專利名稱：中孔薄膜及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種中孔薄膜、使用該中孔薄膜的電子器件及其制造方法，尤其是涉及周期納米細(xì)孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性薄膜。
背景技術(shù)：
目前，作為導(dǎo)電性多孔材料已提出的有非周期細(xì)孔結(jié)構(gòu)的碳多孔體、及金屬氧化物多孔體等，其中，金屬氧化物多孔體等為具有導(dǎo)電性的氧化物，利用其電氣特性現(xiàn)在已被廣泛應(yīng)用于氣敏元件等上。另外，根據(jù)透明導(dǎo)電性氧化物即氧化錫(SnO2)、氧化銦錫(ITO)等的電氣特性及光學(xué)特性，現(xiàn)在已被太陽能電池及EL元件等電子器件的電極、選擇滲透膜、紅外線反射膜、觸摸面板等多方面采用。
另外，以二氧化硅為骨架的絕緣膜作為周期細(xì)孔結(jié)構(gòu)的氧化物也已被提出(特許文獻(xiàn)1)。該絕緣膜具有周期納米細(xì)孔結(jié)構(gòu)，因此，即使空孔率高，也能夠維持充分的機械強度，因而作為半導(dǎo)體裝置的層間絕緣膜被廣泛應(yīng)用。在半導(dǎo)體裝置的高速化、低耗電化中，層間絕緣膜的低介電常數(shù)化是重要的課題。
在非周期細(xì)孔結(jié)構(gòu)的情況下，穩(wěn)定性不充分，當(dāng)然，正在進(jìn)行追求穩(wěn)定性、耐熱性、多孔化的各種各樣的研究。
再有，在前者的情況下，由于多孔結(jié)構(gòu)是隨機的，因此，機械強度不充分，尤其是在高溫下的使用中，成了易破損、可靠性低的原因。
另外，多孔結(jié)構(gòu)多為不能封閉的情況，不封閉時就成了膜的耐濕性顯著降低、半導(dǎo)體元件的可靠性降低的原因。
特許文獻(xiàn)1特開2003-17482號公報在這種現(xiàn)有的金屬氧化物多孔體中，存在不能得到足夠的耐熱性、空孔率和化學(xué)穩(wěn)定性，且機械強度也不充分的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于所述實際問題而開發(fā)的，目的在于提供空孔率高、機械強度強的導(dǎo)電性多孔質(zhì)膜。
那么，本發(fā)明的中孔薄膜特征在于，具有磷酸金屬鹽(M-POX)骨架的交聯(lián)結(jié)構(gòu)體以包圍周期性排列的空孔的方式形成。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，由于具有周期多孔結(jié)構(gòu)，因此能夠得到機械強度可提高的導(dǎo)電性薄膜。
另外，本發(fā)明的中孔薄膜，構(gòu)成所述交聯(lián)結(jié)構(gòu)體的金屬包含錫(Sn)、銦(In)鋅(Zn)、銥(Ir)中的至少之一。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠得到具有導(dǎo)電性的多孔質(zhì)薄膜。
另外，本發(fā)明的中孔薄膜，所述交聯(lián)結(jié)構(gòu)體包括沿所述中孔薄膜的厚度方向周期性排列有圓柱狀空孔的結(jié)構(gòu)體。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，由于晶粒邊界沿膜的厚度方向形成，因此能夠防止漫反射。
另外，本發(fā)明的中孔薄膜含有膜厚為10μm以下的薄膜。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠高精度的圖案形成。
另外，本發(fā)明的中孔薄膜含有具有透光性的膜。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠得到具有透光性且具有導(dǎo)電性的多孔質(zhì)薄膜。
另外，本發(fā)明的電子器件，其特征在于，使用上述中孔薄膜作為電極。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠形成在低溫下透光性高的導(dǎo)電性薄膜，因此，作為太陽能電池及光學(xué)傳感器、EL元件等透光性電極是極其有效的。
