液滴噴射裝置和用于制造液滴噴射裝置的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及液滴噴射裝置和用于制造液滴噴射裝置的方法，液滴噴射裝置包括：形成有噴嘴的噴嘴板；堆疊在噴嘴板上且形成有包括與噴嘴連通的壓力腔室的液體流動(dòng)通道的第一流動(dòng)通道形成體；被布置在第一流動(dòng)通道形成體的與噴嘴板相反的一側(cè)上的表面上且被構(gòu)造成對(duì)壓力腔室中的液體施加壓力的壓電元件；和被布置在相對(duì)于第一流動(dòng)通道形成體而言與噴嘴板相反的所述一側(cè)上從而不阻止壓電元件的驅(qū)動(dòng)的第二流動(dòng)通道形成體。第二流動(dòng)通道形成體形成有液體存儲(chǔ)腔室和被構(gòu)造成限制從液體存儲(chǔ)腔室流動(dòng)到壓力腔室中的液體量的節(jié)流流動(dòng)通道。
【專(zhuān)利說(shuō)明】液滴噴射裝置和用于制造液滴噴射裝置的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2013年9月30日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?013-203439的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考在此并入。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種被構(gòu)造成從噴嘴噴射液滴的液滴噴射裝置和用于制造該液滴噴射裝置的方法。

【背景技術(shù)】
[0004]在日本專(zhuān)利號(hào)3422364中描述的噴墨型記錄頭中，流動(dòng)通道形成基板設(shè)有與噴嘴連通的壓力腔室、用于將墨供應(yīng)到壓力腔室同時(shí)限制流入到壓力腔室的墨量的供墨通道和用于連通供墨通道與儲(chǔ)存器部的連通部。在日本專(zhuān)利號(hào)3422364中公開(kāi)的噴墨型記錄頭中，壓力腔室和供墨通道被布置在與流動(dòng)通道形成基板的平面方向平行的一個(gè)方向上。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]如上所述，在日本專(zhuān)利號(hào)3422364的噴墨型記錄頭中，由于壓力腔室和供墨通道被布置在與流動(dòng)通道形成基板的平面方向平行的一個(gè)方向上，因此擔(dān)心噴墨型記錄頭在所述一個(gè)方向上的尺寸增長(zhǎng)。
[0006]本教導(dǎo)的目的是提供一種液滴噴射裝置和用于制造該液體噴射裝置的方法，其能夠抑制流動(dòng)通道形成體在與流動(dòng)通道形成體的平面方向平行的方向上的尺寸增長(zhǎng)，在流動(dòng)通道形成體中形成包括壓力腔室的液體流動(dòng)通道。
[0007]根據(jù)本教導(dǎo)的第一方面，提供一種液滴噴射裝置，包括:形成有噴嘴的噴嘴板；第一流動(dòng)通道形成體，所述第一流動(dòng)通道形成體被堆疊在所述噴嘴板上，所述第一流動(dòng)通道形成體形成有液體流動(dòng)通道，所述液體流動(dòng)通道包括被構(gòu)造成與所述噴嘴連通的壓力腔室；壓電元件，所述壓電元件被布置在所述第一流動(dòng)通道形成體的在與所述噴嘴板相反的一側(cè)上的表面上，并且所述壓電元件被構(gòu)造成對(duì)所述壓力腔室中的液體施加壓力；和第二流動(dòng)通道形成體，所述第二流動(dòng)通道形成體被布置在相對(duì)于所述第一流動(dòng)通道形成體而言與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上，從而不阻止所述壓電元件的驅(qū)動(dòng)，其中所述第二流動(dòng)通道形成體形成有液體存儲(chǔ)腔室和節(jié)流流動(dòng)通道，所述液體存儲(chǔ)腔室被構(gòu)造成存儲(chǔ)所述液體，所述節(jié)流流動(dòng)通道被布置在所述壓力腔室和所述液體存儲(chǔ)腔室之間，并且所述節(jié)流流動(dòng)通道被構(gòu)造成連接所述壓力腔室和所述液體存儲(chǔ)腔室并限制從所述液體存儲(chǔ)腔室流動(dòng)到所述壓力腔室中的液體量，就與所述第一流動(dòng)通道形成體的預(yù)定平面方向垂直的方向而言，所述噴嘴、所述壓力腔室、所述節(jié)流流動(dòng)通道和所述液體存儲(chǔ)腔室依次布置，并且
[0008]當(dāng)從與所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)，所述節(jié)流流動(dòng)通道與所述壓力腔室重疊。
[0009]根據(jù)本教導(dǎo)的第二方面，提供一種用于制造液滴噴射裝置的方法，所述液滴噴射裝置包括:形成有噴嘴的噴嘴板；第一流動(dòng)通道形成體，所述第一流動(dòng)通道形成體被堆疊在所述噴嘴板上，并且所述第一流動(dòng)通道形成體形成有液體流動(dòng)通道，所述液體流動(dòng)通道包括被構(gòu)造成與所述噴嘴連通的壓力腔室；壓電元件，所述壓電元件被布置在所述第一流動(dòng)通道形成體的在與所述噴嘴板相反的一側(cè)上的表面上，并且所述壓電元件被構(gòu)造成對(duì)所述壓力腔室中的液體施加壓力；和第二流動(dòng)通道形成體，所述第二流動(dòng)通道形成體被布置在相對(duì)于所述第一流動(dòng)通道形成體而言與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上，其中所述第二流動(dòng)通道形成體包括:樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層被布置在相對(duì)于所述第一流動(dòng)通道形成體而言與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上，并且所述樹(shù)脂層形成有被構(gòu)造成與所述壓力腔室連通的節(jié)流流動(dòng)通道；和存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件，所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件被布置在所述樹(shù)脂層的在與所述第一流動(dòng)通道形成體相反的一側(cè)上的表面上，并且所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件形成有被構(gòu)造成與所述節(jié)流流動(dòng)通道連通的液體存儲(chǔ)腔室，所述方法包括:壓電元件形成步驟，用于在將作為所述第一流動(dòng)通道形成體的基板上形成所述壓電元件；抗蝕劑層形成步驟，用于在形成有所述壓電元件的所述基板上形成抗蝕劑層，所述抗蝕劑層包含感光樹(shù)脂材料，并且所述抗蝕劑層將作為所述樹(shù)脂層；曝光步驟，用于通過(guò)用光線(xiàn)照射所述抗蝕劑層的一部分而在所述抗蝕劑層中形成用所述光線(xiàn)照射的照射部和未用所述光線(xiàn)照射的非照射部；和去除步驟，用于去除所述照射部和所述非照射部中的一個(gè)，其中在所述曝光步驟中，所述照射部和所述非照射部中的所述一個(gè)被形成在所述抗蝕劑層的形成所述節(jié)流流動(dòng)通道的第一部分處，并且所述照射部和所述非照射部中的另一個(gè)被形成在所述抗蝕劑層的除了所述第一部分之外的第二部分處，并且其中在所述去除步驟中，通過(guò)從所述抗蝕劑層去除所述照射部和所述非照射部中的所述一個(gè)而在所述抗蝕劑層中形成所述節(jié)流流動(dòng)通道。
[0010]在根據(jù)本教導(dǎo)第一方面的液滴噴射裝置中，節(jié)流流動(dòng)通道被布置成當(dāng)從與第一流動(dòng)通道形成體的預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)與壓力腔室重疊。因此，與壓力腔室和節(jié)流流動(dòng)通道沿第一流動(dòng)通道形成體的預(yù)定平面方向布置的情況相比，能夠減少第一流動(dòng)通道形成體在預(yù)定平面方向上的長(zhǎng)度。由此，能夠抑制液滴噴射裝置在第一流動(dòng)通道形成體的預(yù)定平面方向上的尺寸增長(zhǎng)。
