本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及用于金剛線多晶硅片的三軸聯(lián)動(dòng)自動(dòng)噴砂裝置。

背景技術(shù)：

以下對(duì)本實(shí)用新型的相關(guān)技術(shù)背景進(jìn)行說(shuō)明，但這些說(shuō)明并不一定構(gòu)成本實(shí)用新型的現(xiàn)有技術(shù)。

隨著我國(guó)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，太陽(yáng)能電池片的需求量在不斷的擴(kuò)大，如何加工出低成本、高效率的核心原料—硅片成為行業(yè)亟待解決的的課題。目前，市場(chǎng)上用于制作太陽(yáng)能電池片的硅片有砂漿線單晶硅片、砂漿線多晶硅片、金剛線單晶硅片，低成本的金剛線切割多晶硅片表面過(guò)于光滑，還不能用于太陽(yáng)能電池片的制作。目前國(guó)內(nèi)外對(duì)金剛線切割多晶硅片進(jìn)行二次加工的技術(shù)有化學(xué)法的黑硅技術(shù)，但是該技術(shù)還處于試驗(yàn)階段，并不能用于工業(yè)生產(chǎn)，同時(shí)黑硅技術(shù)也存在著占地面積大、環(huán)境污染嚴(yán)重、?；仿殬I(yè)、設(shè)備成本高等多種難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于金剛線多晶硅片的三軸聯(lián)動(dòng)自動(dòng)噴砂裝置，能夠自動(dòng)化進(jìn)行噴砂處理，加工質(zhì)量均勻，一致性好，加工效率高，無(wú)環(huán)境污染問(wèn)題。

根據(jù)本實(shí)用新型的用于金剛線多晶硅片的三軸聯(lián)動(dòng)自動(dòng)噴砂裝置，包括：豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、噴槍模組、砂泵、砂缸和控制器；其中，

豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)在控制器的控制下驅(qū)動(dòng)金剛線多晶硅片進(jìn)出噴砂區(qū)，包括：真空載臺(tái)、傳動(dòng)軌道和Y軸驅(qū)動(dòng)單元；其中，真空載臺(tái)的上端面用于放置金剛線多晶硅片；傳動(dòng)軌道用于承載真空載臺(tái)、并限定真空載臺(tái)進(jìn)出噴砂區(qū)的軌跡；Y軸驅(qū)動(dòng)單元在控制器的控制下驅(qū)動(dòng)真空載臺(tái)沿著Y軸方向進(jìn)出噴砂區(qū)；

橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上方，用于固定噴槍模組；橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)在控制器的控制下沿著X軸方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)；

垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的輸出端與橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，在控制器的控制下驅(qū)動(dòng)橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)沿著Z軸方向運(yùn)動(dòng)；

砂泵的一端與砂缸連接，另一端與噴槍模組連接，在控制器的控制下將砂缸中的磨液泵入噴槍模組的噴槍的進(jìn)料孔；

控制器接收外部的操作指令；當(dāng)操作信號(hào)為噴砂指令時(shí)：控制器根據(jù)噴砂指令生成控制信號(hào)，依據(jù)控制信號(hào)調(diào)整豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)和垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的位置，依據(jù)控制信號(hào)調(diào)整砂泵的噴射流量；

其中，X軸方向是指平行于金剛線多晶硅片、并與Y軸垂直的方向，Y軸方向是指金剛線多晶硅片進(jìn)入噴砂區(qū)的方向，Z軸分別與X軸和Y軸垂直。

優(yōu)選地，橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括至少一根與X軸平行的橫桿，噴槍模組包括至少一組噴槍，每根橫桿上設(shè)置一組噴槍，所述噴槍能夠在控制器的控制下沿著所述橫桿移動(dòng)。

優(yōu)選地，噴槍模組包括至少一組噴槍，橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括至少一個(gè)橫板；所述橫板上設(shè)置至少一條與X軸平行的橫軌，每條橫軌上設(shè)置一組噴槍，所述噴槍能夠在控制器的控制下沿著所述橫板移動(dòng)。

優(yōu)選地，在控制器的控制下，噴槍能夠在任意方向上相對(duì)所述橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動(dòng)。

