變成無關(guān)，而可抑制隨閾值電壓的變動(dòng)所產(chǎn)生發(fā)光量的變動(dòng)。
并且，電位控制晶體管T2的漏極連接在發(fā)光設(shè)定線ES。此發(fā)光設(shè)定線ES雖在H電位時(shí)設(shè)定為電源電壓PVdd，然而此發(fā)光設(shè)定線ES與用于將電流供給至有機(jī)EL組件EL的電源供給線PVdd各自獨(dú)立地接收電源電壓PVdd的供給。因此，由于各像素的有機(jī)EL組件EL的驅(qū)動(dòng)電流，而使發(fā)光設(shè)定線ES的電壓幾乎不會(huì)變動(dòng)。因此，可防止經(jīng)由電位控制晶體管T2供給至電容器Cs一端的位移用的電壓變動(dòng)而使顯示被擾亂的情況。
例如，電壓位移量△Vg如后述所示，表示成△Vg＝CS(Vsig-PVdd)/(Cs+Cp)，包括有PVdd。因此，當(dāng)PVdd變動(dòng)時(shí)，△Vg雖變化，然而在本實(shí)施例中會(huì)使該變化受到抑制。尤其在像素?cái)?shù)增加時(shí)，該P(yáng)Vdd的變化，雖會(huì)成為串?dāng)_(crosstalk)或輝度斜率產(chǎn)生的原因，然而依據(jù)本實(shí)施例，可抑制對(duì)于這些顯示所造成的影響。
(F)變形例6圖27為表示變形例6的構(gòu)成。此例基本上雖與變形例5相同，然而是將選擇晶體管T1、短路晶體管T3設(shè)為p溝道，且將電位控制晶體管T2設(shè)為n溝道。在此種構(gòu)成中，通過將柵極線GL的H、L設(shè)成與上述變形例5相反，而能夠使其與實(shí)施例同樣的動(dòng)作。
(G)變形例7圖28為表示變形例7的構(gòu)成。在此變形例7中，將電容設(shè)定線CS連接在電位控制晶體管T2的柵極。此外，在此例中，將電位控制晶體管T2設(shè)為n溝道晶體管。如此，具有作為導(dǎo)通截止電位控制晶體管T2之用的專用線的電容設(shè)定線CS。然后，如圖29所示，將該電容設(shè)定線CS設(shè)為H電位＝VVDD、L電位＝VVBB。可防止電壓Vn電位的一度下降。即在圖22等的實(shí)施例中，由于柵極線GL與電容設(shè)定線CS為共享，發(fā)光線ES非以L電位的時(shí)序閉合(close)柵極線GL不可，而電壓Vn則依Vsig→VVBB+|VtpT2|→PVDD的方式變化。
在變形例7中，由于可將柵極線GL與電容設(shè)定線CS與發(fā)光線ES的時(shí)序個(gè)別設(shè)定，如圖29所示，若在發(fā)光線ES成為H電位后使電容設(shè)定線CS導(dǎo)通，電壓Vn不會(huì)一度下降而直接變化成PVDD，可進(jìn)行更穩(wěn)定的動(dòng)作。
另外，在上述實(shí)施例中，各種的電壓最好設(shè)定成如下所示。即可將電源線PVdd設(shè)定為PVdd，發(fā)光設(shè)定線ES設(shè)定為H電位＝PVdd，L電位＝VVBB，柵極線GL設(shè)定為H電位＝VVDD，L電位＝VVBB，電容設(shè)定線Cs設(shè)定為H電位＝VVDD，L電位＝VVBB，陰極電源CV＝CV，PVdd＝8V，VVDD＝10V，VVBB＝-2V、CV＝-2V程度。
(H)變形例8在此變形例8中，如圖30所示，采用n溝道晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管T4。再者，此驅(qū)動(dòng)晶體管T4的源極連接在有機(jī)EL組件EL的陽極，而漏極則連接在n溝道的驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5的源極，該驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5的漏極連接在電源PVdd。
并且，與柵極線GL同樣設(shè)有向水平方向延伸的電容設(shè)定線CS，而在該電容設(shè)定線CS連接有n溝道的電位控制晶體管T2。
另外，其它構(gòu)成基本上與圖1的電路相同。
其次說明該像素電路的動(dòng)作。
如圖31所示，此像素電路(包括數(shù)據(jù)線DL)，在1水平期間，與柵極線GL、發(fā)光設(shè)定線ES、電容設(shè)定線CS的狀態(tài)(H、L)對(duì)應(yīng)，具有(i)數(shù)據(jù)設(shè)定(GL＝H，ES＝L，CS＝L)、(ii)預(yù)充電(GL＝H，ES＝H，CS＝L)、(iii)復(fù)位(GL＝H，ES＝L，CS＝L)、(iv)電位固定(GL＝L，ES＝L，CS＝L)、(v)發(fā)光(GL＝L，ES＝H，CS＝H)等5個(gè)狀態(tài)，且重復(fù)此5個(gè)狀態(tài)。