[0011]此外，在根據(jù)本教導(dǎo)第二方面用于制造液滴噴射裝置的方法中，通過(guò)形成包含感光樹(shù)脂的抗蝕劑層、在抗蝕劑層的形成節(jié)流流動(dòng)通道的第一部分形成用光線(xiàn)照射的照射部和未用光線(xiàn)照射的非照射部中的所述一個(gè)、然后從抗蝕劑層去除照射部和非照射部中的所述一個(gè)而在抗蝕劑層中形成節(jié)流流動(dòng)通道。由此，與形成有節(jié)流流動(dòng)通道的構(gòu)件被接合到基板的情況等相比，能夠提聞節(jié)流流動(dòng)通道相對(duì)于壓力腔室的定位精度。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是根據(jù)本教導(dǎo)的實(shí)施例的打印機(jī)的示意構(gòu)造圖。
[0013]圖2是圖1的打印機(jī)的噴墨頭的平面圖。
[0014]圖3是與圖2對(duì)應(yīng)的從其去除了存儲(chǔ)腔室形成體的圖。
[0015]圖4是與圖3對(duì)應(yīng)的從其去除了樹(shù)脂層的圖。
[0016]圖5是沿圖2-4的線(xiàn)V-V截取的剖面圖。
[0017]圖6是圖5的部分放大圖。
[0018]圖7是示出制造噴墨頭的過(guò)程的流程圖。
[0019]圖8A示出薄膜堆疊體被形成在硅基板上的狀態(tài)，圖SB示出抗蝕劑層被形成在基板上的狀態(tài)，圖8C示出曝光抗蝕劑層的狀態(tài)，并且圖8D示出抗蝕劑層的照射部已被去除的狀態(tài)。
[0020]圖9A示出下構(gòu)件被接合到樹(shù)脂層的狀態(tài)，圖9B示出壓力腔室被形成在硅基板中的狀態(tài)，圖9C示出噴嘴板已被接合到硅基板的狀態(tài)，并且圖9D示出中間構(gòu)件和上構(gòu)件已被接合到下構(gòu)件的狀態(tài)。
[0021]圖10是根據(jù)第一變型與圖5對(duì)應(yīng)的圖。
[0022]圖11是根據(jù)第一變型與圖7對(duì)應(yīng)的流程圖。
[0023]圖12A示出已在第一變型中形成第一抗蝕劑層的狀態(tài)，圖12B示出已在第一變型中形成第二抗蝕劑層的狀態(tài)，圖12C示出在第一變型中第一和第二抗蝕劑層被曝光的狀態(tài)，并且圖12D示出在第一變型中第一和第二抗蝕劑層的照射部已被去除的狀態(tài)。
[0024]圖13A示出根據(jù)第二變型下構(gòu)件被接合到樹(shù)脂層的狀態(tài)，并且圖13B示出在第二變型中硅基板已被研磨的狀態(tài)。

【具體實(shí)施方式】
[0025]下文中，將闡述本教導(dǎo)的優(yōu)選實(shí)施例。
[0026]如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施例的打印機(jī)I包括滑架2、噴墨頭3、輸送輥4等。
[0027]滑架2由在掃描方向上延伸的兩個(gè)導(dǎo)軌5支撐以沿導(dǎo)軌5在掃描方向上往復(fù)移動(dòng)。此外，以下說(shuō)明將以?huà)呙璺较虻淖髠?cè)和右側(cè)如圖1所示限定的方式進(jìn)行。噴墨頭3被安裝在滑架2上以從形成在其下表面中的多個(gè)噴嘴30噴射墨滴。輸送輥4被布置在滑架2的在與掃描方向垂直的輸送方向上的兩側(cè)，且在輸送方向上輸送多片記錄紙P。
[0028]在通過(guò)輸送輥4在輸送方向上輸送記錄紙P的同時(shí)，打印機(jī)I通過(guò)從與滑架2 —起在掃描方向上移動(dòng)的噴墨頭3噴射墨滴而在記錄紙P上執(zhí)行打印。
[0029]接下來(lái)，將說(shuō)明噴墨頭3。如圖2至圖6所示，噴墨頭3包括噴嘴板11、流動(dòng)通道形成基板12、薄膜堆疊體13、樹(shù)脂層14和儲(chǔ)存器單元15。圖2僅示出在一體形成的流動(dòng)通道中的前面提到的墨存儲(chǔ)腔室37。圖3僅示出在一體形成的流動(dòng)通道中的前述連接流動(dòng)通道32。在圖3中，樹(shù)脂層14被以陰影線(xiàn)示出。在圖4中，前述墨存儲(chǔ)腔室37和節(jié)流流動(dòng)通道33由雙點(diǎn)鏈線(xiàn)示出用于容易圖示出位置關(guān)系。
[0030]噴嘴板11由例如聚酰亞胺等的合成樹(shù)脂材料制成。噴嘴板11形成有多個(gè)噴嘴30。多個(gè)噴嘴30被在輸送方向上排列以形成噴嘴列9。噴嘴板11形成有在掃描方向上布置的兩個(gè)噴嘴列9。
[0031]流動(dòng)通道形成基板12由硅制成。在流動(dòng)通道形成基板12中形成與多個(gè)噴嘴30對(duì)應(yīng)的多個(gè)壓力腔室31。壓力腔室31中的每一個(gè)具有在掃描方向上伸長(zhǎng)的大致矩形的平面形狀，且具有相對(duì)于掃描方向和輸送方向而言的恒定高度。此外，多個(gè)壓力腔室31被在輸送方向上排列以與兩個(gè)噴嘴列9對(duì)應(yīng)。然后，形成右側(cè)噴嘴列9的多個(gè)噴嘴30在平面圖中與對(duì)應(yīng)壓力腔室31的右端部重疊。此外，形成左側(cè)噴嘴列9的多個(gè)噴嘴30在平面圖中與對(duì)應(yīng)壓力腔室31的左端部重疊。
[0032]在該實(shí)施例中，由于與壓力腔室31中的每一個(gè)在平面圖中具有方形形狀的情況相比，壓力腔室31中的每一個(gè)具有在掃描方向上伸長(zhǎng)的形狀，因此能夠以高密度在輸送方向上布置多個(gè)壓力腔室31和與多個(gè)壓力腔室31連通的多個(gè)噴嘴30。
[0033]薄膜堆疊體13包括墨分離層21、公共電極22、壓電層23、多個(gè)單獨(dú)電極24、保護(hù)層25和26、多根導(dǎo)線(xiàn)27和其它保護(hù)層28。
[0034]墨分離層21由二氧化硅(S12)等形成且在流動(dòng)通道形成基板12的上表面12a的整個(gè)區(qū)域上延伸。此外，通孔21a被形成在墨分離層21的在平面圖中與壓力腔室31的在掃描方向上與噴嘴30相反的一側(cè)上的端部重疊的部分。
[0035]公共電極22由金屬材料形成，且被形成在墨分離層21的上表面上。公共電極22連續(xù)延伸越過(guò)多個(gè)壓力腔室31。此外，公共電極22恒定保持在地電位。
[0036]壓電層23由主要由鋯鈦酸鉛構(gòu)成的壓電材料制成，且被布置在形成在墨分離層21的上表面的公共電極22的上表面上，鋯鈦酸鉛是鈦酸鉛和鋯酸鉛的混合晶體。此外，壓電層23連續(xù)延伸越過(guò)與相應(yīng)噴嘴列9對(duì)應(yīng)的多個(gè)壓力腔室31。壓電層23預(yù)先在其厚度方向上(例如圖6中向下)極化。
[0037]多個(gè)單獨(dú)電極24中的每一個(gè)具有在掃描方向上伸長(zhǎng)的大致矩形的平面形狀，且被形成在壓電層23的上表面上的在平面圖中與壓力腔室31之一重疊的部分中。
[0038]保護(hù)層25由氧化鋁(Al2O3)、氮化硅等形成。保護(hù)層25被形成在墨分離層21的形成有公共電極22、壓電層23和多個(gè)單獨(dú)電極24的上表面上從而覆蓋公共電極22、壓電層23和多個(gè)單獨(dú)電極24。通孔25a被形成在保護(hù)層25的在平面圖與通孔21a之一重疊的每個(gè)部分中。通孔25b被形成在保護(hù)層25的在平面圖中與包括壓力腔室31之一的中央部分的大部重疊的每個(gè)部分中。通孔25c被形成在保護(hù)層25的在平面圖中與單獨(dú)電極24之一的在掃描方向上的噴嘴30側(cè)的端部重疊的每個(gè)部分中。
[0039]保護(hù)層26由二氧化硅等形成。保護(hù)層26被形成在保護(hù)層25的上表面上以與保護(hù)層25 —起覆蓋公共電極22、壓電層23和多個(gè)單獨(dú)電極24。通孔26a被形成在保護(hù)層26的在平面圖與通孔25a之一重疊的每個(gè)部分中。通孔26b被形成在保護(hù)層26的在平面圖中與通孔25b之一重疊的每個(gè)部分中。通孔26c被形成在保護(hù)層26的在平面圖中與通孔25c之一重疊的每個(gè)部分中。由此，多個(gè)單獨(dú)電極24分別從通孔25b、26b和從通孔25c、26c露出。此外，代替兩個(gè)保護(hù)層25、26，還能夠提供由二氧化硅形成的一個(gè)保護(hù)層。
