專利名稱：一種鍍膜產(chǎn)品的制作方法
一種鍍膜產(chǎn)品
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜產(chǎn)品，尤其涉及到一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼钠囧兡げＡА?b>背景技術(shù)：
隨著人們節(jié)能意識(shí)的增強(qiáng)，越來(lái)越多的建筑物或汽車都將使用低輻射鍍膜玻璃或熱反射鍍膜玻璃，這些鍍膜玻璃可以起到很好的隔熱效果，使建筑物內(nèi)部或車內(nèi)的舒適度增加。現(xiàn)在生產(chǎn)離線低輻射鍍膜玻璃，大都是使用純銀作為反射紅外線的功能膜層，由于純金屬銀在空氣中很容易與硫化物氣體反應(yīng)使銀的性能退化，在高溫?zé)崽幚磉^(guò)程中銀容易被氧化而喪失低輻射功能，因此，目前的低輻射鍍膜玻璃的制作都是使用多層介質(zhì)層來(lái)保護(hù)銀層，即便這樣當(dāng)膜層暴露在大氣中時(shí)，銀功能層也多少會(huì)受到大氣有害氣體的腐蝕作用。中國(guó)專利CN201010177547.0公開了一種高穩(wěn)定性汽車鍍膜玻璃膜系，該膜系與常用的汽車鍍膜玻璃膜系的核心總差異是將金屬純銀材料改變?yōu)殂y、銅、鋅、鉻四種金屬的合金材料Agl_x_y_zCuxZnyCrz，其中0彡x+y+z彡10%, Zn能夠阻止銀與鄰近的氧化物層的相互作用，防止膜系性能退化，Cr和Cu能夠提高Ag層的化學(xué)穩(wěn)定性，不易受環(huán)境的影響。但是在銀中摻雜銅會(huì)使膜系在后續(xù)加工處理過(guò)程中銀膜層易出現(xiàn)紅斑缺陷。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是為了解決以上低輻射膜的不足，使用銀、釔、鎂、硼四種元素組成的合金材料代替純銀材料作為低輻射膜的功能層材料。這種四元合金材料中的摻雜元素Y 能夠使銀層具有良好的抗硫化變色特性；摻雜元素Mg能夠使銀層具有抗硫化特性和阻止銀與氧的相互作用；摻雜元素B能夠阻止氧與銀的相互作用，提高膜系在高溫?zé)崽幚淼姆€(wěn)定性；這幾個(gè)元素共同作用可提高低輻射膜功能層的化學(xué)穩(wěn)定性和改善其機(jī)械性能。本發(fā)明的低輻射功能膜層Agl_a_b_。YaMgbB。中的Mg元素可以被Ca、&元素替代或者共用，B元素可以被Al、Ga、Sn、Zn、Ti替換或共用，Y元素也可以被其它的稀土元素所替代。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有低輻射鍍膜產(chǎn)品中銀膜層的不穩(wěn)定性，用金屬銀摻雜為四元合金替代高純的銀材料作為低輻射膜的功能膜層材料，使得低輻射鍍膜產(chǎn)品具有低的輻射率和面電阻，同時(shí)使膜層在后續(xù)的加工處理過(guò)程中不會(huì)出現(xiàn)紅斑缺陷。本發(fā)明的一種低輻射鍍膜產(chǎn)品的制備按如下步驟進(jìn)行1)在玻璃基板上生長(zhǎng)底層電介質(zhì)膜層，底層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜層厚度為 20 50nmo2)在底層電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)第一犧牲層，第一犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜層厚度為1 5nm。；3)在第一犧牲層上生長(zhǎng)摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層，其中0 < a+b+c彡9. 5wt %，優(yōu)選的為0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更優(yōu)選的為0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜層厚度為6 25nm。4)在摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層上生長(zhǎng)第二犧牲層，第二犧牲層可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜層厚度為1 5nm。5)在第二犧牲層上生長(zhǎng)頂層電介質(zhì)膜層，頂層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜層厚度為 10 35nm。6)在頂層電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)保護(hù)層，保護(hù)層選用以下的一種或多種材料組合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜層厚度為 5 25nm。7)最后將低輻射鍍膜玻璃做成中空或夾層玻璃。本發(fā)明的另一種低輻射鍍膜產(chǎn)品的制備按如下步驟進(jìn)行1)在玻璃基板上生長(zhǎng)底層電介質(zhì)膜層，底層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜層厚度為 20 50nmo2)在底層電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)第一犧牲層，第一犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜層厚度為1 5nm。