氧化銦錫粉末的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種氧化銦錫粉末，其使用于太陽能電池或觸控面板等的透明導(dǎo)電膜，使用于太陽能電池或觸控面板中的任一透明導(dǎo)電膜時，均要求低折射率。本發(fā)明的目的在于通過將氧化銦錫粉末設(shè)為特定范圍內(nèi)的真密度且特定范圍內(nèi)的比表面積而成為低折射率。所述氧化銦錫粉末的特征在于，通過使用氦氣的氣體置換法用比重瓶測定的真密度為5.75～6.80g/cm3，由BET法測定的比表面積為2～100m2/g。該氧化銦錫粉末能夠用作透明導(dǎo)電膜用組合物，并且，能夠制造低折射率的透明導(dǎo)電膜。
【專利說明】氧化銦錫粉末
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氧化銦錫粉末。更具體而言，涉及一種低折射率的氧化銦錫粉末，該低折射率的氧化銦錫粉末適于太陽能電池或觸控面板等的透明導(dǎo)電膜。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化銦錫粉末作為透明導(dǎo)電性材料而眾所周知，其使用于太陽能電池或觸控面板等的透明導(dǎo)電膜。氧化銦錫粉末在使用于太陽能電池或觸控面板中的任一透明導(dǎo)電膜時，均要求低折射率。以下，依次對太陽能電池的透明導(dǎo)電膜、觸控面板的透明導(dǎo)電膜進(jìn)行說明。
[0003]首先，圖1中示出太陽能電池的截面的示意圖的一例。另外，圖1是覆板型薄膜太陽能電池的例子。在圖1中，薄膜太陽能電池依次具備基板1、透明電極層2、光電轉(zhuǎn)換層3、透明導(dǎo)電膜4及導(dǎo)電性反射膜5，太陽光從基板I側(cè)入射。所入射的大部分太陽光被導(dǎo)電性反射膜5反射而返回到光電轉(zhuǎn)換層3，從而提高轉(zhuǎn)換效率。其中，在透明導(dǎo)電膜4與光電轉(zhuǎn)換層3的界面也發(fā)生太陽光的反射，若透明導(dǎo)電膜4的折射率下降，則能夠增加在透明導(dǎo)電膜4與光電轉(zhuǎn)換層3的界面上的反射光而提高太陽能電池的發(fā)電效率。
[0004]接著，在圖2中示出觸控面板的截面的示意圖的一例。圖2是電阻膜式觸控面板的例子。對于下部電極使用帶有透明導(dǎo)電膜12的基板11，對于上部電極使用帶有透明導(dǎo)電膜16的薄膜17。在下部電極的透明導(dǎo)電膜12上設(shè)置用于保持平行電極13、上部電極等的絕緣的絕緣層14。絕緣層14與上部電極的透明導(dǎo)電膜16用粘結(jié)材料15接合。另外，為了防止由上下電極接觸 而產(chǎn)生的錯誤操作，在下部電極上以一定的間隔設(shè)置點隔片18。其中，在透明導(dǎo)電膜12、16上通常使用氧化銦錫，但是氧化銦為高折射率(折射率為1.8~2.2)，因此透明導(dǎo)電膜12、16與低折射率的空氣19 (折射率為I)之間會產(chǎn)生光的反射或牛頓環(huán)，而存在觸控面板的可見性下降的問題。能夠通過使透明導(dǎo)電膜的折射率下降來抑制光的反射或牛頓環(huán)的產(chǎn)生，提高觸控面板的可見性。
[0005]以往的氧化銦錫粉末通過混合氯化銦及氯化錫的混合水溶液和碳酸銨鹽來使銦和錫的氫氧化物共沉淀，并通過對共沉淀物進(jìn)行加熱分解來制造(專利文獻(xiàn)I)。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本專利公開平5-2017131號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]如上所述，氧化銦錫粉末使用于太陽能電池或觸控面板等的透明導(dǎo)電膜，在使用于太陽能電池或觸控面板中的任一透明導(dǎo)電膜時，均要求低折射率。然而，以往的氧化銦錫粉末由于以制作無空孔的均勻的粉末為目的，因此為高折射率。本發(fā)明的目的在于通過將氧化銦錫粉末設(shè)為特定范圍內(nèi)的真密度且特定范圍內(nèi)的比表面積而成為低折射率。
