專利名稱：有機發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器和該顯示器的制造方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示器(OLED)是自發(fā)射的顯示設(shè)備，其通過激勵發(fā)射性有機材料以發(fā)射光來顯示圖像。OLED包括陽極(空穴注入極)、陰極(電子注入極)以及插入該兩極之間的有機發(fā)光層。當(dāng)空穴和電子被注入發(fā)光層時，它們被復(fù)合并成對湮滅，同時發(fā)光。發(fā)光層還包括電子傳送層(ETL)和空穴傳送層(HIL)，以及電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)，以加強光的發(fā)射。OLED的每個像素包括兩個TFT，即開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT。發(fā)光的電流由驅(qū)動TFT驅(qū)動，驅(qū)動TFT驅(qū)動的電流的量由來自開關(guān)TFT的數(shù)據(jù)信號來控制。
OLED的多個像素中，每個都包括陽極、陰極和發(fā)光層，它們按矩陣布置并且以無源矩陣(或簡單矩陣)尋址或有源矩陣尋址方式驅(qū)動。
無源矩陣型OLED包括多個陽極引線，與陽極引線交叉的多個陰極引線，以及多個像素，每個像素都包括發(fā)光層。選擇一個陽極引線和一個陰極引線引起位于所選信號線的交叉點處的像素發(fā)光。
有源矩陣型OLED包括多個像素，每個像素包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管和存儲電容器以及陽極、陰極和發(fā)光層。OLED還包括多個傳送柵極信號的柵極線和多個傳送數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線。開關(guān)晶體管連接到一柵極線和一數(shù)據(jù)線，并且傳送來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓，對柵極信號做出響應(yīng)。驅(qū)動晶體管接收來自開關(guān)晶體管的數(shù)據(jù)電壓，并且驅(qū)動一電流，該電流的大小取決于數(shù)據(jù)電壓和諸如電源電壓的預(yù)定電壓之間的差值。來自驅(qū)動晶體管的電流進入發(fā)光層而導(dǎo)致發(fā)光，發(fā)光強度取決于該電流。存儲電容器連接在數(shù)據(jù)電壓和電源電壓之間以保持它們的電壓差。有源矩陣型OLED的灰度調(diào)節(jié)通過控制數(shù)據(jù)電壓以調(diào)整由驅(qū)動晶體管驅(qū)動的電流來實現(xiàn)。OLED的色彩顯示通過提供紅、綠、藍(lán)發(fā)光層來實現(xiàn)。
同時，根據(jù)發(fā)光方向可以把OLED分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。頂部發(fā)光型OLED包括通常由氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)制成的透明陰極和不透明的陽極，而底部發(fā)光型OLED包括不透明的陰極和透明的陽極。如果需要，可以改變陽極和陰極的相對位置。
因為ITO和IZO具有高電阻率，所以頂部發(fā)射型OLED可以向陰極添加一具有低電阻率的輔助電極。然而，添加輔助電極需要一額外的光刻步驟，這會使制造工藝變復(fù)雜并且增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的動機是為了解決傳統(tǒng)技術(shù)的問題。
本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示器，其包括形成在基板上的第一電極；具有至少部分地暴露該第一電極的開口的隔斷；形成在該隔斷上并且具有基本上與該隔斷相同的平面形狀的輔助電極；形成在該第一電極上并且基本上設(shè)置在所述開口中的有機發(fā)光構(gòu)件；以及形成在該發(fā)光構(gòu)件和輔助電極上的第二電極。
該有機發(fā)光顯示器還可以包括傳送柵極信號的柵極線；傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線；連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)晶體管；傳送驅(qū)動信號的信號傳送線；以及由所述數(shù)據(jù)信號控制并且連接到信號傳送線和第一電極的驅(qū)動晶體管。
所述開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管可以相互連接，并且該有機發(fā)光顯示器還包括連接在所述開關(guān)晶體管和信號傳送線之間的存儲電容器。
所述第一電極可以包括反射材料，所述第二電極可以包括不透明材料。
所述輔助電極優(yōu)選地具有比第二電極低的電阻率。
提供一種有機發(fā)光顯示器，其包括第一和第二半導(dǎo)體構(gòu)件，分別包括第一和第二本征部分并且包括非晶硅或多晶硅；多個包括柵極線的柵極導(dǎo)體，該柵極線包括與第一本征部分交迭的第一柵極和與第二本征部分交迭的第二柵極；柵極絕緣層，其設(shè)置在第一和第二半導(dǎo)體構(gòu)件和柵極導(dǎo)體之間；多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體，其包括包括連接到第一半導(dǎo)體構(gòu)件的第一源極的數(shù)據(jù)線、正對關(guān)于第一本征部分的第一源極并且連接到第一半導(dǎo)體構(gòu)件的第一漏極、包括連接到第二半導(dǎo)體構(gòu)件的第二源極的電壓傳送線、以及正對關(guān)于第二本征部分的第二源極并且連接到第二半導(dǎo)體構(gòu)件的第二漏極；像素電極，其連接到第二漏極；隔斷，其具有至少部分地暴露該像素電極的開口；輔助電極，其形成在該隔斷上并且具有基本上與該隔斷相同的平面形狀；有機發(fā)光構(gòu)件，其形成在該像素電極上并且基本上在所述開口中設(shè)置；以及公共電極，其形成在發(fā)光構(gòu)件和輔助電極上。
所述像素電極可以包括反射材料，所述公共電極可以包括不透明材料。