幻在第一犧牲層上生長(zhǎng)摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，優(yōu)選的為0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更優(yōu)選的為0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜層厚度為6 25nm。4)在摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層上生長(zhǎng)第二犧牲層，第二犧牲層可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜層厚度為1 5nm。5)在第二犧牲層上生長(zhǎng)第二電介質(zhì)膜層，第二電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜層厚度為 40 95nm。6)在第二電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)第三犧牲層，第三犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜層厚度為1 5nm。7)在第三犧牲層上生長(zhǎng)摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，優(yōu)選的為0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更優(yōu)選的為0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜層厚度為6 25nm。8)在摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層上生長(zhǎng)第四犧牲層，第四犧牲層可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜層厚度為1 5nm。9)在第四犧牲層上沉積頂層電介質(zhì)膜層，頂層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜層厚度為 10 35nm。10)在頂層電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)保護(hù)層，保護(hù)層選用以下的一種或多種材料組合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜層厚度為 5 25nm。11)最后將低輻射鍍膜玻璃做成中空或夾層玻璃。本發(fā)明的第三種低輻射鍍膜產(chǎn)品的制備按如下步驟進(jìn)行1)在玻璃基板上生長(zhǎng)底層電介質(zhì)膜層，底層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜層厚度為 20 50nmo 2)在底層電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)第一犧牲層，第一犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜層厚度為1 5nm。 幻在第一犧牲層上生長(zhǎng)摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，優(yōu)選的為0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更優(yōu)選的為0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜層厚度為6 25nm。4)在摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層上生長(zhǎng)第二犧牲層，第二犧牲層可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜層厚度為1 5nm。5)在第二犧牲層上生長(zhǎng)第二電介質(zhì)膜層，第二電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜層厚度為 40 95nm。6)在第二電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)第三犧牲層，第三犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜層厚度為1 5nm。7)在第三犧牲層上生長(zhǎng)摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，優(yōu)選的為0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更優(yōu)選的為0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜層厚度為6 25nm。8)在摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層上生長(zhǎng)第四犧牲層，第四犧牲層可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜層厚度為1 5nm。9)在第四犧牲層上沉積第三電介質(zhì)膜層，第三電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜層厚度為 40 95nm。