專利名稱：一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種玻璃及其制作方法，更具體的說(shuō)涉及一種利用白玻制作的低輻射鍍膜玻璃及制作方法。
背景技術(shù)：
低輻射鍍膜玻璃具有低傳熱性能和較低的遮陽(yáng)系數(shù)，專利申請(qǐng)?zhí)枮镃N201110060204. O、申請(qǐng)日為2011年03月13日的中國(guó)發(fā)明專利公開(kāi)了一種可鋼化的低輻射鍍膜玻璃及其制備方法，在玻璃基片的表面從下至上依次設(shè)置電介質(zhì)層I、電介質(zhì)層II、金屬阻擋層I、銀層、金屬阻擋層II、電介質(zhì)層III和電介質(zhì)層IV;電介質(zhì)層I與玻璃基片的表面相連，電介質(zhì)層I和電介質(zhì)層IV為氧化娃層，電介質(zhì)層II和電介質(zhì)層III為氧化鋅的錫酸鹽層，金屬阻擋層I和金屬阻擋層II為鎳鉻合金層。但是，其遮陽(yáng)系數(shù)在O. 6左右，遮陽(yáng)效果差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法，其以白玻為基片，制作出來(lái)的鍍膜玻璃具有低傳熱系數(shù)和低遮陽(yáng)系數(shù)。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次設(shè)有氮化硅層、氧化鋅鋁層、金屬鈦層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鈦層及氮化硅保護(hù)層。作為優(yōu)選，所述玻璃基片的厚度為6-10mm,所述氮化娃層的厚度37_43nm,所述氧化鋅鋁層的厚度為17-24nm，所述金屬鈦層的厚度為7-10nm，所述金屬銀層的厚度為
11.5-12. 5nm、所述氧化鎳鉻層的厚度為ll_14nm，所述氧化鈦層的厚度為13_17nm，所述氮化硅保護(hù)層的厚度為61-69nm。作為優(yōu)選,所述玻璃基片的厚度為6mm。作為優(yōu)選，所述氮化硅層的厚度39nm，所述氧化鋅鋁層的厚度為19nm，所述金屬鈦層的厚度為8nm，所述金屬銀層的厚度為12nm，所述氧化鎳鉻層的厚度為13nm，所述氧化鈦層的厚度為15nm,所述氮化娃保護(hù)層的厚度為64nm。一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將6-10_厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度設(shè)置在10_3Pa，線速度設(shè)置為I. 7-2. lm/min ；
b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為54-56KW，在玻璃基片上濺射第一層37-43nm的氮化硅層；
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺 射設(shè)備的功率為16-20KW，在玻璃基片上濺射第二層17-24nm的氧化鋅鋁層；
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3.5-4. 0KW，在玻璃基片上濺射第三層7-1Onm金屬鈦層；e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為10-12.5KW，在玻璃基片上濺射第四層
11.5-12. 5nm的金屬銀層；
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5.6-6. 2KW，在玻璃基片上濺射第五層ll-14nm的氧化鎳鉻層；
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為70-74KW，在玻璃基片上濺射第六層13-17nm的金屬鈦層；
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為80-84KW，在玻璃基片上濺射第七層61-69nm的氮化娃保護(hù)層。作為優(yōu)選,所述步驟a)中,所述玻璃基片的厚度為6mm ；
所述步驟b)中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為55KW，在玻璃基片上濺射第一層39nm的氮化娃層；
所述步驟c)中，設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為17. 5KW，在玻璃基片上濺射第二層19nm的氧化鋅鋁層；
所述步驟d)中，設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3. 8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鈦層；
所述步驟e)中，將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為11KW，在玻璃基片上濺射第四層12nm的金屬銀層；
所述步驟f)中，設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5. 8KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層；
所述步驟g)中，設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為72KW，在玻璃基片上濺射第六層15nm的金屬鈦層；
所述步驟h)中，設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為81W，在玻璃基片上濺射第七層64nm的氮化娃保護(hù)層。作為優(yōu)選，所述步驟a)中，線速度設(shè)置為2. 0-2. lm/min。作為優(yōu)選,所述步驟a)中，線速度設(shè)置為2. lm/min。作為優(yōu)選，所述步驟b)-步驟h)之間是持續(xù)進(jìn)行的。作為優(yōu)選，所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本發(fā)明有益效果在于
本發(fā)明的鍍膜玻璃，以白玻為基片，降低了成本，膜層熱穩(wěn)定性、牢固性、抗氧化性極強(qiáng)，在常溫下放置8個(gè)月不影響使用，由于能夠進(jìn)行熱處理(鋼化)，極大的降低了鍍膜的生產(chǎn)成本，便于運(yùn)輸，而且其具有低傳熱系數(shù)和低遮陽(yáng)系數(shù)。


圖I為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。實(shí)施例1，見(jiàn)附圖1，一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片1，玻璃基片為白玻，所述玻璃基片I上依次設(shè)有氮化硅(SiNx)層2、氧化鋅鋁層(ZnAlOx) 3、金屬鈦層4(Ti)、金屬銀層(Ag) 5、氧化鎳鉻層(NiCrOx) 6、氧化鈦層(TiOx) 7及氮化娃(SiNx)保護(hù)層8。所述玻璃基片I的厚度為6_，所述氮化硅層2的厚度37nm，所述氧化鋅鋁層3的厚度為17nm，所述金屬鈦層4的厚度為7nm，所述金屬銀層5的厚度為11. 5，所述氧化鎳鉻層6的厚度為I Inm,所述氧化鈦層7的厚度為13nm,所述氮化娃保護(hù)層8的厚度為61nm。一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將6_厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度設(shè)置在10_3Pa，線速度設(shè)置為I. 7m/min ；