所述輔助電極優(yōu)選地具有比公共電極低的電阻率。
該有機發(fā)光顯示器還可包括連接第一漏極和第二柵極的連接元件。
提供一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，該方法包括形成多個第一顯示電極；形成具有多個開口的隔斷，該開口至少部分地暴露所述第一顯示電極；在所述隔斷上形成輔助電極；在所述開口中形成多個有機發(fā)光構(gòu)件；以及在發(fā)光構(gòu)件和輔助電極上形成第二顯示電極，其中所述隔斷的形成和所述輔助電極的形成通過利用單次光刻完成。
隔斷的形成和輔助電極的形成可以包括依次淀積絕緣層和導(dǎo)電層；在導(dǎo)電層上形成第一光刻膠；利用第一光刻膠作為掩模依次蝕刻導(dǎo)電層和絕緣層以形成導(dǎo)體和所述隔斷；灰化第一光刻膠以形成第二光刻膠；以及利用第二光刻膠作為蝕刻掩模蝕刻所述導(dǎo)體以形成輔助電極。
所述第一顯示電極可以包括反射材料，所述第二顯示電極可以包括透明材料。
提供一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，該方法包括形成包括非晶硅或多晶硅的第一和第二半導(dǎo)體構(gòu)件；形成包括第一柵極和第二柵極的柵極線；在第一和第二半導(dǎo)體構(gòu)件和柵極線以及第二柵極之間形成柵極絕緣層；形成包括第一源極、電壓傳送線、以及第一和第二漏極的數(shù)據(jù)線；在數(shù)據(jù)線、電壓傳送線、以及第一和第二漏極上形成鈍化層；在鈍化層上形成像素電極，該像素電極連接到第二漏極上；形成具有開口的隔斷，該開口至少部分地暴露所述像素電極；在所述隔斷上形成輔助電極；在所述開口中形成有機發(fā)光構(gòu)件；以及在所述發(fā)光構(gòu)件和輔助電極上形成公共電極。
隔斷的形成和輔助電極的形成可以包括依次淀積絕緣層和導(dǎo)電層；在導(dǎo)電層上形成第一光刻膠；利用第一光刻膠作為掩模依次蝕刻導(dǎo)電層和絕緣層以形成導(dǎo)體和所述隔斷；灰化第一光刻膠以形成第二光刻膠；以及利用第二光刻膠作為蝕刻掩模蝕刻所述導(dǎo)體以形成輔助電極。
所述像素電極可以包括反射材料而所述公共電極可以包括透明材料。
所述輔助電極可以具有比公共電極低的電阻率。


通過參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本發(fā)明將變得更加明白，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種OLED的布局圖；圖2和圖3分別是圖1中示出的OLED的取自II-II′和III-III′線的截面圖；圖11、13、15、17、19、21和23是圖1-3中示出的、根據(jù)本發(fā)明實施例的制造方法的中間步驟中的OLED的布局圖；圖4、6、8、10、12、14、16和18是圖1-3中示出的、根據(jù)本發(fā)明實施例的制造方法的中間步驟中的OLED的布局圖；圖5A和5B分別是圖4中示出的OLED的取自VA-VA′和VB-VB′線的截面圖；圖7A和7B分別是圖6中示出的OLED的取自VIIA-VIIA′和VIIB-VIIB′線的截面圖；圖9A和9B分別是圖8中示出的OLED的取自IXA-IXA′和IXB-IXB′線的截面圖；圖11A和11B分別是圖10中示出的OLED的取自XIA-XIA′和XIB-XIB′線的截面圖；圖13A和13B分別是圖12中示出的OLED的取自XIIIA-XIIIA′和XIIIB-XIIIB′線的截面圖；圖15A和15B分別是圖14中示出的OLED的取自XVA-XVA′和XVB-XVB′線的截面圖；圖17A和17B分別是圖16中示出的OLED的取自XVIIA-XVIIA′和XVIIB-XVIIB′線的截面圖；圖19A和19B分別是圖18中示出的OLED的取自XIXA-XIXA′和XIXB-XIXB′線的截面圖；圖20A和20B分別是圖18中示出的OLED的取自XIXA-XIXA′和XIXB-XIXB′線的截面圖，說明了形成圖19A和19B中示出的結(jié)構(gòu)的第一步驟；圖21A和21B分別是圖18中示出的OLED的取自XIXA-XIXA′和XIXB-XIXB′線的截面圖，說明了圖20A和20B中示出的步驟之后的步驟；而圖22A和22B分別是圖18中示出的OLED的取自XIXA-XIXA′和XIXB-XIXB′線的截面圖，說明了圖21A和21B中示出的步驟之后的步驟；圖23是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的OLED的布局圖；圖24和25是取自XXIV-XXIV′和XXV-XXV′線的OLED的截面圖；圖26、28、30、32、34和36是圖23-25中示出的OLED的、根據(jù)本發(fā)明實施例的制造方法的中間步驟中的布局圖；圖27A和27B分別是圖26中示出的OLED的取自XXVIIA-XXVIIA′和XXVIIB-XXVIIB′線的截面圖；圖29A和29B分別是圖28中示出的OLED的取自XXIXA-XXIXA′和XXIXB-XXIXB′線的截面圖；圖31A和31B分別是圖30中示出的OLED的取自XXXIA-XXXIA′和XXXIB-XXXIB′線的截面圖；圖33A和33B分別是圖32中示出的OLED的取自XXXIIIA-XXXIIIA′和XXXIIIB-XXXIIIB′線的截面圖；圖35A和35B分別是圖34中示出的OLED的取自XXXVA-XXXVA′和XXXVB-XXXVB′線的截面圖；圖37A和37B分別是圖36中示出的OLED的取自XXXVIIA-XXXVIIA′和XXXVIIB-XXXVIIB′線的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將在下文中參考附圖對本發(fā)明作更充分地描述，附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)被解釋為限定在此處所述的實施例中。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、板、區(qū)域等的厚度。相同的標(biāo)記始終表示相同的元件。應(yīng)該理解，當(dāng)指出諸如層、膜、區(qū)域或基板等元件在另一元件“上”時，其可以直接在另一元件上或者也可存在中間元件。相反，當(dāng)指出一元件“直接”在另一元件“上”時，就不存在中間元件。