10)在第三電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)第五犧牲層，第五犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜層厚度為1 5nm。11)在第五犧牲層上生長(zhǎng)摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層，其中0 < a+b+c彡9. 5wt %，優(yōu)選的為0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更優(yōu)選的為0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜層厚度為6 25nm。12)在摻雜釔、鎂和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜層上生長(zhǎng)第六犧牲層，第六犧牲層可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜層厚度為1 5nm。13)在第六犧牲層上生長(zhǎng)頂層電介質(zhì)膜層，頂層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx、ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜層厚度為 10 35nm。14)在頂層電介質(zhì)膜層上生長(zhǎng)保護(hù)層，保護(hù)層選用以下的一種或多種材料組合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜層厚度為 5 25nm。15)最后將低輻射鍍膜玻璃做成中空或夾層玻璃。在上述膜系結(jié)構(gòu)中，可以將沉積在Agl-a-b-cYaMgbBc膜層之前的第一層犧牲層、 第三犧牲層和第五犧牲層中的任一層去除或全部去除。與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)采用在純銀中摻雜釔、鎂和硼元素形成的四元銀合金作為靶材沉積膜層，在沉積膜層的過(guò)程中，摻雜元素Y能夠使銀層具有良好的抗硫化變色特性；摻雜元素Mg能夠使銀層具有抗硫化特性和阻止銀與氧的相互作用；摻雜元素B能夠阻止氧與銀的相互作用，提高膜系在高溫?zé)崽幚淼姆€(wěn)定性；采用在純銀中摻雜釔、鎂和硼元素形成的四元合金作為靶材比純銀靶材便宜，對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)降低成本有積極作用。當(dāng)有氧氣存在時(shí)，銀在熱力學(xué)上不穩(wěn)定，易被大氣中的氧氣氧化，生成氧化銀。由于大氣中存在02、S02、H2S等氣體，這些氣體對(duì)銀膜層具有強(qiáng)的腐蝕作用，從而使銀膜層的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)等性能下降。當(dāng)在氧氣存在的條件下，H2S會(huì)使銀與之反應(yīng)生成硫化銀， 使銀膜層變色，其反應(yīng)式為4Ag+2H2S+02 — 2Ag2S+2H20 ；在02存在的條件下，銀膜層會(huì)與 S02氣體反應(yīng)生成白色物質(zhì)Ag2S04，其反應(yīng)式為2Ag+S02+02 — Ag2S04 ；銀膜層會(huì)與氧反應(yīng)生成氧化銀等，特別是將膜層進(jìn)行熱處理(如630°C)時(shí)上述的反應(yīng)更加激烈。用Agl-a-b-cYaMgbBc膜層替換純銀膜層，Agl-a-b-cYaMgbBc膜層中的Y能夠阻止Ag與鄰近的氧化層相互作用同時(shí)能夠提高Ag的抗硫化變色的性能，使其不易受環(huán)境的影響。當(dāng)有氧氣參與反應(yīng)時(shí)，Agl-a-b-cYaMgbBc膜層中的Y相對(duì)于Ag來(lái)說(shuō)，會(huì)優(yōu)先與氧反應(yīng)，從而減輕Ag受02的腐蝕；當(dāng)有S02氣體參與反應(yīng)時(shí)，Agl-a-b-cYaMgbBc膜層中的Y相對(duì)于Ag來(lái)說(shuō)，會(huì)優(yōu)先與S02氣體反應(yīng)，從而減輕Ag受S02氣體的腐蝕；當(dāng)有H2S氣體參與反應(yīng)時(shí)，Agl-a-b-cYaMgbBc膜層中的Y相對(duì)于Ag來(lái)說(shuō)，會(huì)優(yōu)先與H2S氣體反應(yīng)，從而減輕 Ag受H2S氣體的腐蝕。Ag中摻雜有Y后，Y以固溶形式存在于Ag基體中。Y加入Ag中，可與Ag產(chǎn)生共晶反應(yīng)，顯著細(xì)化銀合金晶粒，從而改善整個(gè)膜層的力學(xué)性能。當(dāng)有氧滲透進(jìn)入銀膜層時(shí)，Agl-a-b-cYaMgbBc膜層中的Mg相對(duì)于Ag來(lái)說(shuō)，會(huì)優(yōu)先與氧反應(yīng)，從而避免Ag與氧的反應(yīng)使銀層性能下降，Mg同時(shí)具有提高Ag抗硫化變色的性能使其不易受周圍環(huán)境的影響。當(dāng)有S02氣體參與反應(yīng)時(shí)，Agl-a-b-cYaMgbBc膜層中的 Mg相對(duì)于Ag來(lái)說(shuō)，會(huì)優(yōu)先與S02氣體反應(yīng)，從而減輕Ag受S02氣體的腐蝕；當(dāng)有H2S氣體參與反應(yīng)時(shí)，Agl-a-b-cYaMgbBc膜層中的Mg相對(duì)于Ag來(lái)說(shuō)，會(huì)優(yōu)先與H2S氣體反應(yīng)，從而減輕Ag受H2S氣體的腐蝕。由于B的原子半徑小，電負(fù)性較大，而Ag的電負(fù)性比B的電負(fù)性要小。因此在有氧存在的情況下，在Agl-a-b-cYaMgbBc膜層中的相對(duì)于Ag來(lái)說(shuō)，B會(huì)優(yōu)先與氧反應(yīng)，從而避免銀與氧的反應(yīng)導(dǎo)致銀膜層的性能惡化。
