專利名稱：核徑跡微孔薄膜及其防偽標識的制造與鑒別方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種核徑跡微孔薄膜及其防偽標識的制造與鑒別方法，特別是涉及核技術、材料技術和化學化工技術等綜合性技術來制造核徑跡微孔薄膜及其防偽標識的方法。
在商品經(jīng)濟活動中，時常出現(xiàn)假冒的商品和票據(jù)，因而人們紛紛采用各種防偽膜來防偽，以往的防偽膜一般采用特殊紙張，特殊油墨印刷防偽圖案，或者采用激光全息照相技術制作防偽圖案。這些技術所需材料和設備易于得到，有制備能力的單位和個人很多，偽造容易，難以達到防偽效果。
本發(fā)明的核徑跡微孔薄膜及其防偽標識，具有極難仿制、易于識別、成本較低和可以多次重復使用的特點。
本發(fā)明的目的是設計一種核徑跡微孔薄膜及其防偽標識的制造方法，充分利用核徑跡微孔薄膜的微孔特性和薄膜的延伸彈性，鑒別時，核徑跡微孔薄膜防偽標識的圖案發(fā)生明顯變化，使得核徑跡微孔薄膜防偽標識易于識別。
本發(fā)明設計的核徑跡微孔薄膜的制造方法，包括以下步驟1．選用厚度為5-25μm塑料薄膜為原材料，利用核反應堆產(chǎn)生的中子轟擊鈾-235靶，裂變產(chǎn)生的碎片以角度β(0°＜β＜180°)輻照塑料薄膜，以產(chǎn)生核徑跡，反應堆功率為1-5000千瓦，輻照時間為0.1-300秒，或者利用重離子加速器產(chǎn)生的重離子以角度β(0°＜β＜180°)輻照塑料薄膜，輻照時間為0.5-200秒，核徑跡密度為104-108/cm22．利用熱光源(紅光、激光)透過局部透光的模板對上述輻照后的塑料薄膜進行照射，或者利用加熱燙印模板局部加熱上述輻照后的塑料薄膜，使被照射或被加熱部分的塑料薄膜的溫度達到90°-220℃，加熱部分的塑料薄膜，其中的核徑跡就會消失；3．然后用化學試劑對塑料薄膜進行選擇性部分蝕刻，蝕刻劑為NaOH(6-8M)、KOH(6-8M)或H2SO4(6-16M)溶液，蝕刻時間為1-180分鐘，蝕刻溫度為70°-90℃蝕刻出清晰圖案后，洗滌晾干，即制成核徑跡微孔薄膜。所謂選擇性蝕刻是指被加熱部分其核徑跡消失而蝕刻不出微孔，而不被照射的部分蝕刻出微孔，形成圖案。
利用本發(fā)明方法制造的核徑跡微孔薄膜，具有圖案清晰、精細，而且易于實現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn)，成品率高，設備相對簡單，生產(chǎn)成本較低。
本發(fā)明設計的核徑跡微孔薄膜防偽標識由核徑跡微孔薄膜、膠粘劑和面層組成，其制造方法包括以下步驟1．制造核徑跡微孔薄膜2．選擇適當?shù)拿鎸樱?可以是塑料、紙張、金屬等有顏色的材料)3．在核徑跡微孔薄膜的非圖案部分涂布粘膠劑，然后粘貼或覆合在面層上，即制成核徑跡微孔薄膜防偽標識。
為了使核徑跡微孔薄膜防偽標識使用方便，可以把防偽標識制作成壓敏膠結(jié)構(gòu)的防偽標識，由核徑跡微孔薄膜、膠粘劑、面層、壓敏膠和底層組成，使用時把防偽標識揭下，粘貼在被保護的物品上即可。
核徑跡微孔薄膜防偽標識的鑒別方法為用手指用力拭抹防偽標識，使標識上的微孔薄膜發(fā)生輕微變形，使防偽標識上的圖案發(fā)生變形，以此驗明微孔薄膜的微孔性和微孔薄膜的延伸彈性，松開手指后，微孔薄膜恢復原狀，防偽標識上的圖案也恢復原狀，即防偽標識是真的。以上所述的圖案變形是指圖案圖形扭曲變形或圖案變色或圖案消失或產(chǎn)生新的圖案。
下面介紹本發(fā)明的實施例子選用厚度為15μm的黑色聚丙烯(PP)塑料薄膜為原材料，利用核反應堆產(chǎn)生的中子轟擊鈾-235靶，使之產(chǎn)生核裂變，利用裂變產(chǎn)生的碎片以90°角度輻照塑料薄膜，使塑料薄膜上的核徑孔跡密度為107/cm2，用一塊能局部通過光線并形成圖案的模板置于光源與輻照過的塑料薄膜之間，利用功率為2000瓦的紅外線燈，距離塑料薄膜1cm，給塑料薄膜局部加熱，使塑料薄膜的局部受熱溫度達到100℃，最后用18M的H2SO4溶液蝕刻80分鐘，蝕刻溫度為80℃，使核徑跡蝕刻孔徑為3.0μ，洗滌晾干后，即為核徑跡微孔薄膜。