另外，本發(fā)明中孔薄膜的制造方法，包括調(diào)制含有磷酸和界面活性劑的前驅(qū)體溶液的工序、將所述前驅(qū)體溶液供給到基板上形成前驅(qū)體薄膜的工序、使含有金屬的蒸汽與在形成所述薄膜的工序中得到的前驅(qū)體薄膜接觸的接觸工序、所述含有金屬的蒸汽與磷酸反應(yīng)形成自組織化薄膜的工序、使界面活性劑從自組織化薄膜脫離的脫離工序，并且，以具有磷酸金屬鹽(M-POX)骨架的交聯(lián)結(jié)構(gòu)體為主要成分形成周期性排列有空孔的中孔薄膜。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠提供控制性非常好且機械強度優(yōu)良的多孔質(zhì)導(dǎo)電性薄膜。并且，能夠容易地形成具有周期性排列有筒狀空孔的第一多孔結(jié)構(gòu)區(qū)域?qū)樱团c基板表面平行且周期性排列有層狀空孔的第二多孔結(jié)構(gòu)區(qū)域?qū)优c基板表面平行地重復(fù)層疊的導(dǎo)電性薄膜等兩種以上不同周期的結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性膜。
另外，由于其可在低溫下形成，因此，即使用于集成電路時也不對襯底產(chǎn)生影響，從而能夠形成可靠性高的導(dǎo)電性薄膜。由于不必得到500℃以上的加熱工序就能夠形成，因此，即使使用鋁布線時也能夠適用。
另外，由于可通過液體的接觸而形成，因此，即使在微小的區(qū)域也能夠進(jìn)行高精度的圖案形成，從而，能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性的提高。
再有，通過調(diào)整前驅(qū)體溶液的濃度，可適宜地變更空孔度，能夠形成作業(yè)性非常好且具有所希望的導(dǎo)電率的多孔質(zhì)薄膜。
本發(fā)明的中孔薄膜的制造方法，所述接觸工序為在充填了含有金屬的蒸汽的容器內(nèi)使所述前驅(qū)體薄膜靜置的工序。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，因只進(jìn)行靜置，所以能夠形成生產(chǎn)性高的具有導(dǎo)電性的多孔質(zhì)膜。
本發(fā)明的中孔薄膜的制造方法，所述脫離工序是燒結(jié)所述交聯(lián)結(jié)構(gòu)體并除去界面活性劑的工序。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠有效地將界面活性劑脫離，從而形成具有規(guī)則的細(xì)孔的交聯(lián)結(jié)構(gòu)體。
另外，本發(fā)明的中孔薄膜的制造方法，所述脫離工序是在300～550℃左右燒結(jié)的工序。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，由于在低溫下即可燒結(jié)，因此，即使在下層含有鋁布線等的情況下也能夠適用。
另外，本發(fā)明的方法，包括在除去所述界面活性劑之前，將被供給了所述前驅(qū)體溶液的基體暴露于所述含有金屬的蒸汽中，使所述金屬-磷酸骨架高密度化的工序。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，可容易地進(jìn)行密度的調(diào)整。
另外，本發(fā)明的方法，所述脫離工序包括使用酸提取界面活性劑的工序。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，由于不經(jīng)過燒結(jié)工序即可形成，因此，能夠在更低的溫度下形成。
另外，本發(fā)明的方法，包括在用酸提取的工序之前，將被供給了所述前驅(qū)體溶液的基體暴露于所述含有金屬的蒸汽中，使所述交聯(lián)結(jié)構(gòu)體的金屬-磷酸骨架高密度化的工序。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，可容易地進(jìn)行密度的微調(diào)。