優(yōu)選地，噴槍通過(guò)連接件與橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)連接；

所述連接件固定地設(shè)置在橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上，或者所述連接件能夠在控制器的控制下圍繞其與橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的連接點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)；

噴槍設(shè)置在所述連接件上，并且能夠在控制器的控制下圍繞其與所述連接件的連接點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)。

優(yōu)選地，橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的一端與X軸驅(qū)動(dòng)單元連接；在控制器的控制下，橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠在X軸驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)作用下沿著X軸方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選地，噴槍上設(shè)置有進(jìn)氣孔，用于與高壓氣源連接。

優(yōu)選地，在控制器的控制下，垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠在Z軸驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)作用下沿著Z軸方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選地，Y軸驅(qū)動(dòng)單元包括：傳動(dòng)輪、傳送鏈或傳送帶、以及設(shè)置在傳動(dòng)鏈或傳送帶上的限位齒；其中，

傳送鏈或傳送帶的運(yùn)動(dòng)方向與傳動(dòng)軌道平行，限位齒設(shè)置在傳送鏈或傳送帶上；

傳動(dòng)輪設(shè)置在傳送鏈或傳送帶的內(nèi)圈，傳動(dòng)輪的外圈與傳送鏈或傳送帶的內(nèi)圈嚙合，在控制器的控制下驅(qū)動(dòng)傳送鏈或傳送帶運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選地，噴槍的數(shù)量以及相鄰兩個(gè)噴槍之間的距離滿足如下關(guān)系：

n＝roundup(l/(s×m))×K_h

式中，n為噴槍數(shù)量；l為金剛線多晶硅片的邊長(zhǎng)，單位為mm；s為噴槍的擺動(dòng)幅度，單位為mm；m為相鄰兩個(gè)噴槍之間的距離，單位為mm；K_h為經(jīng)驗(yàn)系數(shù)，K_h取0.1～1000。

根據(jù)本實(shí)用新型的用于金剛線多晶硅片的三軸聯(lián)動(dòng)自動(dòng)噴砂裝置具有如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)對(duì)金剛線多晶硅片表面進(jìn)行自動(dòng)化噴砂處理，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易操作，加工效率高；通過(guò)對(duì)硅片表面進(jìn)行噴砂處理，能夠改變硅片的表面微觀形貌，使其能夠直接用于制作太陽(yáng)能電池片的制作。

(2)利用豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)和垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)三軸聯(lián)動(dòng)實(shí)現(xiàn)多自由度數(shù)控調(diào)節(jié)，不僅能滿足多種金剛線多晶硅片的加工需求，而且能嚴(yán)格控制切削深度和金剛線多晶硅片表面的微觀結(jié)構(gòu)，加工質(zhì)量均勻，一致性好。

(2)噴槍模組的噴槍能夠相對(duì)橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動(dòng)，調(diào)節(jié)噴砂角度，改變金剛線多晶硅片表面的微觀結(jié)構(gòu)。

(3)噴槍模組的噴槍上設(shè)置有與砂缸連接的進(jìn)料孔和與高壓氣源連接的進(jìn)氣孔，通過(guò)改變噴射氣壓和噴射流量能夠調(diào)節(jié)噴射效率。

(4)設(shè)備成本低、無(wú)環(huán)境污染問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

通過(guò)以下參照附圖而提供的具體實(shí)施方式部分，本實(shí)用新型的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加容易理解，在附圖中：

圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的三軸聯(lián)動(dòng)自動(dòng)噴砂裝置的結(jié)構(gòu)圖。

圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的真空載臺(tái)的結(jié)構(gòu)。

圖3為根據(jù)本實(shí)用新型的噴槍模組的結(jié)構(gòu)圖。

圖4為根據(jù)本實(shí)用新型的噴槍的結(jié)構(gòu)圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：10豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、11傳動(dòng)軌道、12真空載臺(tái)、121通孔、122限位塊、123固定橫條、13傳動(dòng)輪、14傳動(dòng)鏈、15限位齒、20橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、21橫桿、30垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、31豎桿、Z軸驅(qū)動(dòng)單元32、40噴槍模組、41噴槍、411噴槍的進(jìn)料孔、412噴槍的進(jìn)氣孔、42連接件、50砂泵、60砂缸。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。對(duì)示例性實(shí)施方式的描述僅僅是出于示范目的，而絕不是對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或用法的限制。