[0008]本發(fā)明涉及一種通過以下所述的構(gòu)成解決上述課題的氧化銦錫粉末、包含該氧化銦錫粉末的透明導(dǎo)電膜用組合物、透明導(dǎo)電膜及太陽能電池或觸控面板。
[0009]( I) 一種氧化銦錫粉末，其特征在于，通過使用氦氣的氣體置換法用比重瓶測定的真密度為5.75~6.80g/cm3,由BET法測定的比表面積為2~100m2/g。
[0010](2) —種氧化銦錫粉末的制造方法，其特征在于，其為制造上述(I)所述的氧化銦錫粉末的方法，以0~15°C混合銦鹽及錫鹽的混合溶液和堿來使銦和錫的氫氧化物共沉淀，并以300~950°C對共沉淀物進(jìn)行加熱分解。
[0011](3 ) —種透明導(dǎo)電膜用組合物，其包含上述(I)所述的氧化銦錫粉末和分散介質(zhì)。
[0012](4) 一種透明導(dǎo)電膜，其包含上述(I)所述的氧化銦錫粉末。
[0013](5)—種太陽能電池或觸控面板，其具備上述(4)所述的透明導(dǎo)電膜。
[0014]根據(jù)本發(fā)明(1)，能夠通過其為特定范圍內(nèi)的真密度且特定范圍內(nèi)的比表面積，提供一種低折射率的氧化銦錫粉末。并且，根據(jù)本發(fā)明(2)，能夠輕松制造低折射率的氧化銦錫粉末。根據(jù)本發(fā)明(3)，能夠輕松制造低折射率的透明導(dǎo)電膜。根據(jù)本發(fā)明(4)，能夠提供一種適于太陽能電池或觸控面板的低折射率的透明導(dǎo)電膜。
[0015]根據(jù)本發(fā)明(5)，能夠提供一種發(fā)電效率較高的太陽能電池或可見性良好的觸控面板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是太陽能電池的剖視圖的示意圖的一例。
[0017]圖2是觸控面板的剖視圖的示意圖的一例。
[0018]圖3是實施例1的氧化銦錫粉末的透射電子顯微鏡的照片。
[0019]圖4是比較例I的氧化銦錫粉末的透射電子顯微鏡的照片。
[0020]符號說明
[0021]1-基板，2-透明電極層，3-光電轉(zhuǎn)換層，4-透明導(dǎo)電膜，5-導(dǎo)電性反射膜，11-基板，12-透明導(dǎo)電膜，13-平行電極，14-絕緣層，15-粘結(jié)材料，16-透明導(dǎo)電膜，17-薄膜，18-點隔片，19-空氣。
【具體實施方式】
[0022]以下，根據(jù)實施方式對本發(fā)明進(jìn)行具體說明。另外，只要沒有特別表示，并且除了固有數(shù)值的情況以外，%為質(zhì)量％。
[0023][氧化銦錫粉末] [0024]本發(fā)明的氧化銦錫粉末的特征在于，通過使用氦氣的氣體置換法用比重瓶測定的真密度為5.75~6.80g/cm3,由BET法測定的比表面積為2~100m2/g。氧化銦錫粉末的真密度小于5.75g/cm3時，通過降低氧化銦錫粉末的強(qiáng)度來制作透明導(dǎo)電膜用組合物和透明導(dǎo)電膜本身時，導(dǎo)致中空的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)崩裂，氧化銦錫粉末不是低折射率，若氧化銦錫粉末的真密度超過6.80g/cm3時，則導(dǎo)致折射率增高。并且，由于氧化銦錫粉末的比表面積小于2m2/g時，氧化銦錫粉末的粒徑增大，因此導(dǎo)致使用氧化銦錫粉末的導(dǎo)電膜因光的散射而變得不透明，若氧化銦錫粉末的比表面積超過100m2/g，則導(dǎo)致難以對氧化銦錫粉末形成空孔。在圖3中示出本發(fā)明的氧化銦錫粉末的透射電子顯微鏡的照片的一例。圖3在右上部表示高倍率的照片。從圖3明顯可知，氧化銦錫粉末為中空的多孔質(zhì)。作為參考，在圖4中示出以往的氧化銦錫粉末的一例。與(A)相比，圖4的(B)為高倍率的圖片。如圖4，在以往的氧化銦錫粉末中，未觀察到空孔而較均勻。氧化銦錫粉末的真密度為使用QURNTACHR0MEINSTRUMENTS公司制超級比重瓶(々 > 卜5^ J —夕)，并通過使用氦氣的氣體置換法來測定的真密度。氧化銦錫粉末的由BET法測定的比表面積是使用QUANTACHROME公司制氮吸附測定裝置(型號:AUT0S0RB-1)，并通過氮吸附來測定。
