電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：準(zhǔn)備玻璃基板；通過磁控濺射的方法在玻璃基板一板面上沉積出二氧化硅膜層；通過磁控濺射的方法在二氧化硅膜層上沉積出連接過渡層，連接過渡層是由第一金屬材料制成的連接過渡層，所述第一金屬材料為鉬或鉬鎳合金；通過磁控濺射的方法在連接過渡層上沉積出用于與ITO薄膜導(dǎo)體層電連接的導(dǎo)電層，導(dǎo)電層為由純銅制成的導(dǎo)電層；在導(dǎo)電層上渡用于防止導(dǎo)電層氧化的氧化保護(hù)層。本發(fā)明通過銅材制成的導(dǎo)電層降低了金屬引線的線阻，再通過二氧化硅膜層與連接過渡層較好地附著在一起，從而避免金屬引線從二氧化硅膜層脫落。
【專利說明】
電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于觸控領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 電容式觸摸面板的實現(xiàn)原理主要是利用了玻璃基板上的IT0(氧化銦錫)薄膜導(dǎo)體 層，其中，IT0薄膜導(dǎo)體層具有IT0圖案區(qū)，而IT0圖案區(qū)包括X軸和Y軸的電極矩陣，X軸和Y軸 電極矩陣之間互相耦合形成互電容，驅(qū)動控制器TX和信號接收器RX分別通過金屬引線與電 極矩陣的X軸和Y軸連接，驅(qū)動控制器TX發(fā)出激勵信號通過金屬引線傳輸?shù)絀T0圖案區(qū)。
[0003] 電容式觸摸面板的容值感應(yīng)部件是sensor向電極與Y軸縱向電極，用來感應(yīng)觸摸 點。金屬引線一端與X軸橫向電極、Y軸縱向電極，另一端與驅(qū)動控制器、接收器相連，負(fù)責(zé)傳 導(dǎo)電信號。目前金屬引線主要是玻璃基材的M0ALM0(鉬鋁鉬）引線，該M0ALM0膜層的總厚度 在3500 A膜層較厚，隨著近幾年觸摸屏的發(fā)展以及行業(yè)內(nèi)競爭壓力的加劇，觸摸屏產(chǎn)品 都在朝著大尺寸、超窄邊框、低成本的方向發(fā)展，采用M0ALM0做引線的產(chǎn)品，一般線寬都在 30-20um，當(dāng)我們將M0ALM0做引線做的更長，線寬低于15um時，此時的M0ALM0線阻就會大于 2K Q，這時觸控反饋的信號，經(jīng)由引線傳輸?shù)浇邮掌鲿r就會變得十分微弱，就會影響到觸控 產(chǎn)品的靈敏度?？紤]到這種問題，要想將引線寬度控制在15um以內(nèi)，線阻還必須小于2KQ， 那就務(wù)必選擇一種電阻率盡量低的材料作為導(dǎo)電引線，自然界金屬中除銀(Ag)外銅的電阻 率最低，所以選擇銅為引線必然會更加有利問題的解決。目前采用單層銅作導(dǎo)電引線的產(chǎn) 品主要有ITO film或metal mesh film，他們主要都是以film為基底。但是單層銅膜不能直 接鍍在玻璃上，主要是因為一方面Cu高溫下容易與硅反應(yīng)生成很高接觸電阻的CuSi3化合 物，另一方面Si02與金屬銅熱膨脹系數(shù)相差數(shù)倍，在材料膨脹或收縮時極易引起應(yīng)力集中， 容易脫落引起不良，所以一直以來銅并不能用在以玻璃為基底的產(chǎn)品中。因此，亟需提供一 種既能夠降低金屬引線的線阻，以及確保金屬引線與玻璃基板之間的吸附力的并適用于電 容式觸摸面板的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的 制備方法，其旨在解決基于現(xiàn)有的金屬引線線阻過大，以及金屬引線與玻璃基板之間的吸 附力不足的問題。
[0005] 本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的：
[0006] -種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：
[0007] 準(zhǔn)備玻璃基板；
[0008] 通過磁控濺射的方法在所述玻璃基板一板面上沉積出二氧化硅膜層；
[0009] 通過磁控濺射的方法在所述二氧化硅膜層上沉積出連接過渡層，所述連接過渡層 是由第一金屬材料制成的連接過渡層，所述第一金屬材料為鉬或鉬鎳合金；
[0010]通過磁控濺射的方法在所述連接過渡層上沉積出用于與IT0薄膜導(dǎo)體層電連接的 導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為由純銅制成的導(dǎo)電層；
[0011] 在所述導(dǎo)電層上渡用于防止所述導(dǎo)電層氧化的氧化保護(hù)層。
[0012] 可選地，所述第一金屬材料包含70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳。
[0013] 可選地，所述玻璃基板中附著所述二氧化硅膜層的板面的表面粗糙度為0.16~ 0.32nm〇
[0014]可選地，所述二氧化硅膜層的厚度為600-800人。
[0015]可選地，所述連接過渡層的厚度為350-450A。
[0016]可選地，所述導(dǎo)電層的厚度為900-1100A。