現(xiàn)在，將參考附圖描述依據(jù)本發(fā)明實施例的OLED及其制造方法。
現(xiàn)在，參考圖1-3詳細(xì)地描述依據(jù)本發(fā)明實施例的OLED。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的OLED的布局圖，圖2和圖3分別是圖1中示出的OLED的取自II-II′和III-III′線的截面圖。
阻擋層111優(yōu)選地由二氧化硅或氮化硅制造，并且形成在絕緣基板110上，該基板優(yōu)選地由透明玻璃制造。該阻擋膜111可具有雙層結(jié)構(gòu)。
在阻擋膜111上形成多個半導(dǎo)體區(qū)151a和151b，這些半導(dǎo)體區(qū)優(yōu)選地由多晶硅制造。每個半導(dǎo)體區(qū)151a和151b都包括多個含有N型或P型導(dǎo)電雜質(zhì)的非本征區(qū)和至少一個幾乎不含導(dǎo)電雜質(zhì)的本征區(qū)。
對于用作開關(guān)TFT Qa的半導(dǎo)體區(qū)151a來說，非本征區(qū)包括第一源極區(qū)153a、中間區(qū)1535、和第一漏極區(qū)155a，它們都摻入N型雜質(zhì)并且彼此分開；而本征區(qū)包括諸如一對置于非本征區(qū)153a、1535和155a之間的(第一)溝道區(qū)154a1和154a2的區(qū)域。
對于用作驅(qū)動TFT Qb的半導(dǎo)體區(qū)151b來說，非本征區(qū)包括第二源極區(qū)153b和第二漏極區(qū)155b，它們被摻入P型雜質(zhì)并且彼此分開；而本征區(qū)包括置于第二源極區(qū)153b和第二漏極區(qū)155b之間的溝道區(qū)154b。第二源極區(qū)153b延伸形成一存儲區(qū)157。
非本征區(qū)還可包括置于溝道區(qū)154a1、154a2及154b和源極區(qū)以及漏極區(qū)153a、155a、153b及155b之間的輕摻雜區(qū)(未示出)。輕摻雜區(qū)可以由偏置區(qū)代替，該偏置區(qū)基本上不含雜質(zhì)。
可替代地，根據(jù)驅(qū)動條件，第一半導(dǎo)體區(qū)151a的非本征區(qū)153a和155a摻入P型雜質(zhì)，而第二半導(dǎo)體區(qū)151b的非本征區(qū)153b和155b摻入N型雜質(zhì)。導(dǎo)電雜質(zhì)包括諸如硼(B)和鎵(Ga)的P型雜質(zhì)和諸如磷(P)和砷(As)的N型雜質(zhì)。
在半導(dǎo)體區(qū)151a和151b以及阻擋膜111上形成一柵極絕緣層140，該絕緣層優(yōu)選地由二氧化硅或氮化硅制造。
在柵極絕緣層140上形成包括多條柵極線121的多個柵極導(dǎo)體，該柵極線包括多對第一柵極124a和多個第二柵極124b。
傳送柵極信號的柵極線121基本上沿橫向延伸。每對第一柵極124a從柵極線121向上突出，和第一半導(dǎo)體區(qū)151a交叉，從而與第一溝道區(qū)對154a交迭。每個柵極線121可包括擴展的大面積端部以與另一層或外部驅(qū)動電路接觸。柵極線121可以直接連接到用于產(chǎn)生柵極信號的柵極驅(qū)動電路，該柵極驅(qū)動電路可以在基板110上集成。
第二柵極124b與柵極線121分離，并且與第二半導(dǎo)體區(qū)151b交叉，從而它們與第二溝道區(qū)154b交迭。第二柵極124b延伸形成存儲電極127，該存儲電極127與第二半導(dǎo)體區(qū)151b的存儲電極區(qū)157交迭從而形成存儲電容器Cst。
柵極導(dǎo)體121和124b優(yōu)選地由低電阻率材料形成，低電阻率材料包括諸如Al和Al合金(例如Al-Nd)的含Al金屬、諸如Ag和Ag合金的含Ag金屬、以及諸如Cu和Cu合金的含Cu金屬。柵極導(dǎo)體121和124b可以具有多層結(jié)構(gòu)，其中包括兩層物理特性不同的膜。這兩層膜中的一個優(yōu)選地由低電阻率的金屬形成，用于減小柵極導(dǎo)體121和124b中的信號延遲或電壓降，低電阻率金屬包括含Al金屬、含Ag金屬、以及含Cu金屬。另一層膜優(yōu)選地由諸如Cr、Mo及Mo合金、Ta或Ti等材料形成，這些材料具有好的物理、化學(xué)特性以及與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等其他材料之間的電接觸特性。這兩層膜的組合的好例子是，下Cr膜和上Al-Nd合金膜以及下Al膜和上Mo膜。
另外，柵極導(dǎo)體121和124b的橫向側(cè)相對于基板110的表面傾斜，該傾斜角度在大約30-80度的范圍內(nèi)。
在柵極導(dǎo)體121和124b上形成一層間絕緣膜160。該層間絕緣層160優(yōu)選地由具有好的平直度特性的感光有機材料、由等離子體增強化學(xué)氣相淀積(PECVD)形成的諸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電絕緣材料、或諸如氮化硅和二氧化硅的無機材料形成。
層間絕緣層160具有多個暴露出第二柵極124b的接觸孔164。此外，層間絕緣層160和柵極絕緣層140分別具有多個接觸孔163a、163b、165a和165b，其暴露出源極區(qū)153a、153b和漏極區(qū)155a、155b。
在層間絕緣膜160上形成包括多個數(shù)據(jù)線171、多個電壓傳送線172、和多個第一和第二漏極175a和175b的多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體。
用于傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171基本上在縱向延伸，并且與柵極線121交叉。每個數(shù)據(jù)線171包括多個通過接觸孔163a連接到第一源極區(qū)153a的第一源極173a。每個數(shù)據(jù)線171可包括擴展的大面積端部以與另一層或外部驅(qū)動電路接觸。數(shù)據(jù)線171可以直接連接到用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可以在基板110上集成。
用于向驅(qū)動TFT Qb傳送驅(qū)動電壓的電壓傳送線172基本上在縱向延伸并且與柵極線121交叉。每個電壓傳送線172包括多個通過接觸孔163b連接到第二源極區(qū)153b的第二源極173b。電壓傳送線172可以相互連接。