另外，本發(fā)明的方法，其中，所述金屬含有錫(Sn)、銦(In)鋅(Zn)、銥(Ir)中的至少之一。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠形成可靠性高的多孔質(zhì)的導(dǎo)電性薄膜。
另外，本發(fā)明的方法，包括調(diào)制含有十六烷基三甲基溴化銨(C16TAB)、磷酸(H3PO4)、乙醇(EtOH)和水的前驅(qū)體溶液的工序、將所述前驅(qū)體溶液涂敷到基板上的工序、使由所述涂敷工序被運送的薄膜暴露在含有氯化錫(SnCl4)的蒸汽中工序、通過將所述薄膜燒結(jié)將界面活性劑從所述薄膜上除去而形成具有磷酸錫骨架的交聯(lián)結(jié)構(gòu)體的工序。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠形成可靠性高的多孔質(zhì)薄膜。
另外，優(yōu)選為，所述接觸工序可以包括將基板浸在前驅(qū)體溶液中，按照所要求的速度提拉的工序、和浸在所述第二前驅(qū)體溶液中按照所要求的速度拉升的工序。
還有，優(yōu)選為，所述接觸工序可以使用將所述第一和第二前驅(qū)體溶液依次重復(fù)涂敷在基板上的工序。
由此，能夠容易地形成具有周期性結(jié)構(gòu)的多個不同層的多孔質(zhì)薄膜。
特別優(yōu)選為，所述接觸工序可以使用將所述前驅(qū)體溶液滴到基板上且使所述基板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)涂敷工序。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠容易地調(diào)整膜厚及空孔率，從而能夠形成生產(chǎn)性高的多孔質(zhì)薄膜。


圖1是表示使用本發(fā)明實施方式1的中孔薄膜的太陽能電池元件的圖；圖2是同一太陽能電池元件的制造工序圖；圖3是同一中孔薄膜的制造工序圖；圖4是表示同一中孔薄膜的制造工序的示意圖；
圖5是表示本發(fā)明實施方式2的中孔薄膜的面間隔的圖；圖6是表示本發(fā)明實施方式2的中孔薄膜的圖；圖7是表示本發(fā)明實施方式2的中孔薄膜的燒結(jié)溫度和面間隔的關(guān)系的圖；圖8是表示和本發(fā)明實施方式2的中孔薄膜的波長和光吸收率的關(guān)系的圖；圖9是表示本發(fā)明實施方式2的中孔薄膜的頻率和光吸收率的關(guān)系的圖；圖10是表示本發(fā)明實施方式2的中孔薄膜(燒結(jié)溫度550℃)的的特性的測定結(jié)果圖；圖11是表示本發(fā)明實施方式2的中孔薄膜(燒結(jié)溫度400℃)的高頻特性的測定結(jié)果的圖；圖12是表示本發(fā)明實施方式3的氣敏元件的圖。
符號說明1 透光性玻璃基板2 透光性電極3 P型非晶體硅層4 N型非晶體硅層具體實施方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。
實施方式1作為本發(fā)明實施方式1，對使用該導(dǎo)電性薄膜作為透光性導(dǎo)電性薄膜的太陽能電池元件進(jìn)行說明。
該太陽能電池元件如圖1所示，其特征在于，形成有由形成于透光性玻璃基板1的表面的周期結(jié)構(gòu)磷酸錫表面(中孔薄膜)構(gòu)成的透光性電極2、形成于其上層的P型非晶體硅層3、形成于其更上層的N型非晶體硅層4、作為形成于其更上層的鋁制集電極的金屬電極5。在此，也可以將I層設(shè)在P型非晶體硅層3和N型非晶體硅層4之間。
該透光性電極2由沿著厚度方向周期性排列有筒狀空孔的中孔薄膜構(gòu)成，由于其能夠防止漫反射，因此不需要形成另外的漫反射防止層。因而，形成能夠提高光吸收率且光電變換效率高的太陽能電池元件。
對于另一部分，因其為通常的結(jié)構(gòu)，故省略其圖示及說明。
參照圖2(a)～(c)對包含該中孔薄膜的形成工序的太陽能電池元件的形成方法進(jìn)行說明。
首先，如圖2(a)所示，在透光性玻璃基板上形成本發(fā)明的中孔薄膜。