[0025]若本發(fā)明的氧化銦錫粉末的平均粒徑為10~500nm，則在分散介質(zhì)中保持穩(wěn)定性，因此優(yōu)選。并且，氧化銦錫粉末的平均空孔徑優(yōu)選為平均粒徑的1/3以下，相對于氧化銦錫粉末100體積份，空孔量為3~20體積份時，從氧化銦錫粉末的折射率、導(dǎo)電率、粉末本身的強(qiáng)度的觀點來看為優(yōu)選。氧化銦錫粉末的形狀優(yōu)選為立方體。在此，對于氧化銦錫粉末的平均粒徑、平均空孔徑觀察倍率為10萬倍的透射電子顯微鏡照片，并由透射電子顯微鏡照片的水平方向上最長的直徑的平均(n=50)計算。并且，若氧化銦錫粉末相對于In2O3和SnO2的總計100質(zhì)量份，SnO2為I~18質(zhì)量份時，從氧化銦錫粉末的導(dǎo)電性的觀點來看為優(yōu)選。其中，In和Sn的分析用ICP法進(jìn)行，設(shè)為In均為In2O3, Sn均為SnO2來計算。
[0026][透明導(dǎo)電膜用組合物]
[0027]本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用組合物包含上述本發(fā)明的氧化銦錫粉末和分散介質(zhì)。分散介質(zhì)分散氧化銦錫粉末，并且提高透明導(dǎo)電膜用組合物的成膜性。作為分散介質(zhì)，優(yōu)選水、醇類。作為醇類可舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二甘醇、甘油、異冰片己醇、赤蘚醇等，也可將這些混合使用。相對于透明導(dǎo)電膜用組合物100的質(zhì)量份，分散介質(zhì)優(yōu)選為50~99質(zhì)量份。
[0028]若透明導(dǎo)電膜用組合物包含透光性粘合劑，則提高透明導(dǎo)電膜的密合強(qiáng)度，因此優(yōu)選。作為透光性粘合劑，可舉出丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯等聚合物型粘合劑或金屬皂、金屬絡(luò)合物、金屬醇鹽、金屬醇鹽的水解物等非聚合物型粘合劑。
[0029]透明導(dǎo)電膜用組合物在不損害本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)，根據(jù)需要還能夠配合抗氧化劑、整平劑、觸變劑、填充劑、應(yīng)力緩和劑、導(dǎo)電性聚合物、其他添加劑等。
[0030][透明導(dǎo)電膜]
[0031]本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜包含上述本發(fā)明的氧化銦錫粉末。相對于透明導(dǎo)電膜100質(zhì)量份，氧化銦錫粉末為50~95質(zhì)量份時，從透明導(dǎo)電膜的折射率、導(dǎo)電性的觀點來看為優(yōu)選。該透明導(dǎo)電膜為低折射率，因此能夠提高太陽能電池的發(fā)電效率，并且，能夠提高觸控面板的可見性。
[0032][本發(fā)明的氧化銦錫粉末的制造方法]
[0033]本發(fā)明的氧化銦錫粉末能夠通過以0~15°C混合銦鹽及錫鹽的混合溶液和堿來使銦和錫的氫氧化物共沉淀，并以300~950°C對共沉淀物進(jìn)行加熱分解來進(jìn)行制造。銦鹽及錫鹽從容易獲得和價格上來看優(yōu)選氯化物，從廢液處理的觀點來看優(yōu)選水溶液。并且，若堿為堿金屬，則降低氧化銦錫粉末的特性，因此，優(yōu)選不包含堿金屬的氨水或碳酸銨鹽來作為堿源。