并且，在數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)如圖所示，在選擇寫入對(duì)象的線的階段中依序?qū)?shù)據(jù)設(shè)定在該水平線的各行的數(shù)據(jù)線DL。即，依照每一像素的點(diǎn)順序而將數(shù)據(jù)對(duì)數(shù)據(jù)線DL作輸出。再者，在將數(shù)據(jù)設(shè)定在所有的數(shù)據(jù)線DL之后，即將該數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)電壓)取入各像素電路。
以下說明寫入的動(dòng)作。
(i)數(shù)據(jù)設(shè)定(GL＝H，ES＝L，CS＝L)首先，設(shè)定發(fā)光設(shè)定線ES＝L電位，將來自電源線PVdd的電流遮斷，同時(shí)設(shè)定電容設(shè)定線CS＝L電位，以降低選擇晶體管T1與電容CS的連接點(diǎn)的電壓。然后，在此狀態(tài)下將柵極線GL設(shè)為H電位，依序?qū)⑴c數(shù)據(jù)線DL對(duì)應(yīng)的各像素的數(shù)據(jù)電壓予以設(shè)定。因此，將數(shù)據(jù)線DL設(shè)定數(shù)據(jù)的電壓施加在電容CS。另外，對(duì)于數(shù)據(jù)線DL雖依照點(diǎn)順序?qū)?shù)據(jù)電壓對(duì)于數(shù)據(jù)線DL作設(shè)定，然而各數(shù)據(jù)線DL連接有電容，而使暫時(shí)被施加的數(shù)據(jù)電壓被保持。
(ii)預(yù)充電(GL＝H，ES＝H，CS＝L)在結(jié)束對(duì)于各數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)設(shè)定之后，將發(fā)光設(shè)定線ES設(shè)為H電位。藉此，由于驅(qū)動(dòng)晶體管T4的漏極連接在電源線PVdd，且短路晶體管T3成為導(dǎo)通，因此驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極即被充電到電源電位PVdd。
(iii)復(fù)位(GL＝H，ES＝L，CS＝L)之后，將發(fā)光設(shè)定線ES恢復(fù)為L電位，且將驅(qū)動(dòng)晶體管T4從電源PVdd予以切離。藉此，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電位即從該源極電位下降到僅施加有閾值電壓Vtn的補(bǔ)償(offset)的電位。另一方面，由于成為有機(jī)EL組件EL的閾值電壓Ve，因此成為驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓Vg＝Ve+Vtn。而且，此時(shí)的電容器Cs的數(shù)據(jù)線DL側(cè)即成為數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電壓Vsig。
(iv)電位固定(GL＝L，ES＝L，CS＝L)接著，將柵極線GL設(shè)定為L電位，且使選擇晶體管T1、短路晶體管T3截止。藉此，如圖32所示，即固定為驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓Vg＝Ve+Vtn。此時(shí)，電容器Cs的相反側(cè)的電壓為Vsig，至于電容器CS，則對(duì)其充電至Vsig-Vg＝Vsig-(Ve+Vtn)的電壓。
(v)發(fā)光(GL＝L，ES＝H，CS＝H)在電位被固定之后，將發(fā)光設(shè)定線ES及電容設(shè)定線CS設(shè)為H電位。藉此，如圖30所示，電容器Cs的選擇晶體管T1側(cè)的電壓即成為PVdd，因此驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極電壓Vg＝PVdd-Vsig+Ve+Vtn。然后，由于驅(qū)動(dòng)控制晶體管T5也成為導(dǎo)通，因此驅(qū)動(dòng)晶體管T4即使與該柵極源極間電壓Vgs對(duì)應(yīng)的電流流通，也將該電流供給至有機(jī)EL組件EL。在此，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的源極電位Vs＝Ve+IR。在此，I是流動(dòng)于有機(jī)EL組件EL的電流值，R是有機(jī)EL組件EL的導(dǎo)通電阻。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極源極間電壓Vgs＝Vg-Vs＝PVdd-Vsig+Vtn-IR。
有機(jī)EL組件EL的導(dǎo)通電阻R可通過將有機(jī)EL組件的面積增大，且將有機(jī)EL組件的有機(jī)層變薄，而使其變得極小。再者，由于驅(qū)動(dòng)晶體管T4的漏極電流I由I＝(1/2)β(Vgs-Vtn)2所決定，因此不須驅(qū)動(dòng)晶體管T4的閾值電壓，即可將與數(shù)據(jù)電壓Vsig對(duì)應(yīng)的電流流通至驅(qū)動(dòng)晶體管T4。另外，β為驅(qū)動(dòng)晶體管T4放大率，表示成β＝μεGw/G，μ是載流子的遷移率，而ε是介電常數(shù)，Gw是柵極寬度，Gl是柵極長度。