[0040]多根導(dǎo)線(xiàn)27被形成在保護(hù)層26的上表面上。多根導(dǎo)線(xiàn)27被設(shè)置成與多個(gè)單獨(dú)電極24對(duì)應(yīng)且在從通孔25c、26c露出的部分處分別連接到對(duì)應(yīng)的單獨(dú)電極24。在平面圖中多根導(dǎo)線(xiàn)27從噴嘴30延伸離開(kāi)，從與單獨(dú)電極24連接的部分直到流動(dòng)通道形成基板12在掃描方向上的端部。導(dǎo)線(xiàn)27的在與和單獨(dú)電極24連接的部分相反的一側(cè)上的端部用作連接端子27a。連接端子27a經(jīng)由未示出的導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)件與未示出的驅(qū)動(dòng)器IC連接。由此，驅(qū)動(dòng)器IC能夠單獨(dú)地對(duì)單獨(dú)電極24選擇性地施加預(yù)定驅(qū)動(dòng)電位或地電位。
[0041]保護(hù)層28被形成在保護(hù)層26的形成有多根導(dǎo)線(xiàn)27的上表面上以覆蓋多根導(dǎo)線(xiàn)27。通孔28a被形成在保護(hù)層28的在平面圖中與通孔26a之一重疊的每個(gè)部分中。此外，通孔28b被形成在保護(hù)層28的在平面圖中與通孔26b之一重疊的每個(gè)部分中。
[0042]所有構(gòu)成薄膜堆疊體13的墨分離層21、公共電極22、多個(gè)壓電層23、多個(gè)單獨(dú)電極24、保護(hù)層25、26、多根導(dǎo)線(xiàn)27和保護(hù)層28的每一個(gè)的厚度大約是I至3 μ m。此外，在該實(shí)施例中，因?yàn)橥?1a、25a、26a和28a彼此豎直重疊，分別連接到壓力腔室31的連接流動(dòng)通道32被形成為在豎直方向上穿透薄膜堆疊體13。此外，在薄膜堆疊體13中，在平面圖中與壓力腔室31之一重疊的墨分離層21、公共電極22、壓電層23和單獨(dú)電極24的每個(gè)部分用作壓電兀件19。
[0043]這里，將說(shuō)明壓電元件19的操作。在壓電元件19中，單獨(dú)電極24以與公共電極22同樣的方式預(yù)先保持在地電位。如果單獨(dú)電極24的電位由于單獨(dú)電極24和公共電極22之間的電位差從地電位切換到前述驅(qū)動(dòng)電位，在壓電層23的夾在單獨(dú)電極24和公共電極22之間的每一個(gè)部分中產(chǎn)生沿著厚度方向(圖6中向下)的電場(chǎng)。由于該電場(chǎng)的方向平行于壓電層23的前述極化方向，壓電層23的上述部分在極化方向上皺縮，與之一起，壓電層23和墨分離層21在這些部分中作為整體變形以朝壓力腔室31突出。由此，壓力腔室31容積減少以對(duì)壓力腔室31內(nèi)部的墨產(chǎn)生增加的壓力，從而從與壓力腔室31連通的噴嘴30噴射墨滴。
[0044]樹(shù)脂層14是由例如環(huán)氧樹(shù)脂等的合成樹(shù)脂材料制成的構(gòu)件，且具有大約30至50 μ m的厚度。樹(shù)脂層14被布置在保護(hù)層28的除了掃描方向上的兩端部之外的區(qū)域的上表面上。
[0045]此外，節(jié)流流動(dòng)通道33被形成為在樹(shù)脂層14的在平面圖中與連接流動(dòng)通道32之一重疊的每個(gè)部分中豎直穿透樹(shù)脂層14而不相對(duì)于掃描方向和輸送方向彎曲。換言之，當(dāng)從與流動(dòng)通道形成基板12的表面垂直的方向看時(shí)，節(jié)流流動(dòng)通道33分別與連接流動(dòng)通道32重疊。由此，當(dāng)從流動(dòng)通道形成基板12的表面垂直的方向看時(shí)，節(jié)流流動(dòng)通道33中的每一個(gè)與壓力腔室31之一的在掃描方向上與噴嘴30相反的一側(cè)上的端部重疊。在從前述墨存儲(chǔ)腔室37到壓力腔室31之一的每個(gè)墨流動(dòng)通道中節(jié)流流動(dòng)通道33具有最大流動(dòng)阻力，且節(jié)流流動(dòng)通道33被構(gòu)造成限制從墨存儲(chǔ)腔室37流動(dòng)到壓力腔室31中的一個(gè)的墨量。
[0046]此外，在該實(shí)施例中，由于節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)在平面圖中與壓力腔室31之一重疊，與節(jié)流流動(dòng)通道33被形成在流動(dòng)通道形成基板12中且壓力腔室31和節(jié)流流動(dòng)通道33被布置在掃描方向上的情況相比，能夠減少流動(dòng)通道形成基板12在掃描方向上的長(zhǎng)度。由此，能夠抑制噴墨頭3在掃描方向上的尺寸增長(zhǎng)。
[0047]如果如上所述壓力腔室31的每一個(gè)在平面圖中具有在掃描方向上伸長(zhǎng)的形狀，流動(dòng)通道形成基板12可能在掃描方向上長(zhǎng)，因而噴墨頭3可能在掃描方向上尺寸增長(zhǎng)。因此，在該實(shí)施例中，通過(guò)如上所述布置節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)在平面圖中與壓力腔室31之一在長(zhǎng)度方向上的端部重疊，對(duì)于抑制噴墨頭3在掃描方向上尺寸增長(zhǎng)來(lái)說(shuō)具有重要意義。
[0048]這里，如果節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)與壓力腔室33之一在長(zhǎng)度方向上的端部重疊，則壓電元件19的每一個(gè)不可能延伸直到在平面圖中與壓力腔室31之一在長(zhǎng)度方向上的端部重疊的位置。然而，如果壓力腔室31的每一個(gè)在平面圖中具有在一個(gè)方向伸長(zhǎng)的形狀，在壓力元件19的每一個(gè)延伸直到在平面圖中與壓力腔室31之一在長(zhǎng)度方向上的端部重疊的位置的情況與壓力元件19的每一個(gè)不延伸直到在平面圖中與壓力腔室31之一在長(zhǎng)度方向上的端部重疊的位置的情況之間，當(dāng)壓電元件19被驅(qū)動(dòng)時(shí)，在壓電層23和墨分離層21的變形的程度上改變很小。
[0049]此外，當(dāng)從與流動(dòng)通道形成基板12的表面垂直的方向看時(shí)，節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)具有比對(duì)應(yīng)連接流動(dòng)通道32小的橫截面積。節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)的直徑比對(duì)應(yīng)連接流動(dòng)通道32的略小。例如，連接流動(dòng)通道32的每一個(gè)的直徑是大約32 μ m,而節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)的直徑是30μπι。此外，節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)在平面圖中與對(duì)應(yīng)連接流動(dòng)通道32完全重疊。換言之，當(dāng)從與流動(dòng)通道形成基板12的表面垂直的方向看時(shí)，節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)的整個(gè)橫截面與連接流動(dòng)通道32之一的橫截面重疊。由此，樹(shù)脂層14完全覆蓋薄膜堆疊體13的連接流動(dòng)通道32的每一個(gè)的內(nèi)壁。因此，能夠防止構(gòu)成薄膜堆疊體13的墨分離層21和保護(hù)層25、26、28的損壞。如果墨分離層21和保護(hù)層25、26、
28被損壞，它們的碎裂塊作為異物朝壓力腔室31流動(dòng)且引起一些問(wèn)題。在該實(shí)施例中，由于連接流動(dòng)通道32的每一個(gè)的內(nèi)壁在平面圖中不與節(jié)流流動(dòng)通道33之一重疊，從節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)朝壓力腔室31之一的墨流動(dòng)不被連接流動(dòng)通道33的每一個(gè)的內(nèi)壁阻礙，且墨平滑地從節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)流動(dòng)到壓力腔室31的每一個(gè)。
[0050]通孔34被形成在樹(shù)脂層14的在平面圖中與壓電元件19之一重疊的每個(gè)部分中。然后，前述多根導(dǎo)線(xiàn)27的每一個(gè)在平面圖中從與單獨(dú)電極24之一連接且與通孔34之一重疊的部分經(jīng)由與樹(shù)脂層14的不形成通孔34的部分重疊的部分延伸直到不與樹(shù)脂層14重疊的連接端子27a之一。