第一漏極175a與數(shù)據(jù)線171和電壓傳送線172分開，并且通過接觸孔165連接到第一漏極區(qū)155a以及通過接觸孔164連接到第二柵極124b。
第二漏極175b與數(shù)據(jù)線171和電壓傳送線172分開，并且通過接觸孔165b連接到第二漏極區(qū)155b。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b優(yōu)選地由高熔點金屬，包括Cr、Mo、Ti、Ta或其合金形成。它們可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)優(yōu)選地包括一低電阻率膜和一優(yōu)良接觸膜。多層結(jié)構(gòu)的好的例子包括Mo下膜、Al中膜、和Mo上膜，以及上述的Cr下膜和Al-Nd上膜以及Al下膜和Mo上膜的組合。
和柵極導(dǎo)體121和124b類似，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b相對于基板110表面具有錐形橫向側(cè)，其傾斜角的范圍是大約30-80度。
在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b上形成鈍化層180。鈍化層180同樣優(yōu)選地由具有好的平直度特性的感光有機材料、由PECVD形成的諸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電絕緣材料、或諸如氮化硅和二氧化硅的無機材料形成。
鈍化層180具有多個暴露出第二漏極175b的接觸孔185。鈍化層180還可具有暴露出數(shù)據(jù)線171端部的多個接觸孔(未示出)，并且鈍化層180和層間絕緣層160可以具有暴露柵極線121端部的多個接觸孔(未示出)。
在鈍化層180上形成多個像素電極190。像素電極190通過接觸孔185連接到第二漏極175b，它們優(yōu)選地由諸如Al或Ag合金的反射不透明材料的至少一種形成。然而，像素電極190可以由諸如TIO或IZO的透明導(dǎo)體和諸如Al、Ag、Ca、Ba和Mg的不透明反射導(dǎo)體形成。像素電極190可以與第二漏極175b合為一體以降低制造成本。
也可以在鈍化層180上形成多個接觸輔件或連接構(gòu)件(未示出)，使它們連接到柵極線121或數(shù)據(jù)線171的暴露端部。
在鈍化層180和像素電極190上形成分開OLED的像素的隔斷32。隔斷32像堤一樣圍繞著像素電極190以限定將要填充有機發(fā)光材料的開口。隔斷32優(yōu)選地由有機或無機絕緣材料形成。
在像素電極190上形成多個發(fā)光構(gòu)件30并且將其設(shè)置在由隔斷32限定的開口中。發(fā)光構(gòu)件30優(yōu)選地由發(fā)射基色光諸如紅、綠、藍(lán)光的有機材料形成。周期性地設(shè)置該紅、綠和藍(lán)發(fā)光構(gòu)件30。
在隔斷32上形成優(yōu)選地由諸如金屬的低電阻率材料制造的輔助電極272。該輔助電極272基本上具有與隔斷32相同的平面形狀。
在發(fā)光構(gòu)件30、輔助電極272和隔斷32上形成公共電極270，并且供以諸如公共電壓的一預(yù)定電壓。該公共電極270優(yōu)選地由諸如ITO和IZO的透明導(dǎo)電材料或諸如Al、Ag、Ca、Ba和Mg的不透明金屬形成。該公共電極270與輔助電極272接觸，以便輔助電極272補償公共電極270的導(dǎo)電性，防止傳送到公共電極270的信號失真。
在上述OLED中，第一半導(dǎo)體區(qū)151a、連接到柵極線121的第一柵極124a、連接到數(shù)據(jù)線171的第一源極153a、以及第一漏極155a形成開關(guān)TFTQa。另外，第二半導(dǎo)體區(qū)151b、連接到第一漏極155a的第二柵極124b、連接到電壓傳送線172的第二源極153b、以及連接到像素電極190的第二漏極155b形成驅(qū)動TFT Qb。此外，像素電極190和公共電極270分別用作陽極和陰極，而連接到第一漏極區(qū)155a的存儲區(qū)157和通過第二源極153b連接到電壓傳送線172的存儲電極127形成存儲電容器Cst。圖1-3中示出的TFTQa和Qb被稱為“頂柵極TFT”，因為柵極124a和124b設(shè)置在半導(dǎo)體151a和151b之上。
開關(guān)TFT Qa將來自數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號傳送到驅(qū)動TFT Qb，以對來自柵極線121的柵極信號做出響應(yīng)。一旦收到數(shù)據(jù)信號，驅(qū)動TFT Qb就產(chǎn)生一電流，該電流的強度取決于第二柵極124b和第二源極173b之間的電壓差。另外，該電壓差在存儲電容器Cst中充電，以便在開關(guān)TFT Qa關(guān)斷后維持該電壓差。由驅(qū)動TFT Qb驅(qū)動的電流通過像素電極190進入發(fā)光構(gòu)件30并到達(dá)公共電極270。發(fā)光構(gòu)件30中流過電流意味著，諸如空穴的正電荷載流子和諸如電子的負(fù)電荷載流子分別從陽極190和陰極270被注入發(fā)光構(gòu)件30，并且它們在由陽極190和陰極270之間的電壓差產(chǎn)生的電場下漂移。然后，在發(fā)光構(gòu)件30中的空穴和電子相遇并復(fù)合成激子，這些激子發(fā)射出預(yù)定波長的光。所發(fā)射的光的強度取決于由驅(qū)動TFT Qb驅(qū)動并且在發(fā)光構(gòu)件30中流動的電流。
發(fā)射的光通過公共電極270或像素電極190后從顯示屏射出。透明公共電極270和不透明像素電極190可應(yīng)用于頂部發(fā)射型OLED，這種OLED在頂部表面顯示圖像。相反，透明像素電極190和不透明公共電極270可應(yīng)用于底部發(fā)射型OLED，這種OLED在底部表面顯示圖像。
現(xiàn)在，將參考圖11-24B以及圖1-3描述制造圖1-3示出的OLED的方法。