[0034]從氧化銦錫粉末的導(dǎo)電性、生產(chǎn)率的觀點來看，優(yōu)選InCl3來作為氯化銦，且優(yōu)選SnCl4來作為氯化錫。相對于InCl3水溶液100質(zhì)量份，InCl3為10~50質(zhì)量份時，從生產(chǎn)率的觀點來看為優(yōu)選。相對于SnCl4水溶液100質(zhì)量份，SnCl4為10~60質(zhì)量份時，從生產(chǎn)率的觀點來看為優(yōu)選。并且，相對于100質(zhì)量份的InCl3, SnCl4為I~20質(zhì)量份時，從氧化銦錫粉末的導(dǎo)電性的觀點來看為優(yōu)選。
[0035]為了使銦和錫的氫氧化物從氯化銦及氯化錫的混合水溶液中共沉淀而添加氨水或碳酸銨鹽。作為碳酸銨鹽可舉出碳酸銨(NH4)2CO3、碳酸氫銨NH4HCO3或氨基甲酸銨H2NCO2NH4或它們的混合物。從對氧化銦錫的共沉淀物的空孔生成性觀點來看，優(yōu)選氨水。在共沉淀反應(yīng)中，優(yōu)選制備成pH為3~10。pH小于3時，難以析出銦錫的共沉淀物，因此不優(yōu)選。另一方面，PH超過10時，銦錫的共沉淀物可以很容易地再溶解，因此不優(yōu)選。
[0036]從對氧化銦錫共沉淀物的空孔生成性觀點來看，共沉淀反應(yīng)的溫度為0~15°C，優(yōu)選為I~15°C。溫度低于0°C時，導(dǎo)致反應(yīng)溶液凍結(jié)而反應(yīng)不均勻，并且還降低收率。并且，若為1°C以上，則反應(yīng)溶液不會凍結(jié)而反應(yīng)均勻。另一方面，溫度高于15°C時，難以對氧化銦錫共沉淀物生成空孔。
[0037]接著，優(yōu)選在回收所生成的氧化銦錫共沉淀物之后，通過傾析法或離心分離法等一般的清洗法來進(jìn)行水洗。更優(yōu)選該清洗進(jìn)行至濾液的比電阻達(dá)到2000 Q 以上為止。濾液的比電阻小于2000 Q ^cm時，無法充分去除副產(chǎn)的NH4Cl，燒成后的Cl含量達(dá)到IOOppm以上，并且，結(jié)果溶出性的In3+或Sn4+分別包含IOppm以上，因此難以得到具有穩(wěn)定的物理性質(zhì)的氧化銦錫粉末。
[0038]氧化銦錫共沉淀物的加熱分解溫度為300~950°C，優(yōu)選為500~950°C。氧化銦錫共沉淀物的加熱分解時間優(yōu)選為30分鐘~8小時。加熱分解溫度低于300°C時，氧化銦錫共沉淀物的分解或氧化銦錫的結(jié)晶化不充分，粒徑小，沒有形成空孔。并且，由于除氯不完全，因此容易導(dǎo)致比電阻增高。另一方面，加熱分解溫度高于950°C時，氧化銦錫粉末易成粗?；?。并且，加熱分解時間小于30分鐘時，氧化銦錫共沉淀物的分解或氧化銦錫的結(jié)晶化易變得不充分，并且，除氯化易變得不充分，因此容易導(dǎo)致比電阻增高。另一方面，若加熱分解時間超過8小時，則導(dǎo)致制造成本超過必要以上而生產(chǎn)率下降。
[0039][透明導(dǎo)電膜用組合物及透明導(dǎo)電膜的制造方法]
[0040]透明導(dǎo)電膜用組合物能夠按常規(guī)方法通過涂料攪拌器、球磨機(jī)、砂磨機(jī)、離心式磨機(jī)、三輥磨機(jī)等混合包含上述`本發(fā)明的氧化銦錫粉末和分散介質(zhì)的所希望的成分來進(jìn)行制造。當(dāng)然，也能夠通過一般攪拌操作來進(jìn)行制造。
[0041]透明導(dǎo)電膜能夠通過在所希望的基板等上濕式涂布之后，干燥，并根據(jù)情況進(jìn)一步燒成來制造。極力抑制由自吸收產(chǎn)生的光損失，透明導(dǎo)電膜的厚度優(yōu)選為0.01~
5.0 u m0
[0042]濕式涂布法優(yōu)選為噴涂法、分涂法、旋涂法、刮涂法、狹縫涂布法、噴墨涂布法、網(wǎng)版印刷法、膠版印刷法或鑄模涂布法中的任一個，但并不限定于此，能夠利用所有方法。
[0043][實施例]
[0044]以下，通過實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但本發(fā)明并不限定于此。
[0045][實施例1]