[0051]儲(chǔ)存器單元15包括下構(gòu)件41、中間構(gòu)件42和上構(gòu)件43。下構(gòu)件41是由金屬材料、硅等制成的板狀構(gòu)件，且被布置在樹(shù)脂層14的上表面上。直徑大于節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)的通孔35被形成在下構(gòu)件41的在平面圖中與節(jié)流流動(dòng)通道33之一重疊的每個(gè)部分中。通過(guò)以這種方式布置下構(gòu)件41，壓電元件19被樹(shù)脂層14的通孔34的內(nèi)壁和下構(gòu)件
41覆蓋。
[0052]中間構(gòu)件42是由與下構(gòu)件41相同材料制成的另一板狀構(gòu)件，且被布置在下構(gòu)件41的上表面上。通孔36被形成在中間構(gòu)件42的幾乎整個(gè)區(qū)域上。在該實(shí)施例中，由通孔35和通孔36形成的空間用作用于存儲(chǔ)墨的墨存儲(chǔ)腔室37。
[0053]上構(gòu)件43是由與下構(gòu)件41和中間構(gòu)件42相同材料制成的又另一板狀構(gòu)件，且被布置在中間構(gòu)件42的上表面上。墨供應(yīng)流動(dòng)通道38被設(shè)置在上構(gòu)件43的大致中央部分以穿透上構(gòu)件43。由此，墨供應(yīng)流動(dòng)通道38的下端連接到墨存儲(chǔ)腔室37。墨供應(yīng)流動(dòng)通道38的上端經(jīng)由未示出的管等連接到未示出的墨盒。由此，存儲(chǔ)在墨盒中的墨經(jīng)由墨供應(yīng)流動(dòng)通道38供應(yīng)到墨存儲(chǔ)腔室37。
[0054]在該實(shí)施例中，噴嘴30、壓力腔室31、節(jié)流流動(dòng)通道33和墨存儲(chǔ)腔室37具有如上所述的位置關(guān)系，且噴嘴30、壓力腔室31、節(jié)流流動(dòng)通道33和墨存儲(chǔ)腔室37從下方依次豎直布置。此外，在該實(shí)施例中，通孔34被形成在樹(shù)脂層14中，且儲(chǔ)存器單元15被布置成不阻礙壓電元件19的驅(qū)動(dòng)。
[0055]接下來(lái)，使用圖7的流程圖，將說(shuō)明制造噴墨頭3的方法。為了制造噴墨頭3，如圖8A所示，包括壓電元件19的薄膜堆疊體13被首先形成在硅基板112的上表面112a上，該硅基板稍后將形成流動(dòng)通道形成基板12 (步驟S101)。硅基板112具有與壓力腔室31的高度對(duì)應(yīng)的厚度。在以下說(shuō)明中，如短語(yǔ)“步驟S101”將簡(jiǎn)單地表述為“S101”，依此類(lèi)推。此夕卜，在圖8A至8D和圖9A至9D中，為了清楚地看圖，薄膜堆疊體13的每一層被示出為比圖5和圖6中的厚。
[0056]因?yàn)楸疚氖褂昧擞糜谛纬杀∧ざ询B體13的相同傳統(tǒng)方法，因此將省略詳細(xì)描述。為了簡(jiǎn)要說(shuō)明，通過(guò)順序形成薄膜堆疊體13的每一層的膜和然后在適當(dāng)?shù)臅r(shí)刻通過(guò)蝕刻等去除形成的膜的不需要的部分，根據(jù)公知的膜形成方法例如溶膠-凝膠法、濺射法等形成薄膜堆疊體13。
[0057]接下來(lái)，根據(jù)例如旋涂法等的膜形成方法，包含感光樹(shù)脂的液體抗蝕劑被施加到形成有薄膜堆疊體13的硅基板112(S102)。然后，施加的抗蝕劑被干燥(S103)。由此，如圖8B所示，抗蝕劑層114被形成在形成有薄膜堆疊體13的硅基板112上。
[0058]接下來(lái)，抗蝕劑層114被曝光(S104)。為了更詳細(xì)說(shuō)明，如圖8C所示，光掩模M被布置在抗蝕劑層114上方。光掩模M具有遮光部Ma，這些遮光部Ma用于對(duì)抗蝕劑層114的將形成節(jié)流流動(dòng)通道33和通孔34的部分遮蔽任何光線(xiàn)。然后，紫外線(xiàn)U從光掩模M上方朝抗蝕劑層114照射。由此，抗蝕劑層114的在平面圖中不與遮光部Ma重疊的部分被形成為用紫外線(xiàn)照射的照射部Al。此外，抗蝕劑層114的在平面圖中與遮光部Ma重疊的部分被形成為沒(méi)用紫外線(xiàn)照射的非照射部A2。這里，形成抗蝕劑層114的抗蝕劑被稱(chēng)為負(fù)抗蝕齊U。因此，在通過(guò)曝光形成在抗蝕劑層114中的照射部Al和非照射部A2之間，僅非照射部A2可被用例如堿性水溶液、有機(jī)溶劑等的顯影劑去除。在這種情況下，當(dāng)在上述步驟S104中抗蝕劑層114被紫外線(xiàn)U照射時(shí)照射部Al被硬化。
[0059]接下來(lái)，如圖8D所示，顯影劑用于去除抗蝕劑層114的非照射部A2 (S105)。由此，抗蝕劑層114成為形成有節(jié)流流動(dòng)通道33和通孔34的樹(shù)脂層14。
[0060]以這種方式，在該實(shí)施例中，抗蝕劑層114被形成在形成有薄膜堆疊體13的硅基板112上，并且通過(guò)用光線(xiàn)照射抗蝕劑層114形成照射部Al和非照射部A2。然后，通過(guò)用顯影劑去除非照射部A2而形成形成有節(jié)流流動(dòng)通道33的樹(shù)脂層14。因此，與預(yù)先形成有節(jié)流流動(dòng)通道33的構(gòu)件接合到形成有薄膜堆疊體等13的娃基板112的頂部情況等相比，能夠提高節(jié)流流動(dòng)通道33相對(duì)于壓力腔室31的定位的準(zhǔn)確性。
[0061]在該實(shí)施例中，由于薄膜堆疊體13包括多根導(dǎo)線(xiàn)27，在薄膜堆疊體13的上表面的在平面圖中與多根導(dǎo)線(xiàn)27重疊的部分中形成與導(dǎo)線(xiàn)27的每一個(gè)大約同樣厚度的凹部和凸部。另一方面，多根導(dǎo)線(xiàn)27在平面圖中與樹(shù)脂層14的不形成有節(jié)流流動(dòng)通道33和通孔34的部分重疊。在該實(shí)施例中，通過(guò)對(duì)形成有薄膜堆疊體13的硅基板112施加包含感光樹(shù)脂的液體抗蝕劑且干燥抗蝕劑而形成抗蝕劑層114。因此，當(dāng)施加液體抗蝕劑時(shí)，液體抗蝕劑沿薄膜堆疊體13的上表面的凹部和凸部流動(dòng)使得不在抵抗劑層114和薄膜堆疊體13之間形成間隙。因此，能夠防止墨從薄膜堆疊體13和樹(shù)脂層14之間泄漏。
[0062]同時(shí)，抵抗劑層114的下表面具有與薄膜堆疊體13的上表面的凹部和凸部對(duì)應(yīng)的凸部和凹部。在該實(shí)施例中，如上所述，樹(shù)脂層14以及將形成樹(shù)脂層14的抵抗劑層114是每一根導(dǎo)線(xiàn)27的十倍或更多的厚度。因此，樹(shù)脂層14的上表面是沒(méi)有凹部和凸部的平表面。
[0063]接下來(lái)，如圖9A所示，預(yù)制的下構(gòu)件41用粘結(jié)劑等被接合到樹(shù)脂層14的上表面(S106)。然后，通過(guò)研磨硅基板112的上表面而調(diào)整硅基板112的厚度，如圖9B所示，壓力腔室31通過(guò)蝕刻等被形成在硅基板112中(S107)。通過(guò)該步驟，硅基板112成為形成有壓力腔室31的流動(dòng)通道形成基板12。然后，如圖9C所示，預(yù)制的噴嘴板11被接合到流動(dòng)通道形成基板12的下表面(S108)。然后，如圖9D所示，預(yù)制的中間構(gòu)件42被接合到下構(gòu)件41的上表面，此外，預(yù)制的上構(gòu)件43被接合到中間構(gòu)件42的上表面(S109)。
[0064]在該實(shí)施例中，通過(guò)如步驟S106至S109將構(gòu)件41至43順序接合到樹(shù)脂層14的上表面，能夠容易形成形成有比節(jié)流流動(dòng)通道33大容積的墨存儲(chǔ)腔室37的儲(chǔ)墨器單元15。由于節(jié)流流動(dòng)通道33用于調(diào)整墨流入壓力腔室31中的量，它們需要具有相對(duì)于壓力腔室31相當(dāng)高的定位精度。另一方面，由于提供墨存儲(chǔ)腔室37以臨時(shí)存儲(chǔ)用于供應(yīng)壓力腔室31的墨，不需要具有與節(jié)流流動(dòng)通道33同樣高的定位精度。因此，即使當(dāng)接合構(gòu)件41至43時(shí)即使發(fā)生一點(diǎn)位置偏離，也沒(méi)有問(wèn)題。