圖4、6、8、10、12、14、16和18是在根據(jù)本發(fā)明實施例的制造方法的中間步驟中的、圖1-3中示出的OLED的布局圖，圖5A和5B分別是圖4中示出的OLED的取自VA-VA′和VB-VB′線的截面圖，圖7A和7B分別是圖6中示出的OLED的取自VIIA-VIIA′和VIIB-VIIB′線的截面圖，圖9A和9B分別是圖8中示出的OLED的取自IXA-IXA′和IXB-IXB′線的截面圖，圖11A和11B分別是圖10中示出的OLED的取自XIA-XIA′和XIB-XIB′線的截面圖，圖13A和13B分別是圖12中示出的OLED的取自XIIIA-XIIIA′和ⅪIIB-XIIIB′線的截面圖，圖15A和15B分別是圖14中示出的OLED的取自XVA-XVA′和XVB-XVB′線的截面圖，圖17A和17B分別是圖16中示出的OLED的取自XVIIA-XVIIA′和XVIIB-XVIIB′線的截面圖，圖19A和19B分別是圖18中示出的OLED的取自XIXA-XIXA′和ⅪXB-XIXB′線的截面圖，圖20A和20B分別是圖18中示出的OLED的取自XIXA-XIXA′和XIXB-XIXB′線的截面圖，說明了形成圖19A和19B中示出的結(jié)構(gòu)的第一步驟；圖21A和21B分別是圖18中示出的OLED的取自XIXA-XIXA′和XIXB-XIXB′線的截面圖，說明了圖20A和20B中示出的步驟之后的步驟；圖22A和22B分別是圖18中示出的OLED的取自ⅪXA-XIXA′和XIXB-XIXB′線的截面圖，說明了圖21A和21B中示出的步驟之后的步驟。
在絕緣基板110上形成阻擋層111，并優(yōu)選地通過LPCVD(低溫化學(xué)氣相淀積)、PECVD(等離子增強化學(xué)氣相淀積)或濺射在阻擋層111上淀積由非晶硅形成的半導(dǎo)體層。
接下來，將半導(dǎo)體層結(jié)晶為多晶硅并且光刻形成多對第一和第二半導(dǎo)體區(qū)151a和151b，如圖4-5B所示。
參考圖6-7B，在柵極絕緣層140上依次淀積柵極絕緣層140和柵極金屬層，并在其上形成第一光刻膠PR1。利用第一光刻膠PR1作為蝕刻掩模蝕刻該柵極金屬層以形成多個包括存儲電極127的柵極124b和多個柵極金屬構(gòu)件120a。將P型雜質(zhì)引入第二半導(dǎo)體區(qū)151b中未被柵極124b和柵極金屬構(gòu)件120a以及第一光刻膠PR1覆蓋的部分，以形成多個P型非本征區(qū)153b和155b。此時，第一半導(dǎo)體區(qū)151a被第一光刻膠PR1和柵極金屬構(gòu)件120a覆蓋以防止雜質(zhì)的注入。
參考圖8-9B，去除第一光刻膠PR1，形成第二光刻膠PR2。利用第二光刻膠PR2作為蝕刻掩模蝕刻柵極金屬構(gòu)件120a以形成多個包括柵極124a的柵極線121。將N型雜質(zhì)注入第一半導(dǎo)體區(qū)151a中未被柵極線121和柵極124b以及第二光刻膠PR2覆蓋的部分，以形成多個N型非本征區(qū)153a和155a。此時，第二半導(dǎo)體區(qū)151b被第二光刻膠PR2覆蓋從而防止雜質(zhì)的注入。
參考圖10-11B，淀積層間絕緣膜160并光刻層間絕緣膜160和柵極絕緣層140以形成多個分別暴露出非本征區(qū)153a、155a、153b和155b的接觸孔163a、163b、165a和165b以及多個暴露出柵極124b的接觸孔164。
參考圖12-13B，在層間絕緣層160上形成多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括多個包括第一源極173a的數(shù)據(jù)線171、多個電壓傳送線172、多個第一和第二漏極175a和175b。
參考圖14-15B，淀積并光刻鈍化層180以形成多個暴露出第二漏極175b的接觸孔185。
參考圖16-17B，在鈍化層180上形成多個像素電極190。當(dāng)像素電極190由反射不透明材料制造時，可以連同數(shù)據(jù)線171一起由數(shù)據(jù)金屬層形成它們。
參考圖18-19B，依次淀積絕緣層和導(dǎo)電層并利用單次光刻進行構(gòu)圖以分別形成隔斷32和輔助電極272，這樣隔斷32和輔助電極272基本上具有相同的平面形狀，這些將參考圖20A-20B作詳細(xì)說明。
參考圖20A和20B，依次淀積絕緣層和導(dǎo)電層并在導(dǎo)電層上形成第三光刻膠PR3。利用第三光刻膠PR3作為蝕刻掩模蝕刻導(dǎo)電層以形成預(yù)電極272′，并蝕刻絕緣層以形成隔斷32。導(dǎo)電層和絕緣層的蝕刻產(chǎn)生底切，因此預(yù)電極272′的邊緣位于第三光刻膠PR3下面，而隔斷32的邊緣位于預(yù)電極272′的下面。
參考圖21A和21B，灰化第三光刻膠PR3以形成第四光刻膠PR4，其邊緣設(shè)置在預(yù)電極272′上并暴露出預(yù)電極272′的邊緣部分。
參考圖22A和22B，利用第四光刻膠作為蝕刻掩模蝕刻預(yù)電極272′以形成輔助電極272。該蝕刻也產(chǎn)生底切，從而使輔助電極272的邊緣位于第四光刻膠PR4的下面并且位于隔斷32之上。
最后，如圖19A和19B所示，去除第四光刻膠PR4。
采用單次光刻步驟形成隔斷32和輔助電極272簡化了制造工序，并且因此降低了制造成本。此外，該工藝易于制造大OLED。
參考圖1-3，在形成掩模后，在開口中通過淀積或噴墨印刷形成多個優(yōu)選地包括多個層的有機發(fā)光構(gòu)件30，并隨后形成公共電極270。
可以在形成公共電極270之前形成一緩沖層(未示出)，該緩沖層優(yōu)選地由導(dǎo)電有機材料制造。
現(xiàn)在，將參考圖23-25詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明實施例的具有底柵極TFT的OLED。
圖23是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的OLED的布局圖，圖24和25是取自XXIV-XXIV′和XXV-XXV′線的該OLED的截面圖。
在諸如透明玻璃的絕緣基板110上形成多個柵極導(dǎo)體，該柵極導(dǎo)體包括多個包括第一柵極124a和多個第二柵極124b的柵極線121。
傳送柵極信號的柵極線121基本上橫向地延伸，并且相互分開。第一柵極124a向上突出。柵極線121可以延伸以連接到集成在基板110上的驅(qū)動電路(未示出)，或者其可以具有大面積的端部(未示出)，以與另一層或安裝在基板110或諸如軟性印刷電路膜(未示出)的另一裝置上的外部驅(qū)動電路連接，所述軟性印刷電路膜可以粘附在基板110上。