尤其驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極源極間電壓Vgs由根據(jù)將數(shù)據(jù)電壓Vsig從PVdd減算的電壓而決定。因此，數(shù)據(jù)電壓Vsig可利用與直接供給至p溝道的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的數(shù)據(jù)電壓Vsig相同的電壓。因此，可將用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線DL的電路作成與傳統(tǒng)相同的構(gòu)成。
接著，根據(jù)圖34說明對(duì)于1水平線內(nèi)的各像素寫入數(shù)據(jù)的順序。
首先，在用于表示1水平期間的開始的使能信號(hào)ENB的L之后，依照點(diǎn)順序?qū)?shù)據(jù)電壓Vsig寫入所有的數(shù)據(jù)線DL。即，數(shù)據(jù)線DL連接有電容等，通過設(shè)定電壓信號(hào)，以使該數(shù)據(jù)電壓Vsig保持在數(shù)據(jù)線DL。于是，通過將關(guān)于各行像素的數(shù)據(jù)電壓Vsig設(shè)定在依序?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線DL，而將數(shù)據(jù)電壓Vsig設(shè)定在所有的數(shù)據(jù)線DL。
然后，在結(jié)束該數(shù)據(jù)的設(shè)定的階段，將發(fā)光設(shè)定線ES設(shè)為H電位進(jìn)行預(yù)充電，且在之后將發(fā)光設(shè)定線ES恢復(fù)為L電位以進(jìn)行復(fù)位。然后，通過將柵極線GL恢復(fù)為L電位，固定像素電路內(nèi)的電容器Cs的充電電壓，并在之后通過將電容設(shè)定線CS設(shè)為H電位而使驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極位移，以在該水平線的所有像素中進(jìn)行發(fā)光。
如此，即可依序?qū)⑼ǔ５囊曨l信號(hào)(數(shù)據(jù)電壓Vsig)寫入數(shù)據(jù)線DL，且將該信號(hào)設(shè)定在像素電路而使其發(fā)光。
尤其如圖30所示，最好將使用在像素電路的晶體管(薄膜晶體管TFT)全部設(shè)為n溝道晶體管。n溝道晶體管的特性比p溝道晶體管優(yōu)異。因此，即使將晶體管的有源層設(shè)為非晶硅，也可充分動(dòng)作。于是，關(guān)于有源層方面，即可不須予以多晶硅化的處理而改善良率。
并且，即使在選擇晶體管T1與驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極之間插入電容器Cs，也可利用與將傳統(tǒng)的選擇晶體管直接連接在p溝道的驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端時(shí)相同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。
(I)變形例9圖35為表示變形例9的像素電路的構(gòu)成，在此例中，電位控制晶體管T2的一端(漏極)連接在發(fā)光設(shè)定線ES而非電源線PVdd。依據(jù)此構(gòu)成，也可獲得與圖1的例子相同的作用。而且，以電源而言雖連接在相同的PVdd，然而發(fā)光設(shè)定線ES與電源線PVdd為個(gè)別的線，其相較于對(duì)于有機(jī)EL組件EL驅(qū)動(dòng)供給的電源線PVdd，不會(huì)有電壓變動(dòng)，而可獲得穩(wěn)定的動(dòng)作。即，在設(shè)定通過電位控制晶體管T2的電壓Vn時(shí)，不會(huì)有受到電源線PVdd的電壓降的影響的情況。
權(quán)利要求