[0065]如上所述，在該實(shí)施例中，由于樹(shù)脂層14的上表面是沒(méi)有凹部和凸部的平表面，當(dāng)下構(gòu)件41被接合到樹(shù)脂層14的上表面時(shí)，能夠防止在樹(shù)脂層14和下構(gòu)件41之間形成任何間隙。
[0066]以該方式，通過(guò)上述步驟SlOl至S109制造噴墨頭3。
[0067]在該實(shí)施例中，噴墨頭3對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的液滴噴射裝置。流動(dòng)通道形成基板12對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的第一流動(dòng)通道形成體，而沿著流動(dòng)通道形成基板12的表面的方向?qū)?yīng)于本教導(dǎo)的預(yù)定平面方向。其所有構(gòu)成薄膜堆疊體13的墨分離層21、公共電極22、壓電層23、單獨(dú)電極24、保護(hù)層25、26、導(dǎo)線(xiàn)27和保護(hù)層28對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的多個(gè)層。墨存儲(chǔ)腔室37對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的液體存儲(chǔ)腔室。儲(chǔ)存器單元15對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件，下構(gòu)件41對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的第一存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件，并且中間構(gòu)件42和上構(gòu)件43對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的第二存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件。樹(shù)脂層14和儲(chǔ)存器單元15的組合對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的第二流動(dòng)通道形成體。此外，掃描方向?qū)?yīng)于本教導(dǎo)的預(yù)定一個(gè)方向。
[0068]在該實(shí)施例中，步驟SlOl對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的壓電元件形成步驟。步驟S102和S103的組合對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的抗蝕劑層形成步驟。步驟S104對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的曝光步驟。步驟S105對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的去除步驟。步驟S106對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的第一存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合步驟，步驟S109對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的第二存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合步驟，并且這兩個(gè)步驟的組合對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合步驟。此外，非照射部A2對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的一個(gè)部分，而照射部Al對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的另一個(gè)部分。
[0069]接下來(lái)，將說(shuō)明對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行各種改變的兩個(gè)變型。
[0070]在以上實(shí)施例中，樹(shù)脂層14由一個(gè)硬化的抗蝕劑層形成。然而，不限于此，在如圖10所示的一個(gè)變型(第一變型)中，樹(shù)脂層14由布置在形成有薄膜堆疊體13的流動(dòng)通道形成基板12上的第一樹(shù)脂層14a和布置在第一樹(shù)脂層14a的上表面上的第二樹(shù)脂層14b一體形成。第一樹(shù)脂層14a和第二樹(shù)脂層14b中的每一個(gè)由硬化的感光樹(shù)脂形成。這里，第一樹(shù)脂層14a和第二樹(shù)脂層14b可由相同樹(shù)脂材料形成或不同樹(shù)脂材料形成。
[0071]在這種情況下，如圖11所示，在前述步驟SlOl之后，根據(jù)例如旋涂法等的膜形成方法，包含感光樹(shù)脂的液體第一抗蝕劑被施加到形成有薄膜堆疊體13的硅基板112 (S201)，然后施加的第一抗蝕劑被干燥(S202)。由此，如圖12A所示，第一抗蝕劑層114a被形成在形成有薄膜堆疊體13的硅基板112之上。
[0072]接下來(lái)，根據(jù)例如旋涂法等的膜形成方法，包含感光樹(shù)脂的液體第二抗蝕劑被施加到第一抗蝕劑層114a的上表面(S203)，然后施加的第二抗蝕劑被干燥(S204)。由此，如圖12B所示，第二抗蝕劑層114b被形成在第一抗蝕劑層114a的上表面上。薄膜堆疊體13的每個(gè)層以及抗蝕劑層114被示出在圖12A至圖12D中以比在圖10中的厚。
[0073]這里，第一抗蝕劑被硬化之前的粘度低于第二抗蝕劑被硬化之前的粘度。例如，第一抗蝕劑和第二抗蝕劑可包含相同類(lèi)型的感光樹(shù)脂，且第一抗蝕劑的感光樹(shù)脂當(dāng)被施加時(shí)可比第二抗蝕劑的感光樹(shù)脂被施加時(shí)薄?？商娲兀赏ㄟ^(guò)使包含在第一抗蝕劑中的感光樹(shù)脂與包含在第二抗蝕劑中的感光樹(shù)脂類(lèi)型不同而產(chǎn)生如上所述這種粘度差別。
[0074]接下來(lái)，第一抗蝕劑層114a和第二抗蝕劑層114b被曝光(S205)。為了更詳細(xì)地說(shuō)明，如圖12C所示，與以上實(shí)施例相同的光掩模M被布置在通過(guò)堆疊第一抗蝕劑層114a和第二抗蝕劑層114b形成的抗蝕劑層114上方。然后，紫外線(xiàn)U被從光掩模M上方朝抗蝕劑層114照射。由此，第一抗蝕劑層114a和第二抗蝕劑層114b的在平面圖中不與遮光部Ma重疊的部分被形成為通過(guò)用紫外線(xiàn)照射硬化的照射部Al。此外，第一抗蝕劑層114a和第二抗蝕劑層114b的在平面圖中與遮光部Ma重疊的部分被形成為不通過(guò)用紫外線(xiàn)照射的非照射部A2。
[0075]之后，通過(guò)與上述實(shí)施例相同方式的步驟S105至S109執(zhí)行制造噴墨頭3的過(guò)程。
[0076]在第一變型中，由于第一抗蝕劑被施加時(shí)的粘度低于第二抗蝕劑被施加時(shí)的粘度，當(dāng)施加液體第一抗蝕劑時(shí)，液體第一抗蝕劑沿薄膜堆疊體13的上表面的凹部和凸部可靠地流動(dòng)，使得在第一抗蝕劑層114a和薄膜堆疊體13之間不形成間隙。由此，能夠防止墨從薄膜堆疊體13和抗蝕劑層14之間泄漏。
[0077]另一方面，由于第二抗蝕劑被施加時(shí)的粘度高于第一抗蝕劑被施加時(shí)的粘度，通過(guò)第二抗蝕劑施加到第一抗蝕劑層114a的上表面能夠增加第二抗蝕劑層114b的高度。由此，能夠使得整個(gè)抗蝕劑層114比抗蝕劑114僅通過(guò)第一抗蝕劑整體形成的情況厚。S卩，通過(guò)在第二樹(shù)脂層14b和薄膜堆疊體13之間插入薄膜樹(shù)脂層14a，能夠增加樹(shù)脂層14和薄膜堆疊體13的接合強(qiáng)度，同時(shí)，增加形成在樹(shù)脂層14中的節(jié)流流動(dòng)通道33的長(zhǎng)度的自由度。
[0078]此外，在該第一變型中，步驟S201和S202的組合對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的第一抗蝕劑層形成步驟。此外，步驟S203和S204的組合對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的第二抗蝕劑層形成步驟。