b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為54-56KW，在玻璃基片上濺射第一層37nm的氮化硅層2 ；
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為16KW，在玻璃基片上濺射第二層17nm的氧化鋅鋁層3 ；
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3.5KW，在玻璃基片上濺射第三層7nm金屬鈦層4 ；
e ):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為IO KW，在玻璃基片上濺射第四層
11.5nm的金屬銀層5 ；
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5.6KW，在玻璃基片上濺射第五層Ilnm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為70KW，在玻璃基片上濺射第六層13nm的金屬鈦層7 ;
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為80KW，在玻璃基片上濺射第七層61nm的氮化硅保護(hù)層8。其中，在鍍膜的時(shí)候，所述步驟b)_步驟h)之間是持續(xù)進(jìn)行的，在所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本實(shí)施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數(shù)、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設(shè)置，結(jié)合特定的工藝，將制作出來(lái)的鍍膜玻璃進(jìn)行檢測(cè)，其結(jié)果如下
可見(jiàn)光透射比42% ；
可見(jiàn)光反射比25%;
遮陽(yáng)系數(shù)0. 32 O. 35 ;
傳熱系數(shù)1. 35 I. 55。實(shí)施例2，所述玻璃基片I的厚度為10mm，所述氧化硅層2的厚度43nm，所述氧化鋅鋁層3的厚度為24nm，所述金屬鈦層4的厚度為10nm，所述金屬銀層5的厚度為12. 5nm、所述氧化鎳鉻層6的厚度為14nm，所述氧化鈦層7的厚度為17nm，所述氧化硅保護(hù)層8的厚度為69nm。一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟
a):將10_厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度設(shè)置在10_3Pa，線速度設(shè)置為2. lm/min ； b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為56KW，在玻璃基片上濺射第一層43nm的氮化硅層2 ；
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為20KW，在玻璃基片上濺射第二層24nm的氧化鋅鋁層3 ；
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為4.OKW，在玻璃基片上濺射第三層IOnm金屬鈦層4 ；
e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為12.5KW，在玻璃基片上濺射第四層
12.5nm的金屬銀層5 ；
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為6.2KW，在玻璃基片上濺射第五層14nm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為74KW，在玻璃基片上濺射第六層17nm的金屬鈦層7 ;
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為84KW，在玻璃基片上濺射第七層69nm的氮化硅保護(hù)層8。其中，在鍍膜的時(shí)候，所述步驟b)_步驟h)之間是持續(xù)進(jìn)行的，在所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本實(shí)施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數(shù)、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設(shè)置，結(jié)合特定的工藝，將制作出來(lái)的鍍膜玻璃進(jìn)行檢測(cè)，其結(jié)果如下
可見(jiàn)光透射比42% ；
可見(jiàn)光反射比25%;
遮陽(yáng)系數(shù)0. 29 O. 35 ;
傳熱系數(shù)1. 25 I. 55。實(shí)施例3，玻璃基片的厚度為6mm，所述氧化硅層2的厚度39nm，所述氧化鋅鋁層3的厚度為19nm,所述金屬鈦層4的厚度為8nm,所述金屬銀層5的厚度為12nm、所述氧化鎳鉻層6的厚度為13nm，所述氧化鈦層7的厚度為15nm，所述氧化硅保護(hù)層8的厚度為64nm。a):將6mm厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度設(shè)置在10_3Pa，線速度設(shè)置為2. lm/min ；
b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為55KW，在玻璃基片上濺射第一層39nm的氮化硅層2 ；
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為17.5KW，在玻璃基片上濺射第二層19nm的氧化鋅招層3 ；
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3.8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鈦層4 ；
e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為11KW，在玻璃基片上濺射第四層12nm的金屬銀層5 ；
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5.8KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層6 ；
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為72KW，在玻璃基片上濺射第六層15nm的金屬鈦層7 ;
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為81KW，在玻璃基片上濺射第七層64nm的氮化硅保護(hù)層8。其中，在鍍膜的時(shí)候，所述步驟b )-步驟h )之間是持續(xù)進(jìn)行的，沒(méi)有間隔，在所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。本實(shí)施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數(shù)、特定鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設(shè)置，結(jié)合特定的工藝，將制作出來(lái)的鍍膜玻璃進(jìn)行檢測(cè)，其結(jié)果如下
可見(jiàn)光透射比42% ；
可見(jiàn)光反射比25% ；
遮陽(yáng)系數(shù)0. 29 O. 35;