即，首先將陽離子型十六烷基三甲基溴化銨(CTAB:C16H33N+(CH3)3)、磷酸(H3PO4)、乙醇(EtOH)和水(H2O)作為界面活性劑，以溶液比為C16TAB∶H3PO4∶EtOH∶H2O＝0.75∶1.5∶50∶100的比例充填到容器100內(nèi)，將蓋101蓋上后進(jìn)行混合，如圖3(a)所示，用磁力攪拌器M攪拌10分鐘，調(diào)制成前驅(qū)體溶液(前驅(qū)體原絲)102。
將該溶液滴到固定在懸圖器103上的透光性玻璃基板上，如圖3(b)所示，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)鍍膜。起始以50rpm旋轉(zhuǎn)10秒鐘，其后轉(zhuǎn)速漸漸上升，以4000rpm旋轉(zhuǎn)60秒鐘。
其后，如圖3(c)及圖4所示，在密閉容器200內(nèi)配置SnCl4·5H2O作為骨架基料，安置形成有該涂敷膜41的玻璃基板1，裝入成為涂敷膜內(nèi)的骨架基料的SnCl4·5H2O的蒸汽粒子42并在363K進(jìn)行21小時熱處理(蒸汽浸透(Vapor Infiltrition；VI處理)。此時的蒸汽浸透的狀態(tài)如示意圖4所示。圖中△為P，黑圓點為Sn。前驅(qū)體溶液形成界面活性劑的周期性自凝聚體。即，該自凝聚體如圖4所示，形成凝聚以C16H33N+為分子的多個分子的球狀微胞結(jié)構(gòu)體。
這樣一來，進(jìn)行21小時熱處理之后，如圖3(c)所示，發(fā)生自組織化。
然后，通過在523～823K燒結(jié)除去界面活性劑，如圖3(d)所示，則形成由周期性排列有許多空孔的多孔質(zhì)薄膜(中孔薄膜)構(gòu)成的透光性電極2。該中孔薄膜的膜厚為100～300nm，周期結(jié)構(gòu)的重復(fù)寬度約為4nm，細(xì)孔直徑為3nm。另外，進(jìn)行阻抗測定時的導(dǎo)電性為46.2S/cm(1.0×105Hz)。
其后，如圖2(b)所示，使用通常的方法將PN接合。在此，利用減壓CVD法依次層疊P型非晶體硅層3和N型非晶體硅層4，此時，在作為透光性電極的中孔薄膜的空孔中形成P型非晶體硅層3，且具有與在其上層形成的N型非晶體硅層4的表面的面積增大的效果。另外在此，也可以代替減壓CVD法而使用等離子區(qū)CVD法。
接著，如圖2(c)所示，在其上層形成鋁薄膜并作為金屬電極5。
這樣一來，就得到了將周期性排列有筒狀空孔的導(dǎo)電性中孔薄膜作為透光性電極的太陽能電池元件。
實施方式2其次，對該中孔薄膜進(jìn)行評價。圖5表示涂敷前驅(qū)體溶液之后使用SnCl4VI處理，之后在723K燒結(jié)后的硅基板上的表面XRD特性曲線。圖中橫軸代表面間隔，縱軸代表強度。由該圖可知，利用涂敷了前驅(qū)體溶液后磷酸和界面活性劑分子間的靜電的相互作用，形成六角形的結(jié)構(gòu)。
再者，認(rèn)為因使用SnCl4VI處理后面間隔(d100)增大，所以Sn浸透到薄膜內(nèi)部六角形結(jié)構(gòu)的面間隔增大。從這些來看VI處理時的骨架部的形成機理由圖4可以明了。如圖4(a)所示，認(rèn)為界面活性劑的微胞凝聚體被暴露在含有磷P的蒸汽中時，如圖4(b)所示，磷P進(jìn)入微胞凝聚體之間，如圖4(c)所示，微胞凝聚體的面間隔增大。
另外，燒結(jié)后也能夠得到維持周期結(jié)構(gòu)的中孔薄膜(d100＝3.1nm)。燒結(jié)后的表面的TEM觀察圖如圖6所示。a表示涂敷后，b表示VI處理后，c表示燒結(jié)后。由此可知，相對于紙面平行地排列著細(xì)孔。面間隔與以3.2nm由XRD圖象得到的面間隔大致一致。
接著，改變燒結(jié)溫度并測定面間隔。圖7表示通過在燒結(jié)溫度573～823K燒結(jié)得到的薄膜的XRD圖象。隨著燒結(jié)溫度升高，薄膜面間隔收縮，但周期性被維持，且可以確認(rèn)到823K的耐熱性。另外，與EDAX測定結(jié)果相比，在燒結(jié)后的薄膜內(nèi)Sn和P以Sn/P＝36.57～54.91∶45.09～63.43的比存在。