具體實(shí)施方式在此先定義1) “Agl_a_b_。YaMgbB?！北硎驹诩傾g中摻雜￥、1%和8元素，其中￡1、13、 c分別表示元素Y、Mg、B的重量百分比含量，在整個(gè)說(shuō)明書中都用“wt%”表示。2) “烘彎加熱”是指鍍膜玻璃經(jīng)受620°C以上的高溫?zé)崽幚?，并在此高溫下停? 5min。3)Sn0x、 TiOx、ZrOx和SiOx中χ的取值為0 < χ彡2 ；ZnOx中χ的取值為0 < χ彡1 ；SiNx中χ的取值為0 < χ彡4/3 ；ZnxSnyOn和SixTiyOn中η的取值為0 < r!彡x+2y，其中χ和y取任意正值；NbOx中χ的取值為0 < χ彡5/2 ；SiNOx中χ的取值為0 < χ彡1/2 ；NiCrOx中χ 的取值為0 < χ < 3. 5。在這一整篇發(fā)明當(dāng)中都用以上的表示方法。下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。以下涉及實(shí)施例及對(duì)比例，均是在干凈的、厚度為2. Omm的透明浮法玻璃原片(標(biāo)記為玻璃基板2. 0C)的空氣面上依次鍍上各膜層。單片玻璃基板鍍膜烘彎后，鍍膜玻璃基板的最外鍍膜層為最外保護(hù)層，最外保護(hù)層向外依次和厚度為0. 76mm的PVB、另外一片沒有鍍膜的厚度為2. Omm的透明浮法玻璃基板層壓在一起，形成低輻射鍍膜夾層玻璃。而形成的低輻射鍍膜夾層玻璃需要通過(guò)敲擊實(shí)驗(yàn)——最重要的物理性能測(cè)試之一，該實(shí)驗(yàn)是衡量膜層與PVB、玻璃之間粘結(jié)性能的檢測(cè)方法。Solutia Europe s. a.公司將夾層玻璃敲擊標(biāo)準(zhǔn)分為9級(jí)。根據(jù)敲擊后碎玻璃粘在PVB 上的量從少到多，規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)為第1級(jí)至第9級(jí)。滿足國(guó)標(biāo)GB9656-2003要求的汽車夾層玻璃需要符合的敲擊等級(jí)為第3級(jí)<敲擊等級(jí)<第6級(jí)。敲擊實(shí)驗(yàn)步驟為a.從整個(gè)低輻射鍍膜夾層玻璃上切下兩塊100 X 300mm的試驗(yàn)片；b.將兩試樣放置在_18°C 士2°C下保存至少2小時(shí)；c.將試樣從上述低溫處取出放置在常溫下1-2分鐘， 便放在試樣箱上用鐵錘敲擊；d.敲擊后試樣允許恢復(fù)到室溫再與標(biāo)準(zhǔn)樣片對(duì)照，但要等到冷凝水揮發(fā)后；e.將試樣認(rèn)真與標(biāo)準(zhǔn)樣片比較，就可以判斷出敲擊實(shí)驗(yàn)的等級(jí)。實(shí)施例1在玻璃基板2. OC上依次鍍上厚度為38nm的SiSr^2膜層；厚度為3nm的Ti膜層； 厚度為12nm的Ag1^cYaMgbBc膜層，其中a+b+c = 9. 5wt% ；厚度為3nm的Ti膜層；厚度為 27nm的SiSnO2膜層；厚度為12nm的Si3N4膜層作為保護(hù)層，得到可熱處理低輻射鍍膜玻璃。光學(xué)性能測(cè)試在熱處理之前，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 051，可見光透過(guò)率80. 5% ；烘彎加熱后檢測(cè)，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 038，可見光透過(guò)率為82. 4%，面電阻為 10. 8 Ω/square ；然后洗滌、合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃，經(jīng)檢測(cè)，其可見光透過(guò)率為76. 1%，太陽(yáng)能直接透過(guò)率48%。物理性能按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測(cè)，敲擊實(shí)驗(yàn)等級(jí)為3級(jí)，說(shuō)明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例2在玻璃基板2. OC上依次鍍上厚度為33nm的SiSnOu膜層；厚度為2nm的Ti膜層；厚度為IOnm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜層，其中a+b+c = 3wt% ；厚度為2nm的Ti膜層；厚度為70nm的ZnSnO18膜層膜層；厚度為3nm的Ti膜層；厚度為12nm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜層， 其中a+b+c = 3wt% ；厚度為3nm的Ti膜層；厚度為^nm的SiSnOu膜層；厚度為8nm的 TiO2膜層作為保護(hù)層，得到可熱處理低輻射鍍膜玻璃。光學(xué)性能測(cè)試在熱處理之前，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 045，可見光透過(guò)率78. 2% ；烘彎加熱后檢測(cè)，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 038，可見光透過(guò)率為79. 8%，面電阻為 4. 3 Ω/square ；然后洗滌、合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃，經(jīng)檢測(cè)，其可見光透過(guò)率為75%，太陽(yáng)能直接透過(guò)率41.9%。物理性能按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測(cè)，敲擊實(shí)驗(yàn)等級(jí)為3級(jí)，說(shuō)明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。