傳熱系數(shù)1. I I. 55。以上說(shuō)明僅僅是對(duì)發(fā)明的解釋，使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能完整的實(shí)施本方案，但并不是對(duì)發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說(shuō)明書后可以根據(jù)需要對(duì)本實(shí)施例做出沒(méi)有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，這些都是不具有創(chuàng)造性的修改。但只要在發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。
權(quán)利要求
1.一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片(I)，其特征在于所述玻璃基片(I)上依次設(shè)有氮化硅層(2 )、氧化鋅鋁層(3 )、金屬鈦層(4 )、金屬銀層(5 )、氧化鎳鉻層(6 )、氧化鈦層(7)及氮化硅保護(hù)層(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片(O的厚度為6-10mm，所述氮化硅層(2)的厚度37_43nm，所述氧化鋅鋁層(3)的厚度為17-24nm，所述金屬鈦層(4)的厚度為7_10nm，所述金屬銀層(5)的厚度為11. 5-12. 5nm，所述氧化鎳鉻層(6)的厚度為ll_14nm，所述氧化鈦層(7)的厚度為13_17nm，所述氮化硅保護(hù)層(8)的厚度為61-69nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片(I)的厚度為6mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述氮化硅層(2)的厚度39nm,所述氧化鋅招層(3)的厚度為19nm,所述金屬鈦層(4)的厚度為8nm,所述金屬銀層(5)的厚度為12nm，所述氧化鎳鉻層(6)的厚度為13nm，所述氧化鈦層(7)的厚度為15nm,所述氮化娃保護(hù)層(8)的厚度為64nm。
5.一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟 a):將6-10_厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度設(shè)置在10_3Pa，線速度設(shè)置為I. 7-2. lm/min ； b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為54-56KW，在玻璃基片上濺射第一層37-43nm的氮化硅層(2)； c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為16-20KW，在玻璃基片上濺射第二層17-24nm的氧化鋅鋁層(3)； d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3.5-4. 0KW，在玻璃基片上濺射第三層7-10nm金屬鈦層(4)； e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為10-12.5KW，在玻璃基片上濺射第四層11. 5-12. 5nm的金屬銀層(5); f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5.6-6. 2KW，在玻璃基片上濺射第五層ll-14nm的氧化鎳鉻層(6)； g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為70-74KW，在玻璃基片上濺射第六層13-17nm的金屬鈦層(7)； h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為80-84KW，在玻璃基片上濺射第七層61-69nm的氮化娃保護(hù)層(8)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于 所述步驟a)中，所述玻璃基片的厚度為6mm ； 所述步驟b)中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為55KW，在玻璃基片上濺射第一層39nm的氮化娃層(2)； 所述步驟c)中，設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為17. 5KW，在玻璃基片上濺射第二層19nm的氧化鋅鋁層(3)； 所述步驟d)中，設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3. 8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鈦層(4)；所述步驟e)中，將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為11KW，在玻璃基片上濺射第四層12nm的金屬銀層(5)； 所述步驟f)中，設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5. 8KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層(6)； 所述步驟g)中，設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為72KW，在玻璃基片上濺射第六層15nm的金屬鈦層(7)； 所述步驟h)中，設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為81W，在玻璃基片上濺射第七層64nm的氮化硅保護(hù)層(8)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，線速度設(shè)置為2. 0-2. lm/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，線速度設(shè)置為2. lm/min。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟b)-步驟h)之間是持續(xù)進(jìn)行的。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法，雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次設(shè)有氮化硅層、氧化鋅鋁層、金屬鈦層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鈦層及氮化硅保護(hù)層。其制作方法為將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度設(shè)置在10-3Pa，線速度設(shè)置為1.7-2.1m/min；依次在玻璃基片上真空濺射氮化硅層、氧化鋅鋁層、金屬鈦層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鈦層及氮化硅保護(hù)層。本發(fā)明的鍍膜玻璃，以白玻為基片，降低了成本，膜層熱穩(wěn)定性、牢固性、抗氧化性極強(qiáng)，在常溫下放置8個(gè)月不影響使用，由于能夠進(jìn)行熱處理，極大的降低了鍍膜的生產(chǎn)成本，便于運(yùn)輸，而且其具有低傳熱系數(shù)和低遮陽(yáng)系數(shù)。
文檔編號(hào)C03C17/36GK102617047SQ20121007808
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月22日
發(fā)明者姚聯(lián)根, 屠松柏, 楊德兵, 陳海平 申請(qǐng)人:聯(lián)海(國(guó)際)玻璃技術(shù)有限公司