[0017]可選地，所述氧化保護(hù)層是由第二金屬材料制成的氧化保護(hù)層，所述第二金屬材 料包含70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳。
[0018] 可選地，所述氧化保護(hù)層的厚度為150-250人。
[0019] 可選地，所述氧化保護(hù)層通過磁控濺射的方法沉積到所述導(dǎo)電層上。
[0020] 基于本發(fā)明制備出的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層為由銅制成的導(dǎo)電層，銅比鋁的電阻率小，因 此，利用銅制作導(dǎo)電層，有利于降低金屬引線的線阻。而由于銅在高溫環(huán)境下容易與硅反應(yīng) 生成具有高接觸電阻的CuSi3化合物，且二氧化硅與銅的熱膨脹系數(shù)相差數(shù)倍，因此，如果 由銅制成的導(dǎo)電層直接沉積附著到二氧化硅膜層，當(dāng)出現(xiàn)膨脹或收縮時，二氧化硅膜層與 導(dǎo)電層之間容易出現(xiàn)位移差，也即是二氧化硅膜層與導(dǎo)電層的位移量不一致，再基于此位 移差會導(dǎo)致二氧化硅膜層與導(dǎo)電層引起應(yīng)力集中等，并使得二氧化硅膜層與導(dǎo)電層之間發(fā) 生脫落的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致金屬引線從二氧化硅膜層脫落，所以導(dǎo)電層并不能直接沉積附著 到二氧化硅膜層上。而鉬與二氧化硅之間具有較一致的熱膨脹系數(shù)，因此，二氧化硅膜層與 連接過渡層之間具有較好的附著力，能夠保二氧化硅膜層與連接過渡層較好地附著在一 起，從而避免金屬引線從二氧化硅膜層脫落。因此，基于本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)，通過銅材制 成的導(dǎo)電層降低了金屬引線的線阻，再通過二氧化硅膜層與連接過渡層較好地附著在一 起，從而避免金屬引線從二氧化硅膜層脫落，從而解決基于現(xiàn)有的金屬引線的線阻過大，以 及金屬引線與玻璃基板之間的吸附力不足的問題。
【附圖說明】
[0021] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的 附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附 圖。
[0022] 圖1是本發(fā)明實施例提供的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法；
[0023]圖2是本發(fā)明實施例提供的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；
[0024]圖3是本發(fā)明實施例提供的電容式觸控面板的剖視圖；
[0025] 圖4是本發(fā)明實施例提供的電容式觸控面板的俯視圖。
[0026] 附圖標(biāo)號說明：


【具體實施方式】
[0028]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終 相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附 圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0029]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語"長度"、"寬度"、"上"、"下"、"前"、"后"、 "左"、"右"、"豎直"、"水平"、"頂"、"底" "內(nèi)"、"外"等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所 示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝 置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限 制。
[0030] 此外，術(shù)語"第一"、"第二"僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性 或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有"第一"、"第二"的特征可以明示或者 隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，"多個"的含義是兩個或兩個以上， 除非另有明確具體的限定。