[0079]此外，在上述實(shí)施例中，樹(shù)脂層14是每一根導(dǎo)線(xiàn)27的十倍或更多厚度。然而，樹(shù)脂層14可以低于每一根導(dǎo)線(xiàn)27的十倍的厚度。在這種情況下，由于導(dǎo)線(xiàn)27的厚度的影響，可沿樹(shù)脂層14的上表面形成凹部和凸部。然而，通過(guò)增加施加以接合樹(shù)脂層14和下構(gòu)件41的粘合劑的量和/或?qū)?shù)脂層14和下構(gòu)件41彼此足夠強(qiáng)地彼此擠壓等，能夠在樹(shù)脂層14和下構(gòu)件41之間不形成任何間隙。
[0080]在以上實(shí)施例中，節(jié)流流動(dòng)通道33的直徑比連接流動(dòng)通道32小，且節(jié)流流動(dòng)通道33在平面圖中分別與連接流動(dòng)通道32完全重疊。然而，不限于此，節(jié)流流動(dòng)通道33的直徑分別可等于或小于連接流動(dòng)通道32。此外，不管節(jié)流流動(dòng)通道33和連接流動(dòng)通道32之間直徑的尺寸關(guān)系，每一個(gè)節(jié)流流動(dòng)通道33在平面圖中可與連接流動(dòng)通道32之一部分地不重疊。
[0081]在上述實(shí)施例中，節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)被布置成在平面圖中與壓力腔室31之一在長(zhǎng)度方向上的端部重疊。然而，不限于此，例如，節(jié)流流動(dòng)通道33的每一個(gè)在平面圖中可與壓力腔室31之一的除長(zhǎng)度方向上端部之外的其它部分重疊。此外，不限于在平面圖中的伸長(zhǎng)形狀，例如，壓力腔室31的每一個(gè)在平面圖中可具有方形等的平面形狀。
[0082]在以上實(shí)施例中，樹(shù)脂層14被布置在形成有薄膜堆疊體13的流動(dòng)通道形成基板12之上，且節(jié)流流動(dòng)通道33被形成在樹(shù)脂層14中。然而，不限于此，例如，由金屬材料、硅等制成的構(gòu)件可被布置在形成有薄膜堆疊體13的流動(dòng)通道形成基板12之上，節(jié)流流動(dòng)通道33可被形成在構(gòu)件的在平面圖中分別與壓力腔室31重疊的部分。在這種情況下，例如，預(yù)形成有節(jié)流流動(dòng)通道33的上述構(gòu)件可被接合到形成有薄膜堆疊體13的流動(dòng)通道形成基板12從而將形成有節(jié)流流動(dòng)通道33的構(gòu)件布置在形成有薄膜堆疊體13的流動(dòng)通道形成基板12上。
[0083]在以上實(shí)施例中，形成抗蝕劑層114的抗蝕劑是所謂的其非照射部A2可被例如堿性水溶液等的顯影劑去除的負(fù)抗蝕劑。然而，不限于此，形成抗蝕劑層114的抗蝕劑可以是照射部Al可被顯影劑去除的所謂的正抗蝕劑。在這種情況下，在上述步驟S104中，前述使用的光掩模M可設(shè)有位于在平面圖中不與節(jié)流流動(dòng)通道33和通孔34重疊的遮光部Ma。由此，抗蝕劑層114的在平面圖中與節(jié)流流動(dòng)通道33和通孔34重疊的部分被形成為照射部Al。此外，抗蝕劑層114的在平面圖中不與節(jié)流流動(dòng)通道33和通孔34重疊的部分被形成為非照射部A2。然后，通過(guò)在步驟S105中用顯影劑去除照射部Al，樹(shù)脂層14形成有節(jié)流流動(dòng)通道33和通孔34。在這種情況下，在曝光抗蝕劑層114和去除照射部Al之后，抗蝕劑層114通過(guò)加熱抗蝕劑層114而硬化。在這種情況下，照射部Al對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的一個(gè)部分，而非照射部A2對(duì)應(yīng)于本教導(dǎo)的另一個(gè)部分。
[0084]在上述實(shí)施例中，在下構(gòu)件41接合到樹(shù)脂層14的上表面之后，形成壓力腔室31，噴嘴板11被接合，然后構(gòu)件42、43被接合到下構(gòu)件41。然而，不限于此，例如，在構(gòu)件41至43接合到樹(shù)脂層14的上表面之后，可執(zhí)行壓力腔室31的形成和噴嘴板11的聯(lián)接。在這種情況下，儲(chǔ)存器單元15不限于通過(guò)三個(gè)構(gòu)件41至43形成。例如，儲(chǔ)存器單元15可通過(guò)上構(gòu)件43和包括與下構(gòu)件41對(duì)應(yīng)的部分和與中間構(gòu)件42對(duì)應(yīng)的部分的其它構(gòu)件形成?？商娲?，儲(chǔ)存器單元15可通過(guò)具有與構(gòu)件41至43分別對(duì)應(yīng)的部分的一個(gè)構(gòu)件形成。
[0085]在上述實(shí)施例中，在前述SlOl中形成膜的階段，硅基板112具有與壓力腔室31的高度對(duì)應(yīng)的厚度。然而，不限于此，例如，在前述SlOl中形成膜的階段，硅基板112的厚度可超出與壓力腔室31的高度對(duì)應(yīng)的厚度。然后，在根據(jù)與上述實(shí)施例同樣的前述SlOl至S105形成薄膜堆疊體13和樹(shù)脂層14之后，與S106相同方式，下構(gòu)件41可被接合到如圖13A中示出的樹(shù)脂層14的上表面。接下來(lái)，通過(guò)在接合到樹(shù)脂層14的下構(gòu)件41被支撐的狀態(tài)下，研磨硅基板112的下表面，硅基板112的厚度可被調(diào)整以對(duì)應(yīng)于壓力腔室31的高度，如圖13B所示。
[0086]在以上變型中，在下構(gòu)件41被接合到樹(shù)脂層14的上表面之后，在下構(gòu)件41被支撐的狀態(tài)下研磨硅基板112。因此，能夠使用下構(gòu)件41作為用于當(dāng)研磨硅基板112時(shí)支撐娃基板112的支撐構(gòu)件。由此,能夠容易研磨娃基板112。此外,能夠防止娃基板112的損壞。
[0087]在上述實(shí)施例中，壓電元件19的每一個(gè)通過(guò)從下方堆疊墨分離層21、公共電極22、壓電層23和單獨(dú)電極24形成。然而，不限于該堆疊順序，例如，壓電元件19的每一個(gè)可還通過(guò)從下方堆疊墨分離層21、單獨(dú)電極24、壓電層23和公共電極22形成。在該情況下，導(dǎo)線(xiàn)27可被形成在墨分離層21的上表面上，而保護(hù)層25、26可被形成在導(dǎo)線(xiàn)27和公共電極22之間。
[0088]此外，在以上實(shí)施例中，噴嘴板11被直接接合到流動(dòng)通道形成基板112的下表面。然而，另一板可被插入在流動(dòng)通道形成基板12和噴嘴板11之間。在該情況下，可以在被插入在流動(dòng)通道形成基板112和噴嘴板11之間的板中形成流動(dòng)通道，以允許壓力腔室31分別與噴嘴13連通。由此，能夠擴(kuò)大流動(dòng)通道的每一個(gè)從壓力腔室31到噴嘴13的長(zhǎng)度。
[0089]此外，利用本教導(dǎo)應(yīng)用于被構(gòu)造成從噴嘴噴射墨滴的噴墨頭的示例進(jìn)行上述說(shuō)明。然而，不限于此，能夠?qū)⒈窘虒?dǎo)應(yīng)用到不同于噴墨頭的用于噴射除了墨滴之外的液滴的任何液滴噴射裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種液滴噴射裝置，包括: 形成有噴嘴的噴嘴板； 第一流動(dòng)通道形成體，所述第一流動(dòng)通道形成體被堆疊在所述噴嘴板上，所述第一流動(dòng)通道形成體形成有液體流動(dòng)通道，所述液體流動(dòng)通道包括被構(gòu)造成與所述噴嘴連通的壓力腔室； 壓電元件，所述壓電元件被布置在所述第一流動(dòng)通道形成體的在與所述噴嘴板相反的一側(cè)上的表面上，并且所述壓電元件被構(gòu)造成對(duì)所述壓力腔室中的液體施加壓力；和 第二流動(dòng)通道形成體，所述第二流動(dòng)通道形成體被布置在相對(duì)于所述第一流動(dòng)通道形成體而言與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上，從而不阻止所述壓電元件的驅(qū)動(dòng)， 