每個第二柵極124b都與柵極線121分開并且包括存儲電極127，該存儲電極127基本上在兩相鄰柵極線121之間橫向地延伸。
柵極導(dǎo)體121和124b優(yōu)選地由下列金屬制造，諸如Al和Al合金的含Al金屬、諸如Ag和Ag合金的含Ag金屬、諸如Cu和Cu合金的含Cu金屬、諸如Mo和Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ti或Ta。柵極導(dǎo)體121和124b可以具有多層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括具有不同物理特性的兩層膜。這兩層膜中的一個優(yōu)選地由低電阻率金屬制造，包括含Al金屬、含Ag金屬、或含Cu金屬，以減小柵極導(dǎo)體121和124b中的信號延遲或電壓降。另一方面，另一膜優(yōu)選地由諸如Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti制造，這些材料具有優(yōu)良的物理、化學(xué)特性以及與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其他金屬之間的電接觸特性。這兩層膜的組合的好例子是，下Cr膜和上Al-Nd合金膜以及下Al膜和上Mo膜。
此外，柵極導(dǎo)體121和124b的橫向側(cè)相對于基板110的表面傾斜，其傾斜角的范圍是大約30-80度。
在柵極導(dǎo)體121和124b上形成柵極絕緣層140，該柵極絕緣層140優(yōu)選地由氮化硅(SiNx)制造。
在柵極絕緣層140上形成多個半導(dǎo)體帶和島151和154b，這些半導(dǎo)體帶和島優(yōu)選地由氫化非晶硅(縮寫為“a-Si”)或多晶硅制造。每個半導(dǎo)體帶151基本上沿縱向延伸，并且具有多個朝向第一柵極124a分支的突起154a。每個半導(dǎo)體區(qū)154b都與第二柵極124b交叉，并且包括與第二柵極124b的存儲電極127交迭的部分。
在半導(dǎo)體帶和島151和154b上形成多個歐姆接觸帶161和歐姆接觸區(qū)163b、165a和165b，它們優(yōu)選地由硅化物或用諸如磷的n型雜質(zhì)重?fù)诫s的n+氫化a-Si制造。每個歐姆接觸帶161都具有多個突起163a，該突起163a和歐姆接觸區(qū)165a成對地位于半導(dǎo)體帶151的突起154a上。歐姆接觸區(qū)163b和165b成對地位于半導(dǎo)體區(qū)154b上。
半導(dǎo)體帶和島151和154b以及歐姆接觸161、163b、165a和165b的橫向側(cè)相對于基板表面傾斜，其傾斜角優(yōu)選地在約30-80度的范圍內(nèi)。
在歐姆接觸161、163b、165a和165b以及柵極絕緣層140上形成多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體，其包括多個數(shù)據(jù)線171、多個電壓傳送線172、和多個第一和第二漏極175a和175b。
用于傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171基本上沿縱向延伸，并且與柵極線121交叉。每個數(shù)據(jù)線171包括多個第一源極173a和具有大面積以便與另一層或外部器件接觸的端部。數(shù)據(jù)線171可以直接連接到用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可以集成在基板110上。
用于傳送驅(qū)動電壓的電壓傳送線172基本上沿縱向延伸，并且與柵極線121交叉。每個電壓傳送線172包括多個第二源極173b。電壓傳送線171可以相互連接。
第一和第二漏極175a和175b與數(shù)據(jù)線171和電壓傳送線172分開，并且相互分開。每對第一源極173a和第一漏極175a關(guān)于第一柵極124a彼此相對地設(shè)置，并且每對第二源極173b和第二漏極175b關(guān)于第二柵極124b彼此相對地設(shè)置。
第一柵極124a、第一源極173a和第一漏極175a連同半導(dǎo)體帶151的突起154a一起形成開關(guān)TFT Qa，該TFT Qa具有在突起154a中形成的溝道，該突起154a設(shè)置在第一源極173a和第一漏極175a之間。同時，第二柵極124b、第二源極173b和第二漏極175b連同半導(dǎo)體區(qū)154b一起形成驅(qū)動TFTQb，該TFT Qb具有在半導(dǎo)體區(qū)154b中形成的溝道，該半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置在第二源極173b和第二漏極175b之間。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b優(yōu)選地由高熔點的金屬制造，包括Cr、Mo、Ti、Ta或其合金。它們可以具有多層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)優(yōu)選地包括一低電阻率膜和一優(yōu)良接觸膜。多層結(jié)構(gòu)好的例子包括，Mo下膜，Al中膜和Mo上膜，以及上述的Cr下膜和Al-Nd上膜以及Al下膜和Mo上膜的組合。
類似于柵極導(dǎo)體121和124b，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b具有相對于基板110表面的錐形橫向側(cè)，其傾斜角的范圍是大約30-80度。
歐姆接觸161、163b、165a和165b只插入在其下的半導(dǎo)體帶和島151和154b以及其上的上覆數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b之間并減小其間的接觸電阻。半導(dǎo)體帶151包括多個沒有被數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b覆蓋的暴露部分。
在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b以及半導(dǎo)體帶和島151和154b的暴露部分上形成鈍化層180。鈍化層180優(yōu)選地由諸如氮化硅或二氧化硅的無機材料、具有優(yōu)良平直度特性的感光有機材料、或諸如由等離子體增強化學(xué)氣相淀積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F的、介電常數(shù)低于4.0的低介電絕緣材料形成。鈍化層180可以包括無機絕緣體下膜和有機絕緣體上膜。
