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單晶硅片切割低耗砂漿裝置的制作方法

文檔序號:11577036閱讀:223來源:國知局

本發(fā)明涉及硅片切割技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及了一種硅片切割砂漿重液回收裝置。



背景技術(shù):

在單晶硅領(lǐng)域,硅棒切割液俗稱砂漿。砂漿采用與高速運動的切割線相配合,采用游離切割的方式,將硅棒切割成硅片,并最終制成電池片用于太陽能領(lǐng)域。在實際生產(chǎn)中,砂漿損耗巨大,據(jù)統(tǒng)計,每1噸晶硅片切割刃料在與切削液混合使用后產(chǎn)生約2.2噸廢砂漿。而目前隨著太陽能硅片切割行業(yè)的重新洗牌以及利潤持續(xù)下降,越來越多的硅片切割企業(yè)用控制材料消耗以降低生產(chǎn)成本,而通過砂漿的再生重復(fù)利用可以使切片成本顯著降低。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中硅棒切割損耗大量砂漿的缺點,提供了一種單晶硅片切割低耗砂漿裝置。

為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明通過下述技術(shù)方案得以解決:

單晶硅片切割低耗砂漿裝置,包括用于存放砂漿的砂漿桶、離心泵和攪拌裝置,砂漿桶的桶壁內(nèi)側(cè)設(shè)有加厚層,所述加厚層使砂漿桶上側(cè)的桶壁厚度大于砂漿桶底部的桶壁厚度。由于增加了壁厚,使達(dá)到同樣深度的砂漿,所需要的砂漿體積減小,從而達(dá)到節(jié)約砂漿的作用。

作為優(yōu)選,還包括桶蓋,離心泵和攪拌裝置穿過桶蓋伸入砂漿桶內(nèi)。設(shè)置桶蓋可以防止灰塵等進(jìn)入砂漿桶內(nèi)。

作為優(yōu)選,攪拌裝置包括攪拌電機(jī)和安裝在所述攪拌電機(jī)上的攪拌葉片,砂漿桶的底部設(shè)有壓力計,攪拌葉片推動砂漿向下流動,壓力計用于檢測攪拌葉片對砂漿產(chǎn)生的壓力。攪拌葉片向下壓迫砂漿,是為了將砂漿內(nèi)的氣泡壓碎,從而提高砂漿的切割效果。

作為優(yōu)選,還包括放置于單晶硅片下方的砂漿回收桶,所述砂漿回收桶設(shè)置有內(nèi)層桶壁和外側(cè)桶壁,所述內(nèi)層桶壁上設(shè)有溢流孔,砂漿回收桶的底部設(shè)有回流孔,所述回流孔內(nèi)設(shè)有過濾網(wǎng),所述溢流孔與回流孔聯(lián)通,當(dāng)濾網(wǎng)堵塞時,砂漿從溢流孔流出。過濾網(wǎng)可用來過濾硅棒切割而落入砂漿回收桶中的硅粉。

作為優(yōu)選,還包括離心分離機(jī),所述離心分離機(jī)將砂漿回收桶收集的硅粉與砂漿進(jìn)行離心分離。分離后砂漿清液重新回到砂漿桶中。

作為優(yōu)選,所述砂漿桶內(nèi)還設(shè)有液位計。

作為優(yōu)選,所述砂漿桶內(nèi)還設(shè)有粘度計。粘度計用以檢測砂漿桶內(nèi)砂漿的粘度,從而通過粘度分析出砂漿是否需要補充或者更換。

本發(fā)明由于采用了以上技術(shù)方案,可以達(dá)到降低單晶硅片切割中砂漿的損耗,從而節(jié)約生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理示意圖。

圖2是砂漿回收桶的剖視示意圖。

附圖中各數(shù)字標(biāo)號所指代的部位名稱如下:1—砂漿桶、2—加厚層、3—桶蓋、4—攪拌裝置、5—離心泵、6—攪拌葉片、7—壓力計、8—粘度計、9—砂漿回收桶、901—外側(cè)桶壁、902—溢流孔、903—內(nèi)層桶壁、904—回流孔、10—液位計、11—輥、12—硅棒、13—切割鋼絲、14—離心分離機(jī)、15—濾網(wǎng)。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖與實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實施例1

單晶硅片切割低耗砂漿裝置,如圖1所示,包括用于存放砂漿的砂漿桶1、離心泵5和攪拌裝置4,砂漿桶1的桶壁內(nèi)側(cè)設(shè)有加厚層2,所述加厚層2使砂漿桶1上側(cè)的桶壁厚度大于砂漿桶1底部的桶壁厚度。

還包括桶蓋3,離心泵5和攪拌裝置4穿過桶蓋3伸入砂漿桶1內(nèi)。

攪拌裝置4包括攪拌電機(jī)和安裝在所述攪拌電機(jī)上的攪拌葉片6,砂漿桶1的底部設(shè)有壓力計7,攪拌葉片6推動砂漿向下流動,壓力計7用于檢測攪拌葉片7對砂漿產(chǎn)生的壓力。

如圖2所示,兩個輥11上套設(shè)有切割鋼絲13,輥11帶動切割鋼絲13轉(zhuǎn)動,切割液砂漿被淋到切割鋼絲13上,切割鋼絲13將硅棒12切割成硅片。

單晶硅片下方的砂漿回收桶9,砂漿在完成對硅棒的切割作用后被收集到砂漿回收桶9內(nèi)進(jìn)行再次回收利用。

所述砂漿回收桶9設(shè)置有內(nèi)層桶壁903和外側(cè)桶壁901,所述內(nèi)層桶壁903上設(shè)有溢流孔902,砂漿回收桶14的底部設(shè)有回流孔904,所述回流孔904內(nèi)設(shè)有過濾網(wǎng)15,所述溢流孔902與回流孔904聯(lián)通,當(dāng)濾網(wǎng)15堵塞時,砂漿從溢流孔902流出。

還包括離心分離機(jī)14,所述離心分離機(jī)14將砂漿回收桶9收集的硅粉與砂漿進(jìn)行離心分離。

所述砂漿桶1內(nèi)還設(shè)有液位計10。

所述砂漿桶1內(nèi)還設(shè)有粘度計8。

總之,以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,凡依本發(fā)明申請專利范圍所作的均等變化與修飾,皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及硅片切割技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種硅片切割砂漿重液回收裝置,單晶硅片切割低耗砂漿裝置,包括用于存放砂漿的砂漿桶(1)、離心泵(5)和攪拌裝置(4),砂漿桶(1)的桶壁內(nèi)側(cè)設(shè)有加厚層(2),所述加厚層(2)使砂漿桶(1)上側(cè)的桶壁厚度大于砂漿桶(1)底部的桶壁厚度,還包括桶蓋(3),離心泵(5)和攪拌裝置(4)穿過桶蓋(3)伸入砂漿桶(1)內(nèi),攪拌裝置(4)包括攪拌電機(jī)和安裝在所述攪拌電機(jī)上的攪拌葉片(6)。本發(fā)明由于采用了以上技術(shù)方案,可以達(dá)到降低單晶硅片切割中砂漿的損耗,從而節(jié)約生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員:孫明祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者:浙江好亞能源股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.24
技術(shù)公布日:2017.08.08
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