其中所述第二流動(dòng)通道形成體形成有液體存儲(chǔ)腔室和節(jié)流流動(dòng)通道，所述液體存儲(chǔ)腔室被構(gòu)造成存儲(chǔ)所述液體，所述節(jié)流流動(dòng)通道被布置在所述壓力腔室和所述液體存儲(chǔ)腔室之間，并且所述節(jié)流流動(dòng)通道被構(gòu)造成連接所述壓力腔室和所述液體存儲(chǔ)腔室并限制從所述液體存儲(chǔ)腔室流動(dòng)到所述壓力腔室中的液體量， 就與所述第一流動(dòng)通道形成體的預(yù)定平面方向垂直的方向而言，所述噴嘴、所述壓力腔室、所述節(jié)流流動(dòng)通道和所述液體存儲(chǔ)腔室依次布置，并且 當(dāng)從與所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)，所述節(jié)流流動(dòng)通道與所述壓力腔室重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液滴噴射裝置， 其中所述壓力腔室被形成為在所述第一流動(dòng)通道形成體中的多個(gè)壓力腔室， 所述多個(gè)壓力腔室中的每一個(gè)壓力腔室在沿著所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向的一個(gè)預(yù)定方向上伸長(zhǎng)，并且所述多個(gè)壓力腔室在與所述一個(gè)預(yù)定方向垂直的方向上對(duì)準(zhǔn)，并且 當(dāng)從與所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)，所述節(jié)流流動(dòng)通道與所述壓力腔室中的每一個(gè)壓力腔室的在所述一個(gè)預(yù)定方向上的一個(gè)端部重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液滴噴射裝置， 其中所述第二流動(dòng)通道形成體包括: 樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層由硬化感光樹(shù)脂形成，所述樹(shù)脂層被布置在相對(duì)于所述第一流動(dòng)通道形成體而言與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上，并且所述樹(shù)脂層形成有所述節(jié)流流動(dòng)通道；和 存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件，所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件被布置在所述樹(shù)脂層的在與所述第一流動(dòng)通道形成體相反的一側(cè)上的表面上，并且所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件形成有所述液體存儲(chǔ)腔室。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液滴噴射裝置， 其中所述壓力腔室被形成為在所述第一流動(dòng)通道形成體中的多個(gè)壓力腔室， 所述壓電元件被設(shè)置為分別與所述多個(gè)壓力腔室對(duì)應(yīng)的多個(gè)壓電元件， 多個(gè)層被形成為在所述第一流動(dòng)通道形成體的在與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上的表面上彼此堆疊的膜， 所述多個(gè)層包括: 壓電層，所述壓電層由壓電材料構(gòu)成，并且所述壓電層構(gòu)成被布置成與所述多個(gè)壓力腔室重疊的所述多個(gè)壓電元件； 多個(gè)電極，所述多個(gè)電極被布置成與所述多個(gè)壓力腔室重疊，并且所述多個(gè)電極構(gòu)成所述多個(gè)壓電元件；和 多根導(dǎo)線(xiàn)，所述多根導(dǎo)線(xiàn)分別與所述多個(gè)電極連接， 在所述樹(shù)脂層的當(dāng)從與所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)與所述多個(gè)壓電元件重疊的部分處形成多個(gè)穿透部， 所述多根導(dǎo)線(xiàn)分別延伸直到當(dāng)從與所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)不與所述多個(gè)穿透部重疊的位置，并且 通過(guò)使包含所述感光樹(shù)脂的液體抗蝕劑硬化而形成所述樹(shù)脂層，并且所述樹(shù)脂層具有的厚度是每一根所述導(dǎo)線(xiàn)的厚度的十倍或更多。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液滴噴射裝置， 其中所述壓力腔室被形成為在所述第一流動(dòng)通道形成體中的多個(gè)壓力腔室； 所述壓電元件被設(shè)置為分別與所述多個(gè)壓力腔室對(duì)應(yīng)的多個(gè)壓電元件； 多個(gè)層被形成為在所述第一流動(dòng)通道形成體的在與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上的表面上彼此堆疊的膜， 所述多個(gè)層包括: 壓電層，所述壓電層由壓電材料制成，并且所述壓電層構(gòu)成被布置成與所述多個(gè)壓力腔室重疊的所述多個(gè)壓電元件； 多個(gè)電極，所述多個(gè)電極被布置成與所述多個(gè)壓力腔室重疊，并且所述多個(gè)電極構(gòu)成所述多個(gè)壓電元件；和 多根導(dǎo)線(xiàn)，所述多根導(dǎo)線(xiàn)分別與所述多個(gè)電極連接； 在所述樹(shù)脂層的當(dāng)從與所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)與所述多個(gè)壓電元件重疊的部分處形成多個(gè)穿透部， 所述多根導(dǎo)線(xiàn)分別延伸直到當(dāng)從與所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)不與所述多個(gè)穿透部重疊的位置， 所述樹(shù)脂層包括: 第一樹(shù)脂層，通過(guò)使包含所述感光樹(shù)脂的第一抗蝕劑硬化形成所述第一樹(shù)脂層，并且所述第一樹(shù)脂層布置在所述第一流動(dòng)通道形成體的形成有所述多個(gè)層且在與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上的表面上；和 第二樹(shù)脂層，通過(guò)使包含所述感光樹(shù)脂的第二抗蝕劑硬化形成所述第二樹(shù)脂層，并且所述第二樹(shù)脂層布置在所述第一樹(shù)脂層的在與所述第一流動(dòng)通道形成體相反的一側(cè)上的表面上；和 被硬化之前的所述第一抗蝕劑具有比被硬化之前的所述第二抗蝕劑低的粘度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液滴噴射裝置， 其中多個(gè)層被形成為膜，以在所述第一流動(dòng)通道形成體的在與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上的表面上彼此堆疊， 所述多個(gè)層的一部分形成所述壓電元件， 所述多個(gè)層的子集延伸直到與所述節(jié)流流動(dòng)通道重疊的位置， 在所述多個(gè)層的所述子集的與所述節(jié)流流動(dòng)通道重疊的部分處形成連接流動(dòng)通道，所述連接流動(dòng)通道被構(gòu)造成連接所述壓力腔室和所述節(jié)流流動(dòng)通道，并且 當(dāng)從與所述第一流動(dòng)通道形成體的所述預(yù)定平面方向垂直的方向看時(shí)，所述連接流動(dòng)通道具有比所述節(jié)流流動(dòng)通道的橫截面積大的橫截面積，并且所述節(jié)流流動(dòng)通道的整個(gè)橫截面與所述連接流動(dòng)通道的橫截面重疊。