另外，對相對于波長的光吸收率的測定結(jié)果用曲線a表示。用作比較的氧化錫(SnO2)用曲線b表示。由該曲線可知，在300nm以上具有極其良好的透光性。還可知，在300nm附近顯示出比氧化錫更良好的透光性，即使超過300nm，也具有同等程度的透光性。另外，對在紅外線域的光吸收率的測定結(jié)果如圖9所示。該圖中橫軸代表頻率，縱軸代表光吸收率。
對該薄膜的高頻阻抗特性曲線的測定結(jié)果如圖10所示。由該結(jié)果可知，具有良好地高頻特性。在此，縱軸代表電阻率的倒數(shù)，橫軸代表頻率。
將燒結(jié)溫度降低到400℃時的高頻阻抗曲線的測定結(jié)果如圖11所示。由圖可知，這種情況下也具有良好地頻率特性。
實施方式3作為本發(fā)明的第三實施方式，對將該中孔薄膜應(yīng)用于氣敏元件的例子進(jìn)行說明。
該碳酸氣敏元件，如圖12所示，是作為檢測極在碳酸鋰301上形成的導(dǎo)電性的中孔薄膜302的結(jié)構(gòu)，由檢測極和鋰離子導(dǎo)體303及標(biāo)準(zhǔn)極304三層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
即，構(gòu)成檢測極的材料為在用于直接和碳酸氣體接觸而產(chǎn)生起電力的碳酸鋰的表面層疊了本發(fā)明的導(dǎo)電性中孔薄膜的材料。另外，鋰離子導(dǎo)體是碳酸鋰及結(jié)晶化玻璃，標(biāo)準(zhǔn)極材料是將金添加到兩種類的鋰鐵氧體中而得到的材料。
根據(jù)該構(gòu)成，被用于檢測極的中孔薄膜為導(dǎo)電性高且多孔質(zhì)的薄膜，因此，容易實現(xiàn)用于高效地透過氣體且產(chǎn)生起電力的碳酸鋰。在此，該中孔薄膜使用與在實施方式1中所說明的方法同樣的方法形成。
在所述實施方式中，使用了陽離子型十六烷基三甲基溴化銨(CTAB:C16H33N+(CH3)3Br-)、磷酸(H3PO4)、乙醇(EtOH)和水(H2O)作為界面活性劑，但當(dāng)然不限定于此，使用其他的界面活性劑也可以。
但是，由于使用Na離子等堿金屬離子作為催化劑和作為半導(dǎo)體材料已成為劣化的原因，因此，使用陽離子型界面活性劑作為催化劑，優(yōu)選使用酸催化劑。作為酸催化劑，除HCI以外也可以使用硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)等。
另外，含有金屬的物質(zhì)除SnCl4以外可使用SnxIn1-xCI4、酢酸錫、錫的醇鹽等各種化合物材料。
還有，作為溶媒使用水H2O/乙醇混合溶媒，但也可以只使用水。
再有，作為燒結(jié)氛圍，使用氮氣氛圍，但也可以在減壓下，也可以在大氣中。
另外，界面活性劑、磷酸、溶媒的混合比可以適當(dāng)變更。
再者，燒結(jié)工序設(shè)定為在400℃進(jìn)行1小時，但在300℃～500℃進(jìn)行1～5小時也可以。優(yōu)選在350℃～450℃。
實施方式4還有，在所述實施方式1中，中孔薄膜的形成使用旋轉(zhuǎn)鍍膜法而進(jìn)行，但也可以使用浸漬法。
即，將基板相對于調(diào)整好的液面以1mm～10mm/s的速度垂直下降并沉入溶液中，靜置1秒～1小時。
然后，經(jīng)過所要求的時間后再將基板以1mm～10mm/s的速度上升而從溶液中取出。
最后，與所述實施方式1同樣，通過燒結(jié)將界面活性劑完全熱分解并除去，從而形成純中孔薄膜。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠容易地形成強度高且遍及大面積的、均勻的多孔質(zhì)導(dǎo)電性薄膜，由于機械強度也高，因此，也可應(yīng)用于可靠性高的太陽能電池元件、氣敏元件、燃料電池用電極、選擇滲透膜、紅外線反射膜、觸摸面板用導(dǎo)電膜等。
權(quán)利要求
1.一種中孔薄膜，其中，具有磷酸金屬鹽M-POX骨架的交聯(lián)結(jié)構(gòu)體以包圍周期性排列的空孔的方式形成。