[0031] 在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語"安裝"、"相連"、"連接"、"固定"等 術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體;可以是機(jī)械連 接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi) 部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情 況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0032] 如圖1所示，一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，包括下述步驟S1至S5:
[0033] 在步驟S1中，準(zhǔn)備玻璃基板10;在該S1步驟中，選擇好所需尺寸的玻璃基板10,在 本發(fā)明實施例中，所選的玻璃基板10的尺寸為400*500*0.4mm，并將玻璃基板10清洗干凈。
[0034] 在步驟S2中，利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法在玻璃基板10-板面 上沉積出一層二氧化硅作，即沉積出附著于玻璃基板10的二氧化硅膜層20。由于二氧化硅 膜層20是由純二氧化硅制成的二氧化硅膜層20,而玻璃基板10主要由二氧化硅制成并包含 有雜質(zhì)，因此，二氧化硅膜層20與玻璃基板10在分子結(jié)構(gòu)上具有較類似的結(jié)構(gòu)，二氧化硅膜 層20沉積附著到玻璃基板10后，二氧化硅膜層20與玻璃基板10之間會有較好的附著力。此 外，在步驟S2的沉積過程中，將二氧化硅膜層20的厚度控制在6D〇-8:〇QA(A為長度單位， lA=U)e-l -m)，這樣就形成了玻璃基板10加上二氧化娃膜層20的支撐結(jié)構(gòu)。其中，由于玻 璃基板10并非純二氧化硅，同時，基于該厚度使得二氧化硅膜層20可以阻止玻璃基板10中 鈉離子向金屬引線30擴(kuò)散。
[0035]在步驟S3中，利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法在二氧化硅膜層20上 沉積出連接過渡層31。
[0036]由于銅在高溫環(huán)境下容易與硅反應(yīng)生成具有高接觸電阻的CuSi3化合物，且二氧 化硅與銅的熱膨脹系數(shù)相差數(shù)倍，因此，如果由純銅制成的導(dǎo)電層32直接沉積附著到二氧 化硅膜層20，當(dāng)出現(xiàn)膨脹或收縮時，二氧化硅膜層20與導(dǎo)電層32之間容易出現(xiàn)位移差，也即 是二氧化硅膜層20與導(dǎo)電層32的位移量不一致，再基于此位移差會導(dǎo)致二氧化硅膜層20與 導(dǎo)電層32引起應(yīng)力集中等，并使得二氧化硅膜層20與導(dǎo)電層32之間發(fā)生脫落的現(xiàn)象，進(jìn)而 導(dǎo)致金屬引線30從二氧化硅膜層20脫落，所以導(dǎo)電層32并不能直接沉積附著到二氧化硅膜 層20上。而鉬與二氧化硅之間具有較一致的熱膨脹系數(shù)，因此，二氧化硅膜層20與連接過渡 層31之間具有較好的附著力，能夠保二氧化硅膜層20與連接過渡層31較好地附著在一起， 從而避免金屬引線30從二氧化硅膜層20脫落。在步驟S3的沉積過程中，可將連接過渡層31 的厚度控制在350-450A，在該厚度范圍內(nèi)，連接過渡層31形成一個穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)層，便于提 高連接過渡層31與導(dǎo)電層32之間的連接穩(wěn)定性，也便于提高連接過渡層31與二氧化硅膜層 20之間的連接穩(wěn)定性;具體地，連接過渡層31的厚度為400 A電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
[0037]此外，連接過渡層31是由第一金屬材料制成的連接過渡層31，第一金屬材料為鉬 或鉬鎳合金。在連接過渡層31成型后，由于電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)后續(xù)還有刻蝕工藝，可采用 常規(guī)的刻蝕液刻蝕出所需的金屬引線30的整體布局，其中，刻蝕液對銅的刻蝕速率相對較 快，而鉬的刻蝕速率相對較慢，因此，如果直接利用刻蝕液進(jìn)行刻蝕很容易出現(xiàn)連接過渡層 31刻蝕不凈的情況。而刻蝕液對鎳的刻蝕速率相對較慢，因此，可控制鉬鎳合金中鉬和鎳的 比例，從而控制刻蝕液鉬鎳合金的刻蝕速率，因此，連接過渡層31可采用包含70%-80%鉬 和20%-30%鎳的第一金屬材料制作，而鉬鎳合金可使連接過渡層31與導(dǎo)電層32的刻蝕速 率基本一致;在本發(fā)明實施例中，第一金屬材料優(yōu)選為包含80 %鉬和20 %鎳。
[0038]在步驟S4中，利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法在所述連接過渡層31 上沉積出用于與IT0薄膜導(dǎo)體層40電連接的導(dǎo)電層32,所述導(dǎo)電層32為由純銅制成的導(dǎo)電 層32。
[0039] 其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的是，銅比鋁的電阻率小，因此，利用銅制作導(dǎo)電層32， 有利于降低金屬引線30的線阻，在線阻值相同的情況下，可使本發(fā)明的金屬引線30的厚度 值、寬度值更小，以及長度值更大，便于將電容式觸摸面板的尺寸做大、邊框做窄。