1.一種用于有機(jī)EL面板的像素電路，具有將與控制端的電位對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流供給至有機(jī)EL組件的驅(qū)動(dòng)晶體管；插入配置于預(yù)定的電源與前述有機(jī)EL組件之間，且使前述驅(qū)動(dòng)電流導(dǎo)通或截止(on-off)的驅(qū)動(dòng)控制晶體管；用于控制是否使前述驅(qū)動(dòng)晶體管為二極管連接的短路晶體管；用于控制是否將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)供給至前述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端的選擇晶體管；插入配置于該選擇晶體管與前述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端之間的電容；以及使該電容的前述選擇晶體管側(cè)與前述預(yù)定的電源之間的連接予以導(dǎo)通或截止(on-off)的電位控制晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，前述驅(qū)動(dòng)晶體管將2個(gè)被控制端的一端連接在正電源，而另一端則連接在前述驅(qū)動(dòng)控制晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，前述電位控制晶體管使前述電容的前述選擇晶體管側(cè)與前述正電源之間的連接予以導(dǎo)通或截止。
4.如權(quán)利要求2所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，前述驅(qū)動(dòng)晶體管為p溝道晶體管。
5.如權(quán)利要求1的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，前述驅(qū)動(dòng)晶體管將2個(gè)被控制端的一端連接在前述驅(qū)動(dòng)控制晶體管，而將另一端連接在前述有機(jī)EL組件。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)EL面板的像素電路，其中，前述電位控制晶體管使前述電容的前述選擇晶體管側(cè)與前述正電源之間的連接予以導(dǎo)通或截止。
7.如權(quán)利要求5所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，前述驅(qū)動(dòng)晶體管為n溝道晶體管。
8.如權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，具有連接在前述選擇晶體管的控制端，且用于控制前述選擇晶體管的導(dǎo)通截止的控制線，該控制線也連接有前述短路晶體管的控制端，并且前述選擇晶體管與前述短路晶體管同時(shí)導(dǎo)通或截止。
9.如權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，具有連接在前述選擇晶體管的控制端，且用于控制前述選擇晶體管的導(dǎo)通或截止的控制線，該控制線也連接有前述電位控制晶體管的控制端，并且前述選擇晶體管與前述電位控制晶體管在一方導(dǎo)通時(shí)另一方即截止。
10.如權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，具有連接在前述選擇晶體管的控制端，且用于控制前述選擇晶體管的導(dǎo)通或截止的控制線，該控制線也連接有前述短路晶體管及前述電位控制晶體管的控制端，以及前述選擇晶體管與前述短路晶體管同時(shí)導(dǎo)通截止，而前述選擇晶體管與前述電位控制晶體管在一方導(dǎo)通時(shí)另一方即截止。
11.一種有機(jī)EL面板的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其中前述像素電路包括將與控制端的電位對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流供給至有機(jī)EL組件的驅(qū)動(dòng)晶體管；插入配置在預(yù)定的電源與前述有機(jī)EL組件之間，且使前述驅(qū)動(dòng)電流導(dǎo)通截止的驅(qū)動(dòng)控制晶體管；用于控制是否使前述驅(qū)動(dòng)晶體管為二極管連接的短路晶體管；用于控制是否將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)供給至前述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端的選擇晶體管；插入配置在該選擇晶體管與前述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端之間的電容；以及使該電容的前述選擇晶體管側(cè)與前述預(yù)定的電源之間的連接導(dǎo)通截止的電位控制晶體管，前述驅(qū)動(dòng)方法具有使選擇晶體管及短路晶體管導(dǎo)通，并使電位控制晶體管截止，同時(shí)在將前述電容的選擇晶體管側(cè)的電壓設(shè)為數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓的狀態(tài)下，相對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管的被控制端一方的電壓，將驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