金剛線切割多晶硅片表面過(guò)于光滑，為了解決金剛線切割多晶硅片表面過(guò)于光滑的問(wèn)題，本實(shí)用新型對(duì)金剛線多晶硅片的表面進(jìn)行噴砂處理。通過(guò)噴砂處理提高金剛線多晶硅片表面的粗糙度，使其能夠直接用于制作電池片。

參見(jiàn)圖1，根據(jù)本實(shí)用新型的用于金剛線多晶硅片的三軸聯(lián)動(dòng)自動(dòng)噴砂裝置，包括：豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)10、橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20、垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)30、噴槍模組40、砂泵50、砂缸60和控制器(圖中未示出)。橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20設(shè)置在豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)10上方，用于固定噴槍模組40。垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)30的輸出端與橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20連接，能夠驅(qū)動(dòng)橫向傳送機(jī)構(gòu)20沿著Z軸方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。若靶距不合適，即橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)上的噴槍與金剛線多晶硅片之間的垂直距離不合適，可以通過(guò)垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)30進(jìn)行調(diào)節(jié)。控制器接收外部的操作指令；當(dāng)操作信號(hào)為噴砂指令時(shí)，控制器根據(jù)噴砂指令生成控制信號(hào)，依據(jù)控制信號(hào)調(diào)整豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)和垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的位置。根據(jù)本實(shí)用新型的噴砂裝置工作時(shí)，豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)10驅(qū)動(dòng)金剛線多晶硅片進(jìn)出噴砂區(qū)，控制器依據(jù)控制信號(hào)調(diào)整砂泵的噴射流量，并控制橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20上的噴槍模組40對(duì)金剛線多晶硅片進(jìn)行噴砂處理。

豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)10包括：傳動(dòng)軌道11、真空載臺(tái)12和Y軸驅(qū)動(dòng)單元。真空載臺(tái)12的上端面用于放置金剛線多晶硅片。噴砂處理過(guò)程中真空載臺(tái)12內(nèi)呈真空狀態(tài)，金剛線多晶硅片被吸附在真空載臺(tái)12的上端面；噴砂處理結(jié)束后，真空載臺(tái)21內(nèi)恢復(fù)至常壓狀態(tài)，此時(shí)便可將真空載臺(tái)21上端面的金剛線多晶硅片取下。用于制作太陽(yáng)能電池片的金剛線多晶硅片非常薄，脆性強(qiáng)、易碎，因此現(xiàn)有技術(shù)的固定方式不適于固定金剛線多晶硅片。本實(shí)用新型實(shí)施例中，真空載臺(tái)12不僅能夠固定金剛線多晶硅片，還能防止噴砂過(guò)程中不可控因素對(duì)金剛線多晶硅片的破壞，降低金剛線多晶硅片的破碎率。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，真空載臺(tái)12的上端面設(shè)置有通孔121，當(dāng)真空載臺(tái)12與真空源連通時(shí)，設(shè)置在真空載臺(tái)12上端面的金剛線多晶硅片通過(guò)通孔121吸附在真空載臺(tái)12上。噴砂處理過(guò)程中真空載臺(tái)12內(nèi)呈真空狀態(tài)，真空載臺(tái)12內(nèi)的氣體壓力與真空載臺(tái)12外的氣體壓力不同，通孔121處金剛線多晶硅片的受力情況與非通孔處金剛線多晶硅片的受力情況不同，因此噴砂處理過(guò)程中金剛線多晶硅片的受力情況不均勻。與非通孔處相比，通孔121處的金剛線多晶硅片容易沿著通孔121向真空載臺(tái)12內(nèi)部彎曲。若金剛線多晶硅片的不平整度較大，不僅影響其制作太陽(yáng)能電池片的性能，還容易由于彎曲變形導(dǎo)致破碎，使噴砂處理的次品率升高。為了盡量避免由于受力不均勻?qū)е碌男阅芙档秃痛纹仿噬?，?yīng)盡量降低通孔121的內(nèi)徑。此外，當(dāng)真空載臺(tái)12的上端面設(shè)置至少兩個(gè)通孔121時(shí)，可以使該至少兩個(gè)通孔均勻?qū)ΨQ分布，以使金剛線多晶硅片的受力均勻。當(dāng)真空載臺(tái)12上端面通孔121的數(shù)量較多時(shí)，通孔121可以按照?qǐng)A形、方形或其他形狀從真空載臺(tái)12上端面的中心向外輻射，本實(shí)用新型對(duì)真空載臺(tái)12上端面通孔121的分布方式不作具體限定，任何能夠?qū)崿F(xiàn)通孔121目的的通孔數(shù)量和分布方式均應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。通孔121的橫截面形狀可以根據(jù)噴砂要求和設(shè)計(jì)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，例如將通孔121的橫截面設(shè)計(jì)成由弧線和/或線段組成的封閉圖形。