[0040] 在該沉積過程中，可將導(dǎo)電層32的厚度控制在900-11〇〇人?；诖撕穸龋蓪⒔?屬導(dǎo)線30的方阻控制在0.1 Q左右，適用于目前通用的觸控屏尺寸;具體地，在本發(fā)明實施 例中，導(dǎo)電層32的厚度為1〇〇〇入。
[0041]此外，不同金屬原子通過化學(xué)作用形成化學(xué)鍵，并且最終能夠達(dá)到原子尺寸的結(jié) 合形成金屬鍵，而大多數(shù)金屬物化性質(zhì)相近，不同金屬的結(jié)合也具有較高的結(jié)合強(qiáng)度，而將 導(dǎo)電層32附著到連接過渡層31，其中，連接過渡層31包含70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳，而 鉬、鎳和銅均為金屬，可確保導(dǎo)電層32與連接過渡層31之間具有良好的附著力。
[0042]在步驟S5中，在所述導(dǎo)電層32上渡用于防止所述導(dǎo)電層32氧化的氧化保護(hù)層33， 這樣，可以使金屬引線30經(jīng)受住后續(xù)的高溫。
[0043]在本發(fā)明實施例中，氧化保護(hù)層33是由第二金屬材料制成的氧化保護(hù)層33，第二 金屬材料可包含70 %-80 %鉬和20 %-30%鎳;具體地，在本發(fā)明實施例中，第二金屬材料可 包含80%鉬和20%鎳。結(jié)合后續(xù)電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)在成型后的刻蝕工藝，可利用常規(guī)的 刻蝕液刻蝕出所需的金屬引線30的整體布局，其中，刻蝕液銅的刻蝕速率相對較快，鉬在刻 蝕液中刻蝕相對較慢，如果直接刻蝕很容易出現(xiàn)刻蝕不凈的情況，因此，氧化保護(hù)層33采用 鉬鎳合金的形式進(jìn)行制作，通過鎳來提高連接過渡層31的刻蝕速度，而第二金屬材料包含 80%鉬和20%鎳可使氧化保護(hù)層33與導(dǎo)電層32的刻蝕速率基本相一致。
[0044] 此外，在步驟S5的沉積過程中，可將氧化保護(hù)層33的厚度控制在150-2:50人，基于 此，在將氧化保護(hù)層33的厚度控制在比較小的范圍的同時，還可防止所述導(dǎo)電層32氧化，有 利于降低生產(chǎn)成本;在本發(fā)明實施中，氧化保護(hù)層33的厚度優(yōu)選為200 A。
[0045] 本發(fā)明實施例的制備方法制備出一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
[0046] 如圖2所示，該電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括玻璃基板10、附著于玻璃基板10-板面的 二氧化硅膜層20以及附著于二氧化硅膜層20并用于與IT0薄膜導(dǎo)體層40(參見圖3和圖4)電 連接的金屬引線30,其中，金屬引線30的寬度以及走線設(shè)置可根據(jù)實際需求設(shè)置即可。金屬 引線30包括依次附著層疊的連接過渡層31、用于與IT0薄膜導(dǎo)體層40電連接的導(dǎo)電層32以 及用于防止導(dǎo)電層32氧化的氧化保護(hù)層33,連接過渡層31連接附著于二氧化硅膜層20,其 中，導(dǎo)電層32由純銅制成的導(dǎo)電層32,連接過渡層31是由第一金屬材料制成的連接過渡層 31，第一金屬材料為鉬或鉬鎳合金。
[0047] 基于上述，本發(fā)明實施例中，二氧化硅膜層20的厚度可為600-800A，優(yōu)選為 800 Ju連接過渡層3 1的厚度可為350-450矣,優(yōu)選為4〇0人；導(dǎo)電層3 2的厚度為 900-1100A，優(yōu)選為1000A;而氧化保護(hù)層33是由第二金屬材料制成的氧化保護(hù)層33,第二 金屬材料包含70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳，第二金屬材料優(yōu)選為包含80 %鉬和20 %鎳;氧 化保護(hù)層33的厚度為150-250A，優(yōu)選為200人。
[0048] 由于連接過渡層31是由第一金屬材料制成的連接過渡層31、導(dǎo)電層32由純銅制成 的導(dǎo)電層32以及氧化保護(hù)層33是由第二金屬材料制成的氧化保護(hù)層33,后續(xù)用于成型金屬 引線30布局的刻蝕工藝中的刻蝕液可采用FeCL 3刻蝕液，其中，F(xiàn)eCL3刻蝕液成本較低，因 此，基于本本發(fā)明實施例的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)有利于降低生產(chǎn)成本。