2.如權(quán)利要求1所述的中孔薄膜，其中，構(gòu)成所述交聯(lián)結(jié)構(gòu)體的金屬含有Sn、In、Zn、Ir中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1或2所述的中孔薄膜，其中，所述交聯(lián)結(jié)構(gòu)體沿所述中孔薄膜的厚度方向周期性排列有圓柱狀空孔。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的中孔薄膜，其中，膜厚為10μm以下。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的中孔薄膜，其中，所述中孔薄膜具有透光性。
6.一種電子器件，其中，使用權(quán)利要求1～5中任一項所述的中孔薄膜作為電極。
7.一種中孔薄膜的制造方法，其中，包括調(diào)制含有磷酸和界面活性劑的前驅(qū)體溶液的工序、將所述前驅(qū)體溶液供給到基板上形成前驅(qū)體薄膜的工序、使含有金屬的蒸汽與在形成所述薄膜的工序中得到的前驅(qū)體薄膜接觸的接觸工序、使所述含有金屬的蒸汽與磷酸反應(yīng)形成自組織化薄膜的工序、使界面活性劑從自組織化薄膜脫離的脫離工序，并且，以具有磷酸金屬鹽的M-POX骨架的交聯(lián)結(jié)構(gòu)體為主要成分，形成周期性排列有空孔的中孔薄膜。
8.如權(quán)利要求7所述的中孔薄膜的制造方法，其中，所述接觸工序包括在充填了含有金屬的蒸汽的容器內(nèi)靜置所述前驅(qū)體薄膜的工序。
9.如權(quán)利要求7或8所述的中孔薄膜的制造方法，其中，所述脫離工序是煅燒所述交聯(lián)結(jié)構(gòu)體除去界面活性劑的工序。
10.如權(quán)利要求9所述的中孔薄膜的制造方法，其中，所述脫離工序是在300～550℃左右進(jìn)行煅燒的工序。
11.如權(quán)利要求10所述的中孔薄膜的制造方法，其中，包括在除去所述界面活性劑之前，將被供給了所述前驅(qū)體溶液的基體暴露于所述含有金屬的蒸汽中，使所述金屬-磷酸骨架高密度化的工序。
12.如權(quán)利要求9所述的中孔薄膜的制造方法，其中，所述脫離工序包括用酸提取界面活性劑的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的中孔薄膜的制造方法，其中，包括在所述用酸提取的工序之前，將被供給了所述前驅(qū)體溶液的基體暴露于所述含有金屬的蒸汽中，使所述交聯(lián)結(jié)構(gòu)體的金屬-磷酸骨架高密度化的工序。
14.如權(quán)利要求7～13中任一項所述的中孔薄膜的制造方法，其中，所述金屬含有Sn、In、Zn、Ir中的至少一種。
15.如權(quán)利要求7～14中任一項所述的中孔薄膜的制造方法，其中，包括調(diào)制含有十六烷基三甲基溴化銨C16TAB、磷酸H3PO4、乙醇EtOH和水的前驅(qū)體溶液的工序、將所述前驅(qū)體溶液涂敷到基板上的工序、使由所述涂敷工序附著的薄膜暴露在含有氯化錫SnCl4的蒸汽中的工序、通過對所述薄膜進(jìn)行煅燒，將界面活性劑從所述薄膜中除去，形成具有磷酸錫骨架的交聯(lián)結(jié)構(gòu)體的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種空孔率高、機械強度強的導(dǎo)電性多孔質(zhì)薄膜，本發(fā)明的中孔薄膜通過以下工序形成調(diào)制含有磷酸和界面活性劑的前驅(qū)體溶液的工序、將所述前驅(qū)體溶液供給到基板上形成前驅(qū)體薄膜的工序、使含有金屬的蒸汽與在形成所述薄膜的工序中得到的前驅(qū)體薄膜接觸的接觸工序、所述含有金屬的蒸汽與磷酸反應(yīng)形成自組織化薄膜的工序、使界面活性劑從自組織化薄膜脫離的脫離工序，并且，具有磷酸金屬鹽(M－PO
文檔編號H01L31/04GK101053067SQ200580036078
公開日2007年10月10日 申請日期2005年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月22日
發(fā)明者西山憲和, 高岡將樹, 神澤公 申請人:國立大學(xué)法人大阪大學(xué), 羅姆股份有限公司