實(shí)施例3在玻璃基板2. OC上依次鍍上厚度為35nm的SiSnO2.3膜層；厚度為2nm的Ti膜層； 厚度為12nm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜層，其中a+b+c = 0. 05wt% ；厚度為2nm的Ti膜層；厚度為70nm的ZnSn02.3膜層膜層；厚度為2nm的Ti膜層；厚度為IOnm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜層， 其中a+b+c = ο. 05wt% ；厚度為3nm的Ti膜層；厚度為65nm的SiSnO2.3膜層；厚度為3nm 的Ti膜層；厚度為9nm的Agl_a_b_。YaMgbB。膜層，其中a+b+c = 0. 05wt% ；厚度為3nm的Ti膜層；厚度為25nm的aiSn02.3膜層膜層；厚度為IOnm的膜層作為保護(hù)層，得到可熱處理低輻射鍍膜玻璃。光學(xué)性能測(cè)試在熱處理之前，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 021，可見光透過(guò)率76. 3% ；烘彎加熱后檢測(cè)，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 015，可見光透過(guò)率為78. 9%，面電阻為 2.0 Ω/square ；然后洗滌、合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃，經(jīng)檢測(cè)，其可見光透過(guò)率為70.2%，太陽(yáng)能直接透過(guò)率36.5%。物理性能按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測(cè)，敲擊實(shí)驗(yàn)等級(jí)為3級(jí)，說(shuō)明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例4 (與例2做對(duì)比)在玻璃基板2. OC上依次鍍上厚度為33nm的SiSnOu膜層；厚度為2nm的Ti膜層； 厚度為IOnm的Ag膜層；厚度為2nm的Ti膜層；厚度為70nm的SiSnOu膜層膜層；厚度為 3nm的Ti膜層；厚度為12nm的Ag膜層；厚度為3nm的Ti膜層；厚度為^nm的SiSnOu膜層膜層；厚度為8nm的TW2膜層作為保護(hù)層，得到可熱處理低輻射鍍膜玻璃。光學(xué)性能測(cè)試在熱處理之前，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 048，可見光透過(guò)率78. 8% ；烘彎加熱后檢測(cè)，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 036，可見光透過(guò)率為80. 7%，面電阻為 4. 8 Ω/square ；然后洗滌、合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃，經(jīng)檢測(cè)，其可見光透過(guò)率為75.7%，太陽(yáng)能直接透過(guò)率43. 1%0物理性能按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測(cè)，敲擊實(shí)驗(yàn)等級(jí)為3級(jí)，說(shuō)明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例5將實(shí)施例2制得的鍍膜玻璃進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，使其?20°C的烘彎爐內(nèi)停留 15min，然后測(cè)試單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 049，面電阻為5. 8 Ω/square。將該單片低輻射鍍膜玻璃通過(guò)合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃按照 GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測(cè)，敲擊實(shí)驗(yàn)等級(jí)為3級(jí)，說(shuō)明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例6將實(shí)施例4制得的鍍膜玻璃進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚蛊湓?20°C的烘彎爐內(nèi)停留 15min，然后測(cè)試單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 2，面電阻為觀.5 Ω/square。將該單片低輻射鍍膜玻璃通過(guò)合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均不能滿足要求。