[0049]在此需要說明的是，將上述電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)應(yīng)用于電容式觸控面板時，在生 產(chǎn)過程中，可在步驟S2至S5之前，可利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法在二氧 化硅膜層20上沉積出IT0膜層，再通過黃光工藝形成具有所需IT0圖案的IT0薄膜導(dǎo)體層40， 如圖3和圖4所示的。如圖3和圖4所示，驅(qū)動控制器TX和信號接收器RX均通過金屬引線30連 接到IT0薄膜導(dǎo)體層40的IT0圖案。
[0050]在本發(fā)明實施中，玻璃基板10中附著二氧化硅膜層20的板面的表面粗糙度可為 0.16~0.32nm，優(yōu)選為0.25nm，也即是玻璃基板10中附著二氧化硅膜層20的板面具有一定 的凹凸結(jié)構(gòu)?；诖私Y(jié)構(gòu)，在利用真空磁控連續(xù)鍍膜機(jī)通過磁控濺射的方法將二氧化硅逐 漸地濺射到玻璃基板10的過程中，二氧化硅膜層20會有部分嵌入到玻璃基板10的下凹部 分，這增加二氧化硅膜層20與玻璃基板10的接觸面積，增加了二氧化硅膜層20與玻璃基板 10之間的附著力，同時，當(dāng)二氧化硅膜層20和玻璃基板10受到使兩者產(chǎn)生錯位的外力時，可 以將兩者間的相互作用力均布到各凹凸結(jié)構(gòu)中，而不會集中在一個位置。此外，由于二氧化 硅膜層20磁采用控濺射的方法沉積形成，任意一處的膜層厚度大致相同，而二氧化硅膜層 20中朝向玻璃基板10的膜面需與玻璃基板10的板面相契合，相應(yīng)地，二氧化硅膜層20中背 離玻璃基板10的膜面粗糙度與玻璃基板10的粗糙度相對應(yīng)?；诖?，二氧化硅膜層20與連 接過渡層31的連接結(jié)構(gòu)、連接過渡層31與導(dǎo)電層32的連接結(jié)構(gòu)、以及氧化保護(hù)層33與導(dǎo)電 層32的連接結(jié)構(gòu)均與玻璃基板10與二氧化硅膜層20的連接結(jié)構(gòu)相類似，并具有相同的技術(shù) 效果，在此不再展開細(xì)述。
[0051]以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換或改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 準(zhǔn)備玻璃基板； 通過磁控濺射的方法在所述玻璃基板一板面上沉積出二氧化硅膜層； 通過磁控濺射的方法在所述二氧化硅膜層上沉積出連接過渡層，所述連接過渡層是由 第一金屬材料制成的連接過渡層，所述第一金屬材料為鉬或鉬鎳合金； 通過磁控濺射的方法在所述連接過渡層上沉積出用于與ITO薄膜導(dǎo)體層電連接的導(dǎo)電 層，所述導(dǎo)電層為由純銅制成的導(dǎo)電層； 在所述導(dǎo)電層上渡用于防止所述導(dǎo)電層氧化的氧化保護(hù)層。2. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第一金屬材 料包含70 % -80 %鉬和20 % -30 %鎳。3. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述玻璃基板中 附著所述二氧化硅膜層的板面的表面粗糙度為〇. 16~0.32nm。4. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述二氧化硅膜 層的厚度為600-800人。5. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述連接過渡層 的厚度為35:0-450人。6. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚 度為900-丨100 A。7. 如權(quán)利要求1所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述氧化保護(hù)層 是由第二金屬材料制成的氧化保護(hù)層，所述第二金屬材料包含70 %-80 %鉬和20 %-30 % 鎳。8. 如權(quán)利要求7所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述氧化保護(hù)層 的厚度為150-250A。9. 如權(quán)利要求8所述的電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述氧化保護(hù)層 通過磁控濺射的方法沉積到所述導(dǎo)電層上。10. -種電容式觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過權(quán)利要求1至9中任意一項所述電容式 觸控導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制備方法制備。
【文檔編號】G06F3/044GK105930017SQ201610269846
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月27日
【發(fā)明人】黃亮, 蔣蔚, 陳凱, 黃受林, 黃海東
【申請人】深圳力合光電傳感股份有限公司