若真空載臺(tái)12上端面所有通孔121的橫截面積之和過(guò)小，則真空載臺(tái)12對(duì)金剛線多晶硅片的吸附力過(guò)小，使得金剛線多晶硅片不穩(wěn)定；若真空載臺(tái)12上端面所有通孔121的橫截面積之和過(guò)大，會(huì)降低真空載臺(tái)12內(nèi)的抽真空速度，增加噴砂裝置的啟動(dòng)時(shí)間，從而降低噴砂裝置的產(chǎn)能。因此，可以采用較小的通孔孔徑和較多的通孔。真空載臺(tái)12上端面通孔121的數(shù)量可以根據(jù)噴砂要求和設(shè)計(jì)需要進(jìn)行確定，例如真空載臺(tái)12上端面通孔121的數(shù)量可以為一個(gè)、兩個(gè)或更多個(gè)。

金剛線多晶硅片在真空載臺(tái)12的上端面固定不動(dòng)，真空載臺(tái)12載控制器的控制下沿著傳動(dòng)軌道11進(jìn)出噴砂區(qū)，噴槍模組40按照設(shè)定的移動(dòng)路徑進(jìn)行噴砂，以保證金剛線多晶硅片上端面噴砂均勻。若金剛線多晶硅片在真空載臺(tái)12上表面發(fā)生位移，容易使金剛線多晶硅片的部分位置偏離出噴砂范圍，影響該部分的噴砂效果，甚至無(wú)法噴砂。金剛線多晶硅片的偏移還會(huì)使部分砂漿未噴射到金剛線多晶硅片上便直接進(jìn)入真空載臺(tái)12內(nèi)，造成砂漿浪費(fèi)?；诖耍梢栽谡婵蛰d臺(tái)12上端面設(shè)置限位塊122，參見(jiàn)圖2。限位塊123不僅能夠防止金剛線多晶硅片在真空載臺(tái)12上端面移動(dòng)，還能限制金剛線多晶硅片在真空載臺(tái)12上端面的一個(gè)側(cè)邊或多個(gè)側(cè)邊的位置，便于快速定位金剛線多晶硅片。

為了提高噴砂裝置的產(chǎn)能，每個(gè)真空載臺(tái)12可以承載多個(gè)金剛線多晶硅片，例如每個(gè)真空載臺(tái)包括至少兩個(gè)承載區(qū)，每個(gè)承載區(qū)承載一個(gè)金剛線多晶硅片。圖2中，真空載臺(tái)12包括一個(gè)承載區(qū)。

在其他條件相同的條件下，真空載臺(tái)12的容積越大，達(dá)到相同真空度的時(shí)間越長(zhǎng)。為了盡量減小抽真空的時(shí)間和噴砂裝置的啟動(dòng)時(shí)間，以提高噴砂裝置的產(chǎn)生，可以根據(jù)真空源的氣體流量和噴砂過(guò)程對(duì)噴砂裝置啟動(dòng)時(shí)間的要求確定與每個(gè)真空源對(duì)應(yīng)的真空載臺(tái)12的數(shù)量。當(dāng)真空載臺(tái)12的容積較大時(shí)，與每個(gè)真空源對(duì)應(yīng)的真空載臺(tái)12的數(shù)量可以為一個(gè)；當(dāng)真空載臺(tái)12的容積較小時(shí)，與每個(gè)真空源對(duì)應(yīng)的真空載臺(tái)12的數(shù)量可以為兩個(gè)或多個(gè)。真空載臺(tái)12的數(shù)量以及真空源的氣體流量由設(shè)備的產(chǎn)能確定。如圖2所示，真空源對(duì)應(yīng)三個(gè)真空載臺(tái)12?？梢栽谡婵蛰d臺(tái)12上設(shè)置固定橫條123。通過(guò)固定橫條123將多個(gè)真空載臺(tái)12連接固定，能夠避免由于載臺(tái)之間有相對(duì)位移而導(dǎo)致的噴砂效果不一致的情況。