[0046]將In金屬200g加入到600cm3的12N-HC1中使其完全溶解來制備氯化銦溶液。將SnCl4為60質(zhì)量％的水溶液33g加入到該氯化銦溶液中來制備InCl3-SnCl4 (Sn/In比為
0.05)混合溶液。接著，將4.5dm3的離子交換水溫度調(diào)整為5°C。在該離子交換水中，同時滴入InCl3-SnCl4溶液和氨水(NH3為29質(zhì)量％)，且攪拌反應(yīng)溶液的同時在大約20分鐘內(nèi)滴入所有量，從而生成共沉淀物。此時，調(diào)整氨水流量的同時進(jìn)行滴下，以使反應(yīng)溶液的PH為4.5恒定。此時，相對于氯化銦和氯化錫的總計I當(dāng)量，所使用的氨為3.5當(dāng)量。回收共沉淀物并以離心機(jī)進(jìn)行脫水之后，加入離子交換水來清洗的同時進(jìn)行離心過濾，在濾液的比電阻達(dá)到5000 Q ? cm以上時結(jié)束離心過濾。接著，以110°C對該共沉淀物進(jìn)行干燥300分鐘之后，以600°C加熱分解3小時，粉碎而得到實施例1的氧化銦錫粉末213g。圖1中表示所得到的氧化銦錫粉末的透射電子顯微鏡的照片。該氧化銦錫粉末的平均粒徑為30nm，平均空孔徑為10nm，粉末的真密度為6.50g/cm3,比表面積為28m2/g。對于氧化銦錫粉末的平均粒徑、平均空孔徑，由倍率10萬倍的透射電子顯微鏡的照片進(jìn)行的觀察結(jié)果(n=50)計算。真密度通過QURNTACHROME INSTRUMENTS公司制超級比重瓶1000型，以使用He氣的氣體置換法進(jìn)行評價。比表面積為用基于使用QUANTACHROME公司制氮吸附測定裝置(型號:AUT0S0RB-1)的氮吸附的BET法進(jìn)行測定。另外，其他實施例、比較例中的平均粒徑、平均空孔徑、真密度、比表面積也與實施例1同樣地進(jìn)行測定。
[0047][實施例2 ~7、12、13]
[0048]除了設(shè)為表1所示的條件以外，與實施例1相同地制作氧化銦錫粉末來進(jìn)行評價。相對于氯化銦和氯化錫的總計I當(dāng)量，此時使用的氨均為3~4當(dāng)量。在表1中示出結(jié)果。另外，在共沉淀反應(yīng)溫度為0°C的實施例12中，雖然可得到共沉淀物，但反應(yīng)溶液凍結(jié)而反應(yīng)變得不均勻。
[0049][實施例8]
[0050]將In金屬200g加入到600cm3的12N-HC1中使其完全溶解來制備氯化銦溶液。將SnCl4為60質(zhì)量％的水溶液33g加入到該氯化銦溶液中來制備InCl3-SnCl4 (Sn/In比為
0.05)混合溶液。接著，在調(diào)整為5°C的4.5dm3的離子交換水中溶解碳酸銨550g，并在該溶液中攪拌反應(yīng)溶液的同時在大約20分鐘內(nèi)滴入所有量的InCl3-SnCl4溶液來生成共沉淀物。此時，反應(yīng)的水溶液的PH通過銨鹽的緩沖作用而恒定?；厥粘恋砦锊⒁噪x心機(jī)進(jìn)行脫水之后，加入離子交換水來清洗的同時進(jìn)行離心過濾，在濾液的比電阻達(dá)到5000Q ? cm以上時結(jié)束離心過濾。接著，以110°C對該共沉淀物進(jìn)行干燥300分鐘之后，以600°C加熱分解3小時來粉碎而得到實施例8的氧化銦錫粉末213g。該氧化銦錫粉末的平均粒徑為35nm，平均空孔徑為10nm，粉末的真密度為6.55g/cm3,比表面積為24m2/g。
[0051][實施例9~11]
[0052]除了設(shè)為表1所示的條件以外，與實施例8相同地制造氧化銦錫粉末來進(jìn)行評價。但是，在實施例9和實施例11中，將碳酸氫銨500g溶解于離子交換水而設(shè)為4.5dm3的溶液量，在實施例10中，將氨基甲酸銨500g溶解于離子交換水來設(shè)為4.5dm3的溶液量。在表1中示出結(jié)果。另外，在共沉淀反應(yīng)溫度為0°C的實施例11中，雖然可得到共沉淀物，但反應(yīng)溶液凍結(jié)而反應(yīng)變得不均勻。
[0053][比較例I]