經(jīng)檢測(cè)，敲擊實(shí)驗(yàn)等級(jí)為1級(jí)，說(shuō)明膜層與玻璃和PVB的附著力變差。 實(shí)施例5與實(shí)施例6的比較可以看出實(shí)施例5的面電阻與實(shí)施例2的面電阻相差不大，而實(shí)施例6的面電阻比實(shí)施例4的面電阻增大了一倍多，說(shuō)明經(jīng)過(guò)實(shí)施例6的熱處理后其銀膜層受到一定程度的氧化、硫化等破壞；從另一方面講，采用Agl_a_b_。YaMgbB。膜層替代純Ag膜層可以提高整個(gè)膜層的耐高溫性能、耐機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品膜系結(jié)構(gòu)中含有至少一層AghitTaMgbBc^j 會(huì)邑M。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品膜系結(jié)構(gòu)中含有一層Agl_a_b_。YaMgbB。功能層，從玻璃基板表面往外依次為底層電介質(zhì)層、第一犧牲層、 Ag1-^b-CYaMgbBc膜層、第二犧牲層、頂層電介質(zhì)層、保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品膜系結(jié)構(gòu)中含有兩層Agl_a_b_。YaMgbB。功能層，從玻璃基板表面往外依次為底層電介質(zhì)層、第一犧牲層、 AgmYaMgbBe膜層、第二犧牲層、第二電介質(zhì)層、第三犧牲層、A^ibJaMgbBc膜層、第四犧牲層、頂層電介質(zhì)層、保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品膜系結(jié)構(gòu)中含有三層Agl_a_b_。YaMgbB。功能層，從玻璃基板表面往外依次為底層電介質(zhì)層、第一犧牲層、 AgmYaMgbBe膜層、第二犧牲層、第二電介質(zhì)層、第三犧牲層、A^ibJaMgbBc膜層、第四犧牲層、第三電介質(zhì)層、第五犧牲層、Agl_a_b_。YaMgbB。膜層、第六犧牲層、頂層電介質(zhì)層、保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于Agl_a_b_。YaMgbB。膜層中，Y、Mg 和B的含量為0 < a+b+c彡9. 5wt%，該膜層厚度為6 25nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于底層電介質(zhì)層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，底層電介質(zhì)層厚度為20 50nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層、第五犧牲層和第六犧牲層選用以下的至少一種材料NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，犧牲層厚度為1 5nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x， 第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層厚度為40 95nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于頂層電介質(zhì)層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx、ZnxSnyOn、ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,頂層電介質(zhì)層厚度為10 35nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于保護(hù)層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx、ZnxSnyOn、ZnxTiyOn、ZrOx, NbOx、SiNOx，保護(hù)層厚度為5 25nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品可以制作成夾層玻璃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鍍膜產(chǎn)品，尤其涉及到一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼钠囧兡げＡАＴ撳兡ぎa(chǎn)品的膜層結(jié)構(gòu)中用銀、釔、鎂、硼四種元素組成的合金材料代替原有的金屬純銀作為低輻射功能層的材料，沉積膜層后，功能層材料表達(dá)式為Ag1-a-b-cYaMgbBc，其中0＜a+b+c≤9.5wt％，由于合金銀的使用使得其不易受到環(huán)境的影響，另一方面降低了工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的材料成本。本發(fā)明中的合金材料的使用，使得膜層中的功能膜層的抗氧化、抗硫化變色、抗機(jī)械性能和抗化學(xué)攻擊性能得到很好的改善。本發(fā)明的鍍膜產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車擋風(fēng)玻璃。
文檔編號(hào)C03C17/22GK102515562SQ201110437779
公開日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者尚貴才, 李藝明 申請(qǐng)人:福建省萬(wàn)達(dá)汽車玻璃工業(yè)有限公司, 福耀玻璃工業(yè)集團(tuán)股份有限公司