傳動(dòng)軌道11用于承載真空載臺(tái)12、并限定真空載臺(tái)12進(jìn)出噴砂區(qū)的軌跡。Y軸驅(qū)動(dòng)單元在控制器的控制下驅(qū)動(dòng)真空載臺(tái)12沿著Y軸方向從傳動(dòng)軌道11的上料端進(jìn)入噴砂區(qū)，經(jīng)過(guò)噴槍模組40噴砂處理后移動(dòng)至傳動(dòng)軌道11的下料端，從真空載臺(tái)12上取下金剛線多晶硅片或者將真空載臺(tái)12從傳動(dòng)軌道11上取下。在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，Y軸驅(qū)動(dòng)單元包括：傳動(dòng)輪、傳送鏈或傳送帶、以及設(shè)置在傳動(dòng)鏈或傳送帶上的限位齒。傳送鏈或傳送帶的運(yùn)動(dòng)方向與傳動(dòng)軌道平行，限位齒設(shè)置在傳送鏈或傳送帶上，傳動(dòng)輪設(shè)置在傳送鏈或傳送帶的內(nèi)圈，傳動(dòng)輪的外圈與傳送鏈或傳送帶的內(nèi)圈嚙合。如圖1所示，傳動(dòng)輪13載控制器的控制下驅(qū)動(dòng)傳送鏈14運(yùn)動(dòng)，傳動(dòng)鏈14運(yùn)動(dòng)過(guò)程中限位齒15驅(qū)動(dòng)真空載臺(tái)12沿著傳動(dòng)軌道11的方向進(jìn)出噴砂區(qū)。若僅采用傳動(dòng)軌道11，則需要額外的傳動(dòng)部件驅(qū)動(dòng)真空載臺(tái)21移動(dòng)。若僅采用傳動(dòng)鏈14，傳動(dòng)鏈14會(huì)在重力作用下彎曲，一方面不便于準(zhǔn)確控制真空載臺(tái)12上端面的金剛線多晶硅片與噴槍模組40之間的靶距，另一方面，當(dāng)噴槍模組40對(duì)固定在真空載臺(tái)12上端面的金剛線多晶硅片進(jìn)行噴砂時(shí)，噴砂的沖擊會(huì)進(jìn)一步增加真空載臺(tái)12上端面的金剛線多晶硅片與噴槍模組40之間的靶距，影響噴砂效果。本實(shí)用新型實(shí)施例同時(shí)采用傳動(dòng)軌道11和傳動(dòng)鏈14，不僅能夠驅(qū)動(dòng)真空載臺(tái)12沿著固定的軌道進(jìn)出噴砂區(qū)，還能夠準(zhǔn)確控制真空載臺(tái)12上端面的金剛線多晶硅片與噴槍模組40之間的靶距，提高噴砂處理效果。

真空載臺(tái)12沿著傳動(dòng)軌道11運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中受到來(lái)自傳動(dòng)軌道11的摩擦力，真空載臺(tái)12對(duì)傳動(dòng)軌道11的壓力越大，其所受到的摩擦力越大。當(dāng)真空載臺(tái)12運(yùn)動(dòng)至噴砂1區(qū)時(shí)，噴砂的沖擊作用會(huì)增加真空載臺(tái)12對(duì)傳動(dòng)軌道11的壓力和真空載臺(tái)12受到的摩擦力，使得真空載臺(tái)12的移動(dòng)速度降低，從而延長(zhǎng)了真空載臺(tái)12上端面的金剛線多晶硅片的噴砂處理時(shí)間，使得金剛線多晶硅片表面的加工深度過(guò)大，降低了采用該金剛線多晶硅片制作的太陽(yáng)能電池片的可承受壓力。此外，過(guò)大的摩擦力還會(huì)加速真空載臺(tái)12和傳動(dòng)軌道11的磨損，降低其使用壽命。為了盡量降低真空載臺(tái)12與傳動(dòng)軌道11之間的摩擦力，傳動(dòng)軌道11上均勻間隔地設(shè)置有垂直于傳動(dòng)軌道11的滾動(dòng)單元(圖中未示出)。