[0054]將In金屬200g加入到600cm3的12N-HC1中使其完全溶解來制備氯化銦溶液。將SnCl4為60質(zhì)量％的水溶液33g加入到該氯化銦溶液中來制備InCl3-SnCl4 (Sn/In比為
0.05)混合溶液。接著，將碳酸銨550g溶解于離子交換水，液量調(diào)整為4.5dm3、溫度為30°C。在該碳酸銨水溶液中，大約攪拌20分鐘的同時滴入InCl3-SnCl4溶液的所有量來生成共沉淀物，且再繼續(xù)攪拌30分鐘。此時反應(yīng)溶液的最終pH為4.5?；厥展渤恋砦锊⒁噪x心機(jī)進(jìn)行脫水之后，加入離子交換水來清洗的同時進(jìn)行離心過濾，在濾液的比電阻達(dá)到5000Q ? cm以上時結(jié)束離心過濾。接著，以100°C對該共沉淀物進(jìn)行干燥一晚上之后，以600°C加熱分解3小時來粉碎得到比較例I的氧化銦錫粉末213g。圖2中示出所得到的氧化銦錫粉末的透射電子顯微鏡的照片。在該氧化銦錫粉末中未觀察到空孔，平均粒徑為40nm，真密度為
6.92g/cm3,比表面積為 21m2/g。
[0055][比較例2~6]
[0056]除了設(shè)為表1所示的條件以外，與比較例I相同地制作氧化銦錫粉末來進(jìn)行評價。但是，在比較例4~6中，相對于氯化銦和氯化錫的總計I當(dāng)量，所使用的氨均為3~4當(dāng)量。在表1中示出結(jié)果。另外，在共沉淀反應(yīng)溫度為_3°C的比較例3中，反應(yīng)溶液凍結(jié)而無法得到共沉淀物。
[0057][折射率的測定]
[0058]投入實施例1的氧化銦錫粉末40g、作為分散介質(zhì)的蒸餾水2.8g、三甘醇-二 -2-乙基己酸酯[3G0]44.9g、無水乙醇5.lg、磷酸聚酯2.0g、2-乙基己酸4.0g、2，4-戊烷二酮1.0g之后，使用涂料攪拌器并利用0.Smmcj5的ZrO2滾珠分散5小時來制作透明導(dǎo)電膜用組合物。在寬度50mm、長度50mm、厚度1.1mm的鈉鈣玻璃上滴入0.25cm3的分散液，且進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布30秒。以50°C干燥5分鐘，制作折射率測定用試料。使用分光偏振光分析測定裝置(J.A.Woollam Japan (株)制,型號:M_2000)來測定該折射率測定用試料，對透明電極膜部分分析數(shù)據(jù)來求出光學(xué)常數(shù)。從所分析的光學(xué)常數(shù)來看，將633nm的值設(shè)為折射率。折射率為1.62。與實施例1相同地測定比較例I的氧化銦錫粉末，結(jié)果折射率為1.70。表1中，示出與實施例1相同地測定的實施例2~13、比較例2、4~6的折射率的測定結(jié)果。
[0059][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種氧化銦錫粉末，其特征在于， 通過使用氦氣的氣體置換法用比重瓶測定的真密度為5.75~6.80g/cm3,由BET法測定的比表面積為2~100m2/g。
2.一種氧化銦錫粉末的制造方法，其特征在于，其為制造權(quán)利要求1所述的氧化銦錫粉末的方法， 銦鹽和錫鹽的混合溶液在O~15°C條件下和堿混合來使銦和錫的氫氧化物共沉淀，并以300~950°C對共沉淀物進(jìn)行加熱分解。
3.—種透明導(dǎo)電膜用組合物，其包含權(quán)利要求1所述的氧化銦錫粉末和分散介質(zhì)。
4.一種透明導(dǎo)電膜，其包含權(quán)利要求1所述的氧化銦錫粉末。
5.一種太陽能電池或觸 控面板，其具備權(quán)利要求4所述的透明導(dǎo)電膜。
【文檔編號】C03C17/23GK103771496SQ201310302983
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月23日
【發(fā)明者】米澤岳洋, 山崎和彥, 林年治 申請人:三菱綜合材料株式會社