選用面層為白色的不干膠(壓敏膠)材料，在核徑跡微孔薄膜的非圖案部分涂布透明膠粘劑，然后把核徑跡微孔薄膜覆合在面層上，形成便于粘貼和鑒別的防偽標識。使用時，把不干膠防偽標識揭下，粘貼在被保護的物品上，可以作為商標或標志使用。
鑒別時，用手指用力拭抹防偽標識，圖案顏色變暗直到消失，松開手指，圖案恢復原狀即為真。
權利要求
1．一種核徑跡微孔薄膜的制造方法，包括(1)選用厚度為5-25μm塑料薄膜為原材料，利用核反應堆產(chǎn)生的中子轟擊鈾-235靶，裂變產(chǎn)生的碎片以角度β(0°＜β＜180°)輻照塑料薄膜，以產(chǎn)生核徑跡，反應堆功率為1-5000千瓦，輻照時間為0.1-300秒，或者利用重離子加速器產(chǎn)生的重離子以角度β(0°＜β＜180°)輻照塑料薄膜，輻照時間為0.5-200秒，核徑跡密度為104-108/cm2；(2)利用熱光源透過局部透光的模板對上述輻照后的塑料薄膜進行照射，或者利用加熱燙印模板局部加熱上述輻照后的塑料薄膜，使被照射或被加熱部分的塑料薄膜的溫度達到90°-220℃；(3)然后用化學試劑對塑料薄膜進行選擇性部分蝕刻，蝕刻劑為NaOH(6-8M)、KOH(6-8M)或H2SO4(6-16M)溶液，蝕刻時間為1-180分鐘，蝕刻溫度為70°-90℃蝕刻出清晰圖案后，洗滌晾干，即制成核徑跡微孔薄膜。
2．如權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的角度β是指輻照線與薄膜面所形成的角度，并滿足于條件0°＜β＜180°。
3．如權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的以角度β(0°＜β＜180°)輻照塑料薄膜是指在同一薄膜的不同位置上以不同的角度β(0°＜β＜180°)進行輻照。
4．如權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的塑料薄膜具有一定的延伸彈性。
5．一種核徑跡微孔薄膜防偽標識，其特征在于該防偽標識由核徑跡微孔薄膜、膠粘劑和面層組成，其制造方法包括(1)制造核徑跡微孔薄膜；(2)選取有顏色的面層；(3)在核徑跡微孔薄膜的非圖案部分，涂布膠粘劑，然后粘貼或覆合在面層上，制成核徑跡微孔薄膜防偽標識。
6．一種如權利要求5所述的防偽標識，其特征在于防偽標識還包括壓敏膠和底層，所述的壓敏膠與面層相貼合、底層貼在壓敏膠上。
7．一種如權利要求5所述的核徑跡微孔薄膜防偽標識的鑒別方法，其特征在于該方法是用手指用力拭抹防偽標識，使微孔薄膜發(fā)生輕微變形，使防偽標識上的圖案也發(fā)生變形，松開手指，微孔薄膜恢復原狀，防偽標識上的圖案也恢復原狀，即該防偽標識即為真。
8．如權利要求7所述的鑒別方法，其特征在于其中所述的圖案發(fā)生變形是指圖案圖形扭曲變形或是圖案變色或是圖案消失或是產(chǎn)生新的圖案。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種核徑跡微孔薄膜及其防偽標識的制造與鑒別方法。該防偽標識由核徑跡微孔薄膜、膠粘劑、和面層組成。其制造方法是利用核反應裂變碎片或重離子加速器產(chǎn)生重離子以某種角度輻照塑料薄膜,然后用熱光源局部照射塑料薄膜,再用化學試劑蝕刻,制得核徑跡微孔薄膜,再將該薄膜用膠粘劑粘合于面層上,即制成防偽標識。該防偽標識可用手指拭抹加以識別,并可重復使用,因此具有防偽效果好鑒別方便和實用的特點。
文檔編號G09F3/00GK1325094SQ001142
公開日2001年12月5日 申請日期2000年5月18日 優(yōu)先權日2000年5月18日
發(fā)明者張穎智 申請人:張穎智