噴砂處理結(jié)束時(shí)，可以將真空載臺(tái)12內(nèi)的磨液回收至砂缸60。例如，真空載臺(tái)12內(nèi)恢復(fù)至常壓狀態(tài)后人工倒出其中的磨液。當(dāng)然，為了自動(dòng)化收集磨液，也可以在回收容器(圖中未示出)上設(shè)置回收孔(圖中未示出)，當(dāng)噴砂處理結(jié)束時(shí)，通過(guò)回收孔回收回收容器內(nèi)的磨液。當(dāng)外泄磨液較多時(shí)，若回收容器的容積較小，回收容器無(wú)法完全收集外泄的磨液，造成磨液浪費(fèi)，提高噴砂裝置的噴砂成本?；诖?，可以通過(guò)回流管(圖中未示出)將回收容器與砂缸60連通。噴砂處理過(guò)程中，外泄的磨液進(jìn)入回收容器，然后通過(guò)回流管自動(dòng)回流至砂缸60中。采用回流管實(shí)時(shí)回流回收容器內(nèi)的磨液，能夠防止由于回收容器載臺(tái)容積過(guò)小導(dǎo)致的外泄磨液收集不完全，避免磨液浪費(fèi)和噴砂裝置污染，降低噴砂成本。

橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20設(shè)置在豎向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)10上方，用于固定噴槍模組40。橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20能在控制器的控制下沿著X軸方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。噴槍模組40將砂漿噴射在金剛線多晶硅片表面形成砂斑在噴砂過(guò)程中，噴槍模組40沿著垂直于真空載臺(tái)運(yùn)動(dòng)方向的往復(fù)運(yùn)動(dòng)不僅能夠提高金剛線多晶硅片表面的噴砂均勻性，還能縮短噴砂時(shí)間。

在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20包括至少一根與X軸平行的橫桿21，噴槍模組40包括至少一組噴槍，每根橫桿21上設(shè)置一組噴槍，噴槍能夠在控制器的控制下沿著橫桿21移動(dòng)，如圖1所示。在本實(shí)用新型的另一些實(shí)施例中，噴槍模組40包括至少一組噴槍，橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20包括至少一個(gè)橫板；橫板上設(shè)置至少一條與X軸平行的橫軌，每條橫軌上設(shè)置一組噴槍，噴槍能夠在控制器的控制下沿著橫桿移動(dòng)。通過(guò)噴槍沿著橫桿21的往復(fù)運(yùn)動(dòng)調(diào)整噴槍模組40在X軸方向的位置。

砂漿噴射到金剛線多晶硅片表面，在金剛線多晶硅片表面形成砂坑。噴砂方向不同，砂坑形態(tài)不同，所得金剛線多晶硅片表面的圍觀結(jié)構(gòu)也不同。噴槍模組40沿著垂直于金剛線多晶硅片表面的方向噴砂時(shí)，形成垂直的砂坑，采用這種噴砂方式的金剛線多晶硅片制作太陽(yáng)能電池片時(shí)，太陽(yáng)光在太陽(yáng)能電池片內(nèi)部的停留時(shí)間較短，太陽(yáng)能電池的效率較低。為了盡量提高太陽(yáng)能電池的效率，可以使太陽(yáng)能電池片表面砂坑的結(jié)構(gòu)盡量復(fù)雜，例如，使太陽(yáng)能電池片表面的砂坑呈倒三角結(jié)構(gòu)。為此，在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，在控制器的控制下，噴槍模組40的噴槍41能夠在任意方向上相對(duì)橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20轉(zhuǎn)動(dòng)，從而改變噴砂角度，提高噴砂效果。