7.一種用于制造液滴噴射裝置的方法，所述液滴噴射裝置包括:形成有噴嘴的噴嘴板；第一流動(dòng)通道形成體，所述第一流動(dòng)通道形成體被堆疊在所述噴嘴板上，并且所述第一流動(dòng)通道形成體形成有液體流動(dòng)通道，所述液體流動(dòng)通道包括被構(gòu)造成與所述噴嘴連通的壓力腔室；壓電元件，所述壓電元件被布置在所述第一流動(dòng)通道形成體的在與所述噴嘴板相反的一側(cè)上的表面上，并且所述壓電元件被構(gòu)造成對(duì)所述壓力腔室中的液體施加壓力；和第二流動(dòng)通道形成體，所述第二流動(dòng)通道形成體被布置在相對(duì)于所述第一流動(dòng)通道形成體而言與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上，其中所述第二流動(dòng)通道形成體包括:樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層被布置在相對(duì)于所述第一流動(dòng)通道形成體而言與所述噴嘴板相反的所述一側(cè)上，并且所述樹(shù)脂層形成有被構(gòu)造成與所述壓力腔室連通的節(jié)流流動(dòng)通道；和存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件，所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件被布置在所述樹(shù)脂層的在與所述第一流動(dòng)通道形成體相反的一側(cè)上的表面上，并且所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件形成有被構(gòu)造成與所述節(jié)流流動(dòng)通道連通的液體存儲(chǔ)腔室，所述方法包括: 壓電元件形成步驟，用于在將作為所述第一流動(dòng)通道形成體的基板上形成所述壓電元件； 抗蝕劑層形成步驟，用于在形成有所述壓電元件的所述基板上形成抗蝕劑層，所述抗蝕劑層包含感光樹(shù)脂材料，并且所述抗蝕劑層將作為所述樹(shù)脂層； 曝光步驟，用于通過(guò)用光線(xiàn)照射所述抗蝕劑層的一部分而在所述抗蝕劑層中形成用所述光線(xiàn)照射的照射部和未用所述光線(xiàn)照射的非照射部；和去除步驟，用于去除所述照射部和所述非照射部中的一個(gè)， 其中在所述曝光步驟中，所述照射部和所述非照射部中的所述一個(gè)被形成在所述抗蝕劑層的形成所述節(jié)流流動(dòng)通道的第一部分處，并且所述照射部和所述非照射部中的另一個(gè)被形成在所述抗蝕劑層的除了所述第一部分之外的第二部分處，并且 其中在所述去除步驟中，通過(guò)從所述抗蝕劑層去除所述照射部和所述非照射部中的所述一個(gè)而在所述抗蝕劑層中形成所述節(jié)流流動(dòng)通道。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造液滴噴射裝置的方法，在所述去除步驟之后進(jìn)一步包括存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合步驟，用于將所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合到所述抗蝕劑層的在與所述基板相反的一側(cè)上的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造液滴噴射裝置的方法， 其中所述壓力腔室被形成為在所述第一流動(dòng)通道形成體中的多個(gè)壓力腔室， 所述壓電元件被設(shè)置為分別與所述多個(gè)壓力腔室對(duì)應(yīng)的多個(gè)壓電元件， 所述壓電元件形成步驟包括膜形成步驟，用于將多個(gè)層形成為彼此堆疊的膜，以在所述基板上形成所述多個(gè)壓電元件， 所述多個(gè)層包括: 壓電層，所述壓電層由壓電材料制成，并且所述壓電層構(gòu)成被布置成與所述多個(gè)壓力腔室重疊的所述多個(gè)壓電元件； 多個(gè)電極，所述多個(gè)電極被布置成與所述多個(gè)壓力腔室重疊，并且所述多個(gè)電極構(gòu)成所述多個(gè)壓電元件；和 多根導(dǎo)線(xiàn)，所述多根導(dǎo)線(xiàn)分別與所述多個(gè)電極連接， 在所述曝光步驟中，在所述抗蝕劑層的與所述多個(gè)壓電元件中的一個(gè)壓電元件重疊的多個(gè)部分中的每一個(gè)部分中進(jìn)一步形成所述照射部和所述非照射部中的所述一個(gè)， 在所述去除步驟中，通過(guò)從所述感光樹(shù)脂層去除所述照射部和所述非照射部中的所述一個(gè)而在所述感光樹(shù)脂層中進(jìn)一步形成多個(gè)穿透部， 當(dāng)從與所述基板的平面方向垂直的方向看時(shí)，所述多根導(dǎo)線(xiàn)分別延伸直到不與所述多個(gè)穿透部重疊的位置，并且 所述抗蝕劑層具有的厚度是每一根所述導(dǎo)線(xiàn)的厚度的十倍或更多。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的用于制造液滴噴射裝置的方法， 其中所述壓力腔室被形成為所述第一流動(dòng)通道形成體中的多個(gè)壓力腔室， 所述壓電元件被設(shè)置為分別與所述多個(gè)壓力腔室對(duì)應(yīng)的多個(gè)壓電元件， 所述壓電元件形成步驟包括膜形成步驟，用于將多個(gè)層形成為彼此堆疊的膜，以在所述基板上形成多個(gè)壓電元件， 所述多個(gè)層包括: 壓電層，所述壓電層由壓電材料制成，并且所述壓電層構(gòu)成被布置成與所述多個(gè)壓力腔室重疊的所述多個(gè)壓電元件； 多個(gè)電極，所述多個(gè)電極被布置成與所述多個(gè)壓力腔室重疊，并且所述多個(gè)電極構(gòu)成所述多個(gè)壓電元件；和 多根導(dǎo)線(xiàn)，所述多根導(dǎo)線(xiàn)分別與所述多個(gè)電極連接， 所述抗蝕劑層形成步驟包括: 第一抗蝕劑層形成步驟，用于形成第一抗蝕劑層，以覆蓋在所述基板上的所述多個(gè)壓電元件和所述多根導(dǎo)線(xiàn)，所述多個(gè)層在所述基板上形成為膜；和 第二抗蝕劑層形成步驟，用于在所述第一抗蝕劑層的在與所述基板相反的一側(cè)上的表面上形成第二抗蝕劑層， 在所述曝光步驟中，用所述光線(xiàn)一次照射所述第一抗蝕劑層和所述第二抗蝕劑層，并且 將被硬化以形成所述第一抗蝕劑層的第一抗蝕劑具有比將被硬化以形成所述第二抗蝕劑層的第二抗蝕劑低的粘度。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的用于制造液滴噴射裝置的方法，進(jìn)一步包括厚度調(diào)整步驟，用于通過(guò)對(duì)所述基板的在與所述節(jié)流流動(dòng)通道相反的一側(cè)上的表面進(jìn)行研磨來(lái)調(diào)整所述基板的厚度， 其中所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合步驟包括: 在所述厚度調(diào)整步驟之前的第一存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合步驟，用于將構(gòu)成所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件的一部分的板狀第一存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合到所述抗蝕劑層的在與所述基板相反的一側(cè)上的表面；以及 在所述厚度調(diào)整步驟之后的第二存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合步驟，用于將第二存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件接合到所述第一存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件的在與所述抗蝕劑層相反的一側(cè)上的表面，所述第二存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件構(gòu)成所述存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件的除了所述第一存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件之外的另一部分，并且 在所述厚度調(diào)整步驟中，在所述第一存儲(chǔ)腔室形成構(gòu)件被支撐的狀態(tài)下，對(duì)所述基板的在與所述節(jié)流流動(dòng)通道相反的所述一側(cè)上的表面進(jìn)行研磨。
【文檔編號(hào)】B41J2/045GK104512114SQ201410460629
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】垣內(nèi)徹, 伊藤敦 申請(qǐng)人:兄弟工業(yè)株式會(huì)社