端電壓設(shè)定成差異有相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的電壓的復(fù)位步驟；以及使選擇晶體管、短路晶體管截止，并使驅(qū)動(dòng)控制晶體管導(dǎo)通，以將驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端電壓設(shè)定成數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓以及與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)的電壓，且使驅(qū)動(dòng)控制晶體管導(dǎo)通，以使來自驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流流通于有機(jī)EL組件的發(fā)光步驟。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)EL面板的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其中，作為前述復(fù)位步驟之前的步驟，是將前述選擇晶體管及短路晶體管設(shè)為導(dǎo)通，電位控制晶體管設(shè)為截止，前述驅(qū)動(dòng)晶體管設(shè)為導(dǎo)通，以使前述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端的電荷釋出的放電步驟。
13.如權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，前述驅(qū)動(dòng)控制晶體管通過發(fā)光設(shè)定線控制導(dǎo)通截止，前述電位控制晶體管使前述電容的前述選擇晶體管側(cè)與前述發(fā)光設(shè)定線之間的連接導(dǎo)通或截止。
14.如權(quán)利要求13所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中具有連接在前述選擇晶體管的控制端，且用于控制前述選擇晶體管的導(dǎo)通截止的控制線，此控制線也連接有前述電位控制晶體管的控制端，并且前述選擇晶體管與前述電位控制晶體管互補(bǔ)式地導(dǎo)通或截止。
15.如權(quán)利要求14所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中，前述控制線也連接有前述短路晶體管的控制端，并且前述選擇晶體管與前述短路晶體管同時(shí)導(dǎo)通截止。
16.如權(quán)利要求13所述的用于有機(jī)EL面板的像素電路，其中具有連接在前述選擇晶體管的控制端，且用于控制前述選擇晶體管的導(dǎo)通截止的控制線，前述發(fā)光設(shè)定線在通過前述控制線使選擇晶體管導(dǎo)通之后，設(shè)定成使發(fā)光控制晶體管截止的電壓，并在通過前述控制線使選擇晶體管截止之后，設(shè)定成使驅(qū)動(dòng)控制晶體管導(dǎo)通的電壓。
全文摘要
本發(fā)明是通過控制驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端的電位以使與該晶體管的控制端的電位對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流供給至有機(jī)EL組件。又在驅(qū)動(dòng)晶體管與前述有機(jī)EL組件之間插入配置驅(qū)動(dòng)控制晶體管，以使前述驅(qū)動(dòng)電流導(dǎo)通或截止(on－off)。并且，設(shè)置短路晶體管，且通過該短路晶體管以控制是否將驅(qū)動(dòng)晶體管予以二極管連接。再者，通過選擇晶體管，控制是否將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)供給至前述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端。再者，在該選擇晶體管與前述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端之間配置電容，同時(shí)通過電位控制晶體管使該電容的前述選擇晶體管與預(yù)定的電源之間的連接予以導(dǎo)通或截止。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1684558SQ2005100
公開日2005年10月19日 申請(qǐng)日期2005年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月12日
發(fā)明者池田恭二 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社