鈍化層180具有多個接觸孔184、185a和185b，其分別暴露第二柵極124b和第一和第二漏極175a和175b的一部分。
在鈍化層180上形成多個像素電極190和多個接觸構(gòu)件85。像素電極190通過接觸孔185b連接到第二漏極175b，而且它們優(yōu)選地由至少一種反射不透明材料形成，例如Al或Al合金。不過，像素電極190可以由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體和諸如Al、Ag、Ca、Ba、Mg的不透明反射導(dǎo)體形成?？梢詫⑾袼仉姌O190與第二漏極175b合并以降低制造成本。
也可以在鈍化層180上形成多個接觸輔件或連接構(gòu)件(未示出)，使它們連接到柵極線121或數(shù)據(jù)線171的暴露端部。
在鈍化層180、像素電極190和連接構(gòu)件85上形成隔斷32、輔助電極272、多個發(fā)光構(gòu)件30以及公共電極270，與圖1-3所示類似。
現(xiàn)在將參考圖26到37B以及圖23-25詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的一種制造圖23-25所示的TFT陣列板的方法。
圖26、28、30、32、34和36是根據(jù)本發(fā)明實施例的制造方法的中間步驟中的、圖23-25中示出的OLED的布局圖；圖27A和27B分別是圖26中示出的OLED的取自XXVIIA-XXVIIA′和XXVIIB-XXVIIB′線的截面圖；圖29A和29B分別是圖28中示出的OLED的取自XXIXA-XXIXA′和XXIXB-XXIXB′線的截面圖；圖31A和31B分別是圖30中示出的OLED的取自XXXIA-XXXIA′和XXXIB-XXXIB′線的截面圖；圖33A和33B分別是圖32中示出的OLED的取自XXXIIIA-XXXIIIA′和XXXIIIB-XXXIIIB′線的截面圖；圖35A和35B分別是圖34中示出的OLED的取自XXXVA-XXXVA′和XXXVB-XXXVB′線的截面圖；圖37A和37B分別是圖36中示出的OLED的取自XXXVIIA-XXXVIIA′和XXXVIIB-XXXVIIB′線的截面圖。
參考圖26-27B，在諸如透明玻璃的基板上形成多個柵極導(dǎo)體，該多個柵極導(dǎo)體包括多個包括第一柵極124a的柵極線121和多個包括存儲電極127的第二柵極124b。
參考圖28-29B，依次淀積柵極絕緣層140、本征a-Si層、和非本征a-Si層之后，光刻非本征a-Si層和本征a-Si層以在柵極絕緣層140上形成多個非本征半導(dǎo)體帶和島164a和164b以及多個包括突起154a的本征半導(dǎo)體帶和島151和154b。柵極絕緣層140優(yōu)選地由厚度為大約2000至大約5000的氮化硅制造，且淀積溫度優(yōu)選地在大約250-500℃的范圍內(nèi)。
參考圖30-31B，濺射并利用光刻膠(未示出)蝕刻導(dǎo)電層以形成多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體，其包括多個包括第一源極173a的數(shù)據(jù)線171、多個包括第二源極173b的電壓傳送線172，以及多個第一和第二漏極175a和175b。
在去除光刻膠之前或之后，通過蝕刻去除非本征半導(dǎo)體帶164上沒有被數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b覆蓋的部分，以完成多個包括突起163a的歐姆接觸帶161和多個歐姆接觸區(qū)163b、165a和165b，并暴露出本征半導(dǎo)體帶和島151和154b的一部分。
為了穩(wěn)定半導(dǎo)體帶151的暴露表面，在此后可以進行氧等離子體處理。
參考圖32-33B，淀積鈍化層180并進行構(gòu)圖從而形成多個接觸孔184、185a和185b，其暴露第一柵極124b以及第一和第二漏極175a和175b。
參考圖34-35B，在鈍化層180上形成多個像素電極190和多個連接構(gòu)件85。
參考圖36-37B，利用圖20A-22B所示的單次光刻步驟形成隔斷32和輔助電極272。
最后，在形成掩模后通過淀積或噴墨印刷在開口中形成多個優(yōu)選地包括多個層的有機發(fā)光構(gòu)件30，并隨后形成公共電極270，如圖23-25所示。
如上所述，采用單次光刻步驟形成隔斷32和輔助電極272簡化了制造工藝并因此降低了制造成本。另外，本工藝便于制造大OLED。
雖然在上文中詳細(xì)地描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是應(yīng)當(dāng)清楚地理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可能會想到的在此教授的基本發(fā)明概念的許多變形和/或修改，將仍然處于如附屬權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示器，其包括形成在一基板上的第一電極；具有一至少部分地暴露所述第一電極的開口的隔斷；形成在所述隔斷上并且具有基本上與所述隔斷相同平面形狀的輔助電極；形成在所述第一電極上并且基本上置于所述開口中的有機發(fā)光構(gòu)件；以及形成在所述發(fā)光構(gòu)件和所述輔助電極上的第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其進一步包括傳送柵極信號的柵極線；傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線；連接到所述柵極線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)晶體管；傳送驅(qū)動信號的信號傳送線；以及由所述數(shù)據(jù)信號控制并且連接到所述信號傳送線和第一電極的驅(qū)動晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一電極包括反射材料。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第二電極包括透明材料。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述輔助電極具有比第二電極低的電阻率。