為了便于改變噴槍41的角度，根據(jù)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，噴槍41通過(guò)連接件42與橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20連接。如圖3所示，連接件42設(shè)置在橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20的橫桿21上，連接件42可以固定地設(shè)置在橫桿21上，連接件42也可以能夠圍繞Y軸方向相對(duì)其與橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的連接點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)。噴槍41設(shè)置在連接件42上，并且能夠圍繞其與連接件42的連接點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)。

砂泵50的一端與砂缸60連接，另一端與噴槍模組40連接.砂缸60中的磨液通過(guò)砂泵50泵入噴槍模組40的噴槍41的進(jìn)料孔411，由噴槍41將磨液噴射在金剛線多晶硅片的表面。為了進(jìn)一步提高噴射的均勻性，噴槍41上設(shè)置有與高壓氣源連接的進(jìn)氣孔412，如圖4所示。

橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20的橫桿21或橫板可以設(shè)置成可伸縮式的，通過(guò)控制器調(diào)節(jié)橫桿或橫板的伸縮長(zhǎng)度，進(jìn)而調(diào)節(jié)噴槍模組40在X軸方向的位置。當(dāng)然，也可以將橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20的一端與X軸驅(qū)動(dòng)單元連接，在控制器的控制下，通過(guò)X軸驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20沿著X軸方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。

垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)30的輸出端與橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20連接，用于在控制器的控制下驅(qū)動(dòng)橫向傳動(dòng)機(jī)構(gòu)20沿著Z軸方向運(yùn)動(dòng)。垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)30可以設(shè)置成可伸縮式的，通過(guò)控制器調(diào)節(jié)垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)30的伸縮長(zhǎng)度來(lái)調(diào)節(jié)噴槍模組40的靶距。當(dāng)然，也可以將垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)30的一端與Z軸驅(qū)動(dòng)單元連接，在控制器的控制下，通過(guò)Z軸驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)垂直傳動(dòng)機(jī)構(gòu)30沿著Z軸方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。

本實(shí)用新型中以噴砂時(shí)金剛線多晶硅片的中心為坐標(biāo)原點(diǎn)、金剛線多晶硅片進(jìn)入噴砂區(qū)的方向?yàn)閅軸方向，金剛線多晶硅片上垂直于Y軸的方向?yàn)閄軸方向，Z軸分別于X軸和Y軸垂直。噴槍模組40的噴槍41與金剛線多晶硅片之間的垂直距離定義為靶距。噴槍的數(shù)量越多，達(dá)到相同加工深度所需的噴砂時(shí)間越短；相鄰兩個(gè)噴槍之間的距離越小，加工均勻性越好。根據(jù)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，噴槍的數(shù)量以及相鄰兩個(gè)噴槍之間的距離滿足如下關(guān)系：

n＝roundup(l/(s×m))×K_h

式中，n為噴槍數(shù)量；l為金剛線多晶硅片的邊長(zhǎng)，單位為mm，例如l小于200mm；s為噴槍的擺動(dòng)幅度，單位為mm，例如s＝0.1mm～100mm；m為相鄰兩個(gè)噴槍之間的距離，單位為mm，例如m小于100mm；K_h為經(jīng)驗(yàn)系數(shù)，K_h取0.1～1000。

本實(shí)用新型還提供了三軸聯(lián)動(dòng)自動(dòng)噴砂裝置在對(duì)于金剛線多晶硅片進(jìn)行噴砂中的應(yīng)用。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型不僅能夠改變金剛線多晶硅片表面的微觀結(jié)構(gòu)使其適于制作太陽(yáng)能電池片，大大提高了金剛線多晶硅片的使用范圍、降低了太陽(yáng)能電池片的制作成本，還能自動(dòng)化完成噴砂過(guò)程，操作簡(jiǎn)單，加工精度和一致性好，碎片率低，產(chǎn)能高。

雖然參照示例性實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，本實(shí)用新型并不局限于文中詳細(xì)描述和示出的具體實(shí)施方式，在不偏離權(quán)利要求書所限定的范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)所述示例性實(shí)施方式做出各種改變。