6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管相互連接，并且所述有機發(fā)光顯示器還包括連接在所述開關(guān)晶體管和信號傳送線之間的存儲電容器。
7.一種有機發(fā)光顯示器，其包括分別包括第一和第二本征部分并且包括非晶硅或多晶硅的第一和第二半導(dǎo)體構(gòu)件；多個包括柵極線的柵極導(dǎo)體，該柵極線包括與所述第一本征部分交迭的第一柵極和與所述第二本征部分交迭的第二柵極；設(shè)置在所述第一和第二半導(dǎo)體構(gòu)件和所述柵極導(dǎo)體之間的柵極絕緣層；多個數(shù)據(jù)導(dǎo)體，其包括包括連接到所述第一半導(dǎo)體構(gòu)件的第一源極的數(shù)據(jù)線、相對于所述第一本征部分與第一源極相對且連接到所述第一半導(dǎo)體構(gòu)件的第一漏極、包括連接到所述第二半導(dǎo)體構(gòu)件的第二源極的電壓傳送線、以及相對于所述第二本征部分與第二源極相對且連接到所述第二半導(dǎo)體構(gòu)件的第二漏極；連接到所述第二漏極的像素電極；具有至少部分地暴露所述像素電極的開口的隔斷；在所述隔斷上形成并且具有基本上與所述隔斷相同的平面形狀的輔助電極；在所述像素電極上形成并且基本上設(shè)置在開口中的有機發(fā)光構(gòu)件；以及在所述發(fā)光構(gòu)件和輔助電極上形成的公共電極。
8.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述像素電極包括反射材料。
9.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述公共電極包括透明材料。
10.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述輔助電極具有低于所述公共電極的電阻率。
11.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示器，其進一步包括連接所述第一漏極和第二柵極的連接構(gòu)件。
12.一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，該方法包括形成多個第一顯示電極；形成具有多個開口的隔斷，該開口至少部分地暴露所述第一顯示電極；在所述隔斷上形成輔助電極；在所述開口中形成多個有機發(fā)光構(gòu)件；以及在所述發(fā)光構(gòu)件和輔助電極上形成第二顯示電極，其中所述隔斷的形成和輔助電極的形成通過利用單次光刻完成。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述隔斷的形成和輔助電極的形成包括依次淀積絕緣層和導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上形成第一光刻膠；利用所述第一光刻膠作為掩模依次蝕刻所述導(dǎo)電層和絕緣層以形成導(dǎo)體和所述隔斷；灰化所述第一光刻膠以形成第二光刻膠；以及利用所述第二光刻膠作為蝕刻掩模蝕刻所述導(dǎo)體以形成所述輔助電極。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一顯示電極包括反射材料。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第二顯示電極包括透明材料。
16.一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，該方法包括形成包括非晶硅或多晶硅的第一和第二半導(dǎo)體構(gòu)件；形成包括第一柵極和第二柵極的柵極線；在所述第一和第二半導(dǎo)體構(gòu)件和所述柵極線以及第二柵極之間形成柵極絕緣層；形成包括第一源極、電壓傳送線、以及第一和第二漏極的數(shù)據(jù)線；在所述數(shù)據(jù)線、電壓傳送線、以及第一和第二漏極上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成像素電極，該像素電極連接到所述第二漏極；形成具有至少部分地暴露所述像素電極的開口的隔斷；在所述隔斷上形成輔助電極；在所述開口中形成有機發(fā)光構(gòu)件；以及在所述發(fā)光構(gòu)件和輔助電極上形成公共電極。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述隔斷的形成和輔助電極的形成包括依次淀積絕緣層和導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上形成第一光刻膠；利用所述第一光刻膠作為掩模依次蝕刻所述導(dǎo)電層和絕緣層以形成導(dǎo)體和所述隔斷；灰化所述第一光刻膠以形成第二光刻膠；以及利用所述第二光刻膠作為蝕刻掩模蝕刻所述導(dǎo)體以形成輔助電極。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述像素電極包括反射材料。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述公共電極包括透明材料。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述輔助電極具有低于所述公共電極的電阻率。
全文摘要
提供一種有機發(fā)光顯示器，其包括形成在基板上的第一電極；具有至少部分地暴露該第一電極的開口的隔斷；形成在該隔斷上并且具有基本上與該隔斷相同的平面形狀的輔助電極；形成在該第一電極上并且基本上位于所述開口中的有機發(fā)光構(gòu)件；以及形成在該發(fā)光構(gòu)件和輔助電極上的第二電極。本發(fā)明采用單次光刻步驟形成隔斷和輔助電極，簡化了制造工序，并且因此降低了制造成本。此外，該工藝易于制造大OLED。
文檔編號G09G3/30GK1645979SQ2004101033
公開日2005年7月27日 申請日期2004年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月28日
發(fā)明者鄭真九, 崔埈厚, 崔凡洛